Дефекты кристаллической решетки — носители деформации

До недавнего времени неупругую деформацию рассматривали как пластическую и считали ее необратимой. Пластическая деформация кристаллов происходит за счет движения дефектов кристаллической решетки — элементарных носителей деформации, в качестве которых выступают точечные дефекты и (или) дислокации. Важно подчеркнуть, что в общем случае расположение дислокаций и (или) точечных дефектов в новые последе-формационные позиции после снятия нагрузки могут оказаться стабильными, т. е. не предпочтительнее исходных. Следствием этого является практически полная необратимость неупругой деформации. Наблюдающееся на практике механическое последействие, связанное с некоторым обратным перемещением дефектов после разгрузки, не превышает 10 -10 относительной деформации и им можно пренебречь. [c.837]

Пластическая деформация металлов осуществляется путем перемещения и накопления точечных, плоских и объемных дефектов кристаллической решетки. Элементарными единичными и коллективными носителями информации о несо- [c.142]

Носителями пластической деформации в кристаллическом материале являются дефекты различной природы, обладающие полем упругих напряжений, которое либо присуще дефекту как таковому, либо наводится- внешними напряжениями. Тип дефекта и его собственное ноле взаимосвязаны. Зная поле, можно определить тип дефекта, и наоборот. В теории дефектов кристаллической решетки по заданному типу дефекта находят его собственное поле упругих напряжений, хотя возможна и обратная задача, но она не дает детального описания атомной конфигурации в ядре дефекта. [c.26]

Монография известного французского геофизика посвящена процессам деформации в минералах, керамике и металлах при высоких температурах, происходящим также в горных породах под воздействием тектонических напряжений. Рассмотрены дефекты кристаллической решетки — носители пластической деформации, процессы диффузии, различные механизмы и модели ползучести. Ясным и простым языком изложены сложные вопросы физического анализа процессов высокотемпературной ползучести. [c.4]

Как известно, носителями пластической деформации в твердых телах являются дефекты кристаллической решетки. Эти дефекты подразделяются на точечные (в основном вакансии), линейные — дислокации, а также границы зерен, которые вносят разнообразный вклад в пластическую деформацию. Движение и перестройка границ зерен определяют многие явления высокотемпературной ползучести. Здесь обратим внимание читателей на то, что в 70-е и 80-е годы большое внимание стало уделяться ротационным дефектам, которые об разуются в твердых телах при больших пластических дефо )мациях. Эти дефекты получили специальное название — дисклинации , и в их изуче ние большой вклад внесли ученые ленинградской школы по физическому материаловедению ). [c.6]

Дефекты кристаллической решетки — носители деформации [c.51]

Общие представления. Для большинства полупроводниковых приборов используются примесные полупроводники. Поэтому в практике важное значение имеют такие полупроводниковые материалы, у которых ощутимая концентрация собственных носителей заряда появляется при возможно более высокой температуре, т. е. полупроводники с достаточно широкой запрещенной зоной. В рабочем интервале температур поставщиками свободных носителей заряда являются примеси. Примесями в простых полупроводниках служат чужеродные атомы. Под примесями в полупроводниковых химических соединениях понимают не только включения атомов посторонних элементов, но и избыточные по стехиометрическому составу атомы тех самых элементов, которые входят в химическую формулу самого соединения. Кроме того, роль примесей играют всевозможные дефекты кристаллической решетки пустые узлы, атомы или ионы, оказавшиеся в междоузлиях решетки, дислокации или сдвиги, возникающие при пластической деформации кристалла, микротре-дины и т. д. (стр. 12). Если примесные атомы находятся в узлах кристаллической решетки, то они называются примесями замещения, если в междоузлиях — примесями внедрения. [c.233]

Вакансии являются точечными дефектами — вакантными позициями в кристаллической решетке они могут перемещаться, меняя( ь местами с соседними ионами. Мы увидим, что при заданном режиме напряжений имеются градиенты концентрации вакансий. Вакансии перетекают в сторону уменьшения их концентрации, что соответствует переносу вещества в противоположном направлении при этом происходит деформация кристаллов по механизму так называемой диффузионной ползучести (см. гл. 7). Вакансии — это носители деформации, 1 оторая осуществляется переносом вещества. [c.52]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...