Генерация носителей тока II 223. См. также

Генерация носителей тока П 223. См. также Полупроводники [c.404]

Генерация носителей тока II 223. См. также Полупроводники Геометрический структурный фактор см. [c.394]

Концентрации носителей Па и ра называют равновесными они устанавливаются при наличии термодинамического равновесия. В таком полупроводнике скорость тепловой генерации носителей заряда (генерации за счет теплового возбуждения) равна скорости их рекомбинации. Поэтому По и ро остаются постоянными при неизменной температуре. В собственном беспримесном полупроводнике Па=Ро, носители генерируются и рекомбинируют парами. В примесных полупроводниках с донорными примесями (п-полупроводниках) По>ро, а в полупроводниках с акцепторными примесями (р-полупроводниках) п <ро, здесь наряду с парными процессами происходят также одиночные процессы генерации и рекомбинации носителей. Определяемая выражением (7.3.1) проводимость Оо называется равновесной. Она обусловливает электрический ток, возникающий в неосвещенном полупроводнике при приложении к нему раз-и сти потенциалов (так называемый темповой ток). [c.174]

При наличии напряжения на р- -переходе такое равновесие нарушается. При прямом напряжении на р-и-пе-реходе ток рекомбинации преобладает над током генерации. Это объясняется тем, что уменьшается потенциальный барьер на р-л-переходе и носители заряда, ранее не способные преодолеть барьер, проникают в переход, вероятность рекомбинации увеличивается и увеличивается рекомбинационный ток. Физически это означает, что при прямых токах в области объемного заряда появляются свободные носители заряда и заполнение центров захвата этими свободными носителями увеличивается. Уменьшение числа свободных центров захвата приводит к уменьшению числа переходов электронов из валентных связей в центры захвата и увеличивает число электронов, переходящих с центров захвата в валентные связи. Последнее объясняется тем, что переход их в свободное состояние затруднен из-за наличия в области объемного заряда достаточного количества свободных электронов. В данном случае процессы генерации практически прекращаются, а преобладают рекомбинационные процессы. Кроме того, генерационный ток уменьшается также и за счет уменьшения ширины слоя объемного заряда при прямом напряжении. [c.48]

Существенно влияет на работу полупроводниковых приборов также поверхностная рекомбинация. В точечных и маломощных плоскостных полупроводниковых диодах и триодах основная доля рекомбинации определяется участками поверхносш, непосредственно примыкающими к точечному контакту или к выходу р—п-нерехода на поверхность. Еще большую роль поверхностная рекомбинация играет в фотоэлементах, в частности в со.течных батаре.чх, где генерация носителей тока происходит практически у поверхности. [c.62]

Носители заряда разогреваются не только пост, током, но также при поглощении ими эл.- магн. излучения, Возникающее при этом изменение электропроводности полупроводника представляет собой один из механизмов фотопроводимости ir используется для создания чувствительных приёмников излучения миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов. Г. э. возникают также при генерации носителей заряда светом с энергией фотонов Доз, превышающей ширину запрещённой зоны g на величину, значительно б6льн1ую а также (в случае примесных полупроводников) светом с энергией фотонов, существенно превышающей энергию ионизации примесных центров (фоторазогрев). Часть фотоэлектронов, создаваемых в полупроводнике р-типа светом с рекомбинирует с дырками [c.520]

Из-за ударной ионизации обратный ток р — н-П., обусловленный термической или туннельной генерацией, а также фотогенерацией или инжекцией носителей надлежит умножить на коэф. М(иу. / ( 7) = /(б/) М(и). При = ар = а( ) (приближённо имеющем место во мн. полупроводниках при больших значениях ) величина М и) перестаёт зависеть от места, где произошла первичная генерация, и равна [c.643]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...