Типы носителей

САПР документов на двух типах носителей данных САПР документов на всех типах носителей данных Резерв [c.29]

Дна любых типа носителей данных [c.29]

X — код характера выпускаемых документов (6 обозначает выполнение документов САПР на всех типах носителей данных) [c.128]

Для полупроводников с одним типом носителей заряда (и или р) справедливы равенства [c.238]

Ловушки захвата. Кроме рекомбинационных ловушек, в запрещенной зоне полупроводника существуют уровни, которые могут захватывать только один какой-либо тип носителей. Такие уровни называют ловушками захвата. Носитель заряда, находящийся на таком уровне, через некоторое время освобождается и снова участвует в электропроводности. Этот процесс может повторяться. Ловушки захвата обычно расположены вблизи границ запрещенной зоны (рис. 8-10). [c.250]

Так как в собственном полупроводнике имеется два типа носителей — электроны и дырки, удельная проводимость его описывается соотношением [c.190]

Указатель записывается в форме текстовой константы и содержит до пяти компонентов. Первый символ определяет тип устройства (электромеханический аппарат А, дисплей Д и др.), второй — номер N устройства среди однотипных, третий — необходимость М предварительной буферизации команд управления устройством и минимизации холостых перемещений, четвертый и пятый — типы носителей команд управления устройством Л — магнит- ная лента, П — перфолента, К — канал). [c.149]

П, содержит но крайней мере один из перечисленных ниже типов носителей парамагнетизма. [c.533]

Этот тип носителей присутствует в парах металлов нечётной валентности Na, Т1) в газе молекул и N0 в нек-рых органич. молекулах со свободными радикалами в солях, окислах и др. диэлектрик, соединениях Зс -, 4/- и /-элементов в большинстве редкоземельных металлов. [c.533]

Этот тип носителей парамагнетизма проявляется в нек-рых соединениях в.- и /-элементов (соли 8т и Ей и др.). [c.533]

Подобный тип носителей преобладает в щелочных и щёлочноземельных металлах, -металлах и их интер-металлич, соединениях, актиноидах, а также в хорошо [c.533]

П.-э. может наблюдаться только в проводящих средах, где подвижные носители заряда (электроны и ионы в газоразрядной плазме, электроны и дырки — в полупроводниках) присутствуют в приблизительно одинаковом кол-ве. Если же и.меется только один тип носителей тока, то электрич. поле пространственного заряда эффективно препятствует сжатию тока к оси. Прохождение больших токов (10 — 10 А) через газ сопровождается ионизацией и нагревом вещества и переходом его в состояние плазмы. Нагрев плазмы происходит при токовом тепловыделении на омич, сопротивлении плазменного канала (джоулев нагрев) и при адиабатич. сжатии пинча как целого (образуется высокотемпературная плазма). [c.587]

Проводники по типу носителей зарядов делятся на электронные (металлы и сплавы), ионные (электролиты) и смешанные, где имеет место движение как свободных электронов, так и ионов (например, плазма). Чистые металлы обладают малым удельным электросопротивлением (рц = 0,0150... 0,105 мкОм-м). Исключением является ртуть, у которой удельное электросопротивление составляет 0,943...0,952 мкОм-м. Сплавы имеют более высокие значения удельного электросопротивления (рд= 0,30... 1,8 мкОм-м). К группе сплавов с повышенным удельным электросопротивлением относятся жаро- и коррозионностойкие сплавы, которые применяются в электронагревательных приборах и реостатах. [c.91]

Таким образом, мы имеем три связанные между собой величины в дальнейшем будем применять для них следующие обозначения верхние индексы с и р означают тип носителей, участвующих в процессе тепло- и электропроводности, в то время как те же индексы, расположенные внизу, указывают тип носителей, обусловливающих тепловое или электрическое сопротивление. Таким образом, электропроводность и электрическое сопротивление, связанные с рассеянием на фононах, записываются в виде [c.198]

Таким образом, мы рассмотрели основные типы носителей, в той или иной мере пригодные в качестве устройств ввода в системах оптической обработки информации, некоторые из которых могут оказаться вполне пригодными для записи голограмм или голо-графических фильтров. Общим-для рассмотренных носителей является использование для модуляции параметров среды электрического поля. [c.163]

Явления, наблюдаемые в полупроводнике, можно правильно описать, если предположить, что существует два типа носителей, имеющих заряды противоположного знака, а именно — отрицательные электроны и положительные дырки. Каждый тип носителей дает независимый вклад в объемную электропроводность. Избыточные [c.316]

Когда имеются два типа носителей, рассмотрение, проведенное в задаче 13.11, можно осуществить для каждого типа [c.337]

Данные для обработки могут поступать с одного из пяти типов носителей информации (перфолента, устройство оптической печати, магнитная запись в регистрационном журнале, ввод с пульта управления, перфокарта) или сочетания их. [c.18]

Для полупроводников с одним типом носителей заряда (га или р) справедливо выражение [c.330]

Вышеприведенные формулы относились к полупроводникам резко выраженного р- или п-типов, у которых концентрация неосновных носителей пренебрежимо мала по сравнению с концентрацией основных носителей. Если концентрация неосновных носителей такова, что они начинают заметно влиять на движение частиц в полупроводнике, находящемся в магнитном поле, то необходимо учитывать оба типа носителей. Расчет коэффициента Холла с учетом двух типов носителей получается более сложным [c.331]

На рис. 2.9 представлена классификация устройств ввода-вывода документов. Основными признаками классификации являются тип информации (текстовый или графический), функциональное назначение устройства (ввода или вывода), степень автоматизации процесса ввода-вывода и тип носителя информации. [c.76]

Магниторезистивный эффект — увеличение сопротивления металлического образца, помещаемого в магнитное поле,— описывается довольно сложной теорией. Магниторезистивный эффект будет наблюдаться в том случае [1], когда поверхность Ферми несферична, и особенно когда она содержит вклады электронов и дырок или электронов из двух зон. Если существуют два типа носителей, имеющие различный заряд, массу или время релаксации, то магнитное поле будет влиять на них по-разному. Соответственно будет изменяться и полная проводимость, представляющая собой векторную сумму двух компонентов. Этот механизм приводит к появлению поперечного магниторезисторного эффекта, который примерно пропорционален квадрату напряженности магнитного поля Я, а в сильных полях приходит к насыщению. Особый случай представляет металл, у которого различные типы носителей имеют одинаковое время релаксации. Тогда изменение сопротивления Ар под действием магнитного поля можно записать в виде [c.250]

Полевые траизисторы. В изученных выше транзисторах ток осуществляется обоими типами носителей. Такие транзисторы являются биполярными устройствами. В отличие от этого [c.366]

Чаще всего методы анализа классифицируются либо по типу первичного воздействия на образец, либо по типу носителя информации. Существует восемь основных видов зондирующего воздействия на поверхность твердого тела электронь , фотонь , ионы, нейтральные атомы или молекулы, поверхностные волны, магнитное поле, нагрев, электрическое поле. [c.150]

Режим вывода из ЭВМ команд управления устройством отображения определяется пятисимвольным кодом оператора ВЫВОД (см. п. 3 гл. 4). Первый символ определяет тип устройства, второй— номер в типе, третий — режимы минимизации и буферизации, четвертый и пятый — типы носителей для записи сформированных команд. Действия, предписанные оператором ВЫВОД, выполняет управляющая программа (УП) базисного пакета совместно, с подпрограммами буферизации и разгрузки в канал (РКН), записи на магнитную ленту (ЗМЛ), разгрузки на перфоленту <РПЛ) (рис. 93). [c.197]

Возникли различные варианты решения методами стандартизации многих проблем по упорядочению использования ЭВМ в промышленности и в сфере управления народным хозяйством. Ставится, например, задача создания комплекса стандартов универсальных стыкуемых блоков наподобие универсально-сборных приспособлений. Комплескной задачей является стандартизация технических средств АСУ, включая типы носителей информации для АСУ. [c.77]

Электронное поглощение УЗ в полупроводниках — осн. механизм поглощения в широком диапазоне темп-р и частот. Некк. механизмов АЭВ, наличие разл. типов носителей и примесных пентров, возможность изменения концентрации и подвижности, влияние электрич, и магн. полей приводят К сложной картине акустич. поглощения в полупроводниках. В пьезополупроводниках пьезоэлектрич, механизм АЭВ преобладает над всеми другими при темп-рах вплоть до комнатных и в диапазоне частот вплоть до десятков Гц и даёт осн. вклад в поглощение по сравнению с др. механизмами диссипации акустич. энергии, Для комнатных темп-р, когда длина свободного пробега электрона много меньше длины волны (feig[c.57]

В Ge, S) и InSb р-типа есть 2 сорта дырок, и следует учесть, что в области собсгв. проводимости и1и (, тся 3 типа носителей, а в области примесноп проводимости — 2. В последнем случае оси. вклад в электропроводность при 11=0 дают тяжёлые дырки, несм тря на то, что их т больше. Времена релаксации обеих [c.397]

П. и. 3. при Т = 300 К варьируется в пределах от 10 до 10" см /В-с, В слабом электрич. поле подви кность (1 > о как для электронов, так и для дырок, хотя направления их дрейфа противоположны. У разных типов носителей в одном и том веществе ц различны, а в анизотропных кристаллах ц, зависит от направления поля Е относительно кристаллография, осей. В сильных электрич. полях ср. энергия электронов превышает равновесную и растёт с ростом поля Е. При этом т и, следовательно, ц также начинают зависеть от поля Е (см. Горячие электроны). [c.666]

Учитывая соотношение Томсона, можно получить величину зависимости т от темп-ры, концентрации носителей заряда п и др. параметров из соответствующих зависимостей а. В частности, если в проводнике имеется однн тип носителей, в случае классич, статистики при изотропном квадратичном законе дисперсии носителей т= —(3/2)(fe/e) = = +129 мкВ/К (е—заряд носителей). [c.125]

В соответствии с типом носителей заряда электропроводность диэлектриков можно классифицировать на электронную, при ко-то рой ток переносят отрицательно заряженные электроны или положительно заряженные электронные вакансии (дырки) полярон-пую, когда эти электроны и вакансии сильно связаны с кристаллической решеткой ионную, при которой ток переносят положительно заряженные катионы или отрицательно заряженные анионы (или ионные вакансии), а также молионную, если носителями являются заряженные группы молекул или даже макроскопические частицы. В случае положительного заряда молионов явление про- [c.41]

Найти выражение для коэффициента Холла полупроводника с большой концентрацией как электронов, так и дырок при условии, что ooT l для обоих типов носителей. К чему в этом случае приводит независимость от скорости длины свободного пробега электрона и дырки [c.80]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...