Микроскоп геометрическая

Если, однако, расстояние го мало, то мы должны принять во внимание, что информация содержится в области, которая по существу является картиной геометрических аберраций, поскольку в условиях дифракционной микроскопии геометрические погрешности можно рассматривать весьма большими по сравнению с дифракционным размытием пучка. Рассматривая для простоты лишь сферическую аберрацию, найдем, что радиус этой области равен в гауссовой плоскости и /4<-Лт [c.291]

Расчет электронного микроскопа по правилам геометрической оптики является вполне естественным, ибо, как мы видели, длина [c.359]

Конструктивные материалы не вполне удовлетворяют этим предположениям. Например, такой важный материал, как сталь, если его рассмотреть под микроскопом, оказывается состоящим из кристаллов разных размеров и разной ориентации. Свойства этого материала весьма далеки от однородности, однако опыт показывает, что решения теории упругости, основанные на допущениях об однородности и изотропии, с очень высокой точностью применимы к стальным конструкциям. Объяснение этого факта состоит в том, что кристаллы очень малы обычно в кубическом сантиметре стали их миллионы. Поэтому, несмотря на то, что упругие характеристики кристаллов в разных направлениях могут различаться, сами кристаллы, как правило, расположены случайным образом и упругие характеристики больших кусков металла представляют собой усреднения характеристик кристаллов. Пока геометрические размеры рассматриваемого тела достаточно велики по сравнению с размерами одного кристалла, предположение [c.21]

С уменьшением степени чистоты алюминия фигуры травления не имеют правильной геометрической формы. Вследствие выделения многочисленных локальных фаз, вызванного наличием примесей (микроэлементов), происходит беспорядочное глубокое разъедание, которое превышает точность (чувствительность) оптики. При степени чистоты 99,5% не удается получить пригодный для наблюдения в микроскоп рельеф травления. Алюминий 99,7%-ной чистоты ведет себя лучше, однако и в этом случае не получают фигур травления геометрических форм, присущих алюминию высокой чистоты (99,99%). [c.262]

Методы тепловой микроскопии, например, высокотемпературная вакуумная металлография [ 1 ], позволяющая установить связь между свойствами зерен, их границ и поликристаллического агрегата в целом, первоначально основывались на эффекте термического травления , а также на всех явлениях, связанных с объемными изменениями, приводящими к соответствующему изменению геометрического профиля поверхности исследуемого образца. К таким явлениям относятся диффузия и фазовые превращения и любые другие процессы расслоения структуры при нагреве ИЛИ охлаждении фаз с различными коэффициентами термического расширения. [c.5]

Таким образом, результативность и достоверность методов тепловой микроскопии и, в частности, высокотемпературной металлографии, в значительной мере определяется факторами, оказывающими влияние на формирование геометрического профиля поверхности исследуемого образца во-первых, средой и условиями испытания, обусловливающими ту или иную степень полноты отображения процессов, характерных не только для поверхностных слоев, но и для внутренних объемов исследуемых материалов и, во-вторых, исходной рельефностью микрошлифа, зависящей от способа его приготовления и выявления структуры образца. [c.5]

Современные достижения в области физических исследований металлов свидетельствуют о перспективности использования не только световой, но и электронной тепловой микроскопии, когда контраст изображения обусловлен не геометрическим профилем поверхности образца, а определенными характеристиками исследуемого материала, например, работой выхода электрона при термоэлектронной или фотоэмиссии кроме того, в качестве такой характеристики может быть использован коэффициент вторичной электронной эмиссии при бомбардировке первичными электронами. Эти характеристики существенно зависят от состава, фазового состояния, ориентации и температуры изучаемого объекта, поэтому, например, эмиссионная высокотемпературная микроскопия вследствие более высокой разрешающей способности обеспечивает получение большего объема информации по сравнению со световой тепловой микроскопией. При микроструктурном изучении процессов деформирования и разрушения принципиально новые результаты могут быть получены при использовании эффекта экзоэлектронной эмиссии, позволяющего количественно характеризовать определенное энергетическое состояние локальных участков исследуемого образца, что является весьма ценным дополнением к наблюдаемым в металлографический микроскоп качественным структурным изменениям, связанным с накоплением дефектов в поверхностных слоях материала. [c.6]

Методы тепловой микроскопии основаны на том, что контраст изображения в световом микроскопе, которым оснащена соответствующая установка, обусловлен особенностями геометрического профиля поверхности исследуемого образца, находящегося в той или иной среде. Эти особенности определяются прежде всего спецификой поверхностных явлений в твердых телах. [c.9]

Наряду со световой тепловой микроскопией интенсивно развивается аппаратурно-методическое обеспечение электронной тепловой микроскопии, в которой контраст изображения обусловлен не геометрическим профилем поверхности образца, а такими характеристиками материала, как работа выхода электронов при термоэлектронной или фотоэмиссии, коэффициент вторичной электронной эмиссии и т. д. Эти характеристики существенно зависят от состава, фазового состояния, ориентации и температуры изучаемого объекта. Высокая разрешающая способность этих методов обеспечит получение большого объема информации по сравнению с тепловой микроскопией. [c.493]

Проверка рабочего профиля матрицы по всем геометрическим размерам производится как до, так и после термической обработки при помощи свинцовых слепков, которые измеряются на микроскопе. [c.211]

Электронный микроскоп. В электронном микроскопе лучи света заменены потоком электронов, поэтому разрешающая сила его и предельное увеличение ограничиваются не длиной волны, а аберрациями геометрической оптики. Предельные увеличения электронного микроскопа могут достигать сотен тысяч крат. Другими преимуществами электронного микроскопа являются большая глубина резкости (вследствие малых угловых апертур), позволяющая получать стереоснимки и исследовать рельеф поверхности, а также возможность исследовать процессы при повышенных температурах. На фиг. 17 изображён электронный микроскоп с увеличением до 25 000 крат. [c.148]

Сравнение с образцами производят визуально осязанием при помощи пальца, ногтя или края металлической пластинки и на сравнительных микроскопах. Степень достоверности сравнительной оценки тем выше, чем ближе совпадают режимы обработки, геометрическая форма, материал, блеск, цвет у образца и про- [c.156]

Если С — геометрический центр лимба (рис. 220), а i — центр его поворота то СС = е представляет собой эксцентриситет лимба (угол, ОСС = а — направление эксцентриситета по отношению к началу отсчета. Угол O D = является углом поворота линии, соединяющей оси обоих микроскопов (при неподвижном лимбе и повороте м и к j ) с с ко П ОБ соотношения [c.277]

Определение поверхностного натяжения на границе жидкость — твердое тело практически трудно осуществимо и поэтому о нем судят косвенно по смачиваемости твердой поверхности жидкостью. Для оценки растекаемости лакокрасочных материалов помимо визуальных методов используют метод измерения угла смачиваемости при помощи микроскопа. Профиль капли раствора лакокрасочного материала представляется в виде шарового сегмента, и, измеряя высоту сегмента и его диаметр с помощью геометрического построения, находят угол смачивания [12, с. 181]. [c.78]

С оптико-геометрической точки зрения назначение микроскопа состоит в увеличении угла зрения [c.174]

В качестве введения в обширную сферу приложений оптической фильтрации и обработки изображений изложены основные идеи в области амплитудной, фазовой и голографической фильтрации, иллюстрированные примерами из оптической и электронной микроскопии и быстро развивающейся области распознавания образов. Также кратко описана обработка на основе корреляции спектров мощности и геометрической оптики. [c.7]

При первых попытках рассчитать объективы микроскопов в ГОИ в двадцатых годах нашего столетия было обращено внимание на необычно большие значения продольных н поперечных аберраций в объективах средних увеличений, несмотря на тщательный подбор конструктивных элементов и сортов стекла. Поперечные аберрации оказались намного больше, чем в фотографических объективах хорошего качества. Как показал Е. Г. Яхонтов, оценка качества изображения объектива микроскопов по размерам геометрического кружка рассеяния теряет смысл из-за весьма малой апертуры выходящего пучка. Действительно, у объективов со средней апертурой синус крайнего луча с осью не 420 [c.420]

Для построения диаграмм рекристаллизации III рода разработана таблица микроструктур различных металлов и сплавов в деформированном и термически обработанном состояниях. Каждой микроструктуре присвоен номер и условный знак.. Геометрическая форма знака отражает форму микроструктуры, видимую под микроскопом (табл. 3). Для детализации процесса первичной рекристаллизации различают его начало (микроструктуры № 3 и 6) и конец (микроструктуры [c.144]

Общая схема наблюдения через микроскоп, применительно к которой проводились эти рассуждения, приведена на рис. 16. С точки зрения представлений геометрической оптики происходящие при этом процессы можно описать следующим образом. Волна освещающего объект излучения Wo модулируется по амплитуде объектом О. Объектив микроскопа L, проецирует картину распределения света на объекте в некоторую промежуточную плоскость, где образуется изображение объекта О, увеличенное в соответствии с законами формирования изображения с помощью линзы. Наблюдатель h рассматривает это изображение через окуляр L , как через лупу. [c.44]

Метод накатанных сеток нанесенная до опыта на поверхность образца геометрически правильная сетка в результате деформации искажается. Измерения искаженной сетки (в частности, с помощью отсчетного или измерительного микроскопа) позволяют определить деформации. Метод удобен при больших деформациях. [c.346]

Микроструктура кристаллов НБС исследовалась методами травления и декорирования i[54J. Последний с помощью электронной или оптической микроскопии позволяет выявлять такие активные элементы поверхности кристаллов, как точечные дефекты и их скопления, а также элементы геометрического микрорельефа поверхности с различными электрическими свойствами [621. [c.144]

Оптико-геометрические правила построения оптического изображения, о которых говорилось выше, не дают исчерпывающего ответа на вопросы, относящиеся к формированию изображения. Одним из них является вопрос об ограничении разрешающей способности изображения в идеальной оптической системе. Одним из первых решением этой проблемы занялся немецкий физик Е. Аббе, создавший теорию изображения в микроскопе. Согласно теории Аббе, на структуре предмета происходит дифракция света, вследствие чего в фокальной плоскости объектива микроскопа появляется дифракционная картина. Дифрагированные волны [c.16]

Испытания производились на машине [2, 9, 13], принцип устройства которой основан на определении (при помощи микроскопа) геометрических размеров и расчете [13] объема лунок, истертых на поверхности образца шлифованным и доведенным диском из сверхтвердого сплава. Объем лунок выражался в тысячных долях кубического миллиметра. Истирание производилось в условиях обильного смачивания поля износа струей 0,5%-ного раствора К2СГО4 в дестиллированной воде. [c.82]

Плавкостные характеристики золы определяются по ГОСТ 2057-82 с визуальным наблюдением образцов золы. Используются образцы золы в виде трехгранных пирамидок или цилиндриков (в случае применения высокотемпературного микроскопа). Плавкостные характеристики золы определяются температурой спекания ts, при которой изменяются первоначальные размеры образца без изменения геометрической формы (определяется только при применении высокотемпературного микроскопа) температурой начала деформации котррая устанавливается по изменению поверхности образца, закручиванию кромок, вспучиванию или наклону вершины температурой плавления или полусферы ta, при которой образец оплавляется, принимая форму полусферы температурой жидкоплавкого состояния t , при которой образец растекается и его высота становится менее половины высоты полусферы при температуре в- [c.16]

Современные достижения в области физических исследований металлов свидетельствуют о перспективности использования не только световой, но и электронной тепловой микроскопии, когда контраст изображения обус-словлен не геометрическим профилем поверхности образца, а определенными характеристиками материала, например работой выхода электрона при термоэлектронной эмиссии или фотоэмиссии кроме того, в качестве такой характеристики может быть использован коэффициент вторичной электронной эмиссии при бомбардировке первичными электронами. Эти характеристики существенно зависят от состава, фазового состояния, ориентации и темпера-10 туры изучаемого объекта, поэтому, например, эмиссионная высокотемпера- [c.10]

В силу его малости и для получения большой точности измеряется при помощи вмонтированного в прибор (в пресс) микроскопа. Достоинством метода Виккерса является сохранение чисел твердости для одинаковых материалов при очень значительных изменениях нагрузки, так как в формуле для определения числа твердости числитель (нагрузка) и знаменатель (площадь отпечатка) изменяются пропорционально вследствие геометрического подобия отпечатков любого размера, создаваемых пирамидой шарик этого не обеспечивает. Методом Виккерса можно определять твердость практически всех материалов — от самых мягких до алмаза включительно. Однако этот метод в производственных условиях менее удобен, чем метод Бринелля и особенно Роквелла. [c.313]

Решение одной задачи несколькими методами часто практикуется во многих опубликованных работах авторов, в том числе и в настоящей книге. Целесообразность применения нескольких методов можно пояснить на следующих примерах. В моделях из оптически чувствительного материала иногда создаются весьма значительные перемещения (например, при фиксировании деформаций), которые можно довольно точно измерить очень простыми средствами. На фиг. П.1 показаны картины полос (а) и (б) и изменение формы (б) поперечного сечения объемной модели кольца сложной формы из оптически чувствительного материала. Диаметр модели кольца составляет около 200 мм. Изменения геометрических размеров порядка нескольких десятых миллиметра в плоскости кольца вдоль обозначенных линий и перпендикулярно к поверхности можно точно измерить микрометрами и индикаторами. Относительные деформации порядка 10" можно определить с помощью микроскопа. Относительные изменения толщины порядка 10 , возникающие в срезах, также можно легко измерить стандартным компаратором. Эти измерения дополняют и контролируют результаты, получаемые с помощью поляризационнооптических измерений. Для исследования распределения нестационарных напряжений и деформаций удобно поляризационно-оптический метод сочетать с методом полос муара (фиг. П.2 и П.З). [c.14]

Контроль качества фотолитографических операций осуществляется на всех этапах процесса. Контроль геометрических размеров производится на микроскопах МБС-200, ММИ, БМИ-1, МССО. [c.458]

К числу еще назавершенных, но обнадеживающих исследований можно отнести работы аспиранта А. Н. Маника по геометрическому моделированию структуры молекул органических соединений, которые представляют собой тетраэдральные цепи углеродных атомов. Удалось геометрически показать, в частности, природу винтовой структуры молекул ДНК, что пока было известно лишь из снимков ДНК на электронном микроскопе. [c.115]

Обычные приборы для оценки микрогеометрии оценивают величину неровностей геометрической поверхности. Микрогеометрию лезвия, или пересечения двух режущих граней, можно измерить двумя предложенными нами способами. Высота неровностей на режущем лезвии определяется при помощи обычного микроскопа с увеличением 250—300. Среднее квадратичное отклонение неровностей определяется при помощи профилометра Аббота, у которого вместо иглы вставляется лопатка из закаленной инструментальной стали с тем же радиусом закругления на конце (12 микрон). [c.246]

ЧТО структура с х/Я-связями в а—С пленке играет роль проводящих дорожек, которые создают более благоприятные условия для автоэмиссии электронов. Но на уменьшение порогового напряжения может влиять множество других факторов. Например, эффект геометрического усилия электрического поля из-за морфологии поверхности. Для исследования геометрического эффекта был использован атомный силовой микроскоп. На рис. 5.20 представлены соответствующие изображения а—С пленки, полученной при трех разных энергиях ионов углерода. [c.217]

Понятие луча лежит в основе геометрической оптики — приближения, справедливого для волнового поля, амплитуда и волновой вектор к-рого изменяются плавно, на масштабах, существенно превышающих длину В. В этом случае поле может быть представлено как набор независиьплх лучей. В однородной среде лучи прямолинейны, в неоднородной — искривлены в соответствии с законами преломления (рефракции). С помощью лучей можно построить изображение любого предмета, размеры к-рого велики по сравнению с Я, На этом основаны принципы работы мн. оптич. приборов (линза, телескоп, микроскоп, глаз и т. д,), а также нек-рых типов радиотелескопов. В аналогичных ситуациях для акустич. волн говорят о геометрической акустике. [c.321]

Особое прикладное значение в Г. о. имеет теория центрир. оптич. системы — совокупности преломляющих и отражающих поверхностей вращения, имеющих общую ось, наз. оптич. осью, и симметричное относительно этой оси распределение показателей преломления (если система содержит неоднородные среды). Большинство используемых на практике онтич. систем фотообъективов, зрительных труб, микроскопов и т. п.) является центрированными, В таких системах для области пространства, бесконечно близкой к оптич. оси и наз. параксиальной областью, действуют простые законы, связывающие положение луча, вышедшего из системы, с вошедшим в неё лучом. Для центрир. оптич. систем область Гаусса совпадает с параксиальной областью. Исходные положения параксиальной оптики — т. и. законы солинойного сродства, по к-рым каждой прямой пространства предметов соответствует одпа сопряжённая с ней прямая в пространстве изображений, каждой точке — сопряжённая с ней точка и, как следствие, каждой плоскости — сопряжённая с ней плоскость. С помощью условного распространения действия законов параксиальной оптики на всё пространство вводится понятие идеальной оптич. системы, изображающей любую точку пространства предметов в виде точки в пространстве изображений. Любая геом. фигура, расположенная в пространстве предметов на плоскости, перпендикулярной оптич. оси, изображается идеальной системой в виде геометрически подобной фигуры в пространство изображений также на плоскости, перпендикулярной [c.439]

При наблюдении в микроскоп Г. и. п. является суммой трёх глубин геометрической, рассмотренной выше, аккомодационной Уак определяемой способностью глаза аккомодировать в процессе наблюдения объёмного предмета на различно удалённые точки, и дифракционной Гдиф, определяемой дифракц. явлениями в микроскопе [c.497]

Геометрические размеры знаков, микрокартину излома изучают на инструментальном микроскопе, а фотографирование производят на установке ФМН-1 (увеличение до Х50). Строение поверхности отдельных знаков и зон, а также фотографирование микрознаков производят на микрокиноустановке МКУ-1 (увеличение до ХЗОО). Изучение изломов при больших увеличениях (около Х800) производят на поляризационном м-икро-скопе, например, фирмы Цейс . [c.61]

Возникновение астигматизма связано с нзг-рушением магнитной или геометрической сим-.метрии линзы. Уменьшение астигматизма достигается точной механической обработкой ее-магнитных деталей (прежде всего полюсного наконечника), а также внешней корректировкой с помощью специального стигматора, который обеспечивает восстановление симметрии магнитного поля линзы, В совре.менных микроскопах стигматорами снабжены объективная и вторая конденсорная линзы. [c.49]

Если тангенциальное усилие не превышает силу трения покоя в контакте, но близко к нему по величине, реализуется режим без макропроскальзывания, в котором центральные точки геометрического контакта неподвижны друг oтнo тeльнo друга. Однако вследствие упругой деформации металла по периметру площади контакта возникает микропроскальзывание с очень малыми амплитудами. Фреттинг-коррозия в этом случае проявляется в виде колец бурого цвета, окружающих зону контакта j l8, .23-25J Оценка свойств ряда образцов масел в этом режиме показала, что для получения различимых под оптическим микроскопом следов фреттинг-коррозии необходимо проведение многочасовых испытаний. [c.40]

В начале пятой главы излагаются общие принципы построения и расчета систем неосесимметричных зеркал, скрещенных систем Киркпатрика и Баеза, систем Вольтера и Вольтера— Шварцшильда. Затем на основе данных расчетов показываются зависимости разрешения и эффективности этих систем от основных геометрических параметров. Применение систем скользящего падения иллюстрируется на примере созданных в последние годы и разрабатываемых рентгеновских телескопов и микроскопов. Здесь же обсуждаются новые возможности, которые дает использование в них зеркал скользящего и нормального падения с многослойными покрытиями. [c.8]

В п. 6.1 анализируются требования к качеству зеркал, используемых в рентгеновских телескопах, микроскопах и других системах скользящего падения. Рассматриваются выбор материалов, методы изготовления этих зеркал (в том числе полирование, алмазное точение, репликовые методы, гибка), а также приборы и установки для контроля их геометрических параметров и реальных свойств в рентгеновском диапазоне. [c.8]

Как известно [1 2], оптическая схема электронного микроскопа просвечивающего типа аналогична схеме обычного светового микроскопа (фиг. 1,а) конденсорная линза освещает узким пучком электронов объект, изображение которого с помощью двух электронных линз — объективной и проекционной — в увеличенном масщтабе переносится на конечный экран. Проходя через объект, расположенный вблизи апертурной диафрагмы объективной линзы, электроны взаимодействуют с атомалш объекта и отклоняются от первоначального направления падения пучка, т. е. рассеиваются , При этом у части электронов скорость меняется только по направлению, не меняясь по величине, что соответствует упругому рассеиванию. Скорость другой части электронов меняется и по направлению, и по величине, при этом часть энергии электронов затрачивается на возбуждение и ионизацию атомных электронов в объекте. Вследствие этого электроны, пройдя через объект, после рассеяния в нем имеют вид расходящегося пучка. При этом электроны, рассеянные на угол, больший апертурного угла объективно линзы, определяемого диаметром апертурной диафрагмы и ее геометрическим положением, поглощаются в толще материала этой диафрагмы, и в дальнейшем в формировании изображения, возникающего на экране электронного микроскопа, принимает участие только та часть рассеянных электронов, которая прошла через диафрагму (фиг. 1,6). [c.5]

В частности, никакого влияния не оказывают его аберрации, которые вносят в функцию F изменения фаз ранее полагали, что для получения высокого качества изображения, даваемого микроскопом, нужно создать на препарате весьма совершенное изображение источника для того, чтобы осуществить наилучш. им образом некогерент-ность освещения. В действительности степень частичной когерентности не зависит от аберраций конденсора. Конденсор может быть относительно плох, поскольку значение имеют только геометрические размеры его зрачка, т. е. практически (если отверстие конденсора круглое) угловое отверстие конуса луней, осдещающих объект. [c.137]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...