Двойной Образование

Контактирование между собой твердых тел — простое на первый взгляд механическое явление, знакомое каждому из обыденной жизни. Два контактирующих тела А и В соприкасаются частями своих поверхностей, совмещающихся друг с другом и образующих единую для обоих тел поверхность соприкосновения С. Площадь поверхности соприкосновения может быть велика или мала, в пределе (теоретически) может быть лишь одна точка соприкосновения, например точка контакта абсолютно твердых шара и плоскости. Точкой контакта сг двух тел А и В называется их общая точка, т. е. точка, принадлежащая одновременно телам А я В. Таким образом, точка контакта С/ по своей природе является двойной, образованной слиянием двух точек f и f, принадлежащих телам А и В соответственно. Поверхность соприкосновения С (поверхность контакта) тел А та В является совокупностью ( геометрическим местом ) точек i контакта и в указанном смысле такн е является двойной, образованной слиянием двух поверхностей — (поверхности контакта, принадлежащей телу А) и равной ей по площади поверхности контакта С (принадлежащей телу В). Заметим, что поверхности и С физических тел А ш В, слившиеся в одну контактную поверхность С, при этом деформированы, т. е. форма и площадь поверхности С контакта отличаются от формы и площади каждой из соприкасающихся поверхностей и С , находящихся Б свободном (до момента контакта) состоянии. Степени [c.11]

Диаграмма железо — углерод, приведенная на рис. 163, соответствует образованию аустенито-цементитных или феррито-цементитных смесей. Образование аустенито-графитных или феррито-графитных смесей происходит при более высоких температурах, а линии фазовых равновесий должны лежать при более высоких температурах. Таким образом, получается диаграмма железо — углерод с двойными линиями (рис. 163). Сплошные линии показывают температуру фазового равновесия аустенита (феррит) — цементит, а пунктирные — аустенит (феррит) — графит. [c.205]

Рис. 20. Схема образования двойного электрического слоя на поверхности металла и его изменение под влиянием адсорбции кислорода

При соприкосновении двух электропроводящих фаз между ними возникает разность электрических потенциалов, что связано с образованием двойного электрического слоя, т. е. несимметричного распределения заряженных частиц у границы раздела фаз. [c.149]

Переход заряженных частиц из одной фазы в другую с образованием двойного электрического слоя в пределах двух фаз [c.149]

Избирательная адсорбция заряженных или полярных частиц одной фазы на поверхности другой с образованием двойного [c.149]

Ориентированная адсорбция незаряженных полярных или поляризуемых частиц на границе раздела фаз с образованием двойного электрического слоя в пределах одной фазы адсорбция молекул воды (рис. 106, э) на металле ориентация дипольных молекул у поверхности раздела жидкость —газ (рис. 106, и) — адсорбционный потенциал. [c.150]

Возможно также образование двойного электрического слоя, обусловленного одновременно несколькими причинами, например ионно-адсорбционного слоя при адсорбции поляризуемых атомов кислорода на поверхности металла в условиях перехода катионов из металла в электролит (рис. 106, к) — ионно-адсорбционный потенциал. [c.150]

Двойной маятник, образованный двумя стержнями длины I и материальными точками с массами ш, подвешен на горизонтальной оси, вращающейся с постоянной угловой скоростью ш вокруг оси 2. Исследовать устойчивость вертикального положения равновесия маятника. Массой ст жней пренебречь. [c.432]

Появление адсорбированного слоя в зависимости от свойств жидкости может иметь различную физическую природу молекулярное или электрическое поле твердого материала, электрически заряженный двойной слой. Независимо от причины их образования в поверхностных слоях наблюдается изменение структуры жидкости (упорядочение слоев молекул) и, следовательно, изменение структурно чувствительных физических свойств (в частности, вязкости и теплопроводности). Отсюда следует, что первая из упомянутых ранее причин облитерации есть следствие образования адсорбированных слоев. [c.25]

Двойной электрический слой - электрически нейтральный слой, образованный двумя близкими друг к другу слоями электрических зарядов различного знака, но с одинаковой поверхностной плотностью. Возникает на границе раздела двух фаз. [c.148]

Химики из Северо-Западного университета (США) предлагают другую последовательность образования фуллеренов [110]. Испаряя лазером графит и определяя состав образовавшихся углеродных фрагментов, они пришли к вьшоду, что отдельные кластеры (двойные циклы из десяти атомов углерода - двух соединенных бензольных колец ) сливаются друг с другом в более крупные, причем при повышении температуры они переходят в форму одиночной замкнутой петли. Когда число атомов углерода в этом кольце достигает сорока, оно может образовывать шар (рис. 5.6). [c.215]

Принцип образования изображения в системе может быть рассмотрен как процесс двойной дифракции. Первая дифракция происходит на объекте 2, освещаемом плоской монохроматической волной, образуемой когерентным источником света /. Объект 2 расположен в передней фокальной плоскости объектива 3, который образует в своей задней фокальной плоскости 4 пространственный спектр объекта (т. е. осуществляет преобразование Фурье объекта). В плоскости голограммы 4, которая одновременно является передней фокальной плоскостью второго объектива 5, находится мультиплицирующий элемент, представляющий собой голограмму набора точечных источников, число и расположение которых соответствует желаемому числу и расположению размноженных изображений. В результате в плоскости голограммы 4 имеем произведение двух спектров Фурье объекта и набора точечных источников. Второй объектив 5 в свою очередь осуществляет преобразование Фурье объекта, находящегося в его фокальной плоскости. Как следствие. этого в плоскости изображения 6 получаем совокупность изображений исходного объекта, причем линейное увеличение системы 7 и размер изображений определяются соотношением фокусов объективов системы 7==/,//,. Очевидно, что размеры отдельных модулей могут быть большими (более 5—10 мм), они ограничиваются лишь полем изображения второго объектива 5. Это является большим преимуществом системы. [c.63]

Анализ случаев образования и распада двойных гипер-фрагментов может дать представление о Л —Л взаимодействии. [c.605]

Если же два когерентных луча линейно поляризовать во взаимно перпендикулярных плоскостях, то они при встрече не создадут интерференционной картины. Именно этот случай наблюдается при двойном лучепреломлении в кристаллах. Лучи, образованные расщеплением падающего луча в кристаллах, являются, конечно, когерентными, однако эти лучи как в одноосных, так и в двуосных кристаллах поляризованы во взаимно перпендикулярных плоскостях. Это не единственный способ получения когерентных и взаимно перпендикулярно поляризованных колебаний. Достаточно поставить [c.49]

Величины Ж/,, т. е. декартовы координаты материальной точки до деформации, можно сохранить в качестве индивидуальной характеристики материальной точки, меняющей свое положение в пространстве. Поэтому они играют двойную роль их можно рассматривать как декартовы координаты по отношению к неизменному базису либо как криволинейные координаты в деформированном пространстве координатные линии в этом пространстве представляют собою кривые, образованные теми точками, которые до деформации принадлежали прямым, параллельным координатным осям. [c.213]

Тройные системы можно классифицировать по тем же принципам, что и двойные, учитывая растворимость компонентов в твердом и жидком состояниях II склонность их к образованию химических соединений. Очевидно, что диаграмм тройных систем различных типов будет гораздо больше, чем диаграмм двойных систем. В задачу данного курса не входит рассмотрение разнообразных тройных диаграмм состояний, поэтому ограничимся рассмотрением в общих чертах процоссов кристаллизации в тройной системе, где эти три компонента но растворимы в твердом состоянии и не образуют химических соединений. [c.149]

Рис. П9. Кривая охлаждения тройного сплава с образованием двойной эвтектики и тройной эв-тектики, состоящих из чпсла компонентов А, В, С

X у (средняя область концентраций). На поверхности этой системы могут образовываться а) отдельные слои соединений двух металлов б) слой смеси окислов в) слой двойного соединения типа шпинели, иапример MtMe On- Поведение сплавов при образовании на них однородных слоев (области концентраций 1 и 2), когда ионы легирующего металла растворимы в поверхностном соединении основного металла, может быть описано для диффузионного механизма процесса теориями Вагнера—Хауффе и Смирнова. [c.83]

Оставшаяся часть 8-фазы (сердцевина зерна) при 1320—1350° С распадается с образованием смеси а-кристаллов и карбидов (8-эвтек-тоид). При более низкой температуре по границам зерен утвердого раствора кристаллизуется двойная эвтектика скелетообразной формы (аустенит - -сложные карбиды) (рис. 14.15). [c.251]

Задача 185. Определить собственные частоты и коэффициенты формы малых колебаний двойного физического маятника, образован-иогв стержнями / и 2 одинак( ввй массы т и длины I (рис. 374, а). [c.395]

Механизм обесцинкования не получил еще удовлетворительного объяснения. Имеются две точки зрения. Первая предполагает, что первоначально протекает коррозия всего сплава, а затем медь осаждается на поверхности из раствора с образованием пористого внешнего слоя. Согласно второй, цинк, диффундируя к поверхности сплава, преимущественно растворяется прИ -а,том поверхностный слой обогащается медью. Каждую из этих гипотез можно успешно применить для объяснения явлений, наблюдающихся в определенных случаях обесцинкования. Однако накопленные факты свидетельствуют, что второй механизм применим намного чаще. Пикеринг и Вагнер [17, 18] предположили, что объемная диффузия цинка происходит вследствие образования поверхностных вакансий, в частности двойных. Они образуются в результате анодного растворения, а затем диффундируют при комнатной температуре в глубь сплава (коэффициент диффузии для дивакансий в меди при 25 °С D = 1,3-10" см с) 117], заполняясь преимущественно атомами цинка и создавая градиент концентраций цинка. Данные рентгеновских исследований обесцин-кованных слоев е-латуни (сплав Zn—Си с 86 ат. % Zn) и -у-латуни (сплав Zn—Си с 65 ат. % Zn) показали, что в обедненном сплаве происходит взаимная диффузия цинка и меди. При этом образуются новые фазы с большим содержанием меди (например, а-латунь), и изменение состава в этих фазах всегда идет в сторону увеличения содержания меди. Как отмечалось ранее, аналогичные закономерности наблюдаются в системе сплавов золото— медь, коррозия которых идет преимущественно за счет растворения меди. Растворения золота из этих сплавов не обнаруживают. В результате коррозии на поверхности возникает остаточный пористый слой сплава или чистого золота. Скопления двойников, часто наблюдаемые в полностью или частично обесцинкованных слоях латуни, также свидетельствуют в пользу механизма, связанного с объемной диффузией [19]. Это предположение встречает ряд возражений [20], однако данные рентгеноструктурного анализа обедненных цинком слоев невозможно удовлетворительно объяснить, исходя из концепции повторного осаждения меди. Хотя предложен ряд объяснений ингибирующего действия мышьяка, сурьмы или фосфора на обесцинкование а-латуни (но не Р-латуни), механизм этого явления нельзя считать полностью установленным. [c.334]

Характер адгрзии объясняют несколько концепций, не противоречащих друг другу. Так, в работе [136] указывается, что величина адгезии покрытия обусловливается смачиванием поверхности подложки покрытИе.м, т. е. способностью связующего вытеснить газы и влагу, удерживаемые с помощью водородных связей на поверхности адсорбированного мономолекулярного слоя. В работе [137] адгезия расС.матрнвается как результат электростатического притяжения между зарядами двойного электрического слоя, образованного на поверхности раздела покрытие — подложка. Ряд других авторов видит природу адгезии в химическом взаимодействии матепнала покрытия и металла [138] и др. [c.171]

В СТ СЭВ 144—75 устанавливаются поля допусков валов и отверстий и рекомендуемые посадки, которые получены различным сочетанием основных отклонений и допусков. В качестве примера в табл. 8.1 и 8.2 приведены поля допусков и предельных отклонений отверстий и валов 7-го квалитета для диаметров от 1 до 500 мм. Поля допусков, применение которых предпочтительно, обведены рамкой и отмечены двойной штриховкой. В информационном приложении к стандарту приведены рекомендации по образованию посадок из полей допусков валов и отверстий. Более полные сведения о допусках и посадках и принципах построения ЕСДП СЭВ изложены в литературе [8, 30]. [c.92]

Faej , был зарегистрирован случай образования и распада двойного Л-ядра. Интерпретация зарегистрированного события неоднозначна, однако с большой вероятностью можно утверждать, что оно соответствует образованию гиперядра дд Be, [c.198]

Можно пойти дальше по этому пути и предположить, что взаимодействие осуществляется также посредством некоторых образований типа рассмотренных в конце предыдущего параграфа двойных сил, которые распределены по поверхности непрерывно. В современных теориях сплошных сред подобные предположения делаются, однако значение их состоит скорее в иллюстрации весьма большой степени общности, которая может быть достигнута в рамках представления о сплошной среде и о потенциальной возможности значительного расширения этих рамок с тем, чтобы описать эффекты, относимые обычно за счет дискретности строения реальных тел. Но существующие теории, уже нашедшие применения к реальным объектам, строятся почти искючительно на основе классической модели, которая до недавнего времени представлялась совершенно очевидной и единственно возможной. [c.31]

Как показано на рис. 63,6 и 64, система (111) [011] является сопряженной системой скольжения, а (111) [101] — первичной системой. Двойное скольжение служит причиной дальнейшего движения оси образца вдоль границы [001] — [ГП] треугольника по направлению к полюсу [II2], который расположен посередине направлениями скольжения [Г01] и [011] и лежит на большом круге, соединяющем эти полюса. Ось растяжения сохраняет эту ориентировку до образования на образце локализованной шейки и последующего разрушения. Таким образом, в результате двойного скольжения вследствие прекращения поворота оси кристалла относительно направления скольжения кубические кристаллы подвергаются значительно меньшему растяжению, чем гек- [c.118]

S возможен только при растяжении. При сжатии кристалл цинка будет деформироваться путем сбросообра-зования. Наоборот, для кристалла Mg (с/а= 1,624) угол между базисной плоскостью и плоскостью двойни-кования уменьшается от 47 для Zn до 43° для Mg. Рассуждая аналогично, т. е. помещая левую часть монокристалла с базисной плоскостью параллельно действующему -усилию, убеждаемся, что по принципу Ле-Шателье можно получить двойникование только при сжатии, когда вектор 5 перехода плоскости Ki в Кч направлен против часовой стрелки в направлении пассивного захвата. Таким образом, для магния образование двойников следует ожидать при сжатии, а для цинка — при растяжении. Для металлов с еще меньшим соотношением осей, чем для магния (титан, цирконий), двойникование более сложное и наблюдается не только по плоскостям 10Г2 , но и по плоскостям 1122 и другим пирамидальным плоскостям (см. рис. 80, а). [c.140]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...