Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Метод лучевой

В практике расчета прохождения быстрых нейтронов в защите реакторов наиболее широко используется метод интегрирования функции влияния точечного источника по объему активной зоны (иногда называемый методом лучевого анализа). В этом методе распространение быстрых нейтронов (у-квантов) описывается вдоль луча, соединяющего точку объемного источника (активной зоны) с расчетной точкой, с учетом всех материалов, находящихся на этом пути, и с последующим суммированием вкладов от элементарных источников, суперпозицией которых можно представить активную зону, В результате плотность потока быстрых нейтронов равна  [c.49]


Метод лучевого анализа используется для расчетов компоненты излучения натекания от невидимой части источника и широко распространен при изучении прохождения быстрых нейтронов и жестких у-квантов.  [c.140]

В виде примера на рис. 12.10 сравниваются результаты расчетов и экспериментов по определению поля излучения в заполненном канале. Из этих данных следует, что метод лучевого-анализа с использованием факторов накопления ограниченных и гетерогенных сред позволяет с удовлетворяющей практику точностью прогнозировать поля излучения за заполненными каналами.  [c.156]

Расчет компонент излучения в формуле (12.68) можно проводить на основании сочетания метода лучевого анализа с концепцией дифференциального альбедо излучений.  [c.165]

Проведенные экспериментальные исследования с источниками у-квантов и нейтронов с систематически расположенными параллельно друг другу и перпендикулярно к источнику цилиндрическими каналами позволяют сделать вывод, что при кратчайшем расстоянии между осями каналов, по крайней мере большем или равном 4а (а—радиус цилиндрического вала), влиянием каждого канала через соседний на распределение поля излучения в центральном канале можно пренебречь в пределах погрешности измерений. Следовательно, для расчетов компоненты излучения натекания в каналах с указанным выше расположением неоднородностей можно пользоваться методом лучевого анализа.  [c.166]

Два других направления, идущих в обход классического метода, основаны на теории винта относительного движения, используемой в явной форме. В этом случае, при отборе контактных точек, пользуются не касательными к линиям винтового комплекса, а их нормалями. Поэтому метод, использующий нормали винтового комплекса, может быть назван методом нормалей, или методом лучевого комплекса, поскольку нормали к винтовому комплексу носят название лучей.  [c.8]

Таким образом, мера множества лучей, пересекающих пару произвольных плоских замкнутых контуров, равна разности длин внутренних и внешних охватывающих кривых. Приведенные результаты носят иногда наименование метода лучевой  [c.488]

Рассеяние ультразвука на поверхностных и подповерхностных отражателях имеет сложный интерференционный характер, поэтому обычные методы лучевой акустики для расчета полей здесь неприемлемы.  [c.145]

МЕТОДЫ ЛУЧЕВОЙ ОБРАБОТКИ  [c.467]

В последние годы в СССР и за рубежом проведены большие исследовательские работы, в результате которых в промышленности начали внедряться методы лучевой обработки материалов. Они успешно применяются при обработке закаленных сталей, твердых сплавов, труднообрабатываемых металлов вольфрама, молибдена, титана, тантала и др., а также алмазов, рубинов, кварца и прочих труднообрабатываемых материалов.  [c.467]


Метод лучевой алгебры для определения облученности поверхностей  [c.420]

Сущность метода лучевой алгебры (предложенного Г. Л. Поляком [43]) можно пояснить на примере лучевого обмена трех  [c.420]

Метод лучевой алгебры позволяет рассчитать облученность различных поверхностей, произвольно расположенных в пространстве.  [c.425]

Рис. 197. К расчету облученности поверхностей методом лучевой алгебры Рис. 197. К расчету облученности <a href="/info/335326">поверхностей методом</a> лучевой алгебры
Анализ последовательных прохождений луча в резонаторе удобно вести с помощью метода лучевых матриц, подробно описанного в приложении А ). Преобразование координат параксиального луча, которое совершает любая безаберрационная оптическая система, оказывается линейным. В частности, для рассматриваемого идеального резонатора  [c.28]

Это, разумеется, относится лишь к устойчивым резонаторам. Расчет неустойчивых резонаторов удобнее вести в рамках метода лучевых матриц. Поэтому соответствующий материал излагается в 5.3.  [c.125]

ИСПОЛЬЗОВАНИЕ МЕТОДА ЛУЧЕВЫХ МАТРИЦ ДЛЯ ВЫЧИСЛЕНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК СЛОЖНОГО  [c.126]

ПРИЛОЖЕНИЕ А МЕТОД ЛУЧЕВЫХ МАТРИЦ  [c.183]

В соответствии с такой картиной распространения лучей условие устойчивости можно получить в приближении геометрической оптики, например с помощью метода лучевых матриц или же рассматри-  [c.138]

По кинематике формообразования метод лучевой обработки подобен методу обработки тонкой струей жидкости при сверхвысоком давлении, способной прошить отверстие или разрезать листовой материал.  [c.19]

В настоящее время нет четко установившейся терминологии и классификации методов электротехнологии, однако все разновидности методов электрофизической обработки можно свести к четырем группам электроэрозионные методы лучевые методы ультразвуковые методы электрохимические методы,  [c.243]

Особые области вблизи фокальных линий или фокусов допускают простое толкование с помощью принципа Гюйгенса — Френеля. Волновой фронт вдали от фокальной линии, амплитуду и фазу которого можно рассчитать методами лучевой оптики, рассматривается как заданный фронт. Этого метода вполне достаточно для очень больших шаров он дает точные выражения для диаграммы рассеяния, включая особые углы (разд. 13.2 и 13.3).  [c.236]

При исследовании задачи теории дифракции коротких волн важную роль играют асимптотические методы лучевой метод, метод параболического уравнения и его дальнейшее развитие-метод эталонных задач. Изложению этих методов посвящена книга.  [c.6]

Обычно при изложении метода лучевых разложений ограничиваются записью их коэффициентов в форме (2.13), т. е. в форме, содержащей интегралы. Между тем в случае однородного пространства из-за специфической формы якобиана / интеграл в ф-ле  [c.37]

К концу войны факторы, вызывающие изменения скорости звука в океане, были изучены и систематизированы. Во всех районах Мирового океана были получены экспериментальные данные скорости распространения звука, охватывающие все сезоны года, различные погодные условия и разные глубины. С использованием на ранних этапах методов лучевой акустики было исследовано влияние вертикального профиля скорости звука на траектории распространения акустических лучей. Различные типы траекторий акустических лучей были идентифицированы и им присвоены наименования, существующие по настоящее время.  [c.19]

Так как методы лучевой акустики не дают точных решений волнового уравнения, нужно сказать несколько слов о достоверности использования такого подхода. В оптике лучевой подход вообще не применим, когда размеры освещаемого объекта сравнимы с длиной волны света. Это правило действительно и для акустических волн. Так как длины акустических волн изменяются от сотен до долей метров, то очевидно, что практически лучевые акустические методы являются менее точными, чем оптические.  [c.109]


Основная трудность использования метода лучевого анализа состоит в достаточно корректном учете рассеянного в защите излучения. Например, для быстрых нейтронов часто рассеянное излучение можно учесть, приняв 2 (г) равным сечению выведения 2выв (г) или сечению ослабления в геометрии широкого пучка, для у-квантов — введением в формулу (12.26) фактора накопления в экспоненциальном виде.  [c.140]

Факторы накопления ограниченных сред используются для учета рассеянного в заполнителе неоднородности излучения. Для расчета нерассеянной составляющей компоненты Фзап для заполненных каналов может быть предложен метод лучевого анализа. Под ограниченными средами понимают защиты, у которых хотя бы один из поперечных размеров не может быть принят за бесконечный.  [c.142]

Проиллюстрируем подход к расчету компоненты излучения натекания методом лучевого анализа на примере круглого цилиндрического канала для точки детектиро.вания Я на его оси (см. рис. 12.5), на входе которого расположен бесконечный плоский изотропный источник излучения, в предположении экспоненциального закона ослабления излучения в защите.  [c.146]

Таким образом, для расчета компоненты Фпр можно рекомендовать метод прямой видимости для расчета компонент Фиат + Фал. нат — методы лучевого анзлиза или задания эквивалентных источников (с использованием характеристик ослабления для бесконечной среды) при г/а ЗО и метод задания эквивалентных источников при г/н ЗО для расчета компоненты Фал. пр — концепцию дифференциального альбедо. Анализ расчетных н экспериментальных данных показывает, что использование рекомендованных выще методов позволяет прогнозировать  [c.151]

Метод нормалей, или метод лучевого комплекса, используется за рубежом в работах Кормака и Альтмана, а у нас — в работах К. М. Писманика [10], А. Ф. Николаева [9] и М. Д. Златопольского [4].  [c.8]

Различие методов этих авторов заключается лишь в том, что в обоснование метода лучевых нормалей у Писманика и Николаева кладется теория винта в ее кинематической трактовке по Сомову или геометрическая — по Кормаку, а в работах Златопольского теория винта используется в аналитической форме с применением комплексных переменных по Котельникову и Зейлигеру.  [c.8]

Метод лучевой алгебры позволяет рассчитать облученность и в более сложных случаях расположения излучающих поверхностей. Нанример, для условий рис. 197 взаимная поверхность лучеобмена находится как разность  [c.426]

Применяя метод лучевой алгебры, можно написать ряд равенств для определения взаимных поверхностей лучеобмена при различных условиях  [c.431]

Рассмотрим с 1кономерности распространения гауссова пучка в среде с коаксиальной оптической неоднородностью вида (4.39). Для исследования пространственных характеристик пучка используем метод лучевых матриц. Использование матричного метода для построения лучевой оптики неоднородной среды возможно, если неод-  [c.110]

Подстановка (5.25) в (5.16) дает выражение для резонансных частот в терминах метода лучевых матриц. В частности, если полный обход резонатора состоит из р повторяюп ихся периодов длиной /, то для собственных частот резонатора легко получить соотношение  [c.131]

Метод лучевых матриц, или матриц распространения, с успехом используется в прикладной геометрической оптике. Привлечение матричного исчисления позволяет более компактно и в общем виде решать задачи расчета сложных оптических систем. Наиболее общее изложение метода содержится в книге Герцбергера [9]. В технику оптических резонаторов метод лучевых матриц введен, по-видимому, Бертолотти [15] и развит в работах Когельника [18—20]. Доказано [11], что этот метод в рамках гауссовской геометрической оптики не противоречит более строгому рассмотрению, основанному на использовании принципа Гюйгенса. Современное изложение метода лучевых матриц содержится в книге Джеррарда и Берча [104].  [c.183]

Расчет собственных волн резонатора, содержащего амплитуднонеоднородные элементы, удобно проводить с помощью метода лучевых матриц ( 5.3). Выбирая расчетное сечение на левой границе симметричного периода (для линейного резонатора такое расчетное сечение соответствует отражающей поверхности левого концевого отражателя), получаем из (П.Г.6).  [c.198]

Для каладого к определен набор операторов из группы , преобразующих блоховский вектор в вектор с эквивалентным значением волнового вектора к. Эта совокупность операторов образует группу волнового вектора к, обозначаемую (к). Она является подгруппой группы . Определяются неприводимые представления группы к). Для этой цели можно использовать два метода. Будет рассмотрен метод лучевых (проективных или нагруженных) представлений, использующий представление структуры к) как расширения. Кроме того, будет излож-ен метод малых групп. Среди всех неприводимых представлений к) допустимыми для наших целей оказываются только некоторые. Будут определены эти допустимые неприводимые представления а тажже соответствующие им векторные пространства.  [c.49]

Гетерогенность исследуемых атомарно-чистых поверхностей. В случае поверхностей, полученных методом раскола кристалла в вакууме (п.4.1.2), высокая концентрация на них ступенек, узлов и выходов дислокаций доказаны многочисленными микроскопическими исследованиями. Метод ионного травления также не вызывает особого оптимизма, если иметь в виду рис. 1,а введения. Хотя многократные термические отжиги, несомненно, существенно сглаживают сложный рельеф поверхности, врядли можно добиться идеальной ее гладкости на больших площадях. Кроме того, при отжигах поверхность обогащается примесями, диффундирующими из объема. Концентрация последних даже на "оже-чистой" поверхности может приближаться к числу ПЭС. С развитием технологии подготовки поверхности, в частности, метода лучевой эпитаксии, по-видимому, удается в ряде случаев получить макроскопические элементы поверхности, близкие к однородным. Но для них часто непригодны корректные методы изучения спектра ПЭС. Сканирующие электронные микро-  [c.167]



Смотреть страницы где упоминается термин Метод лучевой : [c.140]    [c.613]    [c.92]    [c.111]    [c.135]    [c.495]    [c.570]    [c.112]   
Асимптотические методы в задачах дифракции коротких волн Метод эталонных задач (1972) -- [ c.10 , c.20 , c.439 , c.440 ]



ПОИСК



Вывод асимптотических формул для собственных чисел и функций лучевым методом

Изготовление ДОЭ методами электронно-лучевой литографии

Испарение, методы нагревания электронно-лучевой

Испарение, методы нагревания электронно-лучевой плазменный

Использование метода лучевых матриц для вычисления характеристик сложного резонатора

Исходные формулы лучевого метода в скалярном случае

ЛАЗЕРНЫЕ И ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВЫЕ МЕТОДЫ ОБРАБОТКИ

Лучевой метод в малом

Лучевой метод в малом. Формула для собственных частот резонатора

Лучевой метод в случае центрального поля лучей

Лучевые методы обработки

Лучевые методы обработки материалов

Лучевые методы размерной обработки

Метод лучевой алгебры для определения облученности поверхностей

Метод молекулярно-лучевой эпитаксии

Методы ионно-лучевой обработки для повышения износостойкости поверхностей

Методы электронно лучевые

Нагрев, методы электронно-лучевой

Одно лучевой метод, или L- формат

Основные рекуррентные формулы лучевого метода

Приложение А. Метод лучевых матриц

Пример нахождения коротковолновой асимптотики дифракционной задачи лучевым методом

Толщинометрия Лучевой метод

Ультразвуковая и лучевые методы обработки



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте