Дополнительное рассеяние

В основе современного понимания проводимости металлов лежит идея Блоха [4, 5], что свободные электроны проходят через металл как плоские волны, модулированные некоторой функцией с периодом, равным периоду решетки. Это позволяет преодолеть противоречия простой теории электронного газа, согласно которой атомы решетки сами должны являться главными центрами рассеяния электронов проводимости В результате длина свободного пробега может достигать нескольких миллиметров, что и наблюдается при низких температурах в особо чистых металлах. Сопротивление металлов, согласно теории Блоха, обусловлено только неидеальностью решетки. Наличие примесных атомов, точечных дефектов и границ зерен приводит к дополнительному рассеянию и, следовательно, к увели- [c.189]

Наличие дефектов (царапин) на поверхности, а также присутствие загрязнений (пыли) приводят к дополнительному рассеянию света от неоднородностей на границе раздела стекло—воздух. С целью исключения двух последних недостатков волокно охватывается стеклянной оболочкой. Естественно, показатель преломления волокна должен быть больше показателя преломления стеклянного покрытия. [c.59]

Если на пути распространения звуковой волны находится какое-либо тело, то происходит, как говорят, рассеяние звука наряду с падающей волной появляются дополнительные (рассеянные) волны, распространяющиеся во все стороны от рассеивающего тела. Рассеяние звуковой волны происходит уже благодаря самому факту наличия тела на ее пути. Кроме того, под влиянием падающей волны само тело приходит в движение это движение в свою очередь обусловливает некоторое дополнительное излучение звука телом, т. е. некоторое дополнительное рассеяние. Однако, если плотность тела велика по сравнению с плотностью среды, в которой происходит распространение звука, а его сжимаемость мала, то рассеяние, связанное с движением тела, представляет собой лишь малую поправку к основному рассеянию, обусловленному самим наличием тела. Этой поправкой мы будем в дальнейшем пренебрегать и потому будем считать рассеивающее тело неподвижным. [c.417]

Эффект от взаимодействия магнитных моментов нейтрона и электрона становится заметным только тогда, когда магнитные моменты всех электронов ориентированы одинаковым образом (в ферромагнетиках). В этом случае взаимодействие магнитных моментов нейтрона и электронов приводит к макроскопическому эффекту дополнительного рассеяния, изучение которого позволяет оценить магнитный момент нейтрона (см., 4, п. 5). [c.239]

Появление дефекта упаковки приводит к нарушению периодичности поля кристаллической решетки, и поэтому дефекты упаковки вызывают дополнительное рассеяние электронов и фононов. Результатом этих процессов является изменение физических свойств кристаллов, связанных с переносом электронов или фононов. [c.236]

Посторонние атомы или ионы, внедренные в кристаллическую решетку, искажают силовое поле решетки и вызывают дополнительное рассеяние электронов. Вследствие этого теплопроводность сплавов должна быть меньше, чем теплопроводность каждого из исходных компонентов. [c.6]

Специфический твердорастворный вклад в электросопротивление обусловлен беспорядочным расположением атомов разных сортов, которое нарушает периодичность кристаллической решетки и вызывает дополнительное рассеяние электронных волн. Но при возникновении сверхструктуры расположение атомов обоих сортов становится периодическим Поэтому при температуре упорядочения (она называется точкой Курнакова) сопротивление твердого раствора должно резко падать. [c.172]

Метод сил, в котором варьируются напряжения, следует из принципа минимума дополнительного рассеяния [27] [c.124]

Определение коэффициентов вариации Va сводится к следу-юш,ему. Отклонение фактических размеров деталей машин от номинальных в пределах допусков может порождать дополнительное рассеяние пределов выносливости деталей, которое необходимо учитывать в расчетах на прочность вероятностными методами. [c.83]

Деформация и остаточные напряжения, возникающие при технологической обработке, создают искажения в кристаллической структуре (вакансии, дислокации, блоки границы), которые также повышают электросопротивления вследствие дополнительного рассеяния. Однако доля рд (которое показано для сплава Сг -Ь 1 % Ni) невелика по сравнению с /Эт и Рл- [c.572]

В случае однородной деформации в зависимости от условий измерения изменяется лишь ее величина, в случае же неоднородных деформаций возникает дополнительное рассеяние, связанное с градиентом температур между отдельными участками. [c.253]

Во всех перечисленных случаях единственным следствием изменения свойств фотоматериала является возникновение так называемых ложных изображений и появление дополнительного рассеянного света. Восстановленное голограммой изображение объекта своей конфигурации лри этом не изменяет. В общем можно сказать, что по отношению к среде, на которой осуществляется запись, голограмма ведет себя до известной степени аналогично обычному двумерному изображению. Как известно, обычную двумерную картину можно написать маслом, выгравировать на камне, нарисовать карандашом, однако смысл картины от этого не изменится, и человек во всех случаях распознает изображенные на этой картине предметы (рис. 24). Голограмму также можно за- [c.68]

В этом случае происходит еще дополнительное рассеяние энергии вследствие трения скольжения на поверхности шара значение этого рассеяния, отнесенное к единице площади, равно Интегрируя по поверхности шара, получим на основании равенств (22) и (14) [c.757]

Вариационные уравнения (1.33) и (1.33а) свидетельствуют об экстремуме (минимуме) некоторых функционалов, которые Л. М. Качанов называет дополнительным рассеянием и дополнительной работой. Действительному напряженному состоянию соответствуют напряжения, для которых выполняются условия совместности деформаций (1.18), следовательно, уравнения (1.33) и (1.33а) являются энергетической формулировкой условия неразрывности деформаций [103, с. 189]. [c.19]

Неравенства (2) и (3) аналогичны известным в установившейся ползучести принципам минимума полной могцности и дополнительного рассеяния [5]. Ниже приводятся результаты экспериментов с оценкой по (3) интенсивности процессов ползу- [c.316]

Плотность дополнительного рассеяния Л [c.15]

Плотность дополнительного рассеяния всего д = Г [c.15]

Рассеяние. Дополнительное рассеяние [c.404]

Функцию л называют дополнительным рассеянием. С учетом функции Л уравнения ползучести (15.2) записываются таким образом [78] [c.405]

Принцип минимума дополнительного рассеяния [c.407]

Согласно уравнению (15.35) из всех статически возможных напряженных состояний только истинное напряженное состояние сообщает минимум дополнительному рассеянию тела [13.78] [c.409]

Дополнительное рассеяние и рассеяние определяются соответственно по формулам (15.11) и (15.9), а в случае степенной зависимости между интенсивностью скорости деформаций сдвига и интенсивностью касательных напряжений — по формулам (15.16) и (15.17). [c.409]

Уравнения (15.36) и (15.26) называются вариационными [ 13.78]. Вариационный принцип минимума дополнительного рассеяния представляет собой обобщенный принцип Кастильяно. [c.409]

Вариационный принцип, который широко используется при решении задач теории упругости, можно распространить и на решение соответствующих задач теории ползучести [ 13, 78]. Применим данный метод к определению минимума дополнительного рассеяния [c.410]

Длительная прочность 368, 399 Долговечность материала 380 Дополнительное рассеяние 407 [c.490]

Второй принцип устанавливает экстремальные свойства истинных напряжений. Из всех статически возможных напряженных состояний только истинное напряженное состояние сообщает минимум дополнительному рассеянию тела [c.101]

Частная производная от дополнительного рассеяния тела по величине приложенной сосредоточенной силы Р/ равна скорости точки приложения этой силы по направлению действия последней [c.101]

Источники света. Источник света для полярископа с диффузором на фиг. 2.12 состоит из ряда зеленых флюоресцентных ламп мощностью по 15 вт (фиг. 2.13), расположенных двумя сдвинутыми друг относительно друга рядайи, так что никакого зазора между ними не заметно. Дополнительное рассеяние света, необходимое для равномерной освещенности поля, достигается с помощью стеклянной пластинки молочного цвета. Хотя свет, излучаемый этими лампами, кажется на глаз почти белым, практически он ограничен длинами волн от 4800 до 6000 А. Максимум интенсивности соответствует длине волны около 5270 А, причем имеется второй очень острый пик интенсивности, соответствующий зеленой линии ртути 5461 А. Такой источник достаточно близок [c.53]

Для получения тонкопленочных гетероэпитаксиальных структур твердых растворов SiGe успешно используют традиционную газофазную гидридь1ую эпитаксию, а также методы молекулярно-пучковой и высоковакуумной химической эпитаксии при температурах 750...800°С. Основной проблемой в получении высококачественных гетероструктур является необходимость резкого снижения плотности дислокаций в рабочих слоях приборных композиций и устранения шероховатостей гетерограниц, вызывающих дополнительное рассеяние носителей тока. [c.91]

Для одновалентных металлов отношение ус/аТ растет с увеличением температуры при комнатной температуре или вблизи 100°С оно близко к идеальному значению Lo, однако о его поведении при более высоких температурах трудно говорить, так как с увеличением температуры производить измерение теплопроводности становится все труднее и труднее. Кук и др. установили, что выше 160К теплопроводность натрия убывает, но это отражает тот факт, что электрическое сопротивление растет быстрее, чем температура, и отношение и/аТ продолжает увеличиваться вплоть до точки плавления. Это непостоянство и (или отклонение р от пропорциональности температуре) можно объяснить зависимостью постоянной электрон-фононного взаимодействия (а значит, и постоянной А) и эффективного значения 0 от объема и температуры. При приближении к точке плавления концентрация дефектов решетки, как можно ожидать, резко возрастет, и это вызовет дополнительное рассеяние электронов. [c.219]

Метод избирательного травления позволяет по расположению и числу фигур травления характеризовать дислокационную структуру кристалла. Связанные с дислокациями поля напряжений вызывают локальные изменения показателя преломления и плотности, что может приводить к появлению дополнительного рассеяния света. Существенное влияние на оптические свойства могут оказывать также перераспределения примесных атомов в полях напряжений дислокаций. Поэтому метод травления явля- [c.146]

Отмечая, что ультразвуком можно успешно сваривать не только алюминиевые фольги, но и такие материалы, как медь, никель, титан, цирконий, он указывает на зависимость прочности соединений от размеров изделия. В работе [60] последовательно изменялось расстояние между свариваемым листом алюминиевой фольги размером 50x10 7x0,5 (и 0,3) мм и дополнительным зажимом (режим сварки = 20 кГ, = 1,0 сек). Установлено, что отношение площадей сварных точек к контактной площади составило 20—90% с шагом, равным 40 мм. Высказано предположение, что это изменение прочности объясняется возникновением резонансных состояний и вследствие этого дополнительным рассеянием энергии. [c.58]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...