Контраст изображения

Проектор светового сечения позволяет получить на экране изображение профиля изделия сложной формы, освещаемого с боков плоскими пучками света. На изделие обычно наносят слой черни (сажи и т. п.), чтобы усилить контраст изображения. Точность измерения контура может достигать 0,01 мм при увеличении 10—20. При контроле протяженных изделий применяют цилиндрические объективы. [c.57]

Все более широкое применение находят волоконно-оптические телевизионные пирометры. Они обладают рядом преимуществ — возможностью усиления контраста изображения, высоким качеством изображения, возможностью его размножения на несколько телевизионных приемников и на большом удалении от объекта. [c.135]

Зависимость контраста С от АЬ показана на рис. 4. Из анализа кривых следует, что с увеличением АЬм L обнаруживаются дефекты с существенно меньшим значением С , при этом наименьшие значения контраста изображения не превышают 1,4—2%, Выявляемость дефектов и производительность контроля определяются суммарным воздействием перечисленных параметров. [c.313]

Входной сигнал регистрируется на пленке в виде разности плотностей почернения (контраста изображения) ДО [c.348]

Контраст изображения С (v) зависит от толщины объекта S (вследствие изменения (х и S) и величины локальной неоднородности Аб (рис. 51). [c.349]

Модель информационная автоматизированного комплекса радиографического контроля 347 — Входной сигнал 348 — Контраст изображения 349 — Плотность информации 351—354 — Частотно-контрастная характеристика 348, 349 [c.483]

При дальнейшем развитии методов и средств высокотемпературной металлографии было показано, что поскольку интегральные свойства реальных поликристаллов определяются свойствами отдельных зерен и их границ, между которыми существуют отклонения, то неравномерность протекания деформационных процессов в различных элементах структуры также приводит к изменению рельефности поверхности образца. Благодаря этому создается контраст изображения в световом микроскопе и появляется источник информации об особенностях поведения поликристаллического агрегата в условиях теплового воздействия и механического нагружения [2]. [c.5]

Современные достижения в области физических исследований металлов свидетельствуют о перспективности использования не только световой, но и электронной тепловой микроскопии, когда контраст изображения обусловлен не геометрическим профилем поверхности образца, а определенными характеристиками исследуемого материала, например, работой выхода электрона при термоэлектронной или фотоэмиссии кроме того, в качестве такой характеристики может быть использован коэффициент вторичной электронной эмиссии при бомбардировке первичными электронами. Эти характеристики существенно зависят от состава, фазового состояния, ориентации и температуры изучаемого объекта, поэтому, например, эмиссионная высокотемпературная микроскопия вследствие более высокой разрешающей способности обеспечивает получение большего объема информации по сравнению со световой тепловой микроскопией. При микроструктурном изучении процессов деформирования и разрушения принципиально новые результаты могут быть получены при использовании эффекта экзоэлектронной эмиссии, позволяющего количественно характеризовать определенное энергетическое состояние локальных участков исследуемого образца, что является весьма ценным дополнением к наблюдаемым в металлографический микроскоп качественным структурным изменениям, связанным с накоплением дефектов в поверхностных слоях материала. [c.6]

Методы тепловой микроскопии основаны на том, что контраст изображения в световом микроскопе, которым оснащена соответствующая установка, обусловлен особенностями геометрического профиля поверхности исследуемого образца, находящегося в той или иной среде. Эти особенности определяются прежде всего спецификой поверхностных явлений в твердых телах. [c.9]

Контраст изображения С (%) дефекта на радиографическом снимке или радиоскопическом экране характеризуется отношением разности яркостей 1д (дефектного) и L (бездефектного) участков изображения к яркости L [c.11]

Контраст изображения С определяется двумя факторами контрастностью объекта и детектора. Контрастность объекта прямо пропорциональна разнице плотности р и атомного номера Z дефектных и бездефектных мест изделия и обратно пропорциональна энергии излучения Е. Контрастность детектора характеризуется изменением плотности почернения пленки или яркости свечения экрана при воздействии на них раз-..личных экспозиционных доз излучения. Детектор обладает [c.11]

Контраст изображения С определяет наряду с разрешающей способностью выявляемость дефектов. Он зависит не только от яркостей и Lq дефектного и бездефектного участков изображения, но и от ширины дефекта АЬ и его нерезкости U [c.41]

При обратном контрасте достаточна общая освещенность помещения, равная 1—2 л/с. Если знаки высвечиваются на экране небольшого размера — в пределах 35, то величина контраста должна быть равна 65— 94%. Чем меньше размер знаков, тем больше должен быть контраст (85—94%). Чаще высокий контраст изображения создается путем уменьшения общего освещения до 4— [c.95]

Наряду со световой тепловой микроскопией интенсивно развивается аппаратурно-методическое обеспечение электронной тепловой микроскопии, в которой контраст изображения обусловлен не геометрическим профилем поверхности образца, а такими характеристиками материала, как работа выхода электронов при термоэлектронной или фотоэмиссии, коэффициент вторичной электронной эмиссии и т. д. Эти характеристики существенно зависят от состава, фазового состояния, ориентации и температуры изучаемого объекта. Высокая разрешающая способность этих методов обеспечит получение большого объема информации по сравнению с тепловой микроскопией. [c.493]

Многопроходные У. я. могут повышать контраст изображения, если освещать объект его собственным изображением (УЯИ с обратной связью). [c.244]

Отражённые электроны улавливаются полупроводниковым детектором с р— -переходом. Контраст изображения обусловлен зависимостью коэф. отражения от угла падения первичного пучка в данной точке объекта и от ат. номера вещества. Разрешение изображения, получаемого в отражённых электронах , ниже, чем получаемого с помощью вторичных электронов (иногда на порядок величины). Из-за прямолинейности полёта электронов инфор- [c.576]

Подвижная апертурная диафрагма с отверстием диаметром 10—50 мкм расположена в задней фокальной плоскости объективной линзы она позволяет выбрать из всех рассеянных электронов более или менее узкий пучок и лишь его использовать для формирования изображения, что обеспечивает контраст изображения (как абсорбционный, так и дифракционный). Кроме того, апертурная диафрагма способствует получению большей резкости изображений, уменьшая влияние сферической аберрации. Малая угловая апертура объективной линзы обеспечивает и большую глубину резкости, необходимую для получения резких снимков на фотопластинках, расположенных значительно ниже экрана, на котором фокусируется изображение. Наличие подвижной апертурной диафрагмы позволяет получать темнопольные изображения путем смещения падающего электронного пучка или диафрагмы таким образом, чтобы через нее проходили только рассеянные электроны. Тогда те участки объекта, которые сильнее рассеивают электроны, будут на изображении более светлыми. При исследованиях необходимо выбирать оптимальные размеры апертурной диафрагмы, поскольку с их уменьшением возрастают контрастность и резкость изображения, но падает его яркость. [c.48]

Формирование контраста изображения [c.66]

При исследовании шлифов и изломов в РЭМ иногда полезно менять наклон образца по отношению к электронному зонду и детектору для усиления яркости и контраста изображения. Однако следует учитывать, что при этом искажаются истинные размеры наблюдаемого образца, особенно, если он обладает развитым рельефом. Поэтому полезно получать микрофотографии в РЭМ, ориентируя поверхность образца перпендикулярно электронному зонду и наклоняя ее в сторону детектора. Изменение контраста изображения и тенен при вращении образца вокруг нормали к поверхности также облегчает понимание особенностей рельефа. [c.68]

В заключение коснемся кратко возможностей изготовления рассмотренных объективов. Методика расчета структуры ДЛ с заданными фокусирующими и аберрационными свойствами изложена в гл. 7. Там же дана формула (7.22), позволяющая оценить минимальные размеры элементов этой структуры, которые определяют возможности изготовления ДЛ и их дифракционную эффективность. Результаты применения формулы показывают, что при большом увеличении объектива линза, ближайшая к предметной плоскости, имеет наибольшую частоту структуры, минимальный период ее примерно равен рэлеевскому разрешению объектива или больше него. Частота второй линзы примерно в три раза меньше. При изготовлении высокочастотной линзы можно рассчитывать, как правило, на эффективность 40%, а при изготовлении низкочастотной — на эффективность 70—80 %, что для объектива дает светопропускание около 30 %. В симметричной системе обе линзы высокочастотные и можно рассчитывать только на 16 % пропускания. Указанная эффективность во многих случаях приемлема, однако наличие света, дифрагированного в нерабочие порядки линз, приводит к снижению контраста изображения (см. п. 7.4). [c.122]

Однако наиболее существенное свойство сканирующего осветителя для систем с ДОЭ —его способность подавлять когерентный шум. В связи с этим при решении задач проекции изображения свет, дифрагированный в нерабочие порядки ДЛ объектива, можно рассматривать как равномерный фон, т. е. пьедестал, на который накладывается полезное изображение (см. п. 7.4). Конечно, контраст изображения при этом несколько снижается, но его искажение интерференционной картиной, возникающее при когерентном освещении, полностью исключается. [c.193]

Если не принимать во внимание паразитное изображение, то засветку за счет нерабочих порядков дифракции линз с большой оптической силой независимо от структуры предмета можно рассматривать как однородный фон, воздействие которого на полезное изображение сводится к снижению контраста последнего. Разумеется, всякого рода интерференционные эффекты должны быть исключены, даже если освеш,ение будет лазерным (см. п. 6.2). Поскольку с увеличением номеров порядков дифракции интенсивность этого фона падает, то можно учитывать конечное, сравнительно небольшое, число порядков каждой линзы объектива, но при этом необходимо для каждого их сочетания найти интенсивность паразитной засветки. Суммируя, находим общую интенсивность засветки / ар, позволяющую определить контраст изображения [c.214]

Основными недостатками магнитооптических устройств являются значительное оптическое поглощение в видимом диапазоне, не позволяющее получать оптическую эффективность считывания выше 25—30 % ограниченные площади (не более 50 см ) висмутсодержащих монокристаллических пленок ферритгранатов, служащих основой для большинства магнитооптических устройств, и их относительно высокая стоимость. Вместе с тем такие преимущества магнитооптических сред, как возможность получения высокого оптического контраста изображения, низкие управляющие токи ( < 100 мА), высокая чувствительность при термомагнитной записи, небольшое [c.38]

В РЭМ различают два вида контраста изображения - т о п о -графический и композиционный [73]. Топографический контраст изображения определяется изменением интенсивности вторичной электронной эмиссии в зависимости от положения элемента поверхности по отношению к пучку электронов. Композиционный контраст изображения образцов сложного фазового состава обусловлен раз-лнчными значеннями коэффициента вторичной электронной эмиссии. [c.152]

Рис. 51. Зависимость контраста изображения от толщины стали (источник "Со пленка — особомелкозернистая, D = I, ы = 0,45 мм) / — да = 10 мм 2 —> Дв = 2 MMJ Р — расчетные значения 3 — экспериментальные данные

При выборе альтернативных вариантов радиографической системы в качестве универсального критерия предпочтительно использовать предельную плотность информации снимка, которая учитывает влияние отношения сигнал/шум, разрешающей способности и контраста изображения. Наилучшие значения предельной плотности информации снимка получают при использовании низкоэнергетических источников и особо мелкозернистых пленок, причем следует выбирать максимальную плотность почернения снимка с учетом предельных возможностей расшифровочного оборудования. [c.352]

Рис. 3.21. Оже-спектры образца из алюминиевого сплава АВТ для (а) исходной поверхности, после травления ионами Аг+ (б) в течение 15 мин и (г) 45 мин зон 1 (в) и 2 (г), идентифицированных по контрасту изображения во вторичных электронах то же для зон / (д) и 2(e), идентифицированных по Оже-нику углерода наибольший пик А1 соответствует AI2O3

Современные достижения в области физических исследований металлов свидетельствуют о перспективности использования не только световой, но и электронной тепловой микроскопии, когда контраст изображения обус-словлен не геометрическим профилем поверхности образца, а определенными характеристиками материала, например работой выхода электрона при термоэлектронной эмиссии или фотоэмиссии кроме того, в качестве такой характеристики может быть использован коэффициент вторичной электронной эмиссии при бомбардировке первичными электронами. Эти характеристики существенно зависят от состава, фазового состояния, ориентации и темпера-10 туры изучаемого объекта, поэтому, например, эмиссионная высокотемпера- [c.10]

Зависимость контраста от А6 и яркости экрана негатоско-па L показана на рис. 22. Из анализа кривых следует, что с ростом АЬ и L возможно обнаруживать дефекты с существенно меньшим значением С,,, при этом наименьшие значения контраста изображения не нревышают 1,4—2%. [c.41]

Иными словами, образование контрастного изображе-иия повер.хности определяется наличием у неё лока.чь-ного микрорельефа. Др. факторо.м, влияющим иа контраст изображения, является электронная природа атома так, напр., в сплаве Со и Pt более электро-отрицат. атомы Pt отображаются как яркие точки, а находящиеся рядом атомы Со не видны. [c.209]

Метод светлого поля в проходящем свете (см. рис. 1 в ст. Микроскоп) наиб, распространён. Он используется для исследования прозрачных объектов с включёнными в них абсорбирующими частицами и деталями. Пучок света, проходя через непоглощающие зоны препарата, даёт равномерно освещённое поле. Абсорбирующая частица на пути пучка света частично поглощает его, частично рассеивает, вследствие чего амплитуда прошедшего через частицу света будет меньше и частица выглядит на светлом фоне тёмным пятном (рнс. 1, а). Контраст изображения микроструктуры объекта тем больше, чем большим поглощением в видимой области спектра обладает абсорбирующая частица. Биол. объекты, в большинстве своём не обладающие этим свойством, предварительно окрашиваются спец, красителями. [c.144]

Аморфные и квазиаморфные тела, размеры частиц к-рых меньше разрешаемого в электронном микроскопе расстояния, рассеивают электроны диффузно. Для их исследования используются простейшие методы амплитудной Э. м. Напр., в ПЭМ контраст изображения, т. е. перепад яркостей изображения соседних участков объекта, в первом приближении пропорционален перепаду толщин этих участков. Для расчёта контраста изображений кристаллич. тел и решения обратной задачи—расчёта структуры объекта по наблюдаемому изображению—привлекаются методы фазовой Э. м. решается задача о дифракции электронов на кристаллич. решётке. При этом дополнительно учитываются неупругие взаимодействия электронов с объектом рассеяние на плазмонах, фононах и т. п, В ПЭМ и растровых ПЭМ (ПРЭМ) высокого разрешения получают изображения отд. молекул или атомов тяжёлых элементов пользуясь методами фазовой Э. м., восстанавливают по изображениям трёхмерную структуру кристаллов и биол. макромолекул. Для решения подобных задач применяют, в частности, методы голографии, а расчёты производят на ЭВМ. [c.550]

Аналогичный результат был получен и в пленках Ti-Al-B-N. Для того чтобы получить качественное изображение структуры границы раздела, необходимо, чтобы смежные нанокристаллиты имели относительно круттный размер, сопоставимый с толщиной исследуемого участка материала (фольги). На рис. 7.5 показаны два кристаллита TIN со средним диаметром 6 нм. Правое зерно ориентировано близко к оси зоны [001], и наблюдаемый полосчатый контраст в обоих зернах образован плоскостями 100 . Дополнительных межзеренных выделений или прослоек аморфной фазы по границе зерен обнаружено не было, хотя контраст изображения в правой части микрофотофафии свидетельствует о наличии неупорядоченной структуры. Это согласуется с ранее полученными [c.496]

В результате каждая горизонтальная строка растра превращается в волнистую линию, совокупность которых образует изображение. На экране ЭЛТ получается осцнллографнческая запись яркостного сигнала по ширине исследуемой области образца. При работе в этом режиме могут быть обнаружены тонкие различия в яркости участков, недостаточно выявляемые при работе в других режимах, а контраст изображений объектов со слаборазвитым рельефом повышается. [c.68]

Рис. 7.7. Контраст изображения в симметричном двухлни-зовом объективе при дифракционной эффективности его элементов 40,5 % (/), 33,1 % (2) и 68,4 % (3)

Возвращаясь к широкопольным системам (одна из которых— двухлинзовый симметричный объектив) и объектам, сравнимым по размерам со световым диаметром линз, следует отметить, что в данном случае использование ДЛ с эффективностью 40 % и менее весьма затруднительно. По существу, графики рис. 7.7 дают значение контраста при нулевой пространственной частоте, т. е. с этого значения (вместо 1) будет начинаться частотно-контрастная характеристика (ЧКХ) объектива. Для других пространственных частот значение ЧКХ упадет во столько же раз. Объектив с такой ЧКХ совершенно неприемлем, если изображение фиксируют на линейной регистрирующей среде, которая не позволяет отфильтровать паразитный фон. Выходом из положения будет использование пороговой среды, например фоторезиста с подслоем хрома [43]. В этом случае можно подавить любой фон, на котором находится полезное изображение (отметим, что система объектив — пороговая среда нелинейна и не может быть охарактеризована ЧКХ), но зато требуется высокая стабильность процесса проявления, тем большая, чем больше фон по сравнению с полезным изображением. Более приемлемо повышение дифракционной -эффективности линз объектива. Так, из рис. 7.7 следует, что уже переход к двухступенчатому профилю штриха обеспечивает достаточный контраст изображения при у 1. С другой стороны, увеличение числа ступеней в профиле штриха ДЛ уменьшает минимальный размер в структуре линзы и усложняет ее изготовление. [c.216]

С появлением ЭВМ в 50-х годах стало возможным получать подробную характеристику оптических систем. В [10, гл. XI описаны различные современные методы оценки качества изображения, образуемого оптическими системами, в том числе и методы вычисления частотио-коитрастиой характеристики (ЧКХ), которая в настоящее время сужит наиболее исчерпывающим критерием оценки качества изображения. Напомним, что ЧКХ является уточнением понятия разрешающей способности. В качестве объекта принимается мира с синусоидальным распределением светимости и единичным контрастом.. Контраст изображения этой миры, образуемого объективом, оказывается функцией от частоты R (число штрихов на I мм в изображении) и от направления штрихов. Частотио-контрастной характеристикой называют зависимость контраста К от частоты R при заданных направлениях штрихов (обычно горизонтальное и вертикальное). [c.208]

Таким образом, основная задача оценки качества изображения, даваемого оптической системой, может быть сведена к задаче о вычислении распределения светимостей в изображении миры-решетки с синусоидальным распределением светимостей. Это изображение (при выполнении условия изопланатизма, т. е.когда все точки объекта изображаются одинаково) обладает также синусоидальным распределением светимостей, причем период распределения равен, периоду в объекте, умиожеиному на линейное увеличение оптической системы при этом контраст изображения меньше контраста- объекта в К раз н изображение смещено по сравнению, с гауссовым изображением объекта на некоторую величину Pi, составляющую определенную долю периода р. Это смещение обычно выражается в угловой мере под названием [c.593]

Из графика при v = 0,25 ш q — 2 получаем К 0,32. Каково бы нн было распределение внутри кружка, контраст изображения синусоидальной миры будет не меньше 0,32. При диаметре 0,005 мм контраст достигает 0,58. Аналогичную прнкндку можно выполнить н для наклонных пучков, считая фигуру рассеяния эллиптической и понимая под z полуось эллиптического контура пятна К будет иметь разные значения Для вертикального и горизонтального направлений штрихов решетки. [c.606]

Дело в том, что контраст изображений (в особенности при введении в организм специальных веществ) образуется часто сравнительно низкоэнергичной частью спектра. Допустим, что напряжение на трубке подобрано так, что максимум спектрального распределения соответствует максимальному контрасту. Однако в Еысокоэнергичном хвосте распределения из-за свойств тормозного излучения все равно сосредоточена существенная доля энергии, которая, вообще говоря, ухудшает контраст, но в то же время несет основную часть радиационной дозы. Размещение на пути рентгеновского пучка многослойного зеркала позволяет обрезать высокоэнергичную часть, повысить контраст изображения и уменьшить радиационную дозу. Кроме того, при этом можно поднять напряжение на трубке и увеличить тем самым интенсивность в используемом спектральном интервале без существенного увеличения радиационной дозы. Наконец, путем изменения угла скольжения возможна перестройка спектра в целях его согласования с максимумами поглощения элементов, вводимых в исследуемые объекты для увеличения контраста. [c.119]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...