Поле рассеяния

Если построить кривую рассеяния размеров, полученных при обработке одной части большой партии деталей, когда износ инструмента еще весьма мал, и вторую кривую рассеяния размеров для всей партии деталей, включая и первую ее часть, обработанных при неизменной настройке, то увидим, что формы кривых различны (рис. 25). Это объясняется тем, что поля рассеяния предельных размеров получились различными вследствие различной величины размерного износа режущего инструмента. [c.67]

Абсолютная величина поля рассеяния, т. е. разность между наибольшим и наименьшим измеренными размерами, [c.68]

Как видно, отклонения действительных размеров от среднего размера почти всех обработанных деталей находятся в пределах от + За до —Зо, т. е. абсолютная величина отклонения равна 6а. Следовательно, если дс.пуск на обработку больше 6о, то поле рассеяния размеров и погрешность обработки меньше допуска, т. е. все детали по размерам пригодны. Другими словами, величина 6о или 30 определяет наибольшее рассеяние размеров, которое следует практически учитывать. [c.69]

Величина смещения центра поля рассеяния от середины поля допуска по абсциссе равна [c.71]

Абсолютное поле рассеяния по фактическим измерениям 5 = ( .ах - 1шы) = 18.07 - 17.89 = 0.18. [c.74]

Как отмечалось выше, вероятность получения брака (в %) определяется 1) для случая смещения центра поля рассеяния от середины поля допуска (по абсциссе) и 2) для случая совмещения центра поля рассеяния с серединой поля допуска (по абсциссе). [c.74]

Величина смещения центра поля рассеяния [по формуле (19)] равна [c.74]

При контроле по количественному признаку определяют значения показателей точности. Коэффициент точности (ло контролируемому параметру) /(., = ю/Т, где со — поле рассеяния или разность максимального и минимального значений контролируемого параметра за установленную наработку ТС, определяемые с доверительной вероятностью у по выражению <л — I (у) s, где [c.67]

Поле рассеяния контролируемого параметра для доверительной вероятности у 0,9973 s — среднее квадратичное отклонение контролируемого параметра Т — допуск на контролируемый параметр. [c.67]

Следовательно, отклонения от х одинаковой абсолютной величины, но разных знаков Длт/ одинаково возможны. Форма кривой показывает, что малые отклонения (по абсолютному значению) появляются значительно чаще, чем большие, а появление весьма больших отклонений практически маловероятно. В связи с этим допустимые погрешности ограничивают некоторыми предельными значениями К/2 (где V — практическое поле рассеяния случайных погрешностей, равное разности между наибольшим и наименьшим измеренными размерами в партии деталей). [c.33]

Значение V определяют из соображений получения достаточной точности при оптимальных затратах на изготовление изделий. При регламентированных значениях поля рассеяния за пределы К/2 может выходить не более чем 0,27% случайных погрешностей от их общего количества. Это значит, что в 1000 обработанных деталях бракованных может оказаться не более трех штук. Такая ничтожно малая вероятность получения бракованных изделий оправдывается тем, что дальнейшее уменьшение процента риска связано с неоправданным увеличением погрешностей. Форма кривой зависит от метода обработки и измерения изделий точные методы дают кривую 1 (рис. 3.2, а), имеющую поле рассеяния Ух, методам высокой точности соответствует кривая 2, для которой < Ух методам низкой точности—кривая 3 (Уз> 1/г). [c.33]

В ряде расчетов применяют понятия, специально установленные для размерных цепей. Например, поле рассеяния V равно разности между наибольшим и наименьшим размером, полученным в процессе обработки или измерения (см. рис. 3.2). [c.135]

Принимаем, что поля рассеяния натяга и коэффициента трения покрываются интервалами 65д, и 65(, тогда [c.85]

При индукционном методе магнитный поток в изделии наводят электромагнитом переменного тока. Дефекты обнаруживают с помощью искателя, в катушке которого под действием поля рассеяния индуктируется э. д. с-., вызывающая оптический или звуковой сигнал на индикаторе. [c.149]

При магнитографическом методе поле рассеяния фиксируется на эластичной магнитной ленте, плотно прижимаемой к поверхности соединения. Запись воспроизводится на магнитографическом дефектоскопе. В результате сравнения контролируемого соединения с эталоном делается вывод о качестве соединения. [c.149]

Сущность магнитографического метода состоит в намагничивании контролируемого участка объекта с одновременной записью полей рассеяния на магнитную ленту и считывании результатов, зафиксированных на ленте, на специальных магнитографических дефектоскопах (рис. 4.15). [c.213]

При определении точности группы однотипных механизмов определяют не значения ошибок в каждом отдельном механизме, которые будут функциями случайных величин, а устанавливают границы поля рассеяния ошибок положения механизмов или предельную ошибку положения (максимально возможное значение ошибки), отсчитываемую от нулевого значения. [c.115]

См. Д е II н с ю к Ю. Н. ДАН СССР, 144, 1275 (1960) его ж е. Оптика и спектроскопия, 15, 522 (1963). Об отображении оптических свойств объекта в волновом поле рассеянного им излучения . [c.218]

Поскольку весь рассеивающий объем V состоит из большого числа микроскопических объемов и, то суммарное поле рассеяния складывается из полей, создаваемых этими объемами. Рассеяние отдельными малыми объемами v можно считать независимым для газа, если линейные размеры этих объемов велики по сравнению с радиусом межмолекулярного взаимодействия ( 10 см) и малы по сравнению с длиной волны возбуждающего света ( 10 см). В этом случае вычисление рассеяния во всем объеме V сводится к сложению интенсивностей рассеяния от объемов v. Исходя из выражения (13.5), имеем [c.312]

Изображения объекта формируются в результате просвечивания голограммы лазерным световым пучком (рис. 11.5, б) и дифрак-цнп света на неоднородностях ее почернения. В направлении 1-1 распространяется волновое поле, формирующее без помощи объектива действительное изображение (ДИ) объекта. В направлении 2-2 восстанавливается волновое поле, рассеянное объектом наблюдения, как это было показано на рис. 11.5, а. ото волновое поле соответствует мнимому изображению (МИ) объекта. Такое [c.242]

Поэтому поле рассеянного света можно записать следующим образом [c.593]

С одной стороны, это означает системность самой структуры математической модели ЭМУ, что связано с необходимостью учета всей совокупности различных его внутренних физических процессов. Основное по значимости и функциональному назначению энергетическое преобразование в ЭМУ (из электрической в механическую энергию или наоборот) неизменно сопровождается сопутствующими преобразованиями, рассеянием энергии — созданием теплового поля, силового поля вибраций, магнитного поля рассеяния. Именно совместное проявление взаимосвязанных физических процессов — электромагнитных, тепловых, силовых формирует в итоге рабочие свойства ЭМУ и определяет во многих случаях их функциональную пригодность. Поэтому для строгого решения задач в общем случае ЭМУ должно рассматриваться как система с неоднородными, различающимися по физической сущности процессами, в которой существуют дополнительные каналы преобразования энергии, зависимые в энергетическом плане от основного, т.е. существующие за счет его энергетической не-идеальности. [c.97]

Для определения вектора индукции магнитного поля рассеяния В по заданным источникам поля обычно применяют [4] искусственный прием, вводя вспомогательную функцию — векторный электродинамический потенциал Адд. При этом В = то Адд. Уравнение для потенциала Адд в векторной форме представляет собой неоднородное пара- [c.119]

В физике твердого тела при анализе многих явлений (дифрак, ция, движение электронов в периодическом потенциальном поле, рассеяние фононов), связанных с периодическим расположением дискретных частиц, чрезвычайно важную и полезную роль играет обратная решетка. Обратная решетка не является решеткой в том обычном смысле, который мы вкладывали при определении пространственной решетки кристалла, (см. 1.1). Обратной решетки не существует в кристалле, она представляет собой удобную абстракцию, позволяющую математически довольно просто и точно описы- [c.24]

Напряженность. электрического поля рассеянной световой волны должна быть пропорциональна Ар [c.123]

При проведении исследований, чтобы сопоставить графически и определить, насколько полученная кривая рассеяния фактических размеров приближается к теоретической кривой нормального распределения, обе кривые надо начертить совмещенно в одинаковом масштабе. С этой целью рассчитывают данные, необходимые для построения кривой нормального распределения. Для сокращения расчетов и упрощения примерного построения кривой нормального распределения можно ограничиться определением только трех параметров максимальной ординаты Ушах (при X = 0), ординаты для точек перегиба у (при X = о) и величины поля рассеяния . [c.69]

Сущность м а 1 н и т о г р а ф и ч е с к о 1 о метод а состоит в намагничивании контролируемого участка объекла с одновременной записью полей рассеянии на магнитную ленту и счип.тании ре- [c.140]

При проведении диагностики используются индикатор механических напряжений ИМНМ-1Ф, индикаторы концентрации напряжений ИКНМ-2Ф, ИКН-1М. Метод основан на регистрации напряженности магнитного поля рассеяния Нр, характеризующей распределение остаточной намагниченности, на контролируемой поверхности изделия. При этом на поверхности вблизи стыков и на самом шве специальной зачистки не требуется. Для этого производится сканирование датчика прибора вдоль поверхности сварного стыка по всему периметру наружного диаметра конструктивного элемента аппарата и записываются полученные значения напряженности магнитного поля рассеяния Нр. [c.215]

На возникающих дефектах сварки определенных размеров образуются узлы закрепления доменов, которые обра 1уют суммарное размагничивающее поле дефектов. Линии концентрации напряжений и деформаций соответствуют линиям значений нормальной составляющей поля рассеяния Нр, измеряемого на поверхности изделия. [c.215]

Эффект магнитной памяти металла к действию на] рузок растяжения, сжатия, кручения и циклического нагружения выявлен в лабораторных и промышленных исследованиях. Уникальность метода магнитной памяти заключается также в том, что он основан на использовании собственного магнитного поля, возникающего в зонах устойчивых полос скольжения дислокаций, обусловленных действием рабочих нагрузок. В результате взаимодействия собственного магнитного поля (СМП) с магнитным полем Земли в зоне концентрации напряжений на поверхности объекта контроля образуется градиент магнитного поля рассеяния, который фиксируется специализированными магнитометрами. Механизм возникновения СМП на скоплениях дислокаций обусловлен закреплением доменных границ, когда эти скопления становятся соизмеримы с толщиной доменных стенок. Ни при какгос условиях с искусственным намагничиванием в работающих конструкциях такой источник информации, как собственное маг- [c.350]

Рис. 4.4. Кривые нормального распределения и поля рассеяния при различных зиачеинях а

В приложении 1 для функции Ф (г) приведены да1шые, пользуясь которыми можно определить вероятность того, что случайная величина л, выраженная в долях а, находится в пределах интервала 2,0, Например, при = 3 (т. е. при х = За) Ф (3) = = 0,49865. Так 1 ак площадь, ограниченная кривой Гаусса и осью абсцисс, равна 1, то площадь, лежащая за пределами значений X = 3а, равна 1 — 0,9973 = 0,0027 и расположена симметрично относительно оси /у (см. рис. 4.3, б). Следовательно, с вероятностью, веср.ма близкой к единице, можно утверждать, что случайная величина X не будет выходить. за пределы 3а. Таким образом, при распределении случайной величины по закону Гаусса поле рассеяния [c.92]

Формула (11.15) выведена в предполож нии, что распределение действительных размеров подчиняется закону Гаусса, центр группирования совпадает с серединой поля допуска, а поле рассеяния — со значением допуска. В производственных условиях случайные погрешности размеров детален могут распределяться не по закону Гаусса. Для определения допуска замыкающего размера при произвольном законе распределения в формулу (11.15) вводят коэффициент относительного рассеяния /г,- [c.260]

Коэффициент kj = 6alTj, где 7 j-— поле рассеяния Aj. Приняв Tj = -- 6а, получим [c.260]

Полностью нерассеянным излучением определяется компонента Фпр. Компоненты Фиат И Фаащ имеют составляющие нерассеянного и рассеянного излучений. Все остальные компоненты определяют вклад в поле рассеянного излучения. [c.138]

Пусть пучок почти параллельных лучей от источника проходит через кювету с водой. Если вода очень тщательно очищена, то пучок почти не виден при наблюдении сбоку, т. е. в стороны от первоначального пучка свет Практически не рассеивается но если капнуть в кювету каплю одеколона, то возникает интенсивное рассеяние пучок света явственно виден со всех сторон, и если толщина кюветы достаточна, то практически весь свет рассеивается в стороны и за кюветой мы уже не будем иметь ясно очерченного первичного пучка, а лишь диффузное поле рассеянного света. Конечно, введение капли одеколона не изменяет существенным образом свойств громадной массы молекул воды, находящейся в кювете, но содержащиеся в одеколоне в растворенном видё вещества выпадают в водном растворе, образуя эмульсию — мелкие капельки, взвешенные в воде. Наличие таких неоднородностей создает совсем иные условия для взаимной интерференции вторичных волн. В результате первичный пучок дифрагирует на этих неоднородностях и дает картину рассеяния, характерную для мутной среды. [c.577]

Голот рафические методы обработки измерительной информации находят широкое применение при построении измерительных преобразователей (датчиков) положения, линейных размеров, формы, а также деформации и скорости перемещения объектов. Перспективность применения этих методов объясняется тем, что информация о геометрических параметрах и физическом состоянии объекта непосредственно и полно выражается в световых полях, рассеянных. этим объектом. Измерительная информация заключена во всех характеристиках отраженной объектом световой волны амплитуде, фазе, длине волны, а также ее поляризации. Существенной особенностью задачи контроля геометрических параметров объектов при этом является необходимость регистрации и обработки многомерных входных сообщений, содержащихся в световых полях или изображениях объектов. Эти сообщения отличаются высокой информативностью, причем повышение требований к точности и быстродействию измерительной системы приводит к необходимости увеличения количества принимаемой и обрабатываемой информации. Поэтому применение обычных оптических методов обработки измерительной информации с одномерным кодированием. электрических сигналов, вырабатываемых фотоэлектрическим преобразователем датчика в процессе сканирования изображения контролируемого объекта, либо недостаточно. эффективно, либо вообще не решает поставленной задачи. [c.87]

Выполняя свою основную функцию по электромеханическому преобразованию энергии, ЭМУ вызывает побочные вторичные явления — тепловые, силовые, магнитные, оказывающие значительное, а в ряде случаев, например в гироскопических ЭМУ [7], и определяющее влияние на показатели объекта. Нагрев элементов ЭМУ определяет его долговечность и работоспособность, а в гироскопии — также точность и готовность прибора. Деформации и цибрации в ЭМУ возникают из-за наличия постоянных и периодически меняющихся сил различной физической природы, в том числе сил температурного расщирения элементов, трения, электромагнитных взаимодействий, инерции, от несбалансированности вращающихся частей, неидеальной формы рабочих поверхностей опор и технологических перекосов при сборке и др. и существенно влияют на долговечность и акустические показатели ЭМУ, а в гироскопии — через смещение центра масс и на точность прибора. Магнитные поля рассеяния ЭМУ создают нежелательные взаимодействия с окружающими его элементами, приводящие к дополнительным потерям энергии, вредным возмущающим моментам, разбалансировке и пр. [c.118]

Анализ внешнего магнитного поля рассеяния ЭМУ еще более затруднен из-за сложности его характера, трехмерной топологии, необходимости рассмотрения всей еовокупности разнородных по физическим свойствам и конфигурации сред, соответствующих компонентам самого ЭМУ и окружающим его элементам, необходимости учета в общем случае нелинейности и гистерезиса характеристик отдельных из них. [c.119]

Область применения КЭД — расчет электронных оболочек атомов, спектров излучения и поглощения света атомами, рассеяние рентгеновского излучения, движение заряженных частиц в электрическом и магнитном полях, рассеяние электрона на электроне или позитроне и т. д. Выдающимся успехом квантовой электродинамики является объяснение отклонения магнитного момента электрона от предсказьлваемых классической электродинамикой значений. [c.179]

Магнитографический метод. Сущность данного метода состоит в намагничивании участков изделия специальными намагничивающими устройствами с одновременной записью полей рассеяния на. эластичный носитель, в качестве которого выступает мгигнитная лента, с последующей операцией воспроизведения (считывания) записи с ленты с помощью магнитографических дефектоскопов. Схема магнитографического контроля представлена на рис. 6,36. [c.194]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...