Ограничение для носителе тока

В 3 ВЫВОДЯТСЯ выражения, описывающие гетеропереход в модели Андерсона, и они иллюстрируются на примере гетеропереходов р — N, п — Р, р Р и ti — N. Влияние градиента состава иа энергетическую зонную диаграмму рассматривается в 4. Выражения, описывающие поведение вольт-емкостных и вольт-амперных характеристик, выводятся в 5. Одним из наиболее важных свойств гетеропереходов является ограничение для носителей тока, создаваемое более широкозонным полупроводником. В 6 рассматриваются потенциальные барьеры, создающие ограничение для электронов и дырок, а также токи утечки через них. Экспериментальные результаты представлены в гл, 7. [c.220]

ОГРАНИЧЕНИЕ ДЛЯ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА [c.280]

Она справедлива для любого тока, состоящего из последовательности независимых случайных импульсов, каждый из которых несет заряд (—д). Следовательно, ее можно распространить не только на насыщенные (или с ограничением тока температурой катода) вакуумные диоды, но также и на диоды с р-п переходом или биполярные транзисторы, в которых носители пересекают потенциальные барьеры (см. п. Б 6.1). [c.25]

Электронно-дырочный переход обладает односторонней (униполярной) проводимостью, аналогично выпрямляющему действию двухэлектродной лампы — диода (П1.3.8.3°). Поэтому полупроводник с одним р—-п-переходом называется полупроводниковым диодом. Полупроводниковые диоды обладают целым рядом преимуществ перед электронными двухэлектродными лампами (экономия энергии для получения носителей тока, миниатюрность, высокая надежность и большой срок службы). Недостатком полупроводниковых диодов является ограниченный интервал температур, в котором они работают (приблизительно от —70 до +125 °С). [c.249]

Наибольшее распространение получили кольцевые головки (рис. 9.33). Сердечник 1 состоит из двух половинок, на которых размещена обмотка 2. С сердечником в области рабочего зазора 3 соприкасается ферромагнитный слой носителя записи 4. У записывающих головок имеется дополнительный зазор 5. Рабочий зазор служит для создания ограниченного по протяженности магнитного поля при записи и обеспечения сцепления магнитного поля фонограммы с сердечником при воспроизведении. Ширина рабочего зазора головок записи и воспроизведения — от долей до нескольких единиц микрометра. Дополнительный зазор служит для увеличения магнитного сопротивления сердечника с целью предотвращения его намагничивания броском тока в моменты коммутации электрического канала или головки. Ширина дополнительного зазора — 30. .. 40 мкм. Ширина рабочего зазора стирающих головок — 70. .. 200 мкм. [c.252]

Возможно, что здесь на помощь придут специализированные аналоговые вычислительные устройства, в которых носителем информации является не электрический ток, а луч света, генерируемого лазером, — так называемые когерентные оптические вычислительные машины. Экспериментальные образцы таких машин для статистического анализа радиосигналов уже построены. При ограниченной, но достаточной для анализа случайных процессов точности (несколько процентов) они развивают гигантскую информационную производительность — до 10 —10 бит/с [c.175]

Область пространственного заряда 241, 242, 270 Ограничение для носителй тока 280 ОГС-лазеры (лазеры на односторон-ней гетероструктуре) 19, 20, 87, 88 Оператор Гамильтона 146, 148 [c.296]

В предыдущих главах были представлены основы теории,, описывающей лазеры на гетероструктурах, и методы эпитаксиального выращивания. Были рассмотрены только те структуры, в которых существует ограничение для носителей -и излучения в лаправлении, перпендикулярном р — л-переходу. Они называются лазерами с широким контактом. Больше всего используются такие полупроводниковые лазеры, в которых ток ограничивается также и в плоскости р — -перехода (боковое ограничение). Они называются лазерами полосковой геометрии. В этой главе будут изложены и обсуждены методы изготовления и рабочие характеристики лазеров как с широким контактом, так и полосковой геометрии. [c.181]

Для того чтобы описать зависимость / ор от толщины р-слоя, воспользуемся данными, приведенными на рис. 7.3.2 для По = =5-10 см-з [28]. Следует рассматривать не только влияние тока инжекции через р —/г-переход, но и существование скачка показателя преломления Ап на границе п- и р-областей, который обеспечивает оптическое ограничение Г для излучения. При По = ро = 5-10 см- , как видно из рис. 2.5.3, А/г л 0,01. Из рис. 7.3.7, б следует, что при этих концентрациях носителей /. 2 мкм и при 2 > 3 мкм наличие р — Р-гетероперехода практически не заметно. В этих условиях / ор (300 К) соответствует значениям, полученным в гомолазерах. По мере уменьшения 2 от 3 мкм ограничение для носителей и света в ОГС-лазерах становится лучше, чем в гомолазерах. Улучшение оптического ограничения приводит к уменьшению сс< приблизительно с 10 см- для гомолазеров до 20—40 см для ОГС-лазеров [27,35,36]. Как видно из выражения (7.3.13), уменьшение сс Ведет к уменьшению электронного тока, при котором достигает- [c.197]

Рис. 7.5.1. Схематическое изображение энергетической зонной диаграммы гетеропереходов. а — структура Ы рРу, область, занятая электронами, которые дают вклад в ток утечки возникающий вследствие неполного ограничения для носителей, обозначена штриховкой б — структура ЫхрРуРх, току утечки препятствует Р — Рл-гетеропереход.

На примере двусторонней гетероструктуры (ДГС) могут быть проиллюстрированы наилучшим образом те свойства гетеропереходов, благодаря которым в гетеролазерах плотности порогового тока при комнатной температуре имеют гораздо более низкие значенйя, чем в гомолазерах. Как М — п — Р-, так и N — р — Р-структуры обладают одинаковыми свойствами. Гетеропереходы служат для ограничения инжектированных носителей в р (или п) активном слое ак это проиллюстрировано на рнс. 1.3.2, S. Толщина активного слоя d может быть значительно уменьшена от неконтролируемых значений в несколько микрометров в гомолазерах до 0,1 мкм и меньше в GaAs—AUGai As ДГС-лазерах. Как следует из выражения (1.3.5), уменьшение d понижает /пор. Для N — р — Р ДГС-лазера, изображенного на рис. 1.4.2, а, явление ограничения для носителей, проиллюстрированное рис.. 1.3.2, S, вновь представлено на рис. 1.4.2, б для случая большого прямого смещения. Более широкозонные N-и Р-области имеют к тому же более низкие значения показателя преломления, как это показано на рис. 1.4.2, в. Таким образом, [c.26]

Если не допускать расширения столба дуги, сжимая его стенками (например, в канале плазменной горелки) или охлаждая его поверхность, то само регулирование приводит к увеличению числа носителей тока и уменьшению напряженности за счет роста температуры. Например, в дуге Гердиена, стабилизированной водой, можно получить Т до 50 000° К. Тот же процесс повышения Т с ростом тока, как правило, наблюдается в любых сварочных дугах, но в ограниченных пределах. (В настоящее время применимость принципа Штейнбека для расчета процессов в дуге подвергается некоторыми авторами сомнению.) [c.73]

Рис. 10.7. Токи, ограниченные пространственным зарядом а — МДМ-структура с d>L, к которой приложено внешнее смещение V б —ВАХ МДМ-структуры для ндеального> (безловушечного) диэлектрика (непрерывная прямая) штриховой линией показан омический участок ВАХ, обусловленный существованием в диэлектрике свободных носителей ( неидеальный диэлектрик) а —ВАХ структуры о диэлектриком, содержащем в запрещенной зоне ловушки

Наилучшими параметрами обладает Г. па основе трёхслойной (двойной) гетероструктуры (ДГС) с активным слоем из узкозонного полупроводника, заключённым между 2 широкозонными (ДГС-лазеры, рис. 1, в). Двустороннее оптическое и электронное ограничение приводит к совпадению области инверсной населённости и светового поля, что позволяет получить генерацию при малом токе накачки. Использование для инжек-ции носителей гетероперехода позволяет осуществить сверхинжекцию для достижения достаточно большой инверсии населённости в активном слое. [c.445]

Область слабых напряжений в канале В этом пункте разрабатывается приближение, позволяющее вычислять ток из решений уравнения Пуассона для малых значений падения напряжения, приложенного вдоль канала. Это приближение, пригодное для анализа работы МОП-транзисгора в подпороговых и линейных областях, вообще говоря, справедливо для падений напряжений в канале, удовлетворяющих условию I I < < 0,1 В. При этом ограничении плотпость тока определяется, в основном, дрейфом свободных носителей при наличии градиента потенциала, так что диффузионной составляющей в можно пренебречь. В этом предположении выражение для плотности твка [c.379]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...