Носитель меры

Эти соображения применимы практически дословно к любому сдвигу на торе, где элемент 7 = (7[,..., 7 ) таков, что числа 71,..., 7 и 1 рационально независимы. По предложению 1.4.1 это условие необходимо и достаточно для минимальности Т . В 1.4 мы показали, что то же самое условие является необходимым для топологической транзитивности и, следовательно, поскольку носителем меры Лебега является весь тор, по второму утверждению предложения 4.1.18 это условие также необходимо для наличия эргодичности относительно меры Лебега. [c.156]

М с т5), а спектры сг, и совпадают соответственно с носителями мер т, Ша и т . Сердцевина спектра совпадает с минимальным БН меры т. [c.39]

Создание элементарной частицы массы М требует затраты энергии, по меньшей мере достаточной для того, чтобы несколько превысить энергию AI , эквивалентную массе покоя. Это не так уж много самые тяжелые из известных в настоящее время элементарных частиц только в 4000 раз тяжелее электрона, так что их энергия покоя составляет не более нескольких тысячных эрга. Батарейка для карманного фонаря поставляет энергию, достаточную для создания тысяч частиц в секунду. Задача заключается в концентрации этой энергии с тем, чтобы необходимая энергия приходилась на весьма малый объем ( 10- см ), занимаемый одной частицей. Это достигается в крупном ускорителе, способном инициировать столкновение, при котором одиночная налетающая частица является носителем энергии, достаточной, чтобы начать реакцию или создать одну или несколько элементарных частиц (рис. 15.10). Ускорители на высокие энергии применяются главным образом для ускорения протонов, но для исследования структуры протонов и ней- [c.429]

До сих пор, рассматривая электропроводность твердых тел, мы считали, что время релаксации т не зависит от электрического поля. В этих условиях плотность тока пропорциональна напряженности поля j=aS , т. е. электропроводность а является величиной, не зависящей от поля. Опыт показывает, однако, что независимость <г от наблюдается лишь в полях, напряженность которых меньше некоторого критического значения. При электропроводность изменяется по мере роста т. е. закон Ома перестает выполняться, Это является следствием изменения либо концентрации носителей заряда, либо их подвижности. [c.256]

Приведенные данные показывают, что электрические и оптические свойства аморфных полупроводников похожи на свойства кристаллических полупроводников, но не тождественны им. Это сходство, как показал специальный анализ, обусловлено тем, что энергетический спектр электронов и плотность состояний для ковалентных веществ, которым относятся полупроводники, определяются в значительной мере ближним порядком в расположении атомов, поскольку ковалентные связи короткодействующие. Поэтому кривые N (е) для кристаллических и аморфных веществ во многом схожи, хотя и не идентичны. Для обоих типов веществ обнаружены энергетические зоны валентная, запрещенная и проводимости. Близкими оказались и общие формы распределения состояний в валентных зонах и зонах проводимости. В то же время структура состояний в запрещенной зоне в некристаллических полупроводниках оказалась отличной от кристаллических. Вместо четко очерченной запрещенной зоны идеальных кристаллических полупроводников запрещенная зона аморфных полупроводников содержит обусловленные топологическим беспорядком локализованные состояния, формирующие хвосты плотности состояний выше и ниже обычных зон. Широко использующиеся модели кривых показаны на рис. 12.7 [68]. На рисунке 12.7, а показана кривая по модели (Мотта и Дэвиса, согласно которой хвосты локализованных состояний распространяются в запрещенную зону на несколько десятых эВ. Поэтому в этой модели кроме краев зон проводимости (бс) и валентной (ev) вводятся границы областей локализованных состояний (соответственно гл и ев). Помимо этого авторы модели предположили, что вблизи середины запрещенной зоны за счет дефектов в случайной сетке связей (вакансии, незанятые связи и т. п.) возникает дополнительная зона энергетических уровней. Расщепление этой зоны на донорную и акцепторную части (см. рис. 12.7, б) приводит к закреплению уровня Ферми (здесь донорная часть обусловлена лишними незанятыми связями, акцепторная — недостающими по аналогии с кристаллическими полупроводниками). Наконец, в последнее время было показано, что за счет некоторых дефектов могут существовать и отщепленные от зон локализованные состояния (см. рис. 12.7, в). Приведенный вид кривой Л (е) позволяет объяснить многие физические свойства. Так, например, в низкотемпературном пределе проводимость должна отсутствовать. При очень низких температурах проводимость может осуществляться туннелированием (с термической активацией) между состояниями на уровне Ферми, и проводимость будет описываться формулой (12.4). При более высоких температурах носители заряда будут возбуждаться в локализованные состояния в хвостах. При этом перенос заряда [c.285]

Освещение полупроводника светом не приводит к бесконечному росту концентрации неравновесных носителей заряда, так как по мере роста концентрации свободных носителей и числа свободных мест на примесных уровнях растет вероятность рекомбинации. Наступает момент, когда рекомбинация уравновесит процесс генерации свободных носителей. Избыточная (неравновесная) удельная проводимость, равная разности удельных электрических проводимостей полупроводника при освещении у и в отсутствие освещения уо, называется удельной фотопроводимостью уф [c.70]

Основную часть химического потенциала металла составляет решеточный потенциал (особенно для переходных металлов), и изменение энергии свободных электронов дает вклад в изменение химического потенциала атома лишь в меру статистического веса свободных носителей. [c.13]

Область истощения примеси. По мере повышения температуры концентрация электронов на примесных уровнях уменьшается — примесные уровни истощаются. При полном истощении этих уровней концентрация электронов в зоне проводимости будет равна концентрации примеси, если концентрацией собственных носителей можно по-прежнему пренебречь [c.165]

На первых порах после мысленного приведения п - и р-областей в контакт потоки основных носителей значительно превосходят потоки неосновных носителей Рр- п > Рп р- Но. по мере роста объемного заряда увеличивается потенциальный барьер р— г-перехода qVи потоки основных носителей согласно (8.17) и (8.18) резко уменьшаются. В то же время потоки неосновных носителей, независящие от qV [см. (8.15) и (8.16)] остаются неизменными. Поэтому относительно быстро потенциальный барьер достигает такой высоты сро = qVn при которой потоки основных носителей сравниваются о потоками неосновных носителей [c.221]

По мере увеличения внешнего смещения V растет число электронов, инжектированных в диэлектрик, и увеличивается степень заполнения ими ловушек. При некотором смещении практически все ловушки заполняются электронами, н при дальнейшем увеличении V инжектируемые носители поступают только в зону проводимости. В этом случае б 1 и ВАХ структуры становится такой же, как и для диэлектрика без ловушек (рис. 10.7, в). В области напряжений, при которых происходит переход от слабого к сильному заполнению ловушек, ток растет с напряжением значительно более резко, чем по квадратичному закону, так как согласно (10.15) в этой области У умножается на функцию б, растущую с V. Полная ВАХ структуры показана на рис. 10.7, в сплошной линией. [c.281]

Современные, наиболее совершенные ГАП в первую смену обычно работают в автоматизированном режиме, а во вторую и третью смены — в автоматическом. В будущем, по-видимому, появятся ГАП, которые смогут работать в автоматическом режиме круглые сутки, т. е. без деления на смены. При этом вся конструкторская документация и информация, необходимая для автоматического управления ГАП, будет храниться на машинных носителях и считываться с них по мере необходимости. Таким образом, в ГАП фактически реализуются принципы гибкой безлюдной технологии и безбумажной информатики. [c.11]

Как правило, правовые отношения имеют неоднократную повторяемость на протяжении более или менее длительного времени для самых различных ситуаций и людей ( субъектов управления ). Эти отношения являются в известном смысле безразличными к индивидуальным особенностям своих конкретных носителей (органов, работников) и в то же время обладают рядом признаков стабильности. Так, каждая сторона, вступая в подобные отношения, предполагает, что на ее определенные поступки вторая сторона ответит ожидаемыми действиями, в основе которых лежит цикличность производства (или технологического процесса). При этом важную роль играют нормы-регу-ляторы поведения людей, главное назначение которых — описать, закрепить и гарантировать варианты обязательного или допустимого их поведения. Эти нормы могут и должны предписывать работникам те или иные модели поведения , которым они могут и должны следовать, и содержат меры воздействия как за правильное поведение (меры поощрения), так и за их нарушение (правовые санкции). Подобные отношения непременно проходят через общественное (классовое) сознание, которое формирует и закрепляет ту или иную правовую норму. Следовательно, правовые отношения между людьми на производстве обеспечиваются в классовом обществе силой, ядром которой выступает государственное принуждение. Нам, — писал В. И. Ленин, — нужно государство, нам нужно принуждение [2, т. 36, с. 163]. [c.9]

В том случае, когда степень неоднородности двухфазной смеси (размер частиц дисперсной фазы и расстояние между частицами) меньше длины волны возмущения, по отношению к волне среда ведет себя как непрерывная. При этом для определения скорости звука можно воспользоваться уравнением Лапласа = (Эр/0p)j. При распространении акустических волн в однофазной среде имеет место явление дисперсии, проявляющееся в зависимости скорости звука от частоты звуковой волны. Зависимость эта молекулярной природы. Говоря о дисперсии скорости звука в двухфазной среде, можно отметить, по крайней мере, две формы ее проявления. Первая характерна для двухфазной среды в целом и связана с тремя происходящими в ней релаксационными явлениями с процессом массообмена между фазами - фазовым переходом, процессом теплообмена - выравниванием температур между фазами и процессом обмена количеством движения — выравниванием скоростей между фазами. Даже в случае равновесной двухфазной среды при распространении в ней звуковой волны равновесие между фазами нарушается и в ней протекают релаксационные процессы. Вторая форма возникает из-за дисперсии звука в среде-носителе и природа ее та же, что дисперсии в однофазной жидкости. Для нее характерна область высоких частот, когда длительность существования молекулярных ансамблей в жидкости или в газе соизмерима с периодом звуковой волны. [c.32]

При вычерчивании может быть задан масштаб для расчетной схемы и величин узловых сил и напряжений. При вычерчивании эпюр и линий влияния производится автоматическое планирование листа с возможностью получения на нем нескольких изображений. Так как проектирование объекта длительный процесс, а полный объем результатов расчета велик, в системе предусмотрено хранение графической информации на внешних носителях и выдача ее на чертеж по заказу. Это позволит осуществить поэтапную выдачу графических изображений по мере надобности. Графическая информация накапливается и хранится в архиве под определенными шифрами, по которым и осуществляется доступ к ней. Хранение позволяет видоизменять форму выдачи (менять масштабы, вид изображения) с тем, чтобы получить максимально удобный для контроля и анализа чертеж без проведения повторного расчета. Это особенно важно для пространственных конструкций, когда схема может быть начерчена в различных видах. [c.210]

В предыдущей главе были рассмотрены динамические свойства топочного устройства. Это дало возможность определить изменение во времени тепловыделения в топке и расхода дымовых газов, выполняющих роль носителя энергии, при различных возмущениях. Тепло, выделяющееся в топке, воспринимается частично посредством радиации поверхностями нагрева, расположенными в топке, а частично дымовыми газами, которые затем в основном с помощью конвекции передают его конвективным поверхностям нагрева. Происходящие при этом процессы являются следствием термодинамических и гидродинамических явлений. Для каждого котла они в значительной мере определяются регулирующими воздействиями в топке и в меньшей степени — температурой поверхностей нагрева, а следовательно, и процессами в пароводяном тракте. [c.119]

ДИФФУЗИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ — перемещение носителей заряда (электронов проводимости и дырок) в полупроводниках, обусловленное неоднородностью их концентраций. Количественной мерой Д. н. а. в п. являются коэф. диффузии электронов и дырок D , — коэф. пропорциональности между градиентом концентрации и диффузионным потоком соответствующих носителей (обычно >э>1)д). Плотность тока проводимости, создаваемого U полупроводнике носителями каждого типа, складывается из плотпости дрейфового и диффу-а 1L о н н о г о токов [c.690]

Мультифрактальный анализ основан на генерации тем или иным способом меры при разбиении изучаемой структуры на ячейки. Пространство, занимаемое структурой, называется носителем меры. Мультифрактальный подход представляет фрактальную меру как взаимосвязанную фрактальными подмножествами, изменяющимся по степенному закону с различными показателями [4]. Это означает, что изучаемое множество является структурно-однородным Написан Д.В. Козицким [c.109]

К) (рис. 13.31). Весь выделившийся в эвдиометре Нд принимают за Нш(о>. Полное время выделения Нд составляет 5 сут. Наиболее точный хроматографический метод предусматривает наплавку валика на поверхность пластинчатого образца 8X7,5X25 мм, его немедленную закалку и помещение в герметичную камеру. По мере выделения водорода через камеру периодически пропускаются газ-носитель (аргон), смесь которого с водородом анализируют хроматографом. Камеру устанавливают в печь с температурой 420 К, при которой существенно ускоряется выход Нд, но еще не происходит перехода остаточ- [c.534]

Дмслокаипи оказывают существенное влиянне на свойства кристаллов, в особенности на их механические характеристики. Из-за свободного перемещения дислокаций уже кри незначительных напряжениях в кристалле происходят заметные сдвиги, т. е. возникает пластическое течение кристалла. Поэтому дислокации могут рассматриваться как элементарные носители пластичности кристалла. Насколько существенна роль дислокаций, видно из следующего сравнения в отсутствие дислокаций предельное напряжение в кристалле, а следовательно, и прочность составляет G, а при наличии дислокаций — на несколько порядков (от трех до одного) меньше. Препятствуя движению дислокаций в кристалле путем внесения в него атомов некоторых элементов (легирование) или изменяя его поликристаллическую структуру так, чтобы возникли препятствия для движения дислокаций (напри мер, уменьшая размер отдельных кристаллитов — зерен т. е. значительно увеличивая межзеренные границы, ока зывающие тормозящее действие на движение дислокаций или создавая разветвленную дислокационную структуру в которой движение дислокаций тормозится другими дн слокациями), можно повысить прочность кристалла Однако пластичность кристалла при этом может сии зиться. [c.370]

Отсюда видно, что полный напор Я (полную удельную энергию) для элементарной струйки следует рассматривать как меру полной механической энергии, принадлежащей единице веса жидкости, проходящей через данное поперечное сечение струйки. Достаточно Щ умножить на вес жидкости, равный j6Qdt, и мы получим полную величину механической энергии, проносимой жидкостью через рассматриваемое поперечное сечение струйки за время dt как видно, здесь жидкость рассматривается как носитель энергии она переносит энергию от сечения к сечению. [c.101]

Таким образом, чем больше подвижность, тем больше коэффициент диффузии, тем больше плотность Диффузионного тока. Концентрацпя ди( к )ундирующих неосновных носителей убывает по экспоненте по мере удаления от границы раздела вследствие рекомбинации. Расстояние, на котором эта концентрация уменьшается в 2,718 раза (е = [c.177]

Инжещия носителей. Если р-, -переход находится под напря ке-нием, то при прямом включении под действием внешнего поля образуется поток избыточных дырок, направленный в н-область их концентрация по мере удаления от границы постепенно понижается за счет рекомбинации. Аналогично — появление избыточных электронов с убывающей по мере удаления от границы концентрацией наблюдается и в р-области. Проникповеиие неосновных носителей под действием внешнего поля через р-п-переход носит название инжекции этот процесс используется в полупроводниковых триодах. [c.178]

Из табл. 8-4 видно, что с увеличением суммарного атомного номера компонентов в пределах каждой из групп соединений происходит уменьшение твердости вещества. С уменьшением ширины запрещенной зоны в пределах каждой группы соединений наблюдается закономерный рост подвижности носителей зарядов, более ярко выраженный для электронов, чем для дырок. Абсолютное значение подвижности электронов для большинства соединений существенно превышает подвижность дырок. Исключение представляет только антимонид алюминия, у которого подвижность дырок почти в три раза превышает подвижность электронов. Плотность веществ по мере увеличения мета,яличности соединений возрастает. [c.262]

Другим способом повышения быстродействия диодов является создание в областях, прилегающих к объемному заряду перехода, встроенного электрического поля, поджимающего неосновные носители к р—н-иереходу. Такое поле можно получить, легируя п- и р-области так, чтобы концентрация легирующей примеси возрастала по мере удаления от р—м-перехода (рис. 8.19, а). В этом случае концентрация электронов в /г-области (п о h ) вдали от перехода будет выше, чем у самого перехода. Поэтому они будут диффундировать к переходу, повышая здесь свою концентрацию [c.232]

По мере повышения частоты сигнала со времени 1/со оказывается се в большей мере недостаточно для завершения переходных про-iue oB. Это должно приводить к уменьшению числа носителей, инжектированных в положительный полупериод сигнала, и тем самым к уменьшению диффузионной емкости. Кроме того, инжектирован-, ные носители не успевают продиффундировать в глубь пассивных областей диода на диффузионную длину, сосредоточиваясь с большим градиентом в тонком слое у границ р — -перехода, что должно. приводить к увеличению прямого тока, т. е. к уменьшению активного сопротивления р — -перехода. [c.236]

Образование канала проводимости приводит к увеличению пло- щади р — и-перехода, так как носители могут переходить в другую область не только через поперечное сечение перехода, но и через инверсионный слой. Однако плотность тока через р—а-пере-ход не зависит от напряжения на нем, если это напряжение превышает величину порядка kTlq. На участке а (рис. 8.38) все напряжение, приложенное к диоду, падает на р — п-переходе. На участке-же б часть приложенного напряжения падает на инверсионном, слое, вдоль которого протекает ток. Вследствие этого по мере удаления от участка а напряжение на р — /г-переходе будет уменьшаться и в конце концов станет меньше kTlq. Поэтому в более удаленных. областях ток через переход практически отсутствует, несмотря на [c.255]

Из (12.26) следует, что для получения максимальной внутренней эффективности светодиода следует по возможности увеличить отношение вероятности излучательной рекомбинации к безызлуча-тельной. Безызлучательная рекомбинация, как правило, определяется в основном глубокими рекомбинационными центрами, излу-чательная же идет обычно в результате межзонных переходов (рис. 12.11, а), переходов из зоны проводимости на мелкие акцепторные уровни (рис. 12.11, 6) или с мелких донорных уровней в валентную зону (рис. 12.11, б). Вероятность безызлучательной рекомбинации можно уменьшить, очистив полупроводник от глубоких рекомбинационных центров. Сделать это очень трудно, так как сечение захвата носителей некоторыми примесными центрами, например медью, велико и требуется очень высокая степень очистки оттаких примесей. Поэтому качество светодиодов в значительной мере зависит от степени очистки исходных материалов и совершенства технологии изготовления диодов. [c.332]

Операции группы а реализуют математические модели носителей линий чертежа — прямых, окружностей, лекальных кривых. Объекты этой группы составляют большинство носителей линий графических конструкторских документов. В вычислениях участвуют формулы координатных пересчетов размеров, использованные ранее (см. п. 2 гл. 3) для формирования математической модели геометрического образа плоской детали. Все способы задания положения графического объекта (инцидентность, касание, привязка к базе и др.) с учетом направлений размерных линий приводятся к способам, изображенным на рис. 37, т. е. к стандартным расчетным схемам. Исходные данные для вычислений выбираются из характеристики оператора и из подмассивов СП, Р, ОР списковой структуры ОГРА-2. Используются также ранее вычисленные в программе метрические параметры первичных графических объектов, являющихся размерными базами определяемого графического объекта. По мере вычисления эти параметры заносятся в массив КАНФО (каноническая форма). В процессе метрических преобразований выполняются арифметические операции над размерами — сложение, вычитание, деление констант или значений метрических параметров. [c.182]

Если всю информацию удается разместить в оперативной памяти ЭВМ, найти неизвестные несложно. В случае нехватки оперативной памяти наиболее очевидный и простой выход состоит в делении симметричной части ленты построчно на блоки и хранении этих блоков на внешних носителях (чаще всего на магнитных дисках). В процессе решения эти блоки по мере иадрбности считываются из внешней памяти в оперативную и обрабатываются. [c.58]

Поскольку на образование одной пиры носителей заряда требуется, по крайней мере, в 100 раз меньше энергии (2,8 эВ в кристалле Ge), чем затрачивается в сциптплляц. счётчике па получение одного фотоэлектрона с фотокатода ФЭУ, то разрешающая способность иолупроводникоаого F.- . оказывается гораздо более высокой, чем у сцпнтилляц. Г.-с. Для спектрометрии у-квантов с энергией порядка иеск. МзВ D ОСН. применяются работающие при темн-ре жидкого азота германиевые детекторы двух типов детекторы, в к-рых обеднённая область создала внедренном ионов Li в кристалл Ge с проводимостью р-тина, и детекторы из сверхчистого Ge. Полупроводниковые F.- . дают возможность получить кэБ при = [c.412]

ИЗМЕРЕНИЕ — экспорим. определение значения измеряемой величины с применением средств измерений. К средствам измероиий относятся меры, компараторы, измерительные показывающие и регистрирующие приборы, измерит, преобразователи, измерит, системы, из-мерительно-вычислит. комплексы. Конечный продукт И.— его результат — выражается числом или совокупностью чисел, именованных или неименованных в зависимости от того, размерной или безразмерной является измеряемая величина. Результат И. может быть выражен в любой системе счисления и записан при помощи кода на любом носителе. [c.112]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...