Обратное рассеяние

Относительно просто решается рассматриваемая задача методом двухэтапного расчета. На первом этапе рассчитывается плотность тока у-квантов на внешней поверхности объемного источника. При этом не принимается во внимание наличие защиты и соответственно обусловленное ею обратное рассеяние у-квантов. На втором этапе рассчитывается мощность удельного энерговыделения в защите от плоского источника у-квантов, расположенного на границе защиты. Отнесенная к единице площади мощность источника принимается равной рассчитанной на первом этапе плотности тока у-квантов из источника. Предполагается, что у-кванты испускаются источником сферически симметрично в угол 2 л. [c.116]

Не учитывается обратное рассеяние у-квантов защитой, что обусловливает завышение мощности источников. Однако величина этого завышения, вероятно, не более 10% [1]. [c.116]

Принципиальный подход к решению задачи заключается в использовании количественной дифференциальной информации о поле обратно рассеянного излучения. [c.141]

Заметим, что при таком расчете учитывается только однократное отражение от стенок канала и предполагается, что излучение покидает рассеиватель в той же области, где входит в него. Когда эти предположения недостаточно справедливы, следует уточнить расчеты учетом второго отражения и размытия источников обратно рассеянного излучения по поверхности отражателя. [c.142]

Проиллюстрируем для примера расчет интенсивности у-излучения, обратно рассеянного от площадей St, S2, S3 и S , на примере расчета /ал. пр - [c.160]

Увеличение интенсивности излучения, которое достигает места изгиба из-за обратного рассеяния от стенок первой секции канала, можно рекомендовать определять на основе экспериментальных или расчетных данных по прохождению излучения через прямые каналы в защите ( 12.4), увеличивая интенсивность излучения в месте изгиба канала в й раз, где =14- [c.162]

Радиационный метод основан на измерении интенсивности обратного рассеяния р-излучения в зависимости от толщины покрытия применим, когда атомные номера основного металла и покрытия отличаются не менее чем на 2. Относительная погрешность метода 5 %. [c.54]

Кроме того, используя обратное рассеяние электронов высокой энергии, можно контролировать массовую толщину покрытий до 1 г/см , т. е. почти на порядок больше, чем в случае применения р-излучения радиоактивных изотопов. [c.346]

Обратно рассеянное излучение (альбедо излучения) возникает при многократном рассеянии квантов в контролируемом объекте и поглотителе, расположенном за объектом. При этом часть рассеянного излучения выходит обратно из поглотителя и воздействует на детектор и обслуживающий персонал. С ростом атомного номера вещества отражающей среды обратно рассеянное излучение уменьшается примерно пропорционально Z2. Оно возрастает при косом падении излучения [c.9]

При использовании в цехах защитных камер без дополнительных потолков обратно рассеянное излучение может создать фон на смежных участках. [c.11]

Магазин-контейнер для хранения набора кассет, а также штатив оборудованы защитными экранами, предохраняющими пленку от воздействия радиационного фона и обратно рассеянного излучения. Дефектоскоп снабжен ручным дистанционным приводом аварийного возврата источника ручным дублированным приводом возврата кассет [29]. [c.109]

Отечественной промышленностью выпускаются толщиномеры покрытий, основанные на регистрации изменений интенсивности потока обратного рассеяния бета-излучения в зависимости от толщины измеряемого покрытия. [c.25]

Рис. 20. Изменение потока обратного рассеяния бета-излучения в зави-

Рис. 21. Принципиальная схема регистрации потока обратного рассеяния бета-излучения

Действие прибора основано на явлении обратного рассеяния бета-частиц от измеряемого изделия. [c.29]

Принцип действия прибора основан на зависимости интенсивности обратного рассеяния потока бета-излучения от покрытия. Прибор состоит из датчика и электронного блока. Датчик соединяется с блоком при помощи кабеля. [c.31]

Принцип действия прибора основан на зависимости интенсивности обратного рассеяния потока бета-излучения от толщины покрытия. [c.33]

Прибор Кишиневского государственного университета. Предложена схема прибора, работающего по методу измерения интенсивности обратного рассеяния бета-частиц. [c.35]

В случае использования отражения или обратного рассеяния р-излучения, когда приемник и источник излучения помещаются с одной стороны, возможет контроль наличия отштампованного изделия и выдача команды в транспортирующее устройство. Возможен также счет деталей йз штучных заготовок, что подробно рассмотрено в работах Станкина . [c.183]

Измерение размеров с помощью обратного рассеяния потока излучений показано на рис. 66. [c.114]

При направлении пучка радиоактивного излучения 1 на поверхность изделия. 2 с определенной толщиной часть лучей проходит сквозь изделие, а часть лучей претерпевает рассеяние веществом и изменяет свое первоначальное направление. Обратное рассеяние излучения происходит не только на поверхности изделия, но и на разной его глубине в зависимости от толщины изделия. Измеряя приемником 3 с аналогичной электрической схемой 4 и 5 интенсивность отраженного потока, судят о толщине изделия. [c.114]

Рис. 66. Блок-схема радиоактивного толщиномера, использующего обратное рассеяние потока

Концентратомер основан на использовании зависимости коэффициента обратного рассеяния р-излучения от атомного номера (химического состава) контролируемой жидкости. [c.125]

Задача может быть решена также путем измерения обратного рассеяния от контролируемого вещества. Однако тонкая пленка продукта па стенке делает метод обратного рассеивания мало чувствительным к изменениям контролируемого параметра. [c.192]

ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ОБРАТНОГО РАССЕЯНИЯ БЕТА-ИЗЛУЧЕНИЯ ДЛЯ КОНТРОЛЯ ТОЛЩИНЫ ПОКРЫТИЙ [c.227]

Для контроля толщины покрытий выгодно, чтобы зависимость интенсивности обратно-рассеянного излучения от атомного номера z рассеивателя N = N z) шла бы как моя но круче. Ход этой зависимости обусловлен геометрическими факторами, толщиной поглотителя на пути излучения к регистрирующему устройству и типом регистрирующего устройства. [c.227]

При любом угле падения первичного потока fi-частиц на рассеиватель Б большей степени зависит от z та часть обратно-рассеянного потока, которая идет нормально к поверхности рассеивателя. Если отсутствует поглотитель на пути обратно-рассеянного излучения, то для этих част.1Ц N z) z i . С уменьшением угла рассеяния показатель 2/3 уменьшается, и для самых малых углов оп близок к 0. [c.227]

В процессе обратного рассеяния частицы теряют часть своей. энергии. Эта потеря тем больше, чем меньше г рассеивателя н больше угол к его поверхности. Для очень малых углов рассеяния потери энергии для всех [c.227]

ЗАВИСИМОСТЬ ИНТЕНСИВНОСТИ ОБРАТНО-РАССЕЯННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ОТ ТОЛЩИНЫ ПОКРЫТИЯ [c.228]

Обратное рассеяние -излучения и контроль толщины покрытий 229 [c.229]

Отметим, что для изогнутых и двуосевых каналов отраженным в первой секции излучением, обратно рассеянным затем во второй секции канала, обычно пренебрегают. [c.138]

При решении задачи любой геометрии вычисляют вклад в точку детектирования Р излучения от элементарного источника дЗ, рассеянного от элементарного участка рассеивающей поверхности /5рас, затем интегрированием по всей поверхности источника, видимой из элемента дЗрас и по всей поверхности рассеивателя рас, видимой нз точки детектирования, определяют полную компоненту обратно рассеянного излучения. [c.141]

Плотность потока частиц или квантов в точке детектирования от элементарного источника 5, обратно рассеянных от элемента Зрас, на основании значений дифференциального альбедо можно определить по формуле [c.156]

РадиосиопическиЛ Радиометрические импульсный спектрометрический обратного рассеяния [c.346]

В соответствии с основным назначением аппаратуру радиометрического контроля относят к приОорам, использующим ионизирующие излучения для измерения "физических характеристик просвечиваемых объектов. По характеру измеряемой велнчииы их подразделяют на толщиномеры, и дефектоскопы. Кроме того, классификационными признаками являются условия измерения (поглощение излучения и его обратное рассеяние), вид используемого ионизирующего излучения (рентгеновские трубки, изотопные источники, ускорители) и конструктивно-эксплуатационные особенности. [c.373]

ИР для объемных дефектов имеет однолепестковую округлую форму. В направлении обратного рассеяния амплитуда отраженного сигнала принимает максимальное значение, а трансформированный сигнал отсутствует. Кроме того, сигналы волн, образующихся в соответствии с третьим типом дифракции, также отсутствуют. [c.269]

Гамма-дефектоскоп Арктика (рис. 63, 64) предназначен для панорамного просвечивания сварных соединений патрубков, соединяющих бак реактора с парогенераторами. Контроль производят по центру шва и по скосам кромок через каждую треть толщины шва по мере его заполнения. Дефектоскоп устанавливается на баке реактора с помощью мостового крана. Поворотная траверса, установленная на основании, ориентируется против нужного патрубка, после чего по команде с пульта управления источник излучения подается из радиационной головки по ампулопроводам в коллимирующую головку, закрепленную на подвижной каретке. Подача источника осуществляется электромеханическим приводом. Далее каретка автоматически перемещается в зону контроля к сварному соединению и останавливается против него по команде от радиометрического датчика, снабженного коллиматором. Датчик предварительно монтируется на клещевом штативе. На внутренней поверхности штатива размещаются радиографическая пленка и свинцовый экран, предназначенный для защиты пленки от действия фона и обратно рассеянного излучения. Установка штатива на патрубок и его демонтаж производятся дистанционно с помощью мостового крана. По окончании просвечивания источник излучения возвращается в радиационную головку, а каретка отводится в исходное положение. Дефектоскоп снабжен ручным дистанционным приводом управления для аварийного возврата источника [28]. [c.100]

Регистрация обратного рассеяния излучения производится различными счетно-регистрирующими устройствами — ионизационными камерами, гейгеровскими и сцинтилляционными счетчиками. [c.27]

Зависимость обратно-рассеянного (i-излучення от природы п толщины рассеивателя позволяет использовать это явление для контроля толщины разнообразных покрытий с высокой точностью без разрушения изделия и покрытия. [c.227]

Однако явление обратного рассеяния (3-излучения используется недостаточно и соответствующие приборы не получили еще широкого распространения. Недостаток сведений по обратному рассеянию не позволял создать прибор, применимый для контроля широкого круга изделий по единым графикам независимо от материала изделия, формы и чистоты обработки его иоверхности. Ниже даны осноипыс результаты исследования обратного рассеяния (3-излучения, позволившие создать прпбор для контроля тоочщин покрытий, в котором наиболее рационально используются особенности явления. [c.227]

Если В качестве регистратора обратно-рассеянного излучения применена ионизациониая камера, то на ходе зависимости тока от z рассеивателя скажутся размеры камеры. При достаточно больших ее размерах частицы полностью израсходуют свою энергию на образование ионов. А так как при больших Z рассеивателя и число и энергия обратно-рассеянных [c.228]

На рис. 1 дана зависим мость ионизационного тока от толщ ины фильтра для обратно-рассеянного излучения при различных рассеивателях. Некоторое возрастание тока при малой тол-ш ине фильтра вызнано тем, что фильтр (алюминиевая фольга) препятствует утечке ионов из камеры, том большой, чем меньше z рассеивателя (верхняя часть рис. 1). Из рис. 1 видно, что не очень толстый фильтр, уменьшая абсолютное значение токов, мало меняет разницу между токами, вызванными частицами, рассеянными веш зствами с разными Z. Это обстоятельство, связанное с преимущественным поглош епием частиц, идущих от рассеивателей с малым z (см. верхнюю часть рис. 1), имеет большое практическое значение, позволяя уменьшать абсолютные величины измеряемых токов, поскольку разница между ними, определяющая чувствительность измерения толщины покрытия, остается почти неизменной. [c.228]

Поток излучения, отраженный от детали с покрытием, кроме их атомных номеров, зависит также от размеров детали, формы поверхности и чистоты ее обработки. Следовательно, непосрадстванное использование зависимости интенсивности обратно-рассеянного Р-излучения от толщины [c.228]

Экспериментально было установлено, что изменение чистоты обработки и кривизны поверхности детали, изменяя абсолютное значение иптенспв-ностн обратно-рассеянного излучения, не влияет на ход кривой I = I d). Резкое изменение площади рассеивателя (с 1 до 15—20 см ) несколько изменяет характер кривой. [c.229]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...