Кристалл идеальной структуры

Реальный металл. Внутрикристаллическая структура идеальных (совершенных) кристаллов была рассмотрена исходя из предположений, что за исключением тепловых колебаний атомов, образующих кристалл, его структура [c.29]

Отклонения от идеальной структуры, вызванные тепловыми колебаниями, приводят к образованию точечных кристаллических дефектов (вакансий и включений). Эти дефекты имеются во всех кристаллах, как бы тщательно они ни выращивались. Под действием тепловых флуктуаций вакансии постоянно зарождаются и исчезают. [c.31]

Несовершенства (дефекты) строения реальных кристаллов металла. Описанная в предыдущем разделе кристаллическая решетка является идеальной. На основе физики твердого тела теоретически найдены механические характеристики, которые должны быть у кристаллов строго идеальной структуры. Сопоставление этих характеристик с обнаруживаемыми в опыте показывает значительное (в десятки и даже в сотни раз) превышение теоретическими значениями опытных. Последнее расхождение объясняется тем, что в реальных кристаллах всегда имеются отклонения от идеального характера атомной решетки, называемые несовершенствами или дефектами строения кристаллов ). Известны различные типы дефектов классификация их дана в табл. 4.3. [c.233]

Молекулярная связь характерна для атомов с относительно легко деформируемыми электронными оболочками и для объединившихся в молекулы атомов, также способных к деформации внешних объединенных оболочек. Это взаимодействие определяет отклонение свойств реальных газов от идеальных, структуру и свойства молекулярных кристаллов и жидкостей и др. Молекулярная связь менее прочна, чем рассмотренная выше химическая, и вещества с такой связью имеют более низкие температуры плавления и сублимации. [c.17]

Поскольку в рентгеновской оптике речь идет о длинах волн X л о, 1- 30 нм, то ясно, что на любой реальной поверхности даже после самой совершенной обработки остаются шероховатости, высоты которых сравнимы с длиной волны падаюш,его излучения. В равной степени это относится и к поверхности идеальных кристаллов, атомная структура которых благодаря реконструкции может характеризоваться масштабами, существенно превосходящими межатомные расстояния. [c.47]

Понятие идеального кристалла является полезной абстракцией. Естественно, возникает вопрос, насколько можно приблизиться к нему на опыте О степени идеальности (совершенстве структуры) можно судить по рассеянию волн, проходящих через кристалл. Идеальный кристалл однороден, и в нем интенсивность рассеяния длинных волн где а — период реют [c.108]

Строение реальных кристаллов. Исследованиями структур кристаллов доказано, что указанные выше кристаллические решетки являются идеальными кристаллами. Реальные кристаллы имеют значительные отклонения в строении решетки (фиг. 5). Причины, вызывающие искажение кристаллической решетки, различны температурные условия, при которых образуются кристаллы (нагрев и скорость охлаждения, условия охлаждения), напряжения в металле, вызываемые механическими воздействиями. При этом происходят смещения атомов в кристалле, называемые дислокациями, образуется решетка с узлами, не заполненными атомами (фиг. 6). Эти дефекты в кристаллической решетке приводят к резкому ухудшению свойств металлов, особенно механических, благодаря чему область [c.11]

Тепловые колебания атомов в узлах решетки имеют очень большое значение, однако они не приводят к серьезным нарушениям идеальной структуры кристалла. Поэтому каждый атом почти всегда окружен необходимым числом соседних атомов, которые расположены на расстояниях, примерно соответствующих совершенной структуре кристалла. [c.86]

Важной задачей при решении проблемы описания основных закономерностей распространения ударной волны в реальном кристалле является изучение влияния на нелинейные эффекты температуры и нарушений идеальной структуры. [c.211]

Вследствие нарушений однородной структуры материала (границы зерен, включения, области скопления дефектов, тепловые флуктуации) возникают искажения плоской формы фронта, что приводит к неоднородному распределению нагрузки и, как следствие, к сильным сдвиговым напряжениям. Как отмечалось в [40, 41], это может существенно влиять на характер поведения материала. Анализ поведения ионной подсистемы при распространении ударной волны с неплоским фронтом проводился также в работах [36, 37, 42]. Форма фронта задавалась специальным и граничными условиями либо нарушением идеальной структуры кристаллита. В первом случае для моделирования использовался кристаллит a-Fe, представляющий собой прямоугольную область на плоскости [110], содержащую около 10 атомов. Ударная волна инициировалась в направлении [110]. Межатомное воздействие описывалось потенциалом Джонсона [43]. Эволюция рассматриваемой системы из N атомов во времени описывалась уравнениями движения (7.5). Для учета взаимодействия кристаллита с окружением полагалось, что на атомы граничного слоя действуют дополнительные силы F , величина и направление которых определяются в начальный момент времени из условия равенства нулю результирующей силы. Обычно для инициирования ударной волны в кристаллите полагается, что атомы на одной из граней кристаллита движутся с некоторой постоянной скоростью и (граничное условие 1-го типа) уравнение (7.5) для этих атомов принимает вид [c.221]

Видно, что при прохождении фронта ударной волны в рассматриваемой области происходит небольшое размытие характерных для кристалла пиков RDF. В дальнейшем б-пики практически восстанавливаются, но происходит их смещение относительно идеальной структуры, что обусловлено характером нагрузки, причем пик, соответствующий i = 5,4 а. е., не изменяется. Это, как и в [39], обусловлено использованием периодических граничных условий в направлении, нормальном распространению ударной волны. При [c.225]

Далее, изменение концентрации вакансий в процессе окрашивания должно привести к уменьшению [ПО] или увеличению плотности кристалла d. Если концентрация пар анионов и катионов в кристалле с идеальной структурой равна п, то плотность кристалла, [c.161]

Однако здесь следует напомнить, что межатомные расстояния определяются не только структурно-зависимой частью полной энергии, но и структурно-независимой. Рассмотренная здесь функция Ф(г) была получена из структурно-зависимой части полной энергии, и поэтому к ней следовало бы добавить член, связанный со структурно-независимой частью. За счет этого члена, описывающего достаточно сильное отталкивание между ионами, расстояние между ионами может прийтись на окрестность не минимума, а максимума потенциала, связанного со структурой, т. е. с атомными перегруппировками. В этом случае энергия кристалла может уменьшиться и тогда, когда часть атомов сблизится между собой, а часть удалится, это приведет фактически к искажению идеальных структур. Действительно, та- [c.228]

Возникновение замкнутой дислокации можно понять, обратившись к описанной ниже модели и воспользовавшись скальпелем и клеем. Разроняем кристалл по поверхности, натянутой на некоторый контур, сместим поверхности по обе стороны от разреза, а затем опять склеим, удалив ил1 1 добавив атомы, необходимые для сохранения идеальной структуры. В результате такой операции мы получим дислокацию с вектором Бюргерса, совпадающим с тем вектором, на который были смещены поверхности. Топологическое определение (которое эквивалентно), возможно, легче воспринимается. интуитивно, поскольку оно не требует размышлений над этими не совсем понятными операциями. [c.252]

Особенно успешным было изучение процесса выделения новой фазы в германии и кремнии. Как мы уже отмечали, возможность строго контролировать степень чистоты и степень отклонения от идеальной структуры кристаллов германия и кремния в сочетании с методами измерений, основанными на полупроводниковых свойствах исследуемых веществ, позволили использовать их как модельные системы для углубленного изучения свойств таких растворов. В частности, количественную информацию можно получить при простом измерении электропроводности образца без его разрушения, что дает преимущество по сравнению с обычно используемым при изучении металлов исследованием шлифов под микроскопом. Кроме того, таким образом можно контролировать дефектность кристаллической решетки и, следовательно, продвинуться в исследовании процесса образования зародышей. [c.155]

Рис. 291, Упорядоченная решетка идеального кристалла (а) и структура соответствующей жидкости (б)

Структура идеального кристалла и расплавленной соли представлена схематически на рис. 291. В структуре расплавленной соли не наблюдается дальний порядок, но имеются области с вы- [c.405]

Рис 1,10 Схемы строения идеальных (а), реальных (б) кристаллов н блочная структура (е) 20 000 [c.18]

Изучение механических свойств кристаллических веществ привело к необъяснимому результату их фактическая прочность была на несколько порядков ниже, чем рассчитанная теоретически. Исследования показали, что в природе практически не существует идеальных кристаллов, и любая кристаллическая решетка имеет н своей структуре так называемые дефекты упаковки различного рода. При классификации дефектов были выделены [29] [c.48]

До определенного момента дисклинации имеют возможность перемещаться лишь параллельно самим себе (трансляционный характер перемещения). Это обусловлено относительно низкой плотностью дислокаций, которая недостаточна, чтобы обеспечить возможность какого-либо еще вида движения внутри металла, ведь дислокации делают структуру металла более разряженной и внутренне напряженной. Металл становится более текучим и по ряду свойств приближается к жидкому состоянию. Некоторые авторы предлагают рассматривать пластически деформированное состояние металла как особое сильно возбужденное состояние кристалла, к которому принципиально неприменима теория возмущений идеального кристалла. [c.109]

То, что будет излагаться ниже, относится к определению структуры идеальных кристаллов, т. е. кристаллов без дефектов. Реальные кристаллы — это кристаллы с наличием самых разнообразных дефектов (вакансии и междоузельные атомы, дивакансии, дислокации, дефекты упаковки, включения второй фазы и др.). Изучение структуры реальных кристаллов, естественно, представляет более трудную задачу, и в настоящее время во многих лабораториях занимаются исследованием реальной структуры. Эти лаборатории оснащены целым арсеналом современного оборудования, включающего дифракционную, электронно-микроскопиче-скую и другую аппаратуру. [c.36]

Рассмотрим две кристаллические решетки одну реальную, содержащую дефекты различного типа, и другую — идеальную, не содержащую никаких дефектов. Предположим, что в реальной решетке имеются только искажения, вызванные упругими деформациями, тепловыми колебаниями атомов и т. п. В этом случае, несмотря на некоторые нарушения структуры, можно безошибочно указать, к каким узлам решетки идеального кристалла относятся соответствующие атомы в реальном кристалле. Взаимно однозначное соответствие между атомами реального и идеального кристаллов можно установить и при наличии в реальном кристалле точечных дефектов. При этом в ряде мест реальной решетки атомы могут отсутствовать, в каких-то местах могут появиться лишние атомы, но в остальном она будет совпадать с идеальной. Любую область реального кристалла, где можно установить взаимно однозначное соответствие с идеальным кристаллом, называют областью хорошего кристалла. Участки, где такое соответствие установить нельзя, называют областью плохого кристалла. [c.98]

Собственное поглощение. Оно связано с переходами электронов из валентной зоны в зону проводимости. Выше уже отмечалось, что в идеальном полупроводнике при 7 = 0К валентная зона заполнена электронами полностью, так что переходы электронов под действием возбуждения в состояние с большей энергией в этой же зоне невозможны. Единственно возможным процессом здесь является поглощение фотона с энергией, достаточной для переброса электронов через запрещенную зону. В результате этого в зоне проводимости появляется свободный электрон, а в валентной зоне—дырка. Если к кристаллу приложить электрическое поле, то образовавшиеся в результате поглощения света свободные носители заряда приходят в движение, т. е. возникает фотопроводимость. Таким образом, для фотонов с энергией hvдлин волн (т. е. больших hv) имеет место сплошной спектр интенсивного поглощения, ограниченный более или менее крутым краем поглощения при hvинфракрасной области спектра. В зависимости от структуры энергетических зон межзонное поглощение может быть связано с прямыми или непрямыми оптическими переходами. [c.307]

В книге рассматриваются межатомные взаимодействия и энергия связи, некоторые физические свойства, симметрия и структура кристаллов, динамические и статические дефекты решетки, фазовые равновесия и превращения, новые типы аморфных материалов. Изложение ведется, как правило, таким образом, чтобы подчеркивать определяющую роль межчастичных взаимодействий в формировании структуры и Свойств твердого тела. Вместе с тем автор счел важным посвятить специальную главу аморфным материалам. Включение этого раздела отражает как возрастающую роль этих материалов в науке и технике, так и желание автора предметно показать, что физика твердого тела не сводится -к физике идеальных или чуть-чуть подпорченных монокристаллов. В то же время некоторые нередко излагающиеся в подобных книгах вопросы физики частных типов твердых тел не нашли отражения. Эти материалы читатель может найти в обстоятельных монографиях, указанных в списке литературы [1-5]. [c.6]

В данной главе мы рассмотрим симметрию строения идеальных кристаллов, в следующей — структуру правильных кристаллов и методы их исследования. Все вопросы, относящиеся к дефектам строения кристаллов, будут обсуждены после рассмотрения динамики кристаллической решетки. [c.125]

ГЦК и ГПУ упаковки характерны для элементов с почти сферической симметрией межатомных связей кристаллов благородных газов, многих металлов. Так, ГЦК решетку имеют Ni, А1, u Pd, Ag, Au, Ne, Ar, Kr и др., ГПУ решетку —Mg, Be, Os и др. В некоторых случаях наблюдаются отклонения структуры от идеального типа (малые ромбоэдрические и тетрагональные искажения кубических кристаллов, отклонение с/а от идеального значения У 8/3 в гексагональных кристаллах ( d и Zn)). [c.164]

По аналогии с точечными, линейными и поверхностными дефектами можно наметить группу объемных дефектов. Объемные дефекты согласно классификации не являются малыми во всех трех измерениях. К ним можно отнести скопления точечных дефектов типа пор, а также системы дислокаций, распределенных в объеме кристалла. Другими словами, благодаря наличию в кристалле точечных, линейных и плоских дефектов кристаллическая решетка может отклоняться от идеальной структуры в больших объемах кристалла. Кроме того, к объемным дефектам, например в монокристалле, можно отнести кристаллики с иной структурой или ориентацией решетки. В структуре кристалла будут значительные различия между центром дефекта и матрицей, а в матрице возникнут смещения атомов, убывающие с удалением от ядра дефекта. Таким образом, наличие фаз, дисперсных выделений, различных включений, в том числе неметаллических, неравномерность распределения напряжений и деформаций в макрообъемах также относятся к объемным дефектам. [c.42]

Кииеыатич. приближение становится неприменимым, если линейные размеры идеального кристалла см. Д. р. л. в это.ч случае описывается динамической теорией, согласно к-рой удельная и интегральная отражающие способности идеального кристалла и структура поли в его объёме полностью отличны от результатов кинематич. теории Д. р. л. [c.673]

Брэгговская оптика кристаллов. При взаимодействии рентг. излучения с кристаллом, когда выполняются условия Брэгга — Вульфа, возникает брэгговское отражение (см. Дифракция рентгеновских лучей). Это явление легло в основу рентгеноспектральных методов (см. Рентгеновская спектральная аппаратура), а также методов рентгеновской топографии. Диапазон спектра, в к-ром может использоваться тот или иной кристалл, определяется постоянной решётки 2d и диапазоном изменения (обычно от 3—5° до 60—70°) угла Брэгга б (угла между плоскостью кристалла и направлением падающего пучка). Кристаллы СО структурой, близкой к идеальной, имеют наиб, высокую разрешающую силу — энергия рентг. кванта, [c.347]

Наличие дефектов в отдельных кристаллах и зернах существенно влияет на сопротивляемость металлов и сплавов микроударному разрушению. Изучение этого вопроса представляет большой практический интерес. В настоящее время нет даже приближенной теории, связывающей механические характеристики металлов с количеством, формой и характером распределения в них микро-и макроскопических дефектов. Реальные металлы весьма несовершенны. Отклонением от идеальной структуры прежде всего являются границы зерен, микротрещинки, возникшие в процессе кристаллизации слитка или деформировании металла, макроскопические не-сплошности типа пор и другие дефекты, которые чаще всего являются следствием предыстории образца. Наличие большого количества микро- и макроскопических дефектов заметно проявляется в различных структурно-чувствительных свойствах, особенно при деформации и разрушении металла в микрообъемах. [c.82]

Согласно изложенной в гл. 8 теории Уемпла и Ди Доменико [42] для кристаллов со структурой вольфрамовых бронз (включая НБС) значения квадратного электроопти-ческого коэффициента gss определяются отношением = = (gn)p/ 4, где 11 — относительная плотность упаковки, определяемая как отношение числа ионов В в единице объема кристалла НБС к числу ионов В в единице объема кристалла идеального перовскита, а ign)p — коэффициент [c.121]

В 1.2 были рассмотрены принципы, которые лежат в основе строения кристаллов. Однако идеальное построение рещетки, характеризующееся трехмерной периодичностью, не может быть реализовано при нормальных давлениях р и температурах Т. Различные отклонения от идеальной структуры приводят к реальной структуре. Исследование реальной структуры представляет сегодня очень важное научное направление в кристаллофизике и кристаллохимии, так как подавляющее большинство химических, физико-химических, электрических, магнитных, механических и других свойств кристаллов зависит от их реальной структуры. Поэтому целесообразно говорить о свойствах, чувствительных к нарушениям структуры [структурно-чувствительных свойствах) и свойствах, нечувствительных к таким нарушениям. [c.208]

Трехмерная структура всех более или менее простых неорганических и органических кристаллов известна достаточно давно, но только в последнее десятилетие были получены основные сведения о структуре поверхностей. Зная пространственную структуру, можно провести через кристалл сечения в различных плоскостях и описать атомарную структуру соответствующих граней. Однако практически структура поверхности, установленная таким образом, реализуется в самих редких случаях. Даже на гранях кристалла, которые росли бы с соблюдением всех мер предосторожности, имеются отклонения от идеальной структуры поверхности. Упорядоченное осал дение частиц из изотропной фазы на поверхности кристалла, вытекающее из теории роста Косселя и Странского, может достигаться только при определенных мерах предосторожности. Так, например, при больщих пересыщениях начинается построение новых плоскостей прежде, чем полностью заполняются ранее возникшие. [c.344]

Криволинейный кристалл можно рассматривать как результат неоднородного по объему согласованного изгиба некоторой идеальной структуры. В противоположность этому нарушения типа сдвига присущи агрегатам цепных молекул, по-видимому, с самого момента их образования — молекулы сложного переменного сечения, агрегируясь, сразу же укладываются нерегулярно. Сдвиговые нарушения можно вызвать и вторичными воздействиями. Как мы уже рассматривали в главе II, сдвиговая нерегулярность неизбежно влечет за собой нарушения сетки, и получающийся при этом агрегат имеет символ x z)W xy) (см. табл. 3, стр. 98). Зная дифракционные характеристики элементарных нарушений и присоединяя к ним влияние поворотов /(if)), которое будет разобрано в I 8, мы в сущности можем уже описать любой случай комбинаций с участием t(z), W xy), /(i j), собранных в табл. 3. При этом в той или иной степени может иметь место и изгиб, который мы также умеем учитывать, хотя в хорошо ориентированных образцах (например, из-за сильного их растяжения) изгиб невелик. Поэтому, кроме уже проанализированного случая криволинейного [c.280]

Для применения кинематической теории дифракции необходимо сделать предположение о том, что кристаллы являются или очень мелкими или идеально несовершенными . Напротив, динамическая теория была развита для идеально совершенных кристаллов с приложением ее к рассеянию в несовершенных кристаллах при этом теория становится все более сложной и трудной для использования по мере того, как отклонение от идеальной структуры растет. В интервале между предельными случаями, которые можно приближенно описать этими относительно простыми теориями, лежит большое число встречающихся на практике задач. Структуры материалов, обычно доступных для изучения дифракционными методами, часто далеки от соответствия любому из имеющихся приближений. Они могут иметь сложный набор как протяженных, так и локализованных дефектов, распределение которых не является ни беспорядочным, ни изотропным. Разброс ориентаций кристаллической решетки может быть либо очень малым, либо очень большим, а изменения в ориентациях могут быть дискретными [только на вполне определенных плоскостях (границах зерен)] или непре-рывныд1и (включая нарушения решетки). [c.353]

Локальные песовершенства (дефекты) в строении кристаллов пр11сущи всем металлам. Эти нарушегтя идеальной структуры твердых тел оказывают существенное влияние на нх физические, химические, технологические и эксплуатационные свойства. Без использования представлений о дефектах реальных кристаллов невозможно изучить явления пластической деформации, упроч-нени.е и разрушение сплавов и др. [c.9]

На рис. 6 показаны различные виды плеохроизма. Для розового турмалина одна кривая повторяет другую. У голубовато-зелепого эвклаза [1] полосы поглощепия сильно смещены но спектру. Желтый берилл— обе кривые поглощения различного типа иа одной есть максимум в исследованной инфракрасной области спектра, иа другой его нет [1]. Плеохроизм связан с искажением октаэдра. Приведем здесь для примера структуру диопсида — рис. 6, с, д, в которой магний может замещать хром. Идеальная структура рис. О, г составлена из правильных полиэдров в реальной структуре (рис. 6, д) полиэдры искажены. Это иска 1 опие, возникающее в результате разных расстояний от анионов до катиона, сказывается на снектре, па плеохроизме кристаллов. Более подробно влияние структуры па спектр кристалла рассмотрено в статье этого сборника [26]. [c.165]

Отметим, что в оценке длины свободного пробега I звуковой волиы важную роль могут играть также конечные размеры кристалла, рассеяние волн иа примесных центрах и других нарушениях идеальной структуры кристаллической решетки. [c.79]

Структура реальных кристаллов. Вследствие нарушения равновесных условий роста и захвата примесей при кристаллизации, а также под влиянием различного рода внеш. воздействий идеальная структура К. всегда имеет те или иные нарушения. К ним относят точечные дефекты — вакансии, замещения атомов осн. решётки атомами примесей, внедрение в решётку инородных атомов, дислокации и др. (см. Дефекты в кристаллах). Дозируемое введение небольшого числа атомов примеси, замещающих атомы осн. решётки, широко используется в технике для изменения св-в К., напр, введение в кристаллы Ge и Si атомов III и V групп периодич. системы элементов позволяет получать крист, полупроводники с дырочной и электронной электропроводностями. Другие примеры примесных кристаллов — рубин, состоящий из AI2O3 и примеси (0,05%) Сг иттриево-алюминиевый гранат, состоящий из Y3AI5O2 и примеси (до 1%) Nd. [c.329]

В области низких температур кристаллы стехнеметрического состава стремятся к идеально упорядоченному состоянию, но часто не могут достигнуть его по кинетическим причинам. При повышении температуры отклонения от упорядоченной структуры увеличиваются, т. е. возрастает число дефектов кристаллической решетки. Самый факт существования кристаллов нестехиометри-ческого состава может быть истолкован, только если допустить в них наличие разупорядоченности. [c.35]

Зонная структура твердого тела является результатом взаимодействия волновой функции электрона с рещеткой. Зонная структура позволяет найти частоты и направления, для которых волновая функция электрона может или не может проходить через решетку. Отражение электронной волны под углами Брэгга от кристаллографических плоскостей является идеально упругим и не вносит вклада в электрическое сопротивление. Для каждого кристалла и каждой электронной конфигурации условия Брэгга налагают определенные ограничения на направление волнового вектора и значения энергий, которые может принимать электронная волна. Эти ограничения в направлениях и значениях энергий приводят к появлению щелей в почти непрерывном спектре энергий и направлений. Именно эти щели (порядка 1 эВ для полупроводников и 5 эВ или больше для хороших диэлектриков) обусловливают сильнейшие различия между металлами, полупроводниками и диэлектриками (рис. 5.2). Для металлов характерно, что уровень Ферми оказывается внутри зоны, имеющей вакантные энергетические уровни. Полупроводники имеют полностью заполненную разрешенную зону. Ширина запрещенной зоны у них невелика, н поэтому ие большое число электронов при тепловом возбуждении может перейти в расположенную выше разрешенную зону. Диэлектрик отличается от полупроводника тем, что его запрещенная зона очень велика, и практически ни один возбужденный электрон не может ее преодолеть. [c.190]

Одно из основных свойств идеальной просфанственной репгетки симметричность. Вводится понятие оси симметрии. Это - прямая линия, при повороте вокруг которой на некоторый угол фигура совмещается сама с собой. Порядок симметрии п показывает, сколько раз фигура совместится сама с собой при полном повороте на 360 . Согласно представлениям о кристаллах, возможны только оси симметрии 1, 2, 3, 4 и 6 порядков. Это ограничение продиктовано условиями пространственной периодичности и непрерывности структуры. [c.53]

При выращивании монокристалла жаропрочного сплава необходимо создать определенные условия для роста только одного кристалла. Однако в производственных условиях выращивать идеальную монокристаллическую структуру весьма сложно. Поэтому под монокристаллической отливкой условно понимают изделие, выросшее из одного макрозерна, хотя в микроструктуре имеются фазовые включения, отличающиеся от матрицы как типом, так и параметром кристаллической решетки. [c.424]

Идеальный, кристалл можно построить путем бесконечного зако нбмерноТо повторения в пространстве одинаковых структурных единиц. Структурная единица наиболее простых крйсталлЬв (например, меди и серебра) состоит из бдного атома, в более сложных она может содержать несколько атомов или молекул. Кристаллическая структура описывается с помощью периодически повторяющейся в пространстве элементарной- части кристаллической решетки, имеющей фор,му параллелепипеда и называемой элементарной ячейкой, с каждой точкой которой связана некоторая группа атомов. Эта группа атомов, называемая базисом, повторяется в пространстве и образует кристаллическую структуру. [c.50]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...