Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Уровни положительные и отрицательны

В этой главе также описано, как провести анализ целостности сигналов в цепях только что разработанной платы. Пользователь узнает, как правильно устанавливать правила проектирования для проведения расчета некоторых специфических параметров, таких как импеданс цепей, уровни положительных и отрицательных выбросов импульсов, длительности фронтов и задержек распространения. Кроме того, здесь описьшается, как правильно провести моделирование отражений и перекрестных искажений сигналов на разработанной плате, а затем получить истинные временные диаграммы результирующих сигналов в различных проводниках схемы. Подробная информация по всем этим вопросам представлена в разделе Верификация проекта печатной платы.  [c.413]


Конечные точки перпендикуляров будут заполнять при этом поверхность Продолжая действовать подобным образом в положительном и отрицательном направлениях, можно последовательно построить все семейство поверхностей постоянного уровня.  [c.681]

Описанные системы используют и для измерения импульсного шума. В этом случае помимо среднеквадратичного значения уровня сигнала измеряют положительное и отрицательное пиковые значения и максимальное пиковое значение.  [c.458]

Максимальный коэффициент безразмерного ускорения равен 5,752, причем, абсолютная величина наибольшего коэффициента положительного и отрицательного ускорения совпадает. Полученный закон движения может быть использован в быстроходных механизмах для снижения уровня инерционных нагрузок.  [c.49]

В заключение перечислим еще раз положительные и отрицательные свойства рубиновых лазеров. К первым необходимо отнести генерацию лазера в видимом диапазоне длин волн и возможность достаточно частого повторения импульсов. Среди недостатков нужно указать высокую энергию накачки, низкий КПД, ограничение энергии излучения на уровне нескольких Дж, плохая расходимость излучения, невозможность реализации ста-  [c.176]

Как видно из предыдущего, при Я I свойства дифрагированного поля существенно зависят от геометрии решетки. Одним из наиболее важных проявлений этой зависимости является возникновение несимметрии вторичного поля, рассеянного несимметричной периодической структурой. Несимметричная решетка вызывает ярко выраженную пространственную несимметрию дифрагированного поля нормально падающей волны, выражающуюся в резком различии уровней энергий, переносимых гармониками с положительными и отрицательными индексами. Количество распространяющихся гармоник (каналов, по которым передается энергия) и углы их распространения определяются соотношением между длиной волны и периодом структуры. Различие между энергией в отдельных каналах также зависит от V., но в значительной мере определяется параметром несимметрии. Под последним подразумевается некоторая угловая величина (угол ()), характеризующая отклонение элемента решетки от симметричного положения. Степень несимметрии вторичного поля может достигать значительной величины.  [c.159]

Особый практический интерес представляет расчет плавучих турбулентных струй, распространяющихся в стратифицированных средах. При расчете таких струй сохраняется деление потоков на начальный, переходный и основной участки струи. Однако основной участок струи еще делят на зоны положительного и отрицательного вовлечения, которые условно разграничиваются равновесным уровнем (рис. 14.9).  [c.197]

Выражаемое этими функциями возмущение уровня оказывается очень малым для всех тех положительных и отрицательных значений х, которые превосходят примерно половину наибольшей длины волны  [c.581]


Точность анализатора определяется в основном числом каналов, зависящим от числа выбранных уровней. Чем болыпе число уровней в приборе, тем меньшие различия в амплитудах и асимметрии цикла будут фиксироваться. Однако при этом габаритные размеры прибора, его сложность и стоимость резко возрастают, так как количество счетчиков пропорционально квадрату числа уровней. Минимальное число уровней при симметричном цикле нагружения равно 12 (по шесть уровней на положительные и отрицательные напряжения). При асимметричном цикле нагружения, который обычно наблюдается в узлах автомобиля, при том же числе уровней точность результатов будет выше, чем при симметричном цикле.  [c.109]

При подобной интерпретации все перечисленные характеристики могут быть отнесены к характеристикам выбросов случайных процессов поскольку связаны с особенностями поведения положительных и отрицательных выбросов траектории 1 [О, Т] на некотором уровне Н. Величины т, 0 и в п )еделах одной реализации могут принимать несколько значений и вместе с ве-  [c.5]

Аналогично можно показать, что дисперсия полного числа пересечений (положительных и отрицательных) уровня Я траекторией I t), е [О, Т] определяется формулой  [c.102]

Рис. 4.16. Характер изменения коэффициента корреляции между длительностями соседних положительного и отрицательного выбросов в зависимости от уровня к и параметра спектральной плотности к Рис. 4.16. Характер изменения <a href="/info/42877">коэффициента корреляции</a> между длительностями соседних положительного и отрицательного выбросов в зависимости от уровня к и параметра спектральной плотности к
Рис. 2.27. При легировании полупроводника различными примесями энергетические зоны локально могут сдвигаться. На диаграмме представлена зависимость энергии от пространственной координаты. Доноры — это примеси в кристаллической решетке, которые могут давать электроны в зону проводимости. Акцепторы же — это примеси, которые могут связывать электроны, т. е. генерировать дырки в валентной зоне. F — уровень Ферми, до которого могут быть заполнены электронные уровни W — нижний край зоны проводимости, Wz, — верхний край валентной зоны, р и п относятся к положительным и отрицательным носителям заряда (в соответствии с типом легирующих примесей). Рис. 2.27. При <a href="/info/41581">легировании полупроводника</a> различными примесями <a href="/info/16603">энергетические зоны</a> локально могут сдвигаться. На диаграмме представлена зависимость энергии от <a href="/info/145365">пространственной координаты</a>. Доноры — это примеси в <a href="/info/12569">кристаллической решетке</a>, которые могут давать электроны в <a href="/info/16457">зону проводимости</a>. Акцепторы же — это примеси, которые могут связывать электроны, т. е. генерировать дырки в <a href="/info/16455">валентной зоне</a>. F — <a href="/info/7474">уровень Ферми</a>, до которого могут быть заполнены электронные уровни W — нижний <a href="/info/370275">край зоны проводимости</a>, Wz, — верхний <a href="/info/370274">край валентной зоны</a>, р и п относятся к положительным и отрицательным носителям заряда (в соответствии с типом легирующих примесей).
Из (33) следует, что из точки (Лоо,/ оо) выходят две кривые, разделяющие области положительных и отрицательных значений. Так как Ф = = О, то в силу принципа максимума для уравнения (32) при Л 1 (см. 19, гл. 1 ), на I/ существуют две седловые точки линии уровня ф = 0. Для физической реализуемости решения ф Х,Р) необходимо, чтобы эти седловые точки находились на отрезках оси Л = 0. Тогда на остальных  [c.165]

Для плавучих турбулентных струй, распространяющихся в стратифицированных средах, также сохраняются начальный, переходный и основной участки. Однако основной участок такой струи еще делят на зоны положительного и отрицательного вовлечения, которые условно разграничиваются равновесным уровнем 2 (рис. 7.8). Под действием инерции сил плавучести струя поднимается до своего предельного уровня гь, а затем начинает опускаться. В определенной области происходит взаимодействие противоположно  [c.171]

Преобразователь уровней вырабатывает сдвинутые в положительную и отрицательную области треугольные напряжения, которые управляют работой схемы формирования стробирующих импульсов.  [c.369]

Для молекул, обладающих симметрией Ооо/,, дополнительное правило отбора, запрещающее переход между симметричными и антисимметричными уровнями и отличающееся от правила отбора в инфракрасном спектре, не противоречит правилу отбора (1,16) для переходов между положительными и отрицательными уровнями. Поэтому молекулы этого типа также имеют вращательные комбинационные спектры.  [c.33]


Правила отбора, аналогичные (1,32), имеют место и для других точечных групп (см. также- гл. IV). Правило (1,31) всегда может быть удовлетворено для неплоских молекул, так как положительные и отрицательные уровни всегда встречаются парами (инверсионное удвоение, см. выше) ).  [c.43]

МЫ снова имеем простую серию уровней. Расстояние между этими уровнями примерно вдвое меньше первоначальных [т. е. расстояний между уровнями кривой только с одним минимумом (см. фиг. 62,а)]. Их собственные функции попеременно симметричны или антисимметричны по отношению к отражению вначале (положительные и отрицательные состояния), что вполне аналогично последовательности уровней колебания типа V2(al) в плоской молекуле XYj (см. фиг. 63 и фиг. 42, .  [c.242]

Если инверсионным удвоением нельзя пренебречь, тогда требуется специальное рассмотрение свойств симметрии. Мы опять разберем только случай молекулы типа XYg, принадлежащей к точечной группе Св. (подобной, например, молекуле NHg). Ранее (стр. 240) было показано, что колебательная собственная функция более низкой составляющей инверсионного дублета остается неизменной, тогда как собственная функция более высокой составляющей меняет при инверсии знак. Комбинируя это свойство с положительной и отрицательной (-)-, —) симметрией вращательных уровней сплющенного симметричного волчка (фиг. 8,6), мы получаем четность вращательных уровней для полносимметричного вырожденного колебательного уровня, как показано слева для каждого уровня на фиг. 120. Теперь необходимо учесть, что каждая колебательная собственная функция является суммой или разностью собственных функций левой и правой форм, и поэтому колебательные уровни можно классифицировать в соответствии с типами симметрии точечной группы D3 (потенциальное поле имеет симметрию точечной группы Ддд). Легко заметить, что положительные колебательные подуровни невырожденного колебательного состояния принадлежат к колебательному типу симметрии Ац отрицательные — к типу симметрии А . Комбинируя эти типы симметрии с типами симметрии вращательных уровней для полносимметричного колебательного уровня (фиг. 118,а), мы получим полную симметрию (без учета ядерного спина), указанную на фиг. 120,а справа от каждого уровня. Таким же образом получается полная симметрия для вырожденного колебательного уровня на фиг. 120,6. При равенстве нулю спина одинаковых ядер будут иметься только вращательные уровни Aj. В случае полносимметричного колебательного уровня отсюда следует, как и ранее, что встречаются только уровни с О, 3, 6,. ..  [c.441]

Кроме рассмотренных свойств симметрии, мы, как и ранее, имеем свойства симметрии по отношению к инверсии ( положительные и отрицательные уровни). Для неплоской молекулы каждый вращательный уровень является двойным (инверсионное удвоение), причем одна из компонент положительна, а другая — отрицательна. Для плоской молекулы подобного удвоения не существует, и каждый вращательный уровень является либо положительным , либо отрицательным . Так как для плоской молекулы вращение на 180° вокруг оси наибольшего момента инерции в сочетании с отражением в плоскости молекулы эквивалентно инверсии, то для полносимметричных колебательных состояний вращательные уровни и -]----(см. стр. 65) являются поло-  [c.495]

Наконец, мы имеем обычное правило отбора для свойств симметрии по отношению к инверсии (для положительных и отрицательных уровней)  [c.498]

Совершенно очевидно, что и в комбинационном спектре между собой комбинируют только те вращательные уровни, которые относятся к одинаковым полным типам симметрии. Правила отбора, связанные с симметрией по отношению к инверсии (с делением уровней на положительные и отрицательные), совпадают с правилами отбора для комбинационных спектров линейных молекул и молекул, являющихся симметричным волчком, т. е.  [c.521]

Преобразователь уровней вырабатывает сдвинутые в положительную и отрицательную области треугольные напряжения, которые управляют работой схемы формирования строби-рующих импульсов. Положения стро-бирующих импульсов относительно начала прямого и обратного ходов перемагничивания регулируются и контролируются по стрелочному прибору.  [c.79]

В начале 50-х гг. XX века возник вопрос, являются ли действительно функции отклика кубических кристаллов параболическими. Гипотезы Тэйлора в его теории дислокации (Taylor [1934, 1]) также были подвергнуты сомнению. Более всего это касалось того факта, что Тэйлор предполагал распределение положительных и отрицательных дислокаций однородным и не учитывал возникновения дислокаций в процессе деформации. Третья трудность, которая еще не всплыла к тому времени, состоит в том, что ни в теории, ни в эксперименте не было основы для принятия решений, требующихся в процессе подведения итогов в анализе Тэйлора. Мотт (Mott [1952, 11) в 1952 г. выдвинул теорию, которая еще при условии использования параболической функции отклика полностью исключала эти вопросы, подразумевавшиеся в гипотезах Тэйлора. Теория Мотта основывалась на предположении о заклинивании дислокаций, порождаемых источником Франка — Рида, при некотором уровне их плотности или при наличии барьера из дефектов.  [c.130]

Миироканальные ПВМС имеют широкие функциональные возможности, Что обусловлено рассмотренными физическими процессами. Учитывая линейный характер электрооптического эффекта и возможность создания управляемого положительного и отрицательного потенциала на пластине кристалла, в этом приборе легко реализуется сложение и вычитание изображений (ср. с титусом , 2.1), инвертирование контраста, отсечка (путем компенсации зарядов) подпорогового уровня. Кр оме того, в ПВМС можно выполнять логические операции И, ИЛИ, НЕ и др.  [c.200]


Для вращательных состояний молекулы типа жесткого симметричного волчка число К является точным квантовым числом, однако для колебательно-вращательных или ровибронных состояний оно является приближенным квантовым числом. Это квантовое число теряет смысл за счет эффектов центробежного искажения и кориолисова взаимодействия. Так как гамильтониан молекулы коммутирует с операцией обращения времени (которая переводит любую волновую функцию в ее комплексносопряженную см. гл. 6), каждая собственная функция всегда содержит суммы или разность собственных функций с k = К н k == —К. Поэтому энергетические уровни могут быть классифицированы по значениям положительного квантового числа К, а не квантового числа k, получающего положительные и отрицательные значения. Квантовое число J является приближенным для полных внутренних состояний Е и теряет смысл, например, при учете взаимодействия Япзг, зависящего от ядерного спина. Однако число F является точным квантовым числом для изолированной молекулы в свободном пространстве.  [c.309]

Для анализа динамических систем используют имитационное динамическое моделирование. Динамическая имитационная модель отражает внутреннюю структуру моделируемого объекта, Аппарат этого вида моделирования позволяет имитировать при-чинно-следственные связи между элементами и динамику изменений каждого элемента или блока объекта моделирования. Имитационное динамическое моделирование можно использовать для моделирования нестационарных систем и объектов. В качестве примеров причинно-следственных связей между отдельными блоками можно указать контур положительной и отрицательной обратной связи. На базе диаграмм причинно-следственных связей между отдельными блоками можно указать контур положительной и отрицательной обратной связи. На базе диаграмм причинно-следственных связей строится диаграмма потоков и уровней, которая представляет собой графическое изображение имитационной динамической модели в виде уровней и связывающих их потоков. Уровень характеризует накопление потока (например, уровень числа рабочих, занятых на производстве, объем производства и т. д.). Поток входи г в уровень или выходит из него, вызывая изменение уровня. Потоки могут быть материальными и информационными. Поток измеряется темпом (скоростью). Число уровней определяет размерность имитационной динамической модели. Интервал времени, через который вычисляются все параметры модели, называют шагом моделирования. Программирование имитационных динамических моделей осуществляется с помощью специального языка DINAMO.  [c.169]

Основой химического элемента, в том числе и металлов, является атом, состоящий из электрически положительного заряженного ядра и отрицательно заряженных электронов. Способность атомов соединяться 1руг с другом, образовывая связи различной прочности, объясняется разницей в электронном строении элементов. Свойства атома, а также связь между собой атомов одних и тех же элементов а атомов различных элементов зависят от общего числа электронов в атоме, расположения их по электронным уровням. Соединение отдельных атомов между собой и образование атомных комплексов обусловливает создание молекул химических соединений, образование атомных агрегатов металлов и других веществ. Эта способность атомов одного и того же или различных веществ образовывать неразъемное соединение является важнейшим фактором при сварке металлов. Основой образования неразъемных соединений является взаимодействие электронов, а движущей силой этого взаимодействия — стремление атомов к образованию завершенных электронных оболочек и достижению наиболее устойчивого распределения электронов. Возможность отдачи электронов одними атомами и присоединения их другими создает положительно и отрицательно заряженные ионы, которые, притягиваясь друг к другу, обусловливают наличие прочной атомной связи. Оставшиеся у ионов заполненные или незаполненные оболочки, взаимодействуя, определяют строгую закономерность расположения атомов-ионов в пространственной кристаллической решетке. Характер этого расположения атомов определяет вид пространственной кристаллической решетки. Для соединения двух металлов имеет значение соответствие их кристаллического строения и размеров атомов. Лучшие условия для совмещения атомов и установления общности кристаллического строения атомов, т. е. для сварки, будут при одинаковых кристаллических решетках, однотипных решетках с близкими параметрами и атомами с близкими размерами. В реальных условиях четкая закономерность нарушается наличием  [c.4]

Когда траектория процесса t) пересекает ур1овень Н снизу вверх, имеет место положительный выброс (положительное пересечение) если же уровень Н пересекается сверху вниз — отрицательный выброс (отрицательное пересечение). В соответствии с этим можно сказать, что реализация ( ) длительностью Т имеет п (на рис. 1 их три) положительных (отрицательных) выбросов на уровне а указанные на рисунке величины т и 0 можно назвать соответственно длительностями положительных и отрицательных выбросов (часто величину 0 называют также длительностью интервалов между выбросами).  [c.5]

Рис. 2.1. Пересечение xpaeKTopiteii процесса (i) фиксированного уровня К с положительной и отрицательно производными Рис. 2.1. Пересечение xpaeKTopiteii процесса (i) фиксированного уровня К с положительной и отрицательно производными
Вычислим среднее число пересечений фиксированного уровня Н гауссовским нестационарным случайным процессом t) на интервале времени [О, Т]. Согласно формуле (2.1.12), полное среднее число пересечений равно сумлге чисел пересечений с положительным и отрицательным наклонами. Для нахождения последних нужно в формулы (2.1.10) и (2.1.11) подставить совместную нормальную плотность вероятности (1.5.7) и выполнить интегрирование.  [c.52]

Важным является также вопрос, каким значением нужно поль- зоваться при определении уровня данного вибропараметра. Виброперемещение наиболее целесообразно характеризовать размахом колебания, так как при наличии четных гармоник наибольшие значения положительного и, отрицательного отклонений могут быть различными (см. рис, 1-3, а). Поэтому только размах, т. е. сумма абсолютных значений наибольших положительного и отрицательного отклонений, может быть принята за меру виброперемещения.  [c.48]

I —корпус, 2 — крышка, 3,5 — положительный и отрицательный выводы, 4 — межэлемеитное соединение, 6- пробка, 7—индуктор для проверки уровня электролита (тубус), 8 — сепаратор,  [c.82]

Сог.1таспо атой теории, состояние электрона в водородо-подобиом атоме определяется главным квантовым числом п (п = I, 2,. ..) и азимутальным числом к, принимающим при зада1Гном п целые положительные и отрицательные (кроме пуля) значения от —п до п — 1. Эпергии соответствующих уровней равны  [c.502]

Для плоской молекулы, являющейся симметричным волчком (например, молекулы ВС1з), инверсионное удвоение не имеет места, так как отражение ядер может быть заменено соответствующим поворотом молекулы. В этом случае, который всегда соответствует сплющенному симметричному волчку, появляется лишь одна система уровней, свойства симметрии которых указаны на фиг. 8, б , рассматриваемые свойства симметрии (деление уровней на положительные и отрицательные) для плоской молекулы более существенны, чем для неплоской.  [c.39]


Из сравнения фиг, 19 н 17 легко видеть, что уровни, положительные по отношению к операции получаются из уровней с четным К соответствующего сплющенного симметричного волчка (см. левую часть фиг. 17), тогда как отрицательные уровни получаются из уровней с нечетными К- Подобным же образом уровни, положительные или отрицательные по отношению к операции получаются из уровней с четными или нечетными К соответствующего вытянутого симметричного волчка (см. правую часть фиг. 17). На этом основании Кинг, Хейнер и Кросс [504] ввели для типов симметрии + +, +—, и —— обозначения ее, ое, ео и оо соответственно, где первая буква обозначает четные пли нечетные числа ЛГаытян. д.чя вытянутого волчка, вторая буква — четные или нечетные числа для сплющенного волчка (/Ссплюш.). Нам кажется, что лучше было бы переменить порядок букв на обратный, так как тогда обозначения 4-и е, —и о были бы эквивалентны.  [c.66]

Свойства симметрии вращательных уровней. Как мы уже видели в гл. I, раздел 1, вращательные уровни линейных молекул являются положительными или отрицательными в зависимости от того, остается ли при мнверснгг полная собственная функция неизменной или меняет свой знак для наинизшего колебательного уровня (как в гл. I) и для всех полносимметричных возбужденных колебательных уровней (принадлежащих к типу симметрии И ) электронного основного состояния. Четные вращательные уровни являются положительными, нечетные — отрицательными (см. фиг. 4). Это справедливо, если предполагать, что электронное основное состояние является также полносимметричным. Для колебательных уровней (совершенно так же, как и для электронных состояний двухатомных молекул) четные колебательные уровни являются отрицательными, нечетные—-положительными. Для колебательных уровней Б, Д,... (как и для электронных состояний П, Д,... двухатомных молекул) каждому значению соответствует положительный и отрицательный уровни, очень мало различающиеся величиной энергии (см. ниже), порядок которых чередуется  [c.400]

Для неплоских молекул, являющихся асимметричными волчками, оба подуровня инверсионного дублета, как правило, не будут иметь одинаковый статистический вес (за исключением молекул, не обладающих симметрией). Однако сумма весов двух подуровней будет опять такой же, как и без учета инверсионного удвоения. Например, отношение статистических весов враи1ательных уровней А и В для молекулы СН Ра, согласно табл, 1U, равно 10 6. Можно показать, что веса положительных и отрицательных подуровней для уровня А равны 7 и 3 соответственно, для уровня В — 3 и 3 соответственно. В этом случае вращение вокруг оси второго порядка (которое приводит к разделению уровней на типы А и В) всегда приводит к одновременной перестановке обоих одинаковых ядер. В то же время кручение молекулы иа 18U (эквивалентное инверсии) приводит к перестановке лишь одной пары ядер.  [c.495]


Смотреть страницы где упоминается термин Уровни положительные и отрицательны : [c.444]    [c.103]    [c.73]    [c.52]    [c.103]    [c.260]    [c.59]    [c.25]    [c.22]    [c.39]    [c.435]    [c.495]   
Электронные спектры и строение многоатомных молекул (1969) -- [ c.73 , c.76 , c.77 , c.93 , c.111 , c.472 ]



ПОИСК



Отрицательные



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте