Энергия перескока носителя

Проводимость, связанная с носителями, которые совершают перескоки между локализованными состояниями вблизи уровня Ферми. Этот процесс аналогичен прыжковой проводимости по примесям в сильно легированных компенсированных полупроводниках. В области локализованных состояний электрон с заданной энергией не может удалиться достаточно далеко от своего центра локализации. Хотя может существовать перекрытие волновых функций некоторых состояний, отвечающих достаточно близким потенциальным ямам, его недостаточно для того, чтобы проводимость системы при Т=0 К была отлична от нуля. В области локализованных состояний стационарный перенос заряда может происходить лишь путем перескоков носителей [c.361]

Здесь энергия тепловой активации, затраченная для перескока носителей тока, сравнима с энергией их локализации. Процесс проводимости в халькогенидных хромовых или железных ферритах-шпинелях [2] близок к этому процессу в обычных полупроводниковых материалах, т. е. происходит в сравнительно широкой зоне. Таким образом, с переходом от оксидных ферритов-шпинелей к халькогенидным состояние носителей тока значительно меняется. [c.59]

Проводимость, обусловленная носителями, которые возбуждаются в локализованные состояния вблизи краев зон, где плотность состояний велика (т.е. вблизи Е или Ев на рис.2.16,а). Перенос электронов осуществляется путем перескоков между этими состояниями со средней энергией активации Зависимость проводимости от температуры в этом случае имеет вид [c.75]

В области низких температур электроны и дырки, локализованные на диекретных уровнях, м огут перемещаться по кристаллу лишь путем прыжков (перескоков) с одного уровня на другой. Для преодоления потенциального барьера, разделяющего примесные атомы, требуется энергия активации. В случае малой концентрации примесных атомов расстояния между ними получаются большими, а поэтому вероятность перескока оказывается небольшой и значения подвижности (скорость дрейфа носителей заряда в электрическом поле с напряженностью 100 В/м) также очень малы. Прыжковую проводимость можно обнаружить лишь при настолько низких температурах, что концентрация свободных носителей заряда становится совсем небольшой (но при Т = 0 тепловая активация невозможна). Представление об изолированных атомах примеси оправдано лишь в том случае, если не перекрываются ни их силовые поля, ни волновые функции электронов, локализованных на этих уровнях. [c.120]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...