Плотность кристаллов

В данном параграфе покажем принципиальную возможность определения межатомных расстояний и диаметров атомов из данных о макроскопической плотности кристалла и его структуре, определяюш,ей число атомов в элементарной ячейке (табл. 2). [c.17]

Например, плотность кристалла натрия равна 0,97 г/см [c.18]

Окрашенные кристаллы обычно имеют меньшую плотность, чем неокрашенные. Действительно, введение вакансий должно снижать плотность кристалла. [c.166]

Образование дефектов в ионных кристаллах сопряжено с соблюдением дополнительного условия — необходимости сохранения электронейтральности кристалла. В этом случае возникают либо две одиночные вакансии противоположного знака (дефект Шот-тки), либо вакансия и межузельный атом (дефект Френкеля). При этом тип возникающих дефектов определяется спецификой кристалла. Например, для чистых щелочно-галоидных кристаллов типичны дефекты по Шоттки, а для галогенидов серебра — дефекты по Френкелю. Укажем, что если при образовании дефектов по Шоттки плотность кристаллов уменьшается, то при образовании дефектов по Френкелю она остается неизменной. [c.233]

Скольжение Д. не вызывает локального изменения объёма или плотности кристалла и поэтому наз. кон- [c.637]

Нерегулярная структура аморфных металлов резко отличается от атомных конфигураций в газах. Плотность металлических стекол довольно высока и по своим значениям приближается к плотности кристаллов. Данное обстоятельство показывает, что межатомные взаимодействия в аморфных металлах почти такие же, как в кристаллах, и это. находит надежные подтверждения. При этом, однако, как указывалось в разделе 3.3.1, геометрические структуры аморфных металлов содержат в себе атомные координации, не наблюдаемые в кристаллических состояниях. Дислокационные модели позволяют проверить механизм возникновения взаимной связи таких полиэдров, и, следовательно, проследить переход от кристаллической к аморфной структуре. [c.87]

Плотность создаваемых кристаллов гелия может быть различной и при высоких плотностях кристаллы становятся более классическими . Усиление рассеяния на атомах изотопа должно тогда уменьшаться при увеличении плотности.- [c.130]

Рт и Рж — соответственно плотность кристалла и расплава [c.60]

Температурное разупорядочение диполей, снижающее величину спонтанной поляризованности из-за изменения направления электрических моментов диполей (см. рис. 6.4,6 и в), приводит к так называемому первичному ( истинному ) пироэлектрическому эффекту. Кроме того, наблюдается и вторичный ( ложный ) пироэффект за счет термического расширения кристалла, которое приводит к уменьшению спонтанной поляризованности из-за температурного уменьшения плотности кристалла (это расширение также показано на рис. 6.4,6 и в). [c.168]

Указанные изменения толщины и плотности кристаллов вызваны, по мнению упомянутых авторов, образованием дефектов по Шоттки, концентрация которых достигает величины порядка [c.100]

Ар — разность плотностей кристалла и растворителя. [c.74]

Образование дефектов по Шоттки уменьшает плотность кристалла из-за увеличения его объема при постоянной массе. При образовании дефектов по Френкелю плотность остается неизменной, так как объем кристалла не изменяется. Измерения плотности свидетельствуют о том, что, например, для чистых щелочно-галоидных кристаллов доминируюш,ими дефектами являются дефекты по Шоттки, а для чистых кристаллов галогенидов серебра — дефекты по Френкелю. [c.88]

Считающийся наиболее точным метод определения Na путем макроскопических измерений на кристаллах был разработан в 1974 г. [51]. Суть его состоит в следующем. Плотность кристалла равна p=mlV=m N/JV, где тпъ.т — массы кристалла и одного атома, V — объем кристалла. Величина VINa есть объем, занимаемый одним атомом, он может бьггь получен из теории строения данного кристалла. Если а — длина ребра элементарной ячейки кристалла, а/— число атомов в ней, то VjNA = a If и p=m fla . Тогда по определению моля имеем [c.71]

Многие исследования в области размагничивания проводились на однородных образцах (монокристаллы и.чи спрессонанные образцы с плотностью, примерно равной плотности кристалла), однако имелись работы, в которых использовались слабо уплотненные порошки с плотностью, составлявшей V j плотности кристалла. В последнем случае возникает задача определения //внутр. внутри зерен 1[орошка. Получение общего решения сопряжено с огромными трудностяд[и, однако рядо.м авторов были предложены упрощепные модели. [c.433]

Рис. 9. Сечение синтеза деформационной электронной плотности кристалла LI1B4O плоскостью, проходящей через атомы О треугольной группы ВО в центре которой находится атом В. Максимумы на отрезках В — О указывают на ковалентный характер связей между этими атомами. Штриховыми линиями выделены области, из которых электронная плотность переместилась на химические связи. Линии равного уровня проведены через

Изменение параметра порядка. Как и любые фазовые переходы, С. ф. п. сопровождаются изменением параметра порядка, К рый характеризует координац. упорядочение в кондеисиров. среде (см. Дальний и ближний порядок). Макроскопич. параметром порядка при описании С. ф. п. может служить изменение локальной плотности кристалла Зр( -)=р2(г) —pi(r) [индексы 1 я 2 соответствуют исходной и конечной фазам точнее, следует говорить о наборе коэф. разложения Sp( ) по неприводимым представлениям исходной группы симметрии кристалла С ]. При микроско-пич. описании параметр порядка строится на векторах смещений атомов относительно их ср. положений (yзJЮB кристаллич. рещётки) в исходной фазе. [c.7]

Настоящая схема метода электронномикроскопической авторадиографии применима для всех материалов. Ее разрешение и чувствительность на 1—2 порядка выше, чем контактной авторадиографии. Техника метода принципиально проста, результаты вполне воспроизводимы. Метод электронномикроскоии-ческой авторадиографии позволяет видеть в электронном микроскопе авторадиограмму,- совмещенную с угольной репликой и, таким образом, определять локализацию радиоактивного элемента в тонкой структуре исследуемого объекта. Метод электронномикроскопической авторадиографии позволяет и количественно оценить распределение меченых атомов в структуре для этого надо определить плотность кристаллов проявленного серебра в соответствующих участках авторадиограммы реплики (аналогично измерению плотности почернения при фотометри- [c.473]

Во многих случаях типичной активной средой лазера является Nd YAG, представляющий собой кристалл 9А1бО,2(иттрий-алюминиевый гранат, YAG), в котором часть ионов замещена ионами Nd +. Обычно концентрация ионов Nd + составляет 1 ат. %, т, е. 1 % ионов Y + замещен ионами Nd +. Плотность кристалла YAG равна 4,56 г/см. Определите концентрацию ионов Nd +, находящихся на основном уровне ( /9/2). В действительности этот уровень состоит из пяти (дважды вырожденных) уровней, из которых четыре верхних отстоят от нижнего на 134, 197, 311 и 848 см- соответственно. Вычислите концентрацию ионов Nd +, находящихся на самом низком уровне состояния /д/г. [c.104]

Авторы работ [4, 13] провели детальное изучение системы ИЧЬОз — КТаОз в твердом состоянии, в результате которого им удалось построить фазовую диаграмму равновесия, представленную на рис. 2.3, а также получить зависимость плотности кристаллов КТН от состава твердого раствора (рис. 2.9). [c.59]

Это позволяет применить динамическую теорию кристаллов для объяснения диэлектрических свойств рисггаллов, имеющих весьма высокую ИК-ДНЭлектриче-скую проницаемость е(0). Частоты поперечной и продольной оптических мод в (3.8а) выражаются через коэффициент упругой жесткости с, заряд q, оптический вклад е(оо), плотность кристалла п, массу колеблющихся ионов т-. [c.86]

Дополнительные данные у (As ) = 45,7 10 рад сек- тл J = Гх О, сек полуширина линии Аб = 3 10 тл плотность кристалла GaAs р = 5,3-10 кг-м- . [c.63]

Еще ранее Эстерман, Лейво и Штерн [192] прецизионными из- мерениями доказали, что под действием рентгеновых лучей проис-1 ходит уменьшение плотности кристалла хлористого калия на величину 1,4 10- г см или [c.100]

Плотность кристалла КС1 -f Sr la, наоборот,возрастает с ростом концентрации Sr++, так как атомный вес стронция (87,6) больше удвоенного атомного веса калия. [c.189]

При непосредственном визуальном наблюдении теневой картины возникают ограничения, связанные с обеспечением радиационной безопасности. Наблюдаемая картина может быть передана на расстояние с помощью телевизионной техники. Оптическая система проецирует изображение на чувствительный элемент передающей телевизионной трубки, которая преобразует изображение сварного шва в телевизионный сигнал, поступающий по кабелю на приемную трубку и преобразующийся в видимое изображение (рис. 14). Для повышения разрешающей способности и чувствительности в качестве преобразователя ионизирующего излучения используют сцин-тилляционные кристаллы Ыа1(Т1), К1(Т1), Сз1(Т1). Благодаря их беззернистой структуре снижается внутренняя нерезкость изображения. Большая плотность кристаллов и их прозрачность для собственного излучения, т. е. для видимого света, позволяет создавать детекторы значительной толщины, что повышает эффективность регистрации высокоэнергетического рентгеновского излучения. [c.30]

Смотреть страницы где упоминается термин Плотность кристаллов : [c.13] [c.433] [c.447] [c.470] [c.575] [c.17] [c.181] [c.428] [c.505] [c.506] [c.275] [c.534] [c.208] [c.261] [c.77] [c.131] [c.45] [c.22] [c.58] [c.59] [c.181] [c.169] [c.101] [c.188] [c.72] [c.455]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...