Основные и неосновные носители закон действующих масс

Таким образом, произведение равновесных концентраций основных и неосновных носителей заряда в данном полупроводнике равно квадрату концентрации собственных носителей в этом полупроводнике. Это важное соотношение, широко используемое в теории полупроводников, называют законом действующих масс, [c.171]

Вывести закон действующих масс для концентраций основных и неосновных носителей в полупроводнике, предполагая, что для носителей тока в зоне проводимости и в валентной зоне, так же как для классических свободных частиц, применима статистика Максвелла — Больцмана и что функция плотности состояний параболическая для обеих зон. Эффективные массы т% (для электронов) и т р (для дырок) считать известными и постоянными. [c.77]

Помимо основных носителей эти области содержат неосновные носители п-область — дырки (р о), р-область — электроны ( ро). Их концентрацию можно определить, пользуясь законом действующих масс (6.30) ПпоРпо = РроПро = / При п о = Рро = м- н Пг = IQi м (Ge) получаем р о == Про — Ю м . [c.219]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...