Темп захвата носителей заряда

Стационарный неравновесный случай. В отсутствии термодинамического равновесия функция заполнения ПЭС электронами f отличается от равновесной функции / ) (3.4). Условие же равенства нулю полного темпа захвата носителей заряда на центр сохраняется (и = и , - и е = 0 Upt - Upe = 0). [c.93]

Тамма состояния 77-78 Таммана температура 162 Тепловое расширение поверхности 161 Тепловые колебания поверхностных атомов 157-159 Теплопроводность поверхности 161 Темп захвата носителей заряда 88, 91, 95, 98 [c.282]

Механизмы диссипации энергии в актах захвата. Быстрые и медленные электронные состояния. В актах захвата свободного носителя заряда на центр локализации освобождается энергия, которая должна быть передана какому-то третьему участнику процесса кристаллической решетке, другому свободному носителю, кванту света (излучательный захват). На поверхности твердого тела, помимо указанных выше, могут протекать такие процессы, как колебательное или электронное возбуждение адсорбированных молекул, их десорбция и т.п. Темп диссипации избыточной энергии в значительной мере определяет величину сечений захвата электрона или дырки на тот или иной центр и, соответственно, характерное время его перезарядки. Как упоминалось выше, по временам взаимодействия с разрешенными зонами центры захвата делят на быстрые и медленные (см. раздел 2.4.2). Поскольку время перезарядки центра локализации зависит не только от сечения захвата, но и от концентрации свободных [c.89]

Темп рекомбинации. Время жизни неравновесных носителей заряда в объеме. Темпом рекомбинации неравновесных носителей заряда называется количество электронно-дырочных пар, аннигилирующих в единицу времени в расчете на единицу объема или поверхности (в случаях объемной и поверхностной рекомбинации, соответственно). В стационарных неравновесных условиях темп рекомбинации равен полному темпу захвата электронов и дырок Уг = и = i/ ,. Подставляя функцию заполнения рекомбинационных центров (3.45) в соотношение (3.44), получим [c.100]

РЕКОМБИНАЦИОННЫЕ ЦЕНТРЫ - дефекты или примесные атомы (ионы) в кристаллич. решётке, на к-рых происходит рекомбинация электроняо-дырочной пары (см. Рекомбинация носителей заряда). Процесс осуществляется путём последоват. захвата электрона и дырки центром. Энергетич. уровни Р. ц. лежат в запрещённой зоне, и центр обменивается носителями заряда с зоной проводимости (с) и валентной дырочной зоной (г) посредством процессов термич. испускания электронов из заполненного Р. ц. в зону I (с вероятностью в единицу времени g ) и дырки из пустого Р. ц. в зону V (с вероятностью д), а также обратных процессов захвата свободного электрона ва пустой Р. ц. (вероятность К ) и свободной дырки ва заполненный Р, ц. (Ад). Величины Д1 Ад, Ад определяются сечениями захвата электрона и дырки Од, Пд, их тепловыми скоростями Од, Уд, эяергетич. расположением уровня Р. ц. я краёв зон (/,., т,), кратностью вырождения уровня Р. ц. у, статистич. факторами с- и о-зон (Ас, Ас). Они являются ф-циями темп-ры Г и концентраций свободных электронов п и дырок р (при отсутствии вырождения) [c.321]

Темп многофононного захвата определяется величиной константы электрон-фононного взаимодействия. При слабой связи между локализованными носителями и фононной "баней" кристаллической решетки сечения захвата свободных электронов или дырок на соответствующие центры могут быть весьма малыми (10 -10 см и менее). Для поверхностных электронных состояний в некоторых случаях реализуется очень сильная электрон-фононная связь. При захвате свободного носителя на такой центр локализации происходит существенная перестройка ближайшего окружения центра, сопровождающаяся преодолением "конфигурационного" потенциального барьера (подробнее об этом см. раздел 8.2). Сечения захвата свободных носителей заряда на такие центры могут быть ничтожно малыми — 10 25 10 22 см2 и менее эти центры выполняют роль медленных по- [c.90]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...