Край поглощения

Собственное поглощение. Оно связано с переходами электронов из валентной зоны в зону проводимости. Выше уже отмечалось, что в идеальном полупроводнике при 7 = 0К валентная зона заполнена электронами полностью, так что переходы электронов под действием возбуждения в состояние с большей энергией в этой же зоне невозможны. Единственно возможным процессом здесь является поглощение фотона с энергией, достаточной для переброса электронов через запрещенную зону. В результате этого в зоне проводимости появляется свободный электрон, а в валентной зоне—дырка. Если к кристаллу приложить электрическое поле, то образовавшиеся в результате поглощения света свободные носители заряда приходят в движение, т. е. возникает фотопроводимость. Таким образом, для фотонов с энергией hvдлин волн (т. е. больших hv) имеет место сплошной спектр интенсивного поглощения, ограниченный более или менее крутым краем поглощения при hvинфракрасной области спектра. В зависимости от структуры энергетических зон межзонное поглощение может быть связано с прямыми или непрямыми оптическими переходами. [c.307]

Экситонные состояния приводят к поглощению на длинноволновой стороне края поглощения. Экситонным линиям поглощения соответствуют значения энергии фотонов [c.310]

ДЛИНА ВОЛНЫ ОСНОВНЫХ ЛИНИЙ и КРАЕВ ПОГЛОЩЕНИЯ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ Таблица 35.2 Длина волны диаграммных линий [3] при начальном уровне К [c.961]

Элемент Длина волны X, нм. при конечном уровне Край поглощения [c.961]

Численные значения ширины запрещенной зоны, определенные для одного и того же полупроводника по температурной зависимости проводимости и по оптическому краю поглощения, в большинстве случаев близки друг к другу, но могут и отличаться, особенно у полупроводников с ионной кристаллической решеткой. [c.246]

Наконец, электрическое поле вблизи ионизированных атомов, примеси должно приводить к сдвигу края поглощения в длинноволновую область вследствие эффекта Франца—Келдыша. [c.322]

Здесь р в р — квазиимпульсы электрона в начальном и конечном состояниях, Асо — энергия фотона, q — его волновой вектор. Т. к. импульс фотона hq мал по сравнению с р и р, то р р (рис. 7). Если экстремумы обеих ЗОИ находятся в одной точке импульсного пространства, порог прямых переходов (край поглощения) совпадает с Фотоны с йш < eg могут поглощаться лишь за счёт значительно менее вероятных процессов см. ниже) прозрачность П. резко возрастает при Тш < g- [c.42]

Если теперь рассмотреть область энергий вдали от краев поглощения со сОд, то получим [c.16]

Сравнение положений теории дисперсии Лорентца с экспериментом [8] показывает, что если для коротких длин волн вдали от /С-края поглощения они хорошо согласуются, то в длинноволновой области дело обстоит значительно хуже, а для зон, прилегающих к /(-краям, теория оказывается совершенно непригодной. [c.17]

Рис. 1.2. Сечение рассеяния 5 для N1 в диапазоне мягкого рентгеновского излучения [50] (скачки соответствуют i и -краям поглощения)

Рис. 1.2. <a href="/info/14033">Сечение рассеяния</a> 5 для N1 в диапазоне <a href="/info/370258">мягкого рентгеновского излучения</a> [50] (скачки соответствуют i и -краям поглощения)

Новые возможности экспериментального определения оптических констант связаны с измерением отражения от многослойных интерференционных систем (МИС), в изготовлении которых в последние годы достигнут значительный прогресс (см. гл. 4 и приложение III). В основе этого способа определения оптических постоянных лежит измерение угловой зависимости отражения МИС вблизи угла 0ь, определяемого условием Вульфа—Брэгга, в необходимом интервале энергии рентгеновского излучения. По результатам этих измерений строятся аналогичные расчетные зависимости (метод расчета см. в гл. 4), в которых используются значения 63, Уг, ух, определенные. с достаточной точностью. Подбором искомого значения 6 i добиваются совпадения расчетной и экспериментальной зависимостей. Таким способом авторами работ [37, 66] с использованием многослойной структуры Ti—С получена дисперсия константы б для Ti в районе /(-края поглощения. [c.24]

Следует отметить, что рассеяние света могло быть причиной аномалии величины оптической плотности, которую наблюдали авторы работы [25] вблизи края поглощения кристалла PMN, так как вклад рассеяния в величину оптической плотности может становиться более существенным по мере приближения к полосе поглощения. [c.91]

Отсчет энергии Е производится от края поглощения f-iji (состояние атома 22м/ ) Y — коэффициент поглощения в произвольных единицах [c.31]

А прп покрытии 8-10 атомов/см ) и металлической фольги [445]. Переход от массивного металла к частицам сопровождается изменением вида спектра и небольшим смещением К-края поглощения в сторону повышения энергии. Процентное сокращение межъядерного расстояния ближайших соседей в зависимости от диаметра D частиц Си и Ni иллюстрируется рис. 68. При наименьших покрытиях были получены значения В (Си) = 2,33 0,04 А и Be (Ni) = 2,24 0,04 А, тогда как оптически измеренная длина связи димера есть В ( uj) == 2,22 А, Be (Nij) = 2,305 А, а расстояние между ближайшими атомами массивного кристалла равно В (Си) = = 2,556 А, Ве (Ni) = 2,492 А. Сдвиг ЛГ-края поглощения объясняли изменением знергии связи внутренних электронов за счет изменения электронной конфигурации при объединении атомов. [c.157]

Особое место занимают модуляторы, физической основой действия которых является управление краем полосы поглощения при наложении электрического поля — эффект Франца—Келдыша. Материалом для таких устройств служат прямозонные полупроводники с крутым краем поглощения, исходным положением которого управляют, изменяя состав твердого раствора арсенида или фосфида галлия-алюминия. Для случая арсенида галлия-алюми- [c.220]

Критическая частота, отвечающая значению е, = 0, в данном случае соответствует длине волны около 1400 А. Поскольку приближение было очень грубым, то не удивительно, что нет точного совпадения с наблюдаемой длиной волны, отвечающей краю поглощения ( 2000 А). [c.202]

Поскольку коэффициент поглощения вещества ф резко меняется в зависимости от длины волны у края поглощения, часто можно выбрать такую длину волны, которая позволит различить элементы, весьма близко расположенные в периодической таблице Менделеева. Так как скачки поглощения сравнительно редки, чаще наблюдается просто уменьшение пропускания матрицей излучения в том месте, где есть посторонний элемент. Однако, если производить измерения при двух длинах волн A.j и А-г выше и ниже края полосы поглощения, уравнение (1) может быть представлено в виде [c.390]

Практическое использование рентгеновского излучения часто требует более точного знания характеристического спектра для каждого элемента, чем то, которое следует из закона Мозли. В табл. 35-2—35.5 представлены длины волн и края поглощения для различных Элементов. [c.797]

Диаграммные линии и края поглощения /f-серии элементов от F m до Ne (длины волн в Л") [I, 2] [c.797]

Элемент Начальный уровень Lj -Kpaii поглощения Начальный уровень 11 - Kpait поглощения Начальный уровень 111 -край поглощения [c.962]

С помощью непрерывно преобразующих систем. Этот способ отличается от предыдущего тем., что в качестве приемно-преобразующего элемента используют устройства, основанные на явлениях управления теми или иными физическими эффектами с помощью градиента температур, создаваемого при поглощении части ра-диоволновой энергии резистивным элементом. К таким устройствам относятся жидкокристаллические материалы, материалы, меняющие цвет люминесценции, смещающие край поглощения, предварительно проявленные фотоматериалы, и т. п. Эти устройства обеспечивают разрешающую способность, заложенную в радиоволновом изображении, и обладают инерционностью тепловых процессов. [c.239]

Валасек предположил, что некоторые коротковолновые сателлиты, длины волн которых короче края поглощения, возникают при переходе электронов с оптических уровней атома на один из его внутренних уровней. Так как у свободного атома нормально валентный электрон находится на самом глубоком уровне, то по гипотезе Валасека требуется предварительное возбуждение валентного электрона. С этой точки зрения сателлиты носят полуоптический характер. [c.321]

Иная ситуация имеет место в вырожденных полупроводниках. Слабое вырождение приводит к уменьшению коэффициентов поглощения на частотах, близких к краю собственного поглощения. Сильное же вырождение вообще сдвигает край поглощения в сторону более коротких волн. Этот эффект называют сдвигом Бурштейна. Он отчетливо проявляется в полупроводниках с малой плотностью состояний у дна зоны проводимости (или у потолка валентной зоны), в которых сильное вырождение достигается при сравнительно малых уровнях легирования. Так, в InSb легирование донорами (концентрация 5 10 м ) приводит к сдвигу длинноволновой границы собственного поглощения с 7,1 до 3,5 мкм. Во многих же случаях сдвиг Бурштейна маскируется другим эффектом сильного легирования — изменением плотности состояний у краев энергетических зон. Это изменение происходит вследствие размытия примесных уровней в примесную зону и слияния последней с зоной проводимости или с валентной зоной. [c.322]

Описанные методика исследования и аппаратура могут быть использованы для контроля полупроводниковых пластин. Применимость этой методики для исследования образцов GaAs подтверждена рядом исследований [1, 58, 105, 147, 151]. Была доказана возможность исследования кристаллов GaAs на длине волны 1,15 мкм, т. е. вблизи края поглощения. При этом реализуются некоторые преимущества по сравнению с использованием более длинноволнового излучения меньшее влияние дифракционных явлений и возможность использования оптических элементов и фотоприемников для видимого диапазона. [c.198]

НИИ Д/ и Д/Jj- не зависят от угла рассеяния О (рис. 2), т. к. радиусы К- и А-оболочек обычно. много Meni.nie Я. Лри достаточной блпзост к краю поглощения поправка на аномал[>ную дисперсию может быть порядка потенциального вклада в А. ф. [c.158]

БУРШТЕЙНА — МОССА ЭФФЕКТ — сдвиг края области собств. поглощения полупроводника в сторону высоких частот при увеличении концентрации электронов проводимости и заполнении ими зоны проводимости (вырождение). Так, в кристалле hiSb с собств. проводимостью край поглощения соответствует (при Т= =300 К) длине ВО.ЛНЫ 1=7,2 мкм после легирования oбpaчr a донорами до концентрации. 5-10 см- [c.233]

Экситов. Структура края фундам. поглощения усложняется за счёт взаимодействия электрона в зове проводимости и дырки в валентной зоне, возникающих при поглощении фотона. Электрон и дырка могут образовать связанное состояние, к-рое наз. Ванье — Мотта экситоном. Вследствие этого энергия фотона, соответствующая краю поглощения, уменьшается на величину энергии связи экситона. Т. к. экситон имеет также возбуждённые состояния, то край фундам. поглощение имеет структуру, напоминающую бальмеров-скую серию атома водорода.. При достаточно большой интенсивности света в П. может образоваться значит, кол-во экситоиов. С увеличением их концентрации они [c.42]

Одноосные напряжения изменяют симметрию зови Бриллюэыа. Поскольку нек-рые точки к в зоне становятся при этом неэквивалентными, приложение одноосного напряжения приводит к дополнит, расщеплению уровней. Это детально проверено при исследовании пьезопоглощения света у края межзонного перехода и пьезоотражения в др. критич. точках. Именно так была подтверждена интерпретация края поглощения в Ge и Si, где минимум зоны проводимости расположен в точке L и на оси Д. [c.188]

Спектр поглощения получают, пропуская тормозное излучение рентг. трубки или синхротронное излучение через тонкий поглотитель. При энергиях фотонов Ай) > к(< к — энергия ионизации /-уровня атомов поглотителя) из атома в результате фотоэффекта могут быть вырваны электроны с любого из уровней энергии атома, т, е. в процессе поглощения участвуют электроны всех оболочек атома. При < Аы < электроны Я-оболочки не вырываются излучением я в процессе поглощения утчаствуют лишь электроны всех остальных оболочек, начиная с -оболочки. Поэтому при Аш = наблюдается скачок поглощения В этой точке спектра поглощение резко уменьшается и интенсивность рентг, излучения, прошедшего через Поглотитель, Скачком возрастает. Скачок поглощения изменяется с ат. номером 2 элементов от 35 для самых лёгких элементов до 5 для самых тяжёлых. Аналогичные скачки поглощения наблюдаются и при переходе через энергии д остальных 5-уровней атома. Поскольку каждой энергии д соответствует свой скачок поглощения, эти энергии наз. краями поглощения 5-уроввей. Каждый край поглощения определяет вместе с тем и квантовую границу возбуж- [c.362]

Интенсивность рснтг. излучения, прошедшего через поглотитель с поверхностной плотностью т (в г/см ), определяется ф-лой I = / ехр( тт), где — интенсивность взл енвя до поглощения, т — массовый иоэф. поглощения (в см /г). В пределах между двумя соседними краями поглощения т растёт яХ. Зависимость т( ) во всём интервале Л, представляет спектр поглощения. С коротковолновой стороны от каждого края поглощения величина т претерпевает флуктуации, к-рые несут информацию о структуре вещества и изучаются методами рентгеновской спектроскопии. [c.363]

Особый интерес представляет эмиссионный переход атома при заполнении внутр. вакансии электроном валентной оболочки атома, если она заполнена частично, т. е. когда в ней имеются вакансии. Так, при наличии вакансии на ЙГ-уровне, заполняемой электронами с валентного Мз в-уровня, йГ-электрон в процессе поглощения может быть заброшен на вакансию Д/4 (-уровня, а один из электронов этого же уровня заполняет йГ-ва-кавсию, т. е. абсорбционный и эмиссионный переходы взаимно обратны, и энергия поглощаемого фотона равна энергии испускаемого фотона (линия ЙГР(). С возрастанием 2 оболочка ( полностью заполняется и поглощение возможно лишь при забрасывании Я-элек-трона в более удалённую оболочку, где имеются вакансии. Т. о., при возрастании 2 атом, у к-рого впервые энергия поглощаемого фотона (края поглощения) превысит энергию фотона йГР(-линии, имеет заполненную Мз (-оболочку. Если для свободных атомов эта оболочка впервые заполняется у Си (2 = 29), то в твёрдом теле такое заполнение происходит только у Се (2 = 32). Т. о., Р. с. позволяют получить полную картину заполнения электронных оболочек атома в твёрдых телах при возрастании 2. [c.363]

На рис. 1.12 приведенн полученные спектральные зависимости коэф( )ициента отражения при угле падения 0 = 4° в области 11, хц-края поглощения кремния для ряда образцов с толщиной слоя 5162 от 0,7 до 24 нм. Выбраны спектры, отражающие наиболее характерные изменения в тонкой структуре спектров в процессе роста толщины пленки ЗЮа- [c.39]

Для бифталата калия вблизи К-края поглощения кислорода наблюдается характерный пик отражательной способности, отсутствующий на расчетных кривых на рис. 8.4. Подробные экспериментальные таблицы хода интегрального отражения на этом участке спектра для ряда солей фталевой кислоты приведены в статье [46]. Все они содержат узкие интервалы повышенного интегрального отражения, что необходимо учитывать при обработке регистрируемых спектров. [c.312]

Аналогичное, однако не в такой степени количественное, заключение было сделано в работе [291 на основании анализа дисперсионных сдвигов положений брэгговских пиков ванадийугле-родного зеркала в диапазоне энергий 108 эВ—13 кэВ. Сравнение проводилось с оптическими константами Хенке и других [471. Экспериментальные значения константы S в пределах 10—15 % совпадали с теоретическими, за исключением области вблизи края поглощения углерода (277 эВ). Принимая во внимание простоту метода, такое согласие следует считать удовлетворительным. [c.444]

При визуализации ИК-изображений край поглощения для используемых полупроводников лежит в области более длинноволновой, нежели видИ Мая область спектра, и поэтому считывающий световой поток видимого диапазона длин волн всегда будет поглощаться в фотополупроводиике и воздействовать на ПВМС-Такое воздействие снижает динамический диа.пазон интенсив ю-стей регистрируемых изображений, отношение сигнал-шуч и чувствительность ГТВМС. [c.216]

Л. Моргенштерн и И. П. Щукин [316] обнаружили, что при облучении кристаллов sJ — Т1 светом, соответствующим спектральной области длинноволнового края поглощения активатора, в их спектрах возникают полосы дополнительного поглощения, обусловленные активирующей примесью. При этом образуется устойчивая окраска кристалла, которая может быть получена также воздействием на кристалл рентгеновых или улучей. При возбуждении окрашенных кристаллов в области дополни- [c.206]

Диаграммные линии и края поглощения /.-серии для элементов от Fm до Na (длины волн в ДГ-едииицах) [2] [c.799]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...