Рассеяние геометрия

Необходимы значительные поправки на неупругое и некогерентное рассеяние. Геометрия цилиндрическая, контейнер из ванадия [c.76]

Геометрия цилиндрическая, контейнер из ванадия Геометрия цилиндрическая, контейнер из ванадия Геометрия цилиндрическая, контей-кер из плавленого кварца Неясно, как учитывалось многократное рассеяние. Геометрия цилиндрическая, контейнер из плавленого кварца [c.76]

Рассмотрим теперь распределение плотности потока вторичных у-квантов в защите со сферической геометрией (рис. 9.18). Аналогично выражениям (9.61), (9.62) для быстрых нейтронов из формулы (9.67), пренебрегая накоплением рассеянного излучения, можно получить [12] [c.63]

В камере фотографируются треки всех частиц, прошедших через рабочий объем за время между снятием отсасывающего поля и фотографированием. Треки имеют толщину до 1 мм, так что фотографирование их не сопряжено с какими-либо трудностями. При обработке треков извлекается следующая информация о ядерных реакциях. Прежде всего по геометрии треков устанавливается количество участвовавших в реакциях заряженных частиц и направления их движения. Так, на фотографии рис. 9.17 видно, что один из пионов (Пз) испытал упругое рассеяние. Во-вторых, если весь трек умещается в камере, то по величине пробега можно установить энергию частицы (см. гл. VHI, 2). В-третьих, сосчитав количество капель на единицу длины трека, можно определить плотность ионизации, т. е. величину потерь (см. гл. VHI, 2). По потерям можно определить скорость частицы, т. е, массу при известной энергии, либо наоборот, энер- [c.506]

Формула определяет ослабление обратного сигнала от отражателя с гладкой криволинейной поверхностью и размерами, большими длины волны. Она описывает только зеркальную составляющую рассеянного поля. Если геометрия отражателя полностью определяется не более чем двумя радиусами, то они являются главными радиусами кривизны. Запишем формулы для расчета Q , таких отражателей, следующие из (2.9). [c.109]

Одна из задач при создании радиометрического дефектоскопа — эффективное подавление вклада рассеянного излучения. Это позволяет обеспечить лучшую чувствительность канала регистрации, приблизив условия детектирования излучения, прошедшего через просвечиваемое изделие, к геометрии узкого пучка. Простейшим средством является использование [c.146]

Необходимо отметить, что в расчете мы совершенно не учитывали влияния рассеянного излучения, которое, как следует из работ [1] и [2], существенно влияет на чувствительность дефектоскопа. К сожалению, содержащиеся в этих работах данные не позволяют установить сколько-нибудь точную количественную зависимость фактора рассеяния от геометрии дефектоскопа. Качественно можно оценить влияние рассеянного излучения следующим образом. При увеличении телесного угла входного окна счетчика увеличивается область разрешенных углов рассеяния для излучения попадающего на счетчик, и, следовательно, фактор рассеяния увеличивается, что в конечном счете приводит к дополнительному уменьшению W2m при увеличении Ь. [c.307]

В схеме, приведенной на рис. 165, в, геометрия световых пучков которой показана на рис. 164, опорный пучок проходит через рассеивающую область и поступает в интерферометр, где совмещается с сигнальным рассеянным пучком. В этой схеме часть опорного пучка рассеивается на частицах, что является ее особенностью [184]. [c.284]

Третий вид схем с референтным лучом представлен на рис. 165, б, а соответствующая ему геометрия световых пучков — на рис. 164. В этой схеме в исследуемую область потока направляются два когерентных лазерных пучка, один из которых имеет интенсивность, много меньшую интенсивности другого, и служит опорным пучком [192]. Опорный пучок интерферирует с пространственно совмещенным с ним рассеянным пучком в плоскости фотоприемника. Сигнал на выходе фотоприемника описывается выражением (241) для случая пролета одной рассеивающей частицы и выражением (239) для потока рассеивающих частиц. Достоинством данной схемы является автоматическое пространственное совмещение интерферирующих сигнального рассеянного и опорного пучков, тогда как в схемах, приведенных на рис. 165, а, в, этого нет и, следовательно, имеется необходимость в выходном интерферометре для пространственного совмещения сигнального и референтного пучков. [c.284]

Особенностью оптических схем с опорным пучком является, как это следует из (233) и (242), зависимость доплеровской частоты от геометрии как падающего, так и сигнального рассеянного пучка. [c.284]

В дифференциальной схеме [9, 212], представленной на рис. 165, г, в исследуемую область потока направляются два когерентных лазерных луча равной интенсивности. Рассеянный свет собирается приемным объективом и посылается на фотоприемник. Геометрия световых пучков, соответствующая этой схеме, представлена на рис. 166, а. На фотоприемник попадают пространственно совмещенные световые лучи, рассеянные частицей от первого и второго падающих пучков. Рассеянные п-й частицей световые пучки, ограниченные приемной апертурой, [c.284]

В дифференциальной схеме доплеровская частота пропорциональна проекции вектора скорости рассеивающего центра на разностный вектор, построенный на волновых векторах падающих пучков, и не зависит от геометрии рассеянного пучка. Этот вы- [c.285]

Скалярная форма записи совпадает с (233). Отсюда следует, что разностная доплеровская частота в дифференциальной схеме этого типа не зависит от геометрии падающего пучка и определяется только геометрией рассеянных пучков. Доплеровская частота пропорциональна проекции вектора скорости на разностный вектор, построенный на волновых векторах выделенных рассеянных пучков. [c.287]

Местные сопротивления связаны с резкими изменениями сечения или формы канала. В таких местах в потоке возникают отрывы пограничного слоя, вихри и тому подобные неупорядоченные течения, вызывающие интенсивное рассеяние энергии на сравнительно коротких участках тракта, порядка (610)0. Так как механизм потери энергии в данном случае связан, в основном, не с вязким трением, а с действием инерционных сил, то коэффициент местного сопротивления определяется геометрией данного места тракта и зависит от вязкости только в области малых чисел Re. [c.292]

Сущность этого нового метода измерения [58, 59] заключается в следующем. Частота света гелин-неонового лазера, рассеянного движущимися частицами исследуемого объекта, смещается из-за допплеровского эффекта. Допплеровский сдвиг частоты детектируется посредством оптического смешивания рассеянного излучения с опорным лучом того же лазера. Результирующая гетеродинная частота, или частота биений, равна разности частот опорного и рассеянного излучений. Определение этой частоты и геометрии оптической схемы позволяет непосредственно получить значение скорости. [c.270]

Автором получена формула, описывающая функцию рассеяния точечного источника (распределение плотности почернения в авторадиографическом изображении) для авторадиографических систем различной геометрии [c.469]

На наше счастье мы можем получить эту усиленную выборку рентгеновских лучей, рассеянных от одиночной ячейки кристалла. Если бы даже и удалось изолировать одну ячейку кристалла и работать с ней, рассеянное ею рентгеновское излучение бьшо бы слишком слабым для измерений. В действительности мы имеем дело с необычайно усиленными сигналами реального кристалла. Цена, которую мы платим за это, состоит в том, что сигналы ограничены некоторыми направлениями, определяемыми геометрией кристаллической решетки. Однако число этих направлений достаточно велико и позволяет построить очень детальную картину расположения атомов и распределения электронной плотности в кристаллической структуре. (Дифракция рентгеновских лучей на некристаллических веществах, таких, как стекло и жидкости, также дает информацию об их структуре, но детальное обсуждение этого вопроса остается за рамками настоящей книги.) [c.46]

Отметим в заключение, что в случае источника, расположенного вблизи границы раздела (кго 1), величину Ро следует рассчитывать по формулам (12.21)-(12.23). Если среднее поле близко к р , исследование флуктуаций проводится аналогично наложенному выше, однако наряду с рассмотренным рассеянием геометро-акустической компоненты ро становится существенным рассеяние боковой волны р о(г1, Ло) в боковую волну [c.332]

Основная трудность использования метода лучевого анализа состоит в достаточно корректном учете рассеянного в защите излучения. Например, для быстрых нейтронов часто рассеянное излучение можно учесть, приняв 2 (г) равным сечению выведения 2выв (г) или сечению ослабления в геометрии широкого пучка, для у-квантов — введением в формулу (12.26) фактора накопления в экспоненциальном виде. [c.140]

При решении задачи любой геометрии вычисляют вклад в точку детектирования Р излучения от элементарного источника дЗ, рассеянного от элементарного участка рассеивающей поверхности /5рас, затем интегрированием по всей поверхности источника, видимой из элемента дЗрас и по всей поверхности рассеивателя рас, видимой нз точки детектирования, определяют полную компоненту обратно рассеянного излучения. [c.141]

Использование факторов накопления или длин релаксации в геометрии широкого пучка. Многократно рассеянное излучение источн кков нейтронов часто учитывается использованием длин релаксации, соответствующих ослаблению нейтронов в условиях широкого пучка, так как известно, что обычно при толщине защиты больше 1—2 длин релаксации ослабление нейтронов с учетом рассеянного излучения можно описать экспоненциальной зависимостью. При этом следует обращать внимание на начальный участок кривой ослабления в первые 1—2 длины релаксации. Если ослабление на этом участке не описывается экспоненциальной функцией с той же длиной ослабления, как и на больших толщинах защиты, то в расчеты следует вводить соответствующую поправку. [c.147]

В отношении ППС дольней зоны возможны хорошо описанные в литературе механизмы интерференции поля наведенных ЭМ волв проводимости в металле с полем лазерного излучения. Тем не менее возникновение самого поля лазерного Излучения на удалениях от линии гравировки В несколько раз превышающих размеры фокильною пятна связывается с рассеянием на фронте УВ, описанной выше. Ссы-падение же периодов этих ППС с периодами ближней зоны позволяет предполагать, что и в этих условиях действует автоколебательный процесс рассеяния. Но рассеянию подвергается более интёнсивыяк часть пучка излучения, а само рассеяние имеет более простую кольцевую геометрию. Таким образом ППС становятся более регулярными и теряют какую-либо корреляцию с трещинообразованием. [c.97]

Соответствующий опыт ставился неоднократно, однако до 1920 г. он не давал удовлетворительных результатов, так как N и dN сравнивались в разных опытах. В 1920 г. Чедвик впервые провел сравнение N и dN в одном и том же опыте. Схема опыта Чедвика изображена на рис. 76. Если источник а-частиц И и детектор Д (сцинтиллирующий экран) расположить на одинаковом расстоянии от рассеивателя Р, изготовленного в виде кольца, то геометрия опыта получается особенно удобной для расчета и выгодной, так как детектор собирает частицы, рассеянные под данным углом, со всей площади кольцевого рассеивателя. Количество dN рассеянных а-частиц измерялось в условиях, когда прямой пучок а-частиц (из источника в детектор) был закрыт непрозрачным для а-частиц экраном. Наоборот, при измерении N экраном закрывался рассеиватель. При этом для умень- [c.224]

Фактор поглощения. Рентгеновское излучение, рассеянное кристаллом, значительно поглощается в нем, при этом поглощение зависит от угла рассеяния 0, плотности вещества р и линейного коэффициента рассеяния ji. При расчете интенсивности это поглощение учитывают, вводя в формулу для интенсивности множитель (фактор) поглои ения Ф=Ф(в, ц, р). Множитель поглощения зависит от геометрии кристалла. [c.47]

Вульф—брэгговский подход позволяет анализировать н амплитуды рассеяния рентгеновских лучей, равно как и лауэвский подход — геометрию дифракционной картины. С этими вопросами можно познакомиться в [39]. [c.186]

Погрешности коллимации включают в себя погрешности юстировки, по-греншости, вызванные конечной толщиной и шириной пучка, погрешности непараллельности геометрии пучка и плоскости сканирования, расходимости или сходимости пучка, погрешности, вызванные рассеянным излучением, так называемые коллимационные шумы, вызванные механическими и тепловыми нагрузками на элементы рентгенооптики в процессе сканирования и недостаточной жесткостью связи между узлами излучателя, коллиматоров и детекторов, погрешности дополнительных элементов рентгенооп-тнки (выравнивающих клиньев, регулировочных образцов, управляемых диафрагм и т. п.). [c.450]

Не сразу судьба вывела Декарта (по-латыни Карте-зиуса) на философскую дорогу. Отпрыск старинного дворянского рода, он в 16 лет заканчивает иезуитский коллеж, становится военным и в промежутках между учениями и сражениями ведет обычный разгульный и рассеянный образ жизни. Но вот, по его словам, 10 ноября 1619 г., когда в Баварии было холодно и он просидел весь день в комнате, видя вспышки молнии и слыша раскаты грома, в его голове сложилась мысль создать аналитическую геометрию и применить математические методы в философии. Я-- должен был отбросить как безусловно ложное все, в чем мог вообразить малейший повод к сомнению, — пишет он. — А что несомненно С чего начинать Где та истина, которая так тверда и верна, что самые сумасбродные предположения скептиков не смогут ее поколебать... Этой истиной стал принцип Я мыслю, следовательно, я существую . А раз я существую и ощущаю окружающий мир, то существует и он. Но тогда несомненно должен существовать и бог — кто бы иначе все это сотворил, — который создал материю и движение в каком-то определенном количестве (отсюда сами собою возникают законы сохранения ). Однако, несомненно, лучше для познания растений и человека следить за их постепенным развитием из семени, чем так как бог создал их в начале мира. Если мы в состоянии открыть некоторые принципы, простые и легко понимаемые, из которых, как из семени, могут быть выведены звезды, Земля и все, что мы находим в видимом мире, хотя бы мы знали, что они произошли иначе, — то таким способом мы объясним природу несравненно лучше, чем если будем описывать только существующее. [c.69]

Было бы слишком долго излагать другие проблемы динамики, при разрешении которых геометры упражняли свое остроумие после проблемы о центре колебания и до того времени, когда разрешение подобных проблем было сведено к твердо установленным правилам. Указанные задачи, которые ставили себе Бернулли, Клеро, Эйлер, можно найти рассеянными в первых томах петербургских и берлинских мемуаров, в парижских мемуарах (за годы 1736 и 1742), в сочинениях Ивана Бернулли и в Opus ules Эйлера. Эти задачи состоят в определении движения многих тел, тяжелых или лишенных тяжести, которые толкают или тянут друг друга с помощью нитей или несгибаемых рычагов, к которым они неподвижно прикреплены или вдоль которых они могут свободно скользить и которые, после сообщения им каких-либо импульсов, предоставляются затем самим себе или принуждаются двигаться по заданным кривым линиям или поверхностям. [c.311]

Вариантом счетной схемы регистрации является счетно-спектрометрическая схема (см. рис. 79, б). На выходе формирователя возникают сигналы, величина которых пропорциональна амплитуде импульсов с детектора. На выход дискриминатора проходят сигналы, превышающие определенный порог. Дальнейшая регистрация происходит так же, как и в счетной схеме. Введение дискриминации сигналов позволяет регистрировать пересчетным устройством не весь спектр входных сигналов, а лишь отдельные участки, например только фотопик. Это позволяет устранить вклад рассеянного излучения, низкоэнергетические шумы ФЭУ и регистрировать только излучение, прошедшее через контролируемый объект без взаимодействия (геометрия узкого пучка). [c.134]

Возникает вопрос чем может быть обусловлена активация новой системы скольжения в процессе усталостного нагружения На этот вопрос в настоящее вре.мя трудно ответить однозначно. Нам представляются вероятными две причины. Во-первых, в процессе усталостного нагружения происходит неупругое рассеяние механической энергии, которое приводит к разогреву образца. Поскольку молибден обладает разной ориентационной и температурной зависимостью предела текучести, то при увеличении температуры испытания будет изменяться геометрия скольжения. Поэтому в процессе усталостных испытаний, когда происходит автокаталитпческий разогрев образца, может активироваться новая система скольжения. В результате начнут проявляться ко.ллективные свойства дислокационного ансамбля с образованием бездислокационных каналов. [c.168]

Зависимость коэффициента отражения р-частиц от атомного номера вещества отран ателя изучалась экспериментально рядом исследователей. Полученные ими кривые имеют одинаковый характер и приблин<енно могут быть описаны законом z , где величина п меньше единицы и зависит от геометрии опыта. Влияние геометрии обусловлено анизотропией углового распределения рассеянного излучения. [c.224]

Если в описанной дифференциальной схеме источник лазерного излучения и фотоприемник поменять местами, получается так называемая инверсная дифференциальная схема. Пример такой схемы иредставлен на рис. 165, д, а соответствующая ей геометрия световых пучков — на рис. 166, б. В этой схеме в исследуемую область направляется один лазерный луч. Два пространственно разделенных световых пучка, рассеянных движущимися частицами, выделяются диафрагмами и направляются в интерферометр, где интерферируют на светочувствительной поверхности фотоприемника, [c.286]

Из] геометрии световых пучков на рис. 176 легко видеть, что разностные волновые векторы Кл — К, и Ks2 — Кг ортогональны друг к другу. Следовательно, их можно представить в виде ортогональных координатных осей ох и оу, а доплеровские сдвиги в рассеянных световых пучках будут пропорциональны соответствующим проекциям скорости [c.302]

Расчеты. Расчеты прохождения нейтронного излучения через макеты радиационной защиты проводили с помощью программы ANISN, реализующей одномерный метод дискретных ординат. Исследуемые композиции допускали одномерную аппроксимацию, поэтому использование этой программы не вносило дополнительных погрещностей, связанных с методической некорректностью. Во всех вариантах расчета решалась задача с фиксированным источником в плоской бесконечной геометрии. Энергетическое распределение нейтронов в источнике брали из данных эксперимента. Шаг пространственной сетки в защите из бетона не превышал 1 см, анизотропию рассеяния и угловой переменной учитывали в ЗвРз-приближении. [c.109]

В качестве следующего примера приведем данные численного эксперимента по сравнению точности AWDD-, LD-, LM- и AWLM—WLD-схш для задачи 2 в (х, у)-геометрии, взятой из [5]. На рис. 3 Fi, F2 — внутренние изотропные источники, рассеяние отсутствует. Задача 2 решалась с квадратурой S2 на сетке / = At/ = 2 "), п = 1,. .., 4 при oi=4, аг = 2, fi=0, р2=. В качестве точного принято решение, полученное на сетке /5 LyW-методом. В табл. 3 приведены относительные погрешности и bsum в расчете интегрального потока и [c.267]

Изучение структурных и энергетических закономерностей пластической деформации в приповерхностных слоях материалов в сравнении с их внутренними объемными слоями имеет важное значение для развития теории и практики процессов трения, износа и схватывания. При этом следует отметить, что. поверхностные слои кристаллических материалов имеют, как правило, свои специфические закономерности пластической деформации. Так, например, в работе [11 при нагружении монокристаллов кремния через пластичную деформируемую среду силами контактного трения было найдено, что в тонких приповерхностных слоях на глубине от сотых и десятых долей микрона до нескольких микрон величины критического напряжения сдвига и энергии активации движения дислокаций значительно меньше, чем аналогичные характеристики в объеме кристалла. Было также показано [2], что при одинаковом уровне внешне приложенных напряжений по поперечному сечению кристалла в радиусе действия дислокационных сил изображения эффективное напряжение сдвига значительно выше, чем внутри кристалла. Поэтому поверхностные источники генерируют значительно большее количество дислокационных петель и на большее расстояние от источника по сравнению с объемными источниками аналогичной конфигурации и геометрии при одинаковом уровне внешних напряжений. Высказывалось также предположение, что облегченные условия пластического течения в приповерхностных слоях обусловлены не только большим количеством легкодействующих гомогенных и различного рода гетерогенных источников сдвига [3], но и различной скоростью движения дислокаций у поверхности и внутри кристалла [2]. Аномальное пластическое течение поверхностных слоев материала на начальной стадии деформации может быть обусловлено действием и ряда других факто-зов, например а) действием дислокационных сил изображения 4, 5] б) различием в проявлении механизмов диссипации энергии на дислокациях, движущихся в объеме кристалла и у его поверхности причем в общем случае это различи е, по-видимому, может проявляться на всех семи фононных ветвях диссипации энергии (эффект фононного ветра, термоупругая диссипация, фонон-ная вязкость, радиационное трение и т. д.) [6], а также на электронной [71 ветви рассеяния вводимой в кристалл энергии в) особенностями атомно-электронной структуры поверхностных слоев и их отличием от объема кристалла, которые могут проявляться во влиянии поверхностного пространственного заряда и дебаевского радиуса экранирования на вели- [c.39]

Геометрия широкого пучка относится к наиб, важным случаям, в частности, Р. а. ядерных реакторов. В этом случае происходит накопление рассеянных фотонов (рис. 1), для учёта к-рого вводится фактор накопления В (знергетич., дозовый и др.). Его определяют экспериментально либо рассчитывают методами теории переноса излучения, напр. Монте-Карло методом, Лапласа преобразованиями. При малой энергии фотонов и больших толщинах защитного слоя, особенно при использовании дешёвых лёгких материалов (напр., НаО, бетон), В может достигать больших значений (рис. 2). [c.201]

Анализ энергетич. спектров неупруго рассеянных электронов составляет основу спектроскопии характеристических потерь энергии электронов, исследующей коллективные (плазменные) и одночастичные возбуждения валентных электронов с энергией до < 50эВ, и ионизационной спектроскопии, изучающей возбуждение и ионизацию электронов внутр. оболочек атомов (электронов острова) в диапазоне потерь энергии —5000 эВ. В зависимости от используемой энергии первичных электронов в Э. с. (и в дифракции электронов) различают два случая. Если энергия лежит в интервале от десятков до 100 кэВ, то регистрируются либо электроны, прошедшие сквозь тонкий слой вещества, когда получаемая информация характеризует его объёмные свойства, либо электроны, отражённые от поверхности под скользящими углами. Обычно при этом аппаратуру совмещают в одном приборе с электронным микроскопом [5 ]. В области низких и ср. значений энергии (не превосходящих неск. кэВ) используется геометрия эксперимента на отражение. В этом случае получают информацию о структуре и свойствах приповерхностного слоя, толщина к-рого примерно равна длине свободного (по отношению к неупругому взаимодействию) пробега электрона X. При энергии электронов 50—100 эВ, когда X, составляет неск. моноатомных слоев, достигается наиб, чувствительность метода к свойствам поверхности. При большей и меньшей энергии глубина зондирования возрастает. [c.553]

Особенности формирования МДК в электронном микроскопе при работе на просвет (вытянутость узлов обратной решетки в направлении, перпендикулярном плоскости фольги, эффективное увеличение угла сходимости неот-клоненного пучка из-за многократного рассеяния электронов по мере прохождения их сквозь фольгу) приводят к тому, что одна и та же (по геометрии, но не по интенсивностям) точечная МДК сохраняется в интервале углов наклона образца 5° и более (для очень тонких фольг). Поэтому ориентировку кристалла рассмотренным выше способом можно определить именно с такой точностью. Эта точность во многих практических случаях недостаточна, и для ее повышения применяют ряд приемов, с помощью которых устанавливают величину углового отклонения направления пучка электронов от оси зоны, соответствующей фиксируемой на МДК сетке рефлексов [7]. [c.55]

Наиболее полное изложение теории дифракционных методов анализа дано в книгах Гинье[4], Г. С. Жданова [5], Джеймса [6], А. И. Китайгородского [7]. Отдельным вопросом теории посвящены книги Д. М. Васильева [8] (общее описание методов, геометрия дифракции), В. И. Ивероновой и Г. П. Ревке-вич [9] (теория рассеяния, интенсивность дифракции), Я. С. Уманского [10] (теория рассеяния, диффузное рассеяние). [c.95]

Существенное преимущество фотометода перед дифрактометрическим заключается в возможности выявления очень слабых рефлексов фотометод имеет также некоторое преимущество в тех случаях когда анализируются сложные по геометрии картины диффузного рассеяния. [c.120]

Для эксперимента была выбрана ось [111], выходящая нормально к границе. Рассеянные мишенью протоны регистрировались поверхностнобарьерным детектором, который располагался неподвижно под углом в = 140° к направлению падающего пучка. Энергетические спектры измерялись с помощью 800-канального амшштудного анализатора. Разрешение спектрометрического тракта составляло 20 кэВ. Спектры в режиме дезориентации снимались при такой геометрии опыта, когда направление пучка составляло с направлением оси [111] угол 4. [c.45]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...