Экранирование статического поля свободными зарядами

Учет экранирования в теории локальных уровней представляется существенным не только (и не столько) в чисто количественном, сколько в принципиальном отношении. Действительно, радиус экранирования в силу (21.7) и (21.12) зависит от концентрации свободных зарядов и от температуры. Последняя неявно входит и в выражение (21.12), ибо от нее зависит концентрация п. Это означает (в полном соответствии с общей дискуссией 16), что энергия ионизации примеси в полупроводнике есть не чисто механическая, а термодинамическая величина. То же относится, очевидно, и к энергиям возбуждения (если кроме основного примесного уровня есть и возбужденные), к числу уровней, создаваемых данным структурным дефектом, и вообще ко всем без исключения характеристикам примесных состояний они зависят от Т и п, т. е. от положения уровня Ферми в кристалле (в частности, и от концентрации как данной, так и посторонней примеси). Таким образом, оказывается возможным, меняя значения Т и п, в известной мере управлять энергетическим спектром полупроводника. При этом существенно, что в экранировке принимают участие не только равновесные, но и неравновесные носители тока. Действительно, время жизни последних определяется процессами рекомбинации, экранировка же, очевидно, устанавливается полностью, коль скоро достигается равновесное распределение свободных зарядов (при заданном общем их числе) и устанавливается статическое значение поля. Первый из названных процессов характеризуется временем свободного пробега, второй—максвелловским временем релаксации. Оба [c.208]

Заметим, что в формулу (26.6) входит только значение поляризационного оператора при к0 — к = О. Как было показано в 11, эту величину можно вычислить весьма точно. Таким образом, возможная неточность выражения (26.7) может быть связана не с учетом экранирования, а лишь с законом дисперсии фононов или носителей тока. В реальном металле последний беспорно не укладывается в простую квадратичную аппроксимацию (тем более изотропную), а имеет гораздо более сложный вид. В связи с этим полезно указать на связь константы О с радиусом экранирования статического поля свободными зарядами. На основани (21.15) мы имеем (при любом законе дисперсии [c.213]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...