Рассеяние. Дополнительное рассеяние

Рассеяние. Дополнительное рассеяние [c.404]

В основе современного понимания проводимости металлов лежит идея Блоха [4, 5], что свободные электроны проходят через металл как плоские волны, модулированные некоторой функцией с периодом, равным периоду решетки. Это позволяет преодолеть противоречия простой теории электронного газа, согласно которой атомы решетки сами должны являться главными центрами рассеяния электронов проводимости В результате длина свободного пробега может достигать нескольких миллиметров, что и наблюдается при низких температурах в особо чистых металлах. Сопротивление металлов, согласно теории Блоха, обусловлено только неидеальностью решетки. Наличие примесных атомов, точечных дефектов и границ зерен приводит к дополнительному рассеянию и, следовательно, к увели- [c.189]

Наличие дефектов (царапин) на поверхности, а также присутствие загрязнений (пыли) приводят к дополнительному рассеянию света от неоднородностей на границе раздела стекло—воздух. С целью исключения двух последних недостатков волокно охватывается стеклянной оболочкой. Естественно, показатель преломления волокна должен быть больше показателя преломления стеклянного покрытия. [c.59]

Если на пути распространения звуковой волны находится какое-либо тело, то происходит, как говорят, рассеяние звука наряду с падающей волной появляются дополнительные (рассеянные) волны, распространяющиеся во все стороны от рассеивающего тела. Рассеяние звуковой волны происходит уже благодаря самому факту наличия тела на ее пути. Кроме того, под влиянием падающей волны само тело приходит в движение это движение в свою очередь обусловливает некоторое дополнительное излучение звука телом, т. е. некоторое дополнительное рассеяние. Однако, если плотность тела велика по сравнению с плотностью среды, в которой происходит распространение звука, а его сжимаемость мала, то рассеяние, связанное с движением тела, представляет собой лишь малую поправку к основному рассеянию, обусловленному самим наличием тела. Этой поправкой мы будем в дальнейшем пренебрегать и потому будем считать рассеивающее тело неподвижным. [c.417]

Эффект от взаимодействия магнитных моментов нейтрона и электрона становится заметным только тогда, когда магнитные моменты всех электронов ориентированы одинаковым образом (в ферромагнетиках). В этом случае взаимодействие магнитных моментов нейтрона и электронов приводит к макроскопическому эффекту дополнительного рассеяния, изучение которого позволяет оценить магнитный момент нейтрона (см., 4, п. 5). [c.239]

Появление дефекта упаковки приводит к нарушению периодичности поля кристаллической решетки, и поэтому дефекты упаковки вызывают дополнительное рассеяние электронов и фононов. Результатом этих процессов является изменение физических свойств кристаллов, связанных с переносом электронов или фононов. [c.236]

Очевидно, что даже при хорошей фокусировке интенсивность рассеянного пучка гораздо ниже, чем падающего. Поэтому опыты по двойному рассеянию стали возможными лишь после того, как в ускорителях стали получать достаточно мощные пучки протонов высоких энергий. Сейчас интенсивность этих пучков удалось усилить настолько, что стало возможным проведение опытов даже по тройному рассеянию. Эти опыты дают дополнительную информацию о зависимости сил от спинов, поскольку в них можно получать поляризацию нуклонов и в направлении их движения, а не только перпендикулярно плоскости рассеяния. [c.187]

Зависимость амплитуды рассеяния нейтрона от ориентации спина ядра и от изотопного состава приводит к тому, что кристалл отражает нейтроны в различных направлениях, а не только в тех, которые разрешены условием (10.18) Брэгга — Вульфа. Это дополнительное отражение будет уже не когерентным, а диффузным. [c.553]

Посторонние атомы или ионы, внедренные в кристаллическую решетку, искажают силовое поле решетки и вызывают дополнительное рассеяние электронов. Вследствие этого теплопроводность сплавов должна быть меньше, чем теплопроводность каждого из исходных компонентов. [c.6]

Специфический твердорастворный вклад в электросопротивление обусловлен беспорядочным расположением атомов разных сортов, которое нарушает периодичность кристаллической решетки и вызывает дополнительное рассеяние электронных волн. Но при возникновении сверхструктуры расположение атомов обоих сортов становится периодическим Поэтому при температуре упорядочения (она называется точкой Курнакова) сопротивление твердого раствора должно резко падать. [c.172]

Метод сил, в котором варьируются напряжения, следует из принципа минимума дополнительного рассеяния [27] [c.124]

Определение коэффициентов вариации Va сводится к следу-юш,ему. Отклонение фактических размеров деталей машин от номинальных в пределах допусков может порождать дополнительное рассеяние пределов выносливости деталей, которое необходимо учитывать в расчетах на прочность вероятностными методами. [c.83]

Деформация и остаточные напряжения, возникающие при технологической обработке, создают искажения в кристаллической структуре (вакансии, дислокации, блоки границы), которые также повышают электросопротивления вследствие дополнительного рассеяния. Однако доля рд (которое показано для сплава Сг -Ь 1 % Ni) невелика по сравнению с /Эт и Рл- [c.572]

В случае однородной деформации в зависимости от условий измерения изменяется лишь ее величина, в случае же неоднородных деформаций возникает дополнительное рассеяние, связанное с градиентом температур между отдельными участками. [c.253]

Во всех перечисленных случаях единственным следствием изменения свойств фотоматериала является возникновение так называемых ложных изображений и появление дополнительного рассеянного света. Восстановленное голограммой изображение объекта своей конфигурации лри этом не изменяет. В общем можно сказать, что по отношению к среде, на которой осуществляется запись, голограмма ведет себя до известной степени аналогично обычному двумерному изображению. Как известно, обычную двумерную картину можно написать маслом, выгравировать на камне, нарисовать карандашом, однако смысл картины от этого не изменится, и человек во всех случаях распознает изображенные на этой картине предметы (рис. 24). Голограмму также можно за- [c.68]

Перейдём теперь к рассмотрению упругого рассеяния частиц поглощающими ядрами. Соотношения, полученные в 17, показывают, что поглощение вызывает дополнительное возмущение падающей волны и, следовательно, приводит к дополнительному упругому рассеянию частиц, которое не связано с образованием составного ядра и последующим испусканием частиц. Это упругое рассеяние, обусловленное наличием поглощающего рассеивателя, в случае малых. длин волн частиц / —радиус ядра) аналогично диффракции света от абсолютно чёрного шара и может быть поэтому названо диффракционным рассеянием Чтобы сделать более ясной эту аналогию, напомним, что диффракционные явления в оптике наблюдаются в том случае, если на пути распространения света стоит непрозрачный, поглощающий свет экран. Диффракционные явления, характеризующиеся отсутствием резкой границы между областями света и тени, представляют собой отклонения от геометрической оптики и непосредственно связаны с, волновой природой света они проявляются тем сильнее, чем меньше размеры непрозрачных тел по сравнению с длиной волны света. Так как ядра в определённой области энергии поглощают падающие на них частицы, т. е. ведут себя по отношению к ним как непрозрачные, поглощающие экраны, то, наблюдая в таких условиях упругое рассеяние частиц, мы должны получить диффракционную картину. [c.186]

В этом случае происходит еще дополнительное рассеяние энергии вследствие трения скольжения на поверхности шара значение этого рассеяния, отнесенное к единице площади, равно Интегрируя по поверхности шара, получим на основании равенств (22) и (14) [c.757]

Вариационные уравнения (1.33) и (1.33а) свидетельствуют об экстремуме (минимуме) некоторых функционалов, которые Л. М. Качанов называет дополнительным рассеянием и дополнительной работой. Действительному напряженному состоянию соответствуют напряжения, для которых выполняются условия совместности деформаций (1.18), следовательно, уравнения (1.33) и (1.33а) являются энергетической формулировкой условия неразрывности деформаций [103, с. 189]. [c.19]

Неравенства (2) и (3) аналогичны известным в установившейся ползучести принципам минимума полной могцности и дополнительного рассеяния [5]. Ниже приводятся результаты экспериментов с оценкой по (3) интенсивности процессов ползу- [c.316]

Плотность дополнительного рассеяния Л [c.15]

Плотность дополнительного рассеяния всего д = Г [c.15]

Функцию л называют дополнительным рассеянием. С учетом функции Л уравнения ползучести (15.2) записываются таким образом [78] [c.405]

Принцип минимума дополнительного рассеяния [c.407]

Согласно уравнению (15.35) из всех статически возможных напряженных состояний только истинное напряженное состояние сообщает минимум дополнительному рассеянию тела [13.78] [c.409]

Дополнительное рассеяние и рассеяние определяются соответственно по формулам (15.11) и (15.9), а в случае степенной зависимости между интенсивностью скорости деформаций сдвига и интенсивностью касательных напряжений — по формулам (15.16) и (15.17). [c.409]

Уравнения (15.36) и (15.26) называются вариационными [ 13.78]. Вариационный принцип минимума дополнительного рассеяния представляет собой обобщенный принцип Кастильяно. [c.409]

Вариационный принцип, который широко используется при решении задач теории упругости, можно распространить и на решение соответствующих задач теории ползучести [ 13, 78]. Применим данный метод к определению минимума дополнительного рассеяния [c.410]

Более полное использование теплоты продуктов сгорания привело к значительному снижению температуры уходящих газов, и установка дополнительных поверхностей нагрева (водяного экономайзера и воздухоподогревателя) и золоуловителей увеличила аэродинамическое сопротивление тракта уходящих газов. В этих условиях удаление газов стало возможным только за счет работы дымососа, а функция дымовой трубы свелась к рассеянию вредных веществ (золы, токсичных газов) с больщой высоты по-возможности над большей территорией для уменьщения их концентрации. [c.217]

Источники света. Источник света для полярископа с диффузором на фиг. 2.12 состоит из ряда зеленых флюоресцентных ламп мощностью по 15 вт (фиг. 2.13), расположенных двумя сдвинутыми друг относительно друга рядайи, так что никакого зазора между ними не заметно. Дополнительное рассеяние света, необходимое для равномерной освещенности поля, достигается с помощью стеклянной пластинки молочного цвета. Хотя свет, излучаемый этими лампами, кажется на глаз почти белым, практически он ограничен длинами волн от 4800 до 6000 А. Максимум интенсивности соответствует длине волны около 5270 А, причем имеется второй очень острый пик интенсивности, соответствующий зеленой линии ртути 5461 А. Такой источник достаточно близок [c.53]

Для получения тонкопленочных гетероэпитаксиальных структур твердых растворов SiGe успешно используют традиционную газофазную гидридь1ую эпитаксию, а также методы молекулярно-пучковой и высоковакуумной химической эпитаксии при температурах 750...800°С. Основной проблемой в получении высококачественных гетероструктур является необходимость резкого снижения плотности дислокаций в рабочих слоях приборных композиций и устранения шероховатостей гетерограниц, вызывающих дополнительное рассеяние носителей тока. [c.91]

Для одновалентных металлов отношение ус/аТ растет с увеличением температуры при комнатной температуре или вблизи 100°С оно близко к идеальному значению Lo, однако о его поведении при более высоких температурах трудно говорить, так как с увеличением температуры производить измерение теплопроводности становится все труднее и труднее. Кук и др. установили, что выше 160К теплопроводность натрия убывает, но это отражает тот факт, что электрическое сопротивление растет быстрее, чем температура, и отношение и/аТ продолжает увеличиваться вплоть до точки плавления. Это непостоянство и (или отклонение р от пропорциональности температуре) можно объяснить зависимостью постоянной электрон-фононного взаимодействия (а значит, и постоянной А) и эффективного значения 0 от объема и температуры. При приближении к точке плавления концентрация дефектов решетки, как можно ожидать, резко возрастет, и это вызовет дополнительное рассеяние электронов. [c.219]

Физическая причина того, почему при переходе от классического рассмотрения к квантовоэлектродинамическому состояние неустойчивого равновесия больше не имеет места, требует дополнительного обсуждения. В полуклассическом приближении атом на верхнем уровне находится в состоянии неустойчивого равновесия, и, следовательно, достаточно очень слабого возмущения, чтобы вызвать переход атома с этого уровня. На первый взгляд может показаться, что в среде всегда присутствует рассеянное излучение, которого достаточно для того, чтобы нарушить равновесие. Для конкретности предположим, что среда помещена в полость черного тела, стенки которого поддерживаются при температуре Т. Тогда можно было бы представить себе, что рассеянное излучение является тем излучением черного тела, которое заключено в полости. Однако это утверждение неправильно, поскольку возникающее таким образом излучение на самом деле являлось бы вынужденным излучением, т. е, стимулированным излучением черного тела, В этом случае явление спонтанного излучения зависело бы от температуры стенок и исчезало при Т = 0. Правильное описание возмущения, необходимого для появления спонтанного излучения, дает квантовоэлектродинамический подход, в котором поле в полости рассматривается не как классическое (т. с. описываемое уравнениями Максвелла), а как квантовое. Мы опять [c.61]

Метод избирательного травления позволяет по расположению и числу фигур травления характеризовать дислокационную структуру кристалла. Связанные с дислокациями поля напряжений вызывают локальные изменения показателя преломления и плотности, что может приводить к появлению дополнительного рассеяния света. Существенное влияние на оптические свойства могут оказывать также перераспределения примесных атомов в полях напряжений дислокаций. Поэтому метод травления явля- [c.146]

По такой схеме в [74] бистабильный режим генерации был получен в лазере на ВаТЮз с полулинейным резонатором (в [73] рассматривалась бистабильность при стирании светоиндуцированного рассеяния). Пучок Аг -лазера накачки (514,5 нм), прошедший поляризатор/7, возбуждал генерацию в резонаторе кристалл —. Фиксировалась интенсивность генерации и стирающего пучка /ст (ФЯа), которая могла изменяться с помощью изменяемого расщепителя пучка ИРП. Дополнительным конкурирующим процессом для генерации являлось светоиндуцированное рассеяние ( эффект сдувания ) ( 2.2). [c.245]

Затухание ультразвуковых волн вследствие рассеяния. Поскольку рассеянная энергия исключается из энергии первичной ультразвуковой волны, то вследствие рассеяния на скоплении частиц и других неоднородностях среды происходит дополнительное затухание (помимо поглощения и других причин) ультразвуковых волн в процессе их распространения в такой среде. Мерой этого затухания, вносимого одной частицей, может служить эффективное сечение ( поперечник ) рассеяния а ф, которое, согласно его определению (УП.51), как раз и выражает ту долю ультразвуковой мощности, которая теряегся вследствие рассеяния из удельной мощности (т. е. интенсивности) падающей ультразвуковой волны. В случае скопления частиц при отсутствии акустического взаимоделствия между ними общее рассеяние будет равно суммарному эффекту рассеяния от одной частицы. Если речь идет о микронеоднородных средах с теснорасположенными препятствиями, малыми по сравнению с длиной ультразвуковой волны, то такую совокупность неоднородностей можно представить в виде регулярного (равномерного) расположения, на которое накладываются флуктуации их концентрации. Равномерное расположение неоднородностей эквивалентно трехмерной дифракционной решетке и к диффузному рассеянию оно приводить ие будет. В оптике аналогичная ситуация имеет место при распространении света в правильном кристалле световые волны, рассеиваемые каждой молекулой, гасят друг друга во всех направлениях, кроме направления распространения первичной волны. Значит, некогерентное рассеяние будет происходить на флуктуациях концентрации, и если эти флуктуации независимы [c.169]

Отмечая, что ультразвуком можно успешно сваривать не только алюминиевые фольги, но и такие материалы, как медь, никель, титан, цирконий, он указывает на зависимость прочности соединений от размеров изделия. В работе [60] последовательно изменялось расстояние между свариваемым листом алюминиевой фольги размером 50x10 7x0,5 (и 0,3) мм и дополнительным зажимом (режим сварки = 20 кГ, = 1,0 сек). Установлено, что отношение площадей сварных точек к контактной площади составило 20—90% с шагом, равным 40 мм. Высказано предположение, что это изменение прочности объясняется возникновением резонансных состояний и вследствие этого дополнительным рассеянием энергии. [c.58]

Дополнительным аргументом в пользу определяюш ей роли перерассеяния фотоэлектрона на атомном остове явились результаты эксперимента 7.60], в котором наблюдался процесс надпороговой ионизации атома водорода. Условия проведения этого эксперимента были аналогичны описанным выше условиям экспериментов с многоэлектронными атомами. Использовалось излучение с частотой 2 эВ и интенсивностью до I = Ю Вт/см при длительности импульса в 40 фс. Зарегистрированные при этом электронные энергетические спектры суш ественно отличаются от описанных выше — не наблюдается явно выраженное плато и нет быстрых электронов. Причина состоит в том, что в данном случае (е — 2е)-процесс невозможен из-за отсутствия второго электрона, а упругое рассеяние назад быстрого (единственного) электрона атома водорода имеет малое сечение. [c.194]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...