GaAs эффективные массы носителей

Это уравнение показывает, что для получения больших значений Vd желательно, чтобы Fi — Е было мало, а это означает высокую концентрацию дырок в слое Р — Gao,5iIno,49P- Для увеличения Р — Ещ) требуется низкая концентрация дырок в слое GaAs. Для того чтобы определить в наших примерах положение уровня Ферми, были взяты следующие значения эффективных масс носителей в Gao,5iIno,49P тПп — ОД шо н Шр = 0,60 то. Выражения, необходимые для расчета энергетической зонной диаграммы, были взяты из 3 гл. 4 в части, касающейся изо-типных гетеропереходов. [c.36]

В ЭТОМ параграфе, посвященном построению энергетических зонных диаграмм гетеропереходов, рассматриваются только параболические плотности состояний, определяемые выражениями (3.4.1) и (3.4.2). Однако для сравнения теоретических и экспериментальных результатов было бы необходимо рассмотреть зависимость величин д —Ес — Ео, рс(Е-Ес) и рр( г — Е) от концентрации, а также сужение запрещенной зоны, описываемое формулой (3.7.2), при высоких концентрациях носителей. Рассмотрение этих концентрационных зависимостей не включено в последующий аиалн так как основные характерные свойства энергетических зонных диаграмм могут быть проиллюстрированы и без привлечения этих дополнительных усложнений Параболическая плотность состояний в GaAs представлена на рис. 4.3.4, а, а значения эффективных масс даны в табл. 4.2.1. Плотности состояний в AUGai-jAs для х = [c.233]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...