Микроскоп дифракционная

Исследуемый предмет освещен некогерентно, если точки Р и Р2 находятся вне дифракционного максимума объектива осветительной системы 0. Это происходит, когда угол раскрытия 2В] велик и поэтому дифракционный максимум от Oj узок. Разрешение и в этом случае определяется углом раскрытия 202 объектива микроскопа. [c.340]

К дифракционной теории микроскопа Аббе [c.341]

Условие (63.1), полученное с помощью качественных соображений, мало отличается от результатов строгого рассмотрения разрешающей способности микроскопа (см. 97). Этого и следовало ожидать, так как специфические черты голографирования, такие, как наличие опорной волны, ее геометрия, просвечивание и т. п., совершенно не существенны в вопросе о дифракционном пределе разрешения. [c.257]

Минимальное разрешаемое микроскопом расстояние между двумя самосветящимися (испускающими некогерентное излучение) точками М и N будет найдено из условия, что центры двух независимых дифракционных картин, получаемых в плоскости изображения ЕЕ, окажутся на расстоянии, удовлетворяющем условию Рэлея, т. е. е = М М равно радиусу первого темного дифракционного кольца, окружающего изображение М или Л . Соответствующие дифракционные картины получаются в результате фраунгоферовой дифракции на круглой апертурной диафрагме АА. Поэтому угловой радиус ф первого темного кольца определится из условия [c.349]

Рис. 15.3. К дифракционной теории микроскопа Аббе.

На стадии легкого скольжения основной вклад в деформацию дают дислокации, вышедшие на поверхность кристалла, что подтверждается экспериментально [10]. На этой стадии (площадка текучести на кривой напряжение — деформация) пластическая деформация растяжения отожженного технического железа [33] происходит путем лавинообразного течения, как это установлено наблюдениями линий скольжения на поверхности и методом дифракционной электронной микроскопии. По данным работы [34 ], в ходе легкого скольжения сдвиг не продолжается по тем плоскостям, где он уже происходил, так как легче активировать источники дислокаций в новых (неупрочненных) плоскостях скольжения. [c.46]

Согласно теории Аббе, изображение в микроскопе получается двумя последовательными этапами 1) образованием дифракционной картины в фокальной плоскости х ) по методу Й. Фраунгофера 2) образованием из отклоненных пучков оптического изображения А"В" в сопряженной плоскости х". [c.369]

По данным дифракционной электронной микроскопии (ДЭМ) [148, 191] внутри субзерен наблюдаются отдельные дислокации, мелкие дислокационные петли, сплетения, клубки дислокаций, а также дислокации, закрепленные выделениями второй фазы, субграницы. [c.87]

Рио. в. Изображение диатомовых водорослей, полученное с помощью дифракционного рентгеновского микроскопа. Длина волны излучения 4,5 нм. Масштаб соответствует 1 мки. [c.368]

Т. э. воспринимается невооружённым глазом как равномерное и непрерывное свечение нек-рой части объёма рассеивающей свет системы. На самом деле свет исходит от отд. точек—дифракционных пятен, хорошо различимых под оптич. микроскопом при достаточно сильном освещении разбавленного золя. Интенсивность рассеянного в данном направлении света (при пост, параметрах падающего света) зависит от числа рассеивающих частиц и их размера. [c.113]

Как правило, при работе с микроскопом ситуация оказывается значите,льно сложнее. В большинстве случаев рассматриваемый предмет не является само-светящимсл и, следовательно, должен освещаться с помощью вспомогательного устройства. Вследствие дифракции па отверстии осветительной системы (конденсора) каждый элемент источника создает в предметной плоскости микроскопа дифракционную картину. Дифракционные картины с центрами в достаточно близких друг к другу точках частично перекрываются и, следователыю, в соседних точках плоскости предмета световые колебания в общем случае частично коррелированы. Часть этого света проходит сквозь предмет с изменением фазы или без него, тогда как оставшаяся его часть рассеивается, отражается или поглощается. Поэтому, вообще говоря, нсвозлюжпо посредством одного наблюдения или, даже используя одно какое-то устройство, получить правильное увеличенное изображение всей микроструктуры объекта. По этой причине были разработаны различные методы наблюдения, пригодные для изучения определенных типов объектов или для выявления у них тех или иных характерных особенностей. [c.383]

Существенную роль при исследовании объекта, особенно его деталей, играют максимумы первых порядков. В рассмотренном нами случае дифракционные максимумы первых порядков передают изображение объекта в виде периодической структуры с плавным переходом от светлых участков к темным. Таким образом, решетка различима, если через объектив микроскопа проходит помимо пучка центрального максимума хотя бы еще один пучок одного из первого MaK HMyNWB (m = +1 или т = —1). Условие первого максимума т = +1 имеет вид [c.202]

Изложение намеченного круга вогтросов начнем с краткого анализа аберраций оптических систем и способов их устранения. Затем исследуем разрешающую силу телескопа и микроскопа. Рассмотрение этих двух очень важных частных задач позволит ознакомиться с основами дифракционной теории оптических инструментов и современными способами повышения разрешающей силы оптических приборов. [c.328]

Пусть объектом служит однолте )ная дифракционная решетка с постоянной d (рис. 6.7 )). Будем считать ее плоской, что приемлемо, гак как и микроскопе исс.]едуются тошсие препараты, а глубина резкости столь сильного объектива мала. Плоская волна проходит сквозь решетку, распространяясь вдоль оптической оси микроскопа перпендикулярно плоскости решетки. В главной фокальной плоскости объектива получается спектр — [c.342]

Принцип измерения диаметра звезд был применен (Зигмонди) также для измерения субмикроскоиических частиц, размер которых не позволяет непосредственно различать их в микроскоп. И в этом случае диафрагма с двумя щелями, вырезающая пучки лучей, поступающие от наблюдаемой частицы в объектив микроскопа, создает в поле зрения дифракционную картину, так что частицы представляются в виде светлых полосок, параллельных линии, соединяющей щели, и испещренных максимумами. Раздвигая щели, добиваемся исчезновения дифракционных максимумов и таким образом определяем поперечник частицы, параллельный линии О. Поворачивая диафрагму, можно найти размеры частицы во всех направлениях. [c.198]

Из изложенного ясно, что для получения правильного изображения надо, чтобы через объектив микроскопа и далее проникали дифракционные пучки всех направлений. Обычно внутри микроскопа не ставится препятствий, так что опасность представляет лишь входной зрачок, которым служит оправа объектива, ограничизаю-ищя его рабочее отверстие ). Чем меньше предмет или его деталь d, тем большие углы дифракции он обусловливает и тем шире должно быть отверстие объектива. Отверстие объектива определяется углом 2и между крайними лучами, идущими от объекта (расположенного у фокуса) к краям объектива. Половина этого угла носит название апертуры. Если апертура меньше pi — угла дифракции, соответствующего спектрам первого порядка, т. е. sin и < sin tpi = = Ao/d, то в микроскоп проникнут только лучи от центрального максимума и мы не увидим изображения, соответствующего деталям, определяемым величиной d, т. е. в случае нашей решетки будем иметь равномерное освещение. Таким образом, условр езш и У - XJd есть условие, необходимое для разрешения деталей d. В крайнем случае (sin и = %old) мы жертвуем максимумами высших порядков, т. е. как сказано, несколько ухудшаем качество изображения. Чем больше sin и по сравнению с kjd, тем больше спектров высших порядков участвует в построении изображения, т. е. тем точнее передается наблюдаемый объект. [c.353]

Приведены новейшие данные по оптической, световой, электронной, просвечивающей, растровой, дифракционной, фотоэмиссиоиной и автоионной микроскопии. Описан метод дифрактометрии в медленных электронах и при использовании электронов с высокими энергиями. Рассмотрен микроанализ с помощью электронного зонда, Оже-спектроскопии и др. Изложены сведения о сварных соединениях. С позиций металлографии классифицированы различные способы сварки, исследованы основные изменения структуры прн сварке с растрескиванием в твердом состоянии, прослежено влияние температурного поля на структурные изменения при различных способах сварки. [c.28]

Просвечивающая электронная микроскопия может дать много информации о структуре покрытий и основного металла. Современные приборы позволяют получать изображения структур с увеличением до 200 000 крат и при этом проводить дифракционный анализ на выбранных участках. В просвечивающем электронном микроскопе изображение формируется фокусировкой дифрагированного потока электронов после прохождения его через образец. Используются очень тонкие объекты, причем толщина выбирается в зависимости от природы исс.ледуемого материала и используемого в микроскопе ускоряющего напряжения. В практической электронной микроскопии при нaпpянieнии 100 кВ толщина образцов обычно составляет 10 —10" мм. Разрешение (рабочее) отечественных микроско- [c.160]

В чистых металлах ИПД кручением обычно приводит к формированию равноосной структуры, средний размер зерен в которой составляет около 100 нм, а РКУ-прессование обеспечивает размер зерен, равный 200-300 нм. На рис. 1.7а, б показаны типичные микроструктуры Си, подвергнутой ИПД кручением, наблюдаемые в просвечивающем электронном микроскопе в светлопольном и темнопольном изображениях, вместе с соответствующей дифракционной картиной [8]. Видно, что интенсивная деформация приводит к формированию в Си однородной ультрамелкозерни-стой структуры уже при комнатной температуре. Многочисленные рефлексы на электронограмме, расположенные вдоль окружностей, указывают на большеугловые разориентировки соседних зерен. Присутствие преимущественно большеугловых границ в структуре металлов после интенсивной деформации было подтверждено также прямыми измерениями разориентировок индивидуальных границ зерен [56], и это является важной особенностью материалов, подвергнутых ИПД [3,8,13,38]. [c.19]

Рис. 1.7. Структуры в Си, подвергнутой ИПД кручением, наблюдаемые в электронном микроскопе а — свеглопольное изображение совместно с дифракционной картиной 6 — темнопольное изображение

Рис. 1.12. Микроструктура сплава Al-7,5%Fe после ИПД кручением при комнатной температуре (электронная микроскопия) А1 фаза светлопольное изображение (а) темнопольное изображение (( ) дифракционная картина (в)

В целом структурные особенности границ зерен, обнаруженные методом высокоразрешающей электронной микроскопии, были достаточно схожи во всех ИПД материалах, исследованных в работах [24, 121-123]. Прежде всего следует подчеркнуть, что большинство границ зерен является большеугловыми произвольными границами и это соответствует данным дифракционных исследований [8, 56], что ИПД может приводить к формированию границ зерен с большеугловыми разориентировками. Кроме того, границы зерен обычно имеют узкую ширину, которая составляет 1-2 межатомных расстояния, т. е. близка к ширине границ зерен в обычных крупнокристаллических материалах. Однако границы зерен в на- [c.68]

Настоящее рассмотрение имеет отношение и к нанокристаллам, полученным деформационным компактированием порошков. В процессе компактирования при высоких давлениях в границы зерен материала также вводятся дислокации и дисклинации [219]. Эти дефекты трудно обнаружить методом высокоразрешающей электронной микроскопии вследствие сложного дифракционного контраста, однако вызванные ими искажения решетки могут быть замечены [108, 109]. Мощность дисклинаций, появляющихся в процессе компактирования, оценивается следующим образом. Давление, необходимое. Чтобы закрыть полый клин с углом 0 в месте контакта двух частиц, равно Р = 2G . Следовательно, дискли- [c.112]

Излом изучают, во-первых, для оценки металлургического качества материала. Такой дефект обработки, как перегрев, оценивают в конструкционных материалах по наличию камневидного, а в быстрорежущих сталях нафталйнистого изломов рыхлоты, плены достаточно надежно выявляют в изломах литейных материалов и т. п. Определение температурных интервалов хладноломкости или отпускной хрупкости тоже можно отнести к области изучения изломов в связи с качествам м составом материала. Это обширная, чрезвычайно важная н наиболее древняя область использования характеристики излома. В современных условиях для решения названных задач применяют совершенное физическое оборудование — электронные микроскопы с приставками, позволяющими производить дифракционный, рентгеноспектральный и подобные анализы и определять природу фаз и других включений, ответственных за дефектность материала [71]. Применение этих методов исследования дало много ценных сведений о характерном строении и причинах возникновения различных металлургических дефектов в сталях [116]. Имеется также обширная литература, по-г.вященная анализу качества материала по фрактографическим признакам [5, И, 56, 106, ПО и др.]. [c.5]

Рентгеноструктурный анализ образцов выполняли по изменению полуширины дифракционных линий (220) и (311), для чего использовали рентгеновский дифрактометр ДРОН-1 с железным излучением анода. Тонкую структуру образцов в исходном состоянии, а также на разных этапах испытания исследовали с помощью световой микроскопии и на просвечивающих электронных микроскопах JEM-7 и JEM-100. Микрорентгеноспектральный анализ проведен на микроанализаторе MS-46. [c.213]

Микроскопы обеспечивают получение электронограмм на просвет с большого участка объекта и с микроучастков. Они могут комплектоваться дополнительными устройствами комплектом устройств для дифракционных исследований типа КДУ-1> устройством для прецизионного определения параметров решетки монокристаллов типа РУЭМ-1, устройством для растяжения и нагрева образца типа ПРОН-3, устройством для малоугловой дифракции и т. д, [c.495]

Деятельность Э. Аббе на предприятии Цейса была исключительно плодотворна — разработанную им дифракционную теорию отражения несамосветящихся объектов, позволившую создать прекрасные микроскопы (в сочетании с компенсационным окуляром и осветительным устройством его же конструкции), он использовал и во многих других приборах. Ему принадлежат интересные оптико-механические конструкции апертометра, рефлектометра, рефрактометра, спектрометра, фотометра, дальномера и оптического компаратора. Сотрудничество с О. Шоттом позволило создать новые сорта стекол (с добавками лития, фосфора и бора), сконструировать и подготовить объективы-апохроматы, дающие прекрасное неокрашенное изображение во всем поле зрения. В 1894 г. Аббе сконструировал призменные бинокли, производство которых на предприятии впоследствии достигло миллионов экземпляров [84, с. 228]. [c.394]

При наблюдении в микроскоп Г. и. п. является суммой трёх глубин геометрической, рассмотренной выше, аккомодационной Уак определяемой способностью глаза аккомодировать в процессе наблюдения объёмного предмета на различно удалённые точки, и дифракционной Гдиф, определяемой дифракц. явлениями в микроскопе [c.497]

Атомная структура ядер дислокаций, точечных н поверхностных Д. наблюдается с помощью автоиоилого микроскопа (см. Иияный проектор), методами электронной микроскопии и др. Дифракционные методы (электронография рентгеновский структурный анализ, иейт-роиография структурная) используются для определения атомных конфигураций ядер и упругих полей Д. Ряд деталей установлен моделированием на ЭВМ. [c.597]

По способу формирования изображения различают проекционный, контактный, отражательный и дифракционный Р. м. по принципу регистрации Р. м. может быть изображающим, образующим действительное или теневое изображение объекта, или сканирующим (растровым), к-рый регистрирует излучение от одного элемента объекта, находящегося на оптич. оси микроскопа, а полное изображение (растр) создаётся при пос-ледоват. перемещении объекта относительно оси микроскопа с помощью прецизионного механизма. Преимущества последнего способа регистрации — независимость разрешения от полевых аберраций оптич. системы и, следовательно, отсутствие ограничений на величину поля зрения, а также меньшая радиац, нагрузка на объект исследования. [c.366]

В дифракционном рентгеновском микроскопе осн. элементом является зонная пластинка Френеля, к-рая для монохроматич. излучения представляет собой линзу с фокусным расстоянием f = г /Ят, где — радиус первой зоны Френеля, Я — длина волны, т — порядок спектра. Дифракц. разрешение зонной пластинки Френеля определяется шириной крайней зоны = [c.368]

Рис. 4. Схема дифракционного рентгеновоного микроскопа с зонными пластинками Френеля И — источник излучения Д1 и Д, — диафрагмы М — монохроматор с дифракционной решёткой К — зонная пластинка Френеля — конденсор МЗП — микрозонная пластинка О — объект П — приёмник излучения.

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...