Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Полигонизация

Следующая стадия — полигонизация, под которой понимают фрагментацию кристаллитов на субзерна полигоны) с малоугловыми границами, происходит при нагреве до более высоких температур.  [c.54]

В алюминии, молибдене и вольфраме полигонизация протекает с большой скоростью, и субзерна достигают значительных размеров, что вызывает сильное разупрочнение. Некоторые физические свойства (например, электросопротивление) в процессе возврата восстанавливаются практически полностью. Это связано с уменьшением концентрации вакансий и с перераспределением дислокаций.  [c.55]


Образование границ зерен — структурное превращение, присущее литому металлу (сварному шву, отливке) в период завершения его кристаллизации из жидкого расплава. Границы образуются непосредственно при срастании первичных кристаллитов. Поскольку кристаллические решетки кристаллитов ориентированы произвольно, то их сопряжение при срастании кристаллитов сопровождается существенными искажениями решеток. Эти искажения и приводят к образованию граничной поверхности. Существует также мнение, что границы образуются путем собирания дислокаций, неупорядоченно расположенных в металле после затвердевания в одну граничную поверхность в результате процесса полигонизации, однако более обоснован первый механизм образования границ. Современные представления о строении границ сводятся к тому, что на границах чередуются участки хорошего и плохого соответствия кристаллических решеток соседних зерен. Это так называемые островные модели границ зерен. Строение и протяженность участков плохого соответствия зависят от угла разориентировки решеток смежных кристаллитов. Различают малоугловые (угол до 15°) и большеугловые (угол свыше 15°) границы. Малоугловые границы описывают как ряд отдельных дислокаций (рис. 13.9,а). Расстояние между ними D определяется соотношением  [c.501]

ОСНОВНЫЕ ОСОБЕННОСТИ И ДВИЖУЩАЯ СИЛА ПРОЦЕССОВ РАЗУПРОЧНЕНИЯ (ВОЗВРАТА, ПОЛИГОНИЗАЦИИ И РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ) ДЕФОРМИРОВАННЫХ МЕТАЛЛОВ И СПЛАВОВ  [c.298]

МЕХАНИЗМ И ТЕМПЕРАТУРНЫЙ УРОВЕНЬ ПРОЦЕССОВ ВОЗВРАТА И ПОЛИГОНИЗАЦИИ  [c.300]

ПОЛИГОНИЗАЦИЯ — самый низкотемпературный из процессов, заметно изменяющий под влиянием нагрева структуру деформированного материала.  [c.304]

Под полигонизацией понимают процесс формирования и укрупнения субзерен при нагреве наклепанных металлов и сплавов. Формирование субзерен реализуется перераспределением одиночных дислокаций и (или) сплющиванием трехмерных дислокационных скоплений скольжением и переползанием дислокаций с образованием малоугловых дислокационных субграниц. Укрупнение субзерен реализуется их коалесценцией или миграцией субграниц.  [c.304]

Дислокационный механизм полигонизации наиболее наглядно объясняется на простейшем примере монокристалла, деформированного изгибом (т. е. легким сколЬ  [c.304]

Такие дислокационные стенки хорошо выявляются металлографически в виде рядов ямок травления, расположенных перпендикулярно плоскостям скольжения. Каждая ямка травления расположена в месте выхода дислокации на поверхность шлифа. Пример такой дислокационной стенки, образовавшейся при полигонизации, показан на рис. 177.  [c.305]


Итак, важной особенностью рассмотренного ранее простейшего механизма полигонизации является то, что границы полигонов в этом случае создаются заново в  [c.305]

Позднее понятие полигонизации значительно расширилось. Под полигонизацией стали понимать сложные процессы перераспределения и взаимодействия дислокаций, приводящие к образованию субзерен в моно- и поликристаллах, деформированных множественным скольжением, малоугловые субзеренные границы кото-  [c.306]

Рис. 177. Дислокационные малоугловые границы (стенки), образовавшиеся при полигонизации монокристалла Fe+3,5 % Si и выявленные с помощью ямок травления Рис. 177. Дислокационные <a href="/info/7179">малоугловые границы</a> (стенки), образовавшиеся при полигонизации монокристалла Fe+3,5 % Si и выявленные с помощью ямок травления
Этот более сложный случай полигонизации отличается от простейшего, рассмотренного ранее, рядом важных особенностей.  [c.306]

В отличие от перераспределения дислокаций в изогнутом кристалле сложная полигонизация включает в себя не только консервативное скольжение и переползание, но и поперечное скольжение винтовых дислокаций.  [c.306]

Ясно, что если пути перераспределения дислокаций при полигонизации и на начальных стадиях рекристаллизации одни и те же, то полигонизация является только начальной стадией рекристаллизации, если же эти пути различны, то они могут быть процессами конкурирующими.  [c.308]

СТАБИЛИЗИРУЮЩАЯ ПОЛИГОНИЗАЦИЯ — процесс перераспределения дислокаций при нагреве де--формированного материала с однородной дислокационной структурой, образованной действием небольшого числа Систем скольжения, приводящий к аннигиляции дислокаций противоположных знаков и к образованию  [c.308]

Поскольку полигонизация включает в себя несколько элементарных процессов (консервативное скольжение,  [c.309]

Поэтому полигонизацию затрудняет все то, что тормозит диффузию вакансий и уменьшает их концентрацию, что тормозит движение дислокаций, способствует образованию примесных атмосфер вокруг дислокаций, что уменьшает энергию дефектов упаковки Е .у и тем самым затрудняет поперечное скольжение винтовых дислокаций.  [c.310]

Деформация на малые степени (меньше екр) соответствует первой либо начальной части второй стадии кривой упрочнения. Нагрев после такой деформации приводит, как правило, к стабилизирующей полигонизации, затрудняющей последующие структурные изменения. В результате нагрев после таких степеней деформации не вызывает роста зерен. Процесс ограничивается протекающей в них полигонизацией.  [c.332]

Уменьшение неоднородности деформации в локальных объемах может быть достигнуто за счет промежуточной операции полигонизации (между деформацией и ре-кристаллизационным отжигом). Действительно, предварительная стабилизирующая полигонизация резко уменьшает степень укрупнения структуры при рекристаллизации после 8кр и несколько увеличивает бкр (рис. 189). Но при этом температура нагрева под полигонизацию должна быть относительно велика (немного ниже температуры начала рекристаллизации).  [c.334]

Механизм влияния стабилизирующей полигонизации заключается, видимо, в том, что полигонизация уменьшает дальнодействие упругих полей дислокационных сеток. Вследствие этого ослабевает способность дислокаций оттягивать на себя границы зерен. Образование же  [c.334]

Увеличение скорости нагрева до десятков и сотен градусов в 1 с действует противоположно стабилизирующей полигонизации, т. е. смещает екр к меньшим значениям е, но при условии, если речь идет только о скорости -выхода на изотерму.  [c.336]

Таким образом, зерна металла разориентированы относительно друг друга на величину в несколько десятков градусов. Зерна могут состоять из фрагментов, разориёнтированных лишь на несколько градусов. Наконец, фрагменты могут состоять из блоков, разориентированных на очень небольшие углы, — в несколько минут. Такая трехступенчатая структура не обязательна. В ряде случаев зерна могут состоять из фрагментов без внутренней блочной структуры или только из блоков. Термический процесс, вызывающий деление зерна на фрагменты, называется фрагментацией, или полигонизацией.  [c.33]


Петля гистерезиса 540 П.патинит 539 Ползучести кривая 454 Ползучесть 453 Полигонизация 33, 86 Полиморфизм 55 Порог рекристаллизации 88 Правило фаз 109 Превращение при отпуске первое 272 второе 273 третье 274 Предвыделение 574 Предел текучести 63 ползучести 458 прочиости 63 Пресс-эффект 586 Припои мягкие 623 твердые 623 Прокаливаемость 293 Прокатка контролируемая 402 Прочность 69 длительная 452, 458 конструктивная 78 теоретическая 66 Псевдосплав 97  [c.645]

Для некоторых металлов (например алюминия, титана, монокристаллов молибдена и вольфрама) в процессе возврата и поли-гопизации происходит заметное понижение прочности и повышение пластичности. Однако их жаропрочные свойства при этом повышаются. У меди, никеля и их сплавов на определенной стадии поли-гонизации твердость, пределы текучести, упругости и выносливости, а также пластичность повышаются. Одновременно сиижаючся неупругие эффекты. Упрочнение происходит в результате закрепления подвижных дислокаций атомами примесей в дислокационных стенках, возникающих при полигонизации, ( ,е([)ормировациого металла.  [c.54]

Кроме того, изменяются размеры и форма карбидных частиц она приближается к сфероидальной. Наряду с карбидным превраш,ением при этих температурах отпуска происходит изменение субструктуры— полигонизация а-фазы и релаксация макро- и микронанряжений, возникающих при закалке в процессе мартенситного превраще [ия. Образующуюся после отпуска при 350—400 °С структуру обычно называют трооститом отпуска.  [c.187]

Полигонизация — процесс образования разделенных малоугловыми границами субзерен. Полигонизация представляет собой развитие возникшей при пластической деформации ячеистой структуры. Размытые, объемные сплетения дислокаций вокруг ячеек становятся более узкими и плоскими и превращаются в субграницы, а ячейки — в субзерна. Процесс развивается при температурах более высоких, чем температура отдыха. Субграницы образуются в результате поперечного скольжения и переползания дислокаций в направлении достройки или сокращения экстраплоскостей. Хао тически распределенные дислокации выстраиваются в вертикаль ные стенки. Тело субзерен практически очищается от дислокаций Решетки соседних субзерен получают небольшую разориентиров ку (до нескольких градусов). Скорость полигонизации контроли руется относительно медленной скоростью переползания дислока ций, которая определяется скоростью перемещения вакансий Примеси, образующие на дислокациях облака Коттрелла, тормо зят полигонизацию. Субзерна при продолжительной выдержке и повышении температуры склонны к коалесценции, т. е. укрупнению. Движущей силой в этом случае служит разность энергий субграниц до и после коалесценции. При дальнейшем повышении температуры получает развитие процесс первичной рекристаллизации.  [c.511]

Структура области сброса (рис. 86) представляет собой две области ADE и СРВ сильно искривленной решетки, отделенные одна от другой и от недеформированного кристалла четко выраженными плоскостями сброса АВ и D, состоящими из стенок краевых дислокаций. Искривленные области ADE и СРВ содержат избыток дислокаций одного знака, поэтому на их лауэграммах наблюдается заметный астеризм. При отжиге именно в этих областях протекают процессы полигонизации и рекристаллизации. Собственно полоса  [c.149]

При низкотемпературной пластической деформации, когда полигонизационные процессы затруднены, пространство между возникшими на ранних стадиях пластической деформации сплетениями быстро заполняется дислокациями, причем с понижением температуры однородность такого распределения нарастает. Дальнейшая пластическая деформация сопровождается исключительно высокой концентрацией точечных дефектов благодаря пересечению движущихся дислокаций с дислокациями леса высокой плотности (Л/д= 10 —10 м ) и образованию значительного количества порогов, порождающих при дальнейшем перемещении дислокаций вакансии и межузельные атомы. После низкотемпературной деформации всего лишь на 10% концентрация точечных дефектов возрастает до 10 —10 ° см т. е. nlN= = (10 —10 " ). Таким образом, достигается концентрация, равная концентрации вакансий Ю"" при температуре плавления. Рост концентрации точечных дефектов и особенно вакансий приводит к увеличению объема при пластической деформации на величину до 0,25%. Процессу образования разориентированной ячеистой структуры в области низких температур (0,2—0,3) Гпл способствует хаотическое распределение дислокаций высокой плотности, приводящее к возникновению точечных дефектов. Увеличение точечных дефектов способствует переползанию краевых дислокаций и, следовательно, как и при полигонизации с развитым неконсервативным движением дислокаций, возможно образование разориентированной ячеистой структуры. При этом пластическая деформация при низкой температуре сопровождается уменьшением размеров ячейки в направлении деформирующего усилия и ее увеличением в направлении вытяжки при прокатке, прессовании, волочении. В связи с этим возникает слоистая ячеистая структура. Особенностью дислокационного строения такой структуры является то, что плотность дислокаций внутри таких ячеек сущ ественно не изменяется, т. е. дислокации, вызывающие изменение формы слоистой ячейки, выходят на ее поверхность или поверхность зерна.  [c.254]

Обобщение результатов ряда исследований, выполненных на облученных, закаленных и деформированных меди и золоте, сделано Ван-Бюреном и составило основу предложенной им классификации стадий возврата, полигонизации и рекристаллизации приведенной (с небольшими изменениями) в табл. 12.  [c.302]

Впервые явление полигонизации наблюдали С. Т. Ко-нобеевский и И. И. Мирер на кристаллах каменной соли. Радиально вытянутые рефлексы на рентгенограмме (ла-уэграмме) изогнутого кристалла в результате отжига расщеплялись на отдельные дискретные мелкие рефлексы. Этот эффект означает, что при отжиге пластически изогнутый кристалл разбивается на серию структурно совершенных блоков, дискретно повернутых друг относительно друга на малые углы. Общая разориентировка кристалла при этом сохраняется. В этом случае каждый мелкий рефлекс представляет собой след интерференционного луча, отраженного от отдельного блока.  [c.304]


Термин полигонизация был предложен не ими, а позднее. Орованом.  [c.304]

Области кристалла, отделенные этими малоугловымй границами и свободные от дислокаций, представляют собой как бы кристаллические блоки или полигоны (отсюда и термин полигонизация).  [c.305]

В случае нагрева материала, в котором при деформации сформировалась дислокационная ячеистая структура (случай наиболее частый), полигонизация заключается в сплющивании объемных дислокационных сплетений (стенок ячеек) и превращении этих сплетений в плоские субграницы. При Ьтом ячейки превращаются в субзерна (рис. 178).  [c.306]

Далее при полигонизации после деформации множественным скольжением образующиеся границы полиго-  [c.306]

Отмеченное различие в характере полигонизации в зависимости от характера исходной (до отжига) дислокационной структуры деформированного материала имеет существенное значение для понимания взаимосвязи между процессами полигонизации и рекристаллизации, для выяснения вопроса о том, является ли полиго-низация процессом, конкурирующим с рекристаллизацией, или начальной стадией последней. Этот вопрос, длительное время остававшийся дискуссионным, важен для практики. Если рассмотренные процессы конкурирующие, то полигонизация может быть использована для предотвращения рекристаллизации в тех случаях, когда последняя нежелательна.  [c.308]

Исходя из этого, целесообразно дифференцировать виды полигонизации в зависимости от структуры деформированного состояния и структуры, образующейся при полигонизации, и ввести понятие о двух типах полигони-зации — стабилизирующей и предрекристаллизационной.  [c.308]

Если алгебраическая сумма углов ра1зориентировки между субзернами на значительных расстояниях близка к нулю, то субзерна в процессе роста миграцией границ приобретают значительные размеры (несколько микрон) без заметного увеличения своей разориентировки относительно окружающей матрицы. Такой случай назван рекристаллизацией на месте ( in situ ). Этот термин не совсем удачен, так как к рекристаллизации относят процессы, связанные с большеугловыми границами (см. ниже). Правильнее называть этот процесс собирательной полигонизацией.  [c.309]

Таким образом рекристаллизация, как и возврат, является многостадийным процессом. Первая, самая низкотемпературная ее стадия, называемая первичной рекристаллизацией. следует непосредственно за полигони-зацией или одновременно с полигонизацией, протекающей в соседних участках. На этой стадии происходит наиболее радикальное уменьшение числа дефектов кристаллического строения, внесенных деформацией, и соответственно уменьшение запасенной объемной энергии деформации вплоть до полного восстановления структуры н свойств недеформированного материала.  [c.311]

В наиболее общем виде дислокационные представления сводятся к тому, что образование зародышей рекристаллизации связано с перегруппировкой дислокаций, приводящей к предрекристаллизационной полигонизации. При этом образуются субзерна — неискаженные или мало искаженные области решетки, повернутые друг относительно друга на некоторые углы, в начале, как правило, небольшие, т. е. отделенные малоугловыми границами. В силу неизбежной неоднородности деформированной структуры всегда имеются области (субзерна), большие по размерам, чем окружающие, и более сильно разори-ентированные. Такие субзерна растут интенсивнее, чем другие, их малоугловые границы поглощают при своем движении новые дислокации и в результате превращаются в большеугловые высокоподвижные границы, что и характеризует окончание формирования центра (зародыша) рекристаллизации.  [c.315]

Конечно, этот процесс в силу структурной неоднородности протекает не одновременно во всем объеме образца. Поэтому рост центров в одних участках, как правило, сопровождается продолжающейся полигонизаци-ей в других.  [c.318]

Если динамический возврат реализуется легко и избыток дислокаций одного знака не велик, стенки ячеек будут узкими и до отжига. При их сплющивании образуется лишь малоугловая дислокационная граница. В этом случае второй этап очень растягивается. Более того, при определенных условиях субзерно может вырасти до больших размеров (несколько десятков и даже сотен микрон), так и оставаясь окруженным малоугловыми границами. Это по существу и есть упоминавшийся выше случай собирательной полигонизации (рекристаллизации in situ ).  [c.319]

Предварительный возврат при е>вкр влияет иначе, чем при ег бкр. Возврат и полигонизация после закри-тических деформаций несколько увеличивают инкубационный период То, уменьшают N и мало влияют на G. Следствием этого является некоторое увеличение D в результате возврата после Е>8кр.  [c.339]

Засимчук Е. Э. Полигонизация, рекристаллизация и термическая стабильность свойств материалов. Киев, Наукова думка , 1976. 328 с.  [c.360]


Смотреть страницы где упоминается термин Полигонизация : [c.53]    [c.300]    [c.305]    [c.306]    [c.306]    [c.314]    [c.318]   
Смотреть главы в:

Новые пути повышения прочности металлов  -> Полигонизация

Строение и свойства металлических сплавов  -> Полигонизация

Ползучесть кристаллов  -> Полигонизация


Металловедение (1978) -- [ c.33 , c.86 ]

Физические основы пластической деформации (1982) -- [ c.304 , c.308 , c.309 ]

Исследование структуры и физико-механических свойств покрытий (1986) -- [ c.133 ]

Металловедение и термическая обработка Издание 6 (1965) -- [ c.68 ]

Структура коррозия металлов и сплавов (1989) -- [ c.283 ]

Конструкционные материалы Энциклопедия (1965) -- [ c.3 , c.7 ]

Физическое металловедение Вып II (1968) -- [ c.0 ]

Ползучесть кристаллов (1988) -- [ c.135 , c.190 , c.201 ]

Материаловедение 1980 (1980) -- [ c.115 ]

Технология металлов Издание 2 (1979) -- [ c.19 , c.129 , c.900 ]

Материаловедение Технология конструкционных материалов Изд2 (2006) -- [ c.431 ]

Теория сварочных процессов Издание 2 (1976) -- [ c.306 ]

Металловедение и термическая обработка стали Том 1, 2 Издание 2 (1961) -- [ c.385 , c.723 ]

Металловедение Издание 4 1963 (1963) -- [ c.18 ]

Металловедение Издание 4 1966 (1966) -- [ c.22 ]

Основы металловедения (1988) -- [ c.57 ]



ПОИСК



Влияние примесей на полигонизацию

Влияние различных факторов на полигонизацию

Возврат и полигонизация

Дислокации, границы зерен и полигонизация

Костюкова, Ю. В. Баранов. Влияние характера субструктуры в поверхностных слоях на процесс полигонизации монокристаллов вольфрама

Механизм и температурный уровень процессов возврата и полигонизации

Основные особенности и движущая сила процессов разупрочнения (возврата, полигонизации и рекристаллизации) деформированных металлов и сплавов

Отдых полигонизация

П римеси, влияние полигонизацию

Полигонизация алюминия

Полигонизация в различных металлах

Полигонизация вторичного скольжения

Полигонизация деформации

Полигонизация железа

Полигонизация и динамическая рекристаллизация в процессе ползучести

Полигонизация предрекристаллизационна

Полигонизация сброса

Полигонизация стабилизирующая



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте