Плотность носителей

Наблюдали заметные изменения характеристик при малых потоках эти изменения нельзя объяснить изменением плотности носителей в основ- [c.302]

В полупроводниках гЬ пропорционален ср. энергии тепловых колебаний решётки и обратно пропорционален плотности носителей тока, к-рая увеличивается при возрастании темп-ры. [c.572]

Чем меньше плотность носителей заряда, тем при данной силе тока эффект Холла сильнее. Подобная ситуация, в частности, возникает в низкотемпературной плазме магнитогидродинамических генераторов. [c.218]

Чем меньше плотность носителей заряда, тем сильнее эффект Холла при данной силе тока. [c.240]

Для веществ, в которых рассеяние на акустических фононах является основным механизмом рассеяния, показать, что при температурах, превышающих температуру Дебая, подвижность электронов (а значит, для постоянной плотности носителей, и электропроводность) должна быть пропорциональна Т- в металлах и Т в полупроводниках. Сравнить эти результаты с экспериментальными данными для металлов и примесных полупроводников и объяснить причины обнаруженного расхождения. [c.79]

При заданной плотности носителей заряда Пе вынужденный процесс начинается только при напряженностях поля Я Ямин(Пе). Причина этого может быть понята из анализа коэффициента усиления. С одной стороны, коэффициент усиления gs пропорционален дифференциальному поперечному сечению для спонтанного рассеяния, заданному уравнением (3.16-73) из него получается, как правило, только слабая зависимость от поля (ср. приведенные выше данные для изменения g-фактора при различных значениях напряженности поля). С другой стороны, коэффициент усиления пропорционален величине, описывающей относительные населенности спиновых уровней. Существующие закономерности схематически показаны на фиг. 47. При слабых полях энергия Ферми так расположена по отношению к энергетическим зонам, что верхний уровень в значительной мере заполнен поэтому лишь относительно малое число электронов может совершать переходы Снизу вверх. Напротив, при более сильных полях верхний уровень преимущественно свободен (при достаточно низких температурах), так что путем переворачивания спина значительная часть электронов может возбуждаться, что приводит к относительно высокому значению коэффициента усиления. Область значений напряженности поля, в которой создаются эти благоприятные условия для вынужденного рассеяния, зависит от плотности носителей заряда. Чем меньше плотность носителей заряда, тем при меньших напряженностях поля создаются благо- [c.399]

Экспери.ментально определить характер электропроводности можно двумя способами с помощью эффекта Холла и термическим способом. Сущность эффекта Холла заключается в том, что при воздействии поперечного постоянного магнитного поля на пластинку материала, вдоль которой перемещаются носители тока, происходит их смещение так, что плотность носителей тока становится неравномерной. В результате этого, между боковыми ребрами пластинки возникает некоторая разность потенциалов — поперечная э. д. с. Холла, создающая в проводниковой цепи, соединяющей между собой эти ребра, электрический ток. В зависимости от типа электропроводности меняется направление тока, вызванного поперечной э. д. с. (рис. 7-2). Тер.мический способ за-318 [c.318]

После на.хождения типа носителя в качестве следующей задачи встает задача определения плотности носителей. Рассмотрим в качестве примера электронный полупроводник. На температурной характеристике проводимости полупроводника такого типа можно выделить три следующие области. [c.313]

Плотность носителей при температуре О К равна нулю, по так как электроны допоров по мере повышения температуры под действием тепла переходят в зону проводимости, их плотность постепенно увеличивается. [c.313]

При этом еще можно пренебречь возбуждением электронов из заполненной зоны в зону проводимости, считая плотность носителей почти постоянной и равной плотности доноров. [c.314]

Задача 5-3. Расскажите о методах определения плотности носителей в примесных полупроводниках. [c.314]

Когда проводимость обусловлена как отрицательными (электронами), так н положительными (дырками) носителями тока, что имеет место в собственных полупроводниках или близких к ним веществах, плотность носителей нельзя определить непосредственно, если не известно отношение подвижностей носителей. [c.314]

Для определения плотности носителей можно применять также и данные измерений термо-э. д. с., но при этом точность результатов получается невысокой (подробности этого опускаются). [c.314]

Так как а измеряется достаточно просто, то при известных плотностях носителей можно рассчитать подвижности, кроме случая собственного полупроводника. [c.316]

Используя формулу (5-3-4), рассчитайте плотность носителей при температуре 300 К для чистых германия и кремния, если для германия = 0,76 эВ, а для кремния Ее — , эВ. [c.386]

Имеется ступенчатый р-п переход на основе германия. Удельные сопротивления при комнатной температуре областей пар соответственно равны 10 и 10 Ом-м. Подвижности электронов и дырок соответственно равны Нп = 0,36 м /(В-с) и Цр = = 0,17 м2/(В-с). Плотность собственных носителей л,- = 2,5-10 м . Рассчитайте плотности носителей в областях и р. [c.386]

В настоящее время такие вещества неизвестны и, конечно, неясно, удастся ли их создать. Как уже отмечалось, их скорее всего следует искать среди соединений, включающих переходные металлы (а также близкие к ним, типа Си, Ag, Аи) или редкоземельные элементы, для того чтобы валентная зона могла образоваться из слабо перекрывающихся <1- или /-оболочек атомов. В этом случае возможно возникновение тяжелых дырок. Поиск таких соединений непростая задача. К тому же, как уже отмечалось, помимо большой массы дырок, для получения больших Т, нужно, чтобы плотность носителей была не слишком мала, а диэлектрическая проницаемость не слишком велика. Однако, с другой стороны, здесь нет нужды в высоких давлениях и нет вопроса об устойчивости метастабильной металлической фазы, как в металлическом водороде. [c.326]

Усилитель описываемого типа обладает значительной стабильностью свойств по сравнению с усилителем с разделенными областями дрейфа носителей заряда и распространения звука (о последнем типе слоистого усилителя см. в гл. VI). Это связано с тем, что в слоистых системах возбуждение полупроводника происходит извне. При переменных от точки к точке электрофизических свойствах полупроводника в области пространственного заряда усиление там начинается при одном и том же поле во всем объеме области пространственного заряда. С точки зрения взаимодействия волн это означает, что в полупроводнике возбуждается единая волна плотности носителей. Естественно, что затухание и скорость этой волны существенно зависят от свойств непосредственно границы полупроводника, которая нестабильна вследствие контакта с окружающей средой. [c.245]

Измерение коэффициента Холла является прямым измерением знака и плотности носителей заряда. [c.197]

Заметим, что множитель, стоящий в квадратных скобках, зависит только от суммарных плотностей носителей, но не от разности энергий состояний, между которыми совершается переход. Поэтому [c.416]

Плотность носителей зарядов определяется соотношением [c.466]

Применяя этот результат в выражении Я = 1/пе, где п — плотность носителей, и учитывая, что е = 1,60-10" Кл, находим [c.471]

Перспективные элементы памяти. Среди перспективных П. у. можно выделить голографические, использующие для записи, хранения и восстановления изображений ЭП, основанные на принципах голографии. В этом случае мы имеем дело с аналоговыми ЭП, поскольку оптич. плотность носителя информации (наир., эмульсионного слоя фотопластинки) изменяется непрерывно. Интенсивно развивающийся цифровой синтез го.ыграмм позволяет сопрягать между собой голография. ЭП и цифровые системы [7]. [c.526]

Возмущением, ответственным за Р. н. з., является разность между истинным потенциалом V(r, t), действующим на электрон в реальном кристалле, и периодич. Потенциалом Р (г, i), действующим в идеальном кристалле с неподвижными атомами (г—пространственная координата электрона). Возмущение оР = У — определяет вероятность рассеяния PFp—>р. В вырожд- них полупроводниках и металлах следует учитывать принцип Паули, так что фактич. вероятность перехода равна lVp- p ll —/(р ) . Кроме того, при большой плотности носителей рассеяние ослабляется экранированием возмущения из-эа перераспределения носителей в пространстве. [c.274]

Многочастичные экситонно-примесные комплексы могут служить центрами конденсации электронно-дырочной жидкости. Система неравновесных электронов и дырок в полупроводнике при низких темп-рах и достаточно малых концентрациях является диэлектрической благодаря образованию Э. и биэкситонов. С ростом плотности носителей заряда из-за экранирования кулоновского взаимодействия экситонный газ должен металлизоваться. При этом переход металл—диэлектрик происходит в том же диапазоне концентраций, что и переход экситонный газ — электронно-дырочная жидкость 1), [c.503]

В полупроводниках благодаря сильной зависимости плотности носителей электричества от температуры термоэлектрические явления резко усиливаются. Это приводит к повышению КПД термоэлектрических генераторов и к возможности создания эффективньгх холодильников на основе эффекта Пельтье. [c.236]

При непрерывном освещении устанавливается некое стационарное неравновесное распределение носителей. Полное число неравновесных носителей дается простым выражением N — Охс, где С—скорость генерации носителей (число носителей, рождающихся в секунду), а Тс — среднее время жизни. При энергс тическом потоке видимого света, равном 1 мВт, и времени жизни носителей 1 мкс полное число носителей составляет величину порядка (10 фотон/с) X (Ю с)Х Х(1 злектрон-дырочная пара/фотон), т. е. 10 пар Эти пары будут занимать эффективный объем, величина которого зависит от средней длины дрейфа /, на которую они успевают сместиться до своей рекомбинации. В германии и кремнии эта длина может достигать I мм и, если облучаемая площадь равна 1 мм , средняя плотность носителей есть величина порядка N/1 , т. е. 10 пар/см . Эту плотность можно контро лировать, просто изменяя уровень возбуждения, [c.130]

При распространении длинноволнового звука в заряженной решетке металла или полупроводника носители совершают колебания под дейспвием силы F со стороны решетки и под действием силы вязкости Tiv n = — k T v. Поскольку возмущения объемного заряда для плазмы большой плотности должны отсутствовать, возмущения плотности носителей fin = nkvi (со — kU) (U — дрейфовая скорость носителей, V — колебательная скорость носителей) и решетки 6N = = nkw/iu (W — скорость решетки) равны, так что v = = (1 — hV/ks) ii и, следовательно, сила, действующая со стороны носителей на решетку, — F = k r v, равна Л г](1 —kU/ks)w. При и = О эта сила определяет ватуха ние ультразвука [13], а при U > s 10 —10 см/сек приводит к усилению. [c.25]

Характер последующей релаксации неравновесных носителей в энергетическом и координатном пространствах существенно зависит от плотности носителей в фотовозбужденной электронно-дырочной плазме = = 2Пе = 2 й). Для оценки первоначальной концентрации неравновесных носителей Пс, создаваемой к моменту окончания пико- или фемтосекундных импульсов, можно сначала для простоты пренебречь диффузией и рекомбинацией носителей. Тогда с использованием табл. 11.4 получаем оценку сверху [c.145]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...