Носителей заряда инжекция перенос

До сих пор предполагалось, что ток в вентиле через р-д-переход переносится только неосновными носителями заряда (дырками в нашем случае), инжектированными в базовую область. Однако в реальном р-п-переходе всегда имеются так называемые утечки тока р-п-пере-хода, из-за наличия которых ток через р-п-переход переносится основными носителями заряда (электронами в нашем случае). Характеристикой влияния тока основных носителей заряда на полный ток через р-п-переход служит коэффициент инжекции [c.60]

Инжекция неосновных носителей происходит при подаче прямого смещення на р — п-переход, гетеропереход или контакт металл — полупроводник вследствие уменьшения разности потенциалов на контакте. Инжектированные неосновные носители проникают в полупроводник на глубину, определяемую рекомбинацией она по порядку величины совпадает с диффузионной длиной в слабых внеш. нолях и с дрейфовой длиной (см. Дрейф носителей заряда) в сильных полях. Инжекция неосновных носителей лежит в основе действия полупроводникового диода, транзистора и др, полупроводниковых приборов. Изучение стационарных и переходных процессов И. н. з. позволяет исследовать подвижности носителей, а также определить концентрации, энергетич. положения и сечения захвата примесных центров в высокоомных полупроводниках и диэлектриках. Прохождение инжекционных токов является одним из механизмов переноса заряда в тонких диэлектрич. плёнках. [c.148]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...