Кристалл отрицательный

Оптическая ось О О" параллельна преломляющей грани кристалла (рис. 17.21, в). Обыкновенный и необыкновенный лучи распространяются в кристалле, не преломляясь, в одном и том же направлении. Однако волновые фронты обыкновенной и необыкновенной волн не совпадают. Если кристалл положительный, то фронт необыкновенной волны отстанет от фронта обыкновенной волны. Если кристалл отрицательный, то картина будет обратная. В результате в обоих случаях между обыкновенной и необыкновенной волнами возникает определенная разность хода. [c.49]

Кроме того, добавка олова в расплав несколько понижает содержание ниобия в кристалле по сравнению с расчетным значением. На окраске кристаллов отрицательно сказывается ограничение свободной циркуляции кислорода над поверхностью расплава [2]. [c.63]

Согласно (4.49), в отсутствие инжекции поле вблизи отрицательного электрода неограниченно возрастает с увеличением экспозиции. Очевидно, что такое невозможно в реальной ситуации. В [4.52, 4.53] показано, что поле у электрода с напряженностью в несколько сот кВ/см вызывает заметную инжекцию электронов с электрода в кристалл BSO. После того как поле достигает такой напряженности, инжекция оказывает существенное влияние на дальнейшее формирование поля и заряда, что является основной особенностью третьего этапа их эволюции под воздействием записывающего света. На этом этапе инжекция сначала замедляет, а затем полностью останавливает рост плотности положительного заряда в приэлектродной области. Последнее в свою очередь стабилизирует поле у контакта и, следовательно, ток инжекции, который устанавливается равным фототоку в кристалле. Отрицательный заряд с контакта частично компенсирует положительный заряд в приэлектродной области. В результате этого поле в области узкого горла возрастает, что позволяет заметной части электронов проникать через узкое горло в примыкающую часть кристалла. За узким горлом электроны захватываются на ловушки и образуют отрицательно заряженную область кристалла. Таким образом, формируется двойной заряженный слой положительный заряд располагается непосредственно у поверхности кристалла, а отрицательный — за узким горлом электрического поля. Двойной заряженный слой не экранирует внешнего поля, поэтому на третьем этапе на достаточном удалении от отрицательного электрода возрастает до величины, близкой к [c.70]

Свяжем с пластинкой координатную систему ху, направив ось X параллельно главному направлению пластинки, содержащему луч и оптическую ось. Будем считать кристалл отрицательным. Зададим ориентацию линейной поляризации падающего пучка углом отсчитываемым по часовой стрелке от вертикали. [c.272]

Поясним сущность метода. Как мы показали ранее, электрический вектор колебаний необыкновенного луча ориентирован радиально к изохромам, а для обыкновенного — касателен к ним. Если кристалл отрицательный, то Пе < о и необыкновенный луч опережает обыкновенный. После наложения пластинки Х/4 разность хода А между необыкновенным и обыкновенным лучом уменьшается на четверть волны. В центре она соответственно будет — Х/4, и центр просветляется. Для точек, в которых разность хода была равна Х/4, она становится равной нулю и для отрицательного кристалла появляются два чер- [c.304]

ADP и KDP — первые кристаллы, в которых была получена синхронная ГВГ. С тех пор они используются и во многих других взаимодействиях. Кроме того, эти кристаллы широко используются в качестве электрооптических материалов. Оба кристалла отрицательные, одноосные, обладают прозрачностью в области от ультрафиолетовой до ближней инфракрасной, обычно от 2000 А до 1,5 мкм. Принадлежат к классу 42т и, следовательно, обладают тетрагональной симметрией. [c.121]

При быстром охлаждении может не завершиться реакция образования химического соединения и останется часть первичных кристаллов В, не успевших прореагировать с жидкостью. При последующем охлаждении эти кристаллы также останутся непревращенными по достижении эвтектической температуры сплав будет содержать уже четыре фазы, и величина степени свободы становится отрицательной (что невозможно). Из этого примера следует, что для неравновесного состояния правило фаз неприменимо. Если система не подчиняется правилу фаз (имеется больше фаз, чем этого следовало он<н-дать), это в первую очередь указывает на неравновесность состояния. [c.134]

Ионная (или гетерополярная) связь возникает у разнородных атомов, когда какой-либо из них отдает с внешней оболочки, а другой принимает на свою внешнюю оболочку один или несколько электронов Образующиеся при этом положительно и отрицательно заряженные ионы с завершенными внешними оболочками благодаря электрическим силам взаимно притягиваются Ионная Связь характерна только для ионных кристаллов, состоящих из разных атомов элементы не обладают ионной связью [c.5]

Возникновение электронной или дырочной электропроводности при введении в идеальный кристалл различных примесей обусловлено следующим. Рассмотрим кристалл 81, в котором один из атомов замещен атомом 8Ь. На внешней электронной оболочке 8Ь располагает пятью электронами (V группа периодической системы). При этом четыре электрона образуют парные электронные связи с четырьмя ближайшими атомами 81. Свободный пятый электрон продолжает двигаться вокруг атома 8Ь по орбите, подобной орбите электрона в атоме На однако сила его электрического притяжения к ядру уменьшится соответственно величине диэлектрической проницаемости 81. Поэтому для освобождения пятого электрона требуется незначительная энергия (приблизительно 0,008 адж). Такой слабо связанный электрон легко отрывается от атома 8Ь под действием тепловых колебаний решетки при низких температурах. Низкая энергия ионизации примесного атома означает, что при температурах около—100° С все атомы примесей в Се и 81 уже ионизированы, а освободившиеся электроны участвуют в процессе электропроводности. При этом основными носителями заряда являются электроны и возникает электронная (отрицательная) электропроводность, или электропроводность п -типа. [c.388]

Если Vx = Vy> v , то эллипсоид вращения (лучевая поверхность необыкновенного луча) расположен внутри сферы (рис. 10.10) и оптическая ось совпадает с осью z. Такой кристалл (например, кварц) называется положительным (п = Пу По <Пг = п ). Если же Vx = Vy а Уг, то сфера расположена внутри эллипсоида вращения (рис. 10.11) и такой кристалл (например, исландский шпат) называется отрицательным (ло > Пе). [c.259]

В необыкновенном луче электрический вектор расположен в главном сечении (плоскости, проходящей через оптическую ось кристалла и падающий луч). В результате этого в зависимости от направления распространения необыкновенной волны угол между электрическим вектором и оптической осью меняется от О до 90 , что приводит к изменению скорости распространения необыкновенного луча = Vg от некоторого максимального или минимального (в зависимости от знака кристалла) значения скорости Ve до значения скорости обыкновенного луча t o- Соответственно показатель преломления для необыкновенного луча в зависимости от направления распространения в кристалле принимает значения между и п . Например, для исландского шпата (отрицательный кристалл) По — 1,658 п, = 1,486. [c.260]

Случай 3. Оптическая ось О О положительного кристалла параллельна преломляющей грани и плоскости падения. Луч света падает нормально к поверхности кристалла (рис. 10.15). В этом случае обыкновенный и необыкновенный лучи распространяются, не преломившись, в направлении падения, но с разными скоростями (Уо > Vg). Для отрицательного кристалла получится тот же результат с той лишь разницей, что Vg < Ve. Если бы в данном случае луч падал под некоторым углом, отличным от нуля. [c.263]

Часть энергии излучения лампы накачки с частотой = = ( 3 — Ei)/k (эта частота соответствует частоте зеленого света) расходуется для накачки, т. е. для создания состояния с отрицательной температурой. Атомы, находящиеся в возбужденном состоянии 3, отдавая часть своей энергии кристаллической решетке, безызлучательно переходят в метастабильное состояние 2- Затем, излучая красный свет с длиной волны I = 6943 А, атомы могут спонтанно перейти в основное состояние. Так возникает красная флуоресценция кристалла рубина. [c.384]

Условие генерации. Предположим, что в данный момент времени через данную точку среды с отрицательной температурой вдоль оси кристалла рубина влево или вправо распространяется излучение с частотой V. Пусть интенсивность в данный момент будет /q. Это излучение, пройдя через среду, попадет на зеркало резонатора, затем, отразившись от него, распространится в противоположном направлении. Далее, отразившись от второго зеркала резонатора, пройдя в общей сложности через активную среду путь длиной 2L (L — длина активной среды между зеркалами резонатора), достигнет прежней точки. В отсутствие потерь энергии после такого цикла интенсивность излучения стала бы равной [c.386]

В идеальном полупроводниковом кристалле электрический ток создается движением равного количества отрицательно заряженных электронов и положительно заряженных дырок. Такой тип проводимости называется собственной проводимостью полупроводника. [c.155]

Закон электролиза. Вещества, растворы которых проводят электрический ток, называются электролитами. Вода и кристаллы хлорида меди практически не проводят электрический ток. Раствор хлорида меди в воде является хорошим проводником. При прохождении электрического тока через водный раствор хлорида меди у положительного электрода, называемого анодом, выделяется газообразный хлор. На отрицательном электроде, называемом катодом, выделяется медь. [c.163]

Его теория базируется на предположении о наличии у волны в кристалле двух волновых поверхностей. Скорость обыкновенной волны Ua "= с/па одинакова во всех направлениях (ей должна соответствовать сферическая волновая поверхность). Скорость необыкновенной волны и = с/п , зависит от направления, ее распространения. Она совпадает по значению с в направлении оптической оси кристалла и больше всего отличается от и в направлении, перпендикулярном оптической оси. Волновая поверхность необыкновенной волны для одноосного кристал.аа имеет вид эллипсоида вращения, который в направлении оптической оси должен касаться сферической волновой поверхности обыкновенной волны. Для отрицательного кристалла п , > п,, следовательно, Uo < Uf,, т.е. шар вписан в эллипсоид вращения. Для положительного кристалла и и волновая поверхность обыкновенной волны (шар) охватывает волновую поверхность необыкновенной волны (эллипсоид вращения). На рис. 3.18 представлены оба этих случая. [c.131]

Волновые поверхности в отрицательном (а) (П(, > Лр) и в положительном (6) (П(, > rig) кристаллах [c.132]

Иногда, в отличие от договоренности (142.1), (144.1), оптическую ось называют осью г и для положительных, и для отрицательных кристаллов. [c.507]

Показатель преломления, соответствующий направлению малой полуоси эллипсоида в случае положительных кристаллов и большой — в случае отрицательных кристаллов, называется показателем преломления необыкновенного луча ). [c.508]

Рис. 26.13. В отрицательном одноосном кристалле нормаль необыкновенной волны преломляется всегда меньше нормали обыкновенной, но необыкновенный луч может преломляться и сильнее обыкновенного.

Построение преломленных лучей показывает, что в этом случае в отрицательном кристалле необыкновенный луч преломляется силь нее, чем обыкновенный (в положительном — наоборот). [c.514]

Наблюдения вращения в кварце обнаружили, что существуют два сорта кварца правовращающий, или положительный, дающий поворот плоскости поляризации вправо (по часовой стрелке), и левовращающий, или отрицательный (поворот против часовой стрелки). Величина вращения в обоих случаях одинакова (а+ = а ). То же относится и к другим кристаллам все они, по-видимому, существуют в двух разновидностях, для которых а+ = а., хотя не во всех случаях известны обе модификации. [c.610]

При определенном соотношении содержания кремния, кислорода и других элементов очень трудно предупредить зарождение и рост кристаллов. Кристаллизация или расстекловывание с образованием крупных кристаллов отрицательно влияет на прочность и прозрачность стекла. Кристаллизацию предупреждают подбором химического состава стекла и условий его варки. Напряжения в стеклянных изделиях из-за различия плотности в разных участках устраняют нагревом, достаточным для перестройки элементов структуры и выравнивания плотности. Из стекол специального состава при помощи контролируемой кристаллизации получают ситаллы, или стеклокристаллические материалы. Структура си-таллов представляет собой смесь очень мелких (0,01-1 мкм), беспорядочно ориентированных кристаллов (60 - 95 %) и остаточного стекла (5 — 40 % ). Исходное стекло по химическому составу отличается от остаточного стекла, в котором накапливаются ионы, не входящие в состав кристаллов. Такая структура создается в стеклянных изделиях после двойного отжига (первый нужен для формирования центров кристаллизации, второй — для выращивания кристаллов на готовых центрах). Для образования кристаллов в стекла вводят Li2 0, Ti02, AI2O3 и другие соединения. [c.45]

Многокомпонентный состав. эмали часто приводит к полими-неральности кристаллических фаз, выделению кристаллов, отрицательно влияющих на ряд свойств покрытия, чаще всего на химическую устойчивость и к. т. р. [276]. [c.267]

Когда v >ve (рис. 14.6, а), обыкновенная волна распространяется быстрее, чем необыкиовеипая (исключая направление 9 == О, когда их скорости равны). Такой кристалл называют положительным одноосным кристаллом (например, кварц). Еслиг7 <г в (рпс. 14,0, б), обыктювеиная полна распространяется медленнее, чем необыкновенная, и мы называем такой кристалл отрицательным одноосным кристаллом (иапример, исландский шпат). [c.627]

Поясним принцип этого метода на примере кристалла KDP. На фиг. 3.4 приведена зависимость показателей преломления кристалла KDP от длины волны. Кристалл отрицательный, одноосный, следовательно, показатель преломления для обыкновенной волны больше, чем для необыкновенной. Для получения коллинеарного синхронного взаимодействия при генерации второй гармоники необходимо, чтобы показатели преломления кристалла на частотах основной волны и второй гармоники были равны. Предположим, что в качестве источника используется гелий-неоиовый лазер с длиной волны излучения 6328 А. Из [c.81]

Дислокации образуются вследствие появления в кристалле дополнительной атомной плоскости (экстраплоскости), из-за частичного сдвига одной части плоскостей по отношению к другой. На рис. 12.35 показана краевая, или линейная, дислокация. Линия дислокации представляет проекцию внедренной экстраплоскости и обозначается знакомХ, если экстраплоскость вставлена сверху (положительная дислокация), — знаком Т, если экстраплоскость вставлена снизу (отрицательная дислокация). Степень искаженности кристаллической решетки (показатель энергии нестабильности дислокации) определяется вектором Бюргерса Ь, [c.470]

Среда, физические свойства которой зависят от направления, называется анизотроппой. Анизотропия среды имеет место по отногиеиию к каким-либо свойствам среды — механическим, оптическим и т. д. Обычно анизотропные по отношению к какому-либо свойству тела являются анизотропными н по другим свойствам. Однако есть и исключения. Например, оптически изотропный кристалл каменной соли, где в узлах кубической решетки расположены отрицательные ионы хлора и положительные ионы на 1 рпя, обладает анизотропией по механическим свойствам — его мехаин-ческие свойства вдоль ребра и диагонали различны. [c.246]

Если в кристалле кремния часть атомов замещена атомами трехвалентного элемента, например индия, то атом индия может осуществлять связь только с тремя соседними атомами, а связь с четвертым атомом осуществляется лишь одргим электроном. При этих условиях атом индия захватывает электрон у одного из соседних атомов кремния и становится отрицательным ионом. Захват электрона от одного из атомов кремния приводит к возникновению дырки. Примеси, захватывающие электроны и создающие тем самым подвижные дырки, не увеличивая при этом число электронов проводимости, называют акцепторными (рис. 156). [c.156]

В качестве основного объекта исследования разумно и по сей день выбирать упомянутый выше исландский шпат, хотя почти все кристаллы в той или иной степени обладают этим свойством. Опыт показывает, что при освещении кристалла исландского шпата узким пучком света в нем возникают два луча, которые со времен Гюйгенса называют обыкновенным и необыкновенным (рис.3.1). Этот эффект наблюдается и при нормальном падении света на естественную грань кристалла. Для необыкновенного луча показатель преломления rig зависит от направления луча а кристалле, тогда как Пд — показатель преломления обыкновенного луча — остается постоянным при любом угле падения световой волны на кристалл. В частности, для исландского шпата (для света с длиной волны X = 5893А — желтый дуб.иет натрия) Лц = 1,658, а 1,486 < < 1,658. Следовательно, в данном случае Пе < По- Такие кристаллы называют отрицательными. Вместе с тем существует широкий класс веществ (например, кристаллический кварц), для которых > л,,. Такие кристаллы называют положительными. [c.114]

По определению собственная энергия системы равна работе, которую нужно произвести, чтобы образовать эту систему из бесконечно малых элементов, первоначально находившихся на бесконечно больших расстояниях друг от друга. Рассмотрим собственную энергию сил тяготения — гравитационную энергию она всегда отрицательна, потому что силы тяготения являются силами притяжения и нужно произвести положительную работу против них, чтобы разделить, например, атомы, входяшие в состав звезды, удалив каждый атом в бесконечность. Собственная гравитационная энергия обычно определяется при решении задач небесной механики, относящихся к звездам и галактикам. Расчеты собственной электростатической энергии часто производятся в теории кристаллов — как диэлектриков, так и металлов. [c.273]

Условно принято, что дислокация положительна, если она находится в верхней части кристалла и обозначается знаком L, и отрицательна, если находится в нижней части (знак Т ). Дислокации одтгаго и того же знака отталкиваются, а противоположного - притягиваются. Под воздействием напряжения краевая дислокация может перемещаться по кристаллу (по плоскости сдвига), пока не достигнет границы зерна (блока). При этом образуется ступенька величиной в одно межатомное расстояние. Винтовая дислокация (см. рис. 6.2,6) в отличие от краевой параллельна вектору сдвига. [c.265]

Дендриты образуются только при росте кристаллов. Причиной их образования является очень быстрый рост в условиях переохлаждения, то есть отрицательный температурный градиент перед фронтом кристаллизации. Одной из особенностей дендритного роста является то, что ось дендрита и его ветви растут вдоль конкретного кристаллографического направления, характерного для данного материала [163]. Каждый дендрит растет от одного центра кристаллизации, что подтверждается кристаллографической ориентировкой всех его ветвей, то есть весь дендрит со всеми своими ветвями представляет собой монокристалл. Скорость роста дендртов в среде с примесями значительно меньше, чем в чистых металлах. [c.269]

В предыдущем параграфе мы упоминали, что показатели преломления кристаллов для обыкновенного и необыкновенного лучей неодинаковы. Так, для исландского шпата По = 1,658, а п,, может принимать в зависимости от направления луча в кристалле все значения между 1,486 и 1,658. Кристаллы, для которых, как и для исландского шпата, /ig По, называют отрицательными. Кристаллы, для которых Пе По (напримвр, квзрц), НОСЯТ иззвание положительных. [c.384]

Если оба круговых сечения эллипсоида совпадают друг с другом, то обе оси сливаются и мы имее.м одноосный кристалл. В этом случае эллипсоид будет эллипсоидом вращения, причем ось вращения, определяющая направление оптической оси кристалла, совпадает с одним из главных направлений кристалла. Два возможных случая с <Ь = а и с = Ь <.а соответствуют одозкитеугьнбш (например, кварц) и отрицательным (например, исландский шпат) одноосным кристаллам ). Наконец, если а = Ь = с, то эллипсоид Френеля [c.507]

Обычно в учебниках встречается утверждение, что законы преломления не приложимы к необыкновенному лучу в одноосном кристалле и к обоим лучам в двуосном. Это — правильное утверждение, но оно имеет чисто отрицательный характер, показывая, что простое построение, предписываемое законом преломления, не при-ложимо к решению задачи о направлении распространения светового луча. Если взамен не дается никаких правил, то решение даже весьма простых вопросов кристаллооптики оказывается затруднительным. Между тем существует гораздо более общий прием отыскания направления распространения преломленной световой волны, а именно, построение, основанное на принципе Гюйгенса, следствием которого для изотропной среды является закон преломления Декарта — Снеллия. Напомним, что сам Гюйгенс рассматривал при по.мо-щн этого приема вопрос о распространении света в двоякопрелом-ляющих телах (исландский шпат) и получил крайне важные результаты. Применение построения Гюйгенса является простым и действенным средством для разбора вопроса о распространении света в анизотропных средах. Поверхность, фигурирующая в построении Гюйгенса, есть, очевидно, лучевая поверхность, а не поверхность нормалей. Действительно, по правилу Гюйгенса для получения фронта (плоской) волны проводят плоскость, касательную к поверхности Гюйгенса. А фронт волны тсателен именно к лучевой поверхности (рис. 26.11, а) и пересекает поверхность нормалей (рис. 26.11, б). [c.509]

Пусть, например, мы имеем дело с одноосным отрицательным кристаллом (см. гл. XXVI), т. е. показатель преломления обыкновенной волны По превыщает показатель преломления необыкновенной волны Пе, причем различие между- Пд и больще изменения при удвоении частоты, т. е. Пд (ы) > щ (2ш). При этом условии могут быть синфазными необыкновенные вторичные волны, возбуждаемые обыкновенной первичной волной. Действительно, поскольку показатель преломления увеличивается с ростом частоты, мы имеем неравенства [c.842]

Полученные результаты объясняются на основе представлений о возникновении регулярных диссипативных структур (РД< ) дефектов в Процессе образования остаточного нарушенного слоя При множественном локальном микроразрушении поверхности кристалла. РДС формируется из метастобильных комплексов неравновесных точечных дефектов, взаимодействующих через упругие и электрические поля и профиль распределения которых промодулирован дислокационным каркасом в области вдавливания абразивных гастиц. Переход кристалла после обработки в новое квазиравновесное состояние сопровождается распадом РДС, при котором возможны локальные фазовые переходы, проявляющиеся как отрицательная мнкрог10лзу4есть кремния. Обсуждаются аспекты практического использования обнаруженного явления для оптимизации механической обработки монокристаллов. [c.91]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...