Эмиссия вторичная электронная

Для усиления фототока в фотоэлектронных умножителях использовано явление вторичной электронной эмиссии. Оно заключается в том, что бомбардировка пучком электронов поверхности металла, полупроводника или диэлектрика при некоторых условиях вызывает эмиссию вторичных электронов, которую обычно характеризуют коэффициентом вторичной эмиссии а — отношением числа выбитых электронов к числу падающих. Этот коэффициент зависит от многих параметров (вида и состояния поверхности, скорости и угла падения пучка электронов и т.д.) и для некоторых веществ может достигать больших значений (10 и выше). В частности, легко получается значительное усиление сигнала при использовании в качестве материала эмиттеров сплава сурьмы и цезия. Приводимая на рис. 8.18 схема иллюстрирует возможность усиления электронных токов за счет вторичной эмиссии. [c.438]

Принцип действия ФЭУ можно проследить на рис. 32.12. Фотоэлектроны, эмиттируемые с фотокатода ФК под действием электрического поля, ускоряются и попадают на первый промежуточный электрод Эу. Падая на него, фотоэлектроны вызывают эмиссию вторичных электронов, причем в определенных условиях эта вторичная эмиссия может в несколько раз превышать первоначальный поток фотоэлектронов. Конфигурация электродов такова, что большинство фотоэлектронов попадает на электрод Э,, а большинство вторичных электронов попадает на следующий электрод Эг, где [c.650]

Изображение формируется тонким пучком электронов, который сканирует по поверхности образца, вызывая вторичную эмиссию. Вторичные электроны улавливаются специальными датчиками, сигнал от которых подается после усиления на модулятор электронно-.лучевой трубки. Величина сигнала зависит прежде всего от особенностей рельефа поверхности, которую обегает электронный луч. Изменение силы сигнала обусловливает изменение яркости свечения экрана и формирования изображения изучаемой поверхности. Расшифровка полученных микроснимков обычно не вызывает затруднений, так как изображения выглядят как трехмерные, весьма приближенные к действительности. [c.179]

Эмиссия вторичная электронная 237 [c.521]

Из информации, получаемой с помощью РЭМ (табл. 3.5), основными являются сведения о локальных изменениях топографии и химического состава поверхности. Соответственно выделяют топографический и композиционный контрасты. Топографический контраст обусловлен изменением интенсивности эмиссии вторичных электронов и коэффициента отражения для отраженных электронов при изменении угла наклона элемента поверхности к первичному пучку. При этом коэффициент вторичной эмиссии меняется сильнее, чем коэффициент отражения, что определяет преимущества использования вторичных электронов для изучения топографии поверхности. [c.66]

Зависимость интенсивности эмиссии вторичных электронов связана с локальным углом падения пучка соотношением [c.178]

В ряде случаев необходимо знать полную или удельную площадь поверхности. Последнюю можно определить как отношение среднего значения интенсивности эмиссии вторичных электронов по всей исследуемой поверхности к ее минимальному значению [c.179]

В области В имеются электроны, возникшие в результате объемной ударной ионизации и движущиеся от иглы возникшие в результате ударной ионизации положительные ионы, движущиеся к поверхности иглы и вызывающие на ней вторичную электронную эмиссию вторичные электроны, движущиеся от иглы и производящие ударную ионизацию. В области 1 2, где вследствие ослабления электрического поля ударная ионизация отсутствует, имеются электронная компонента, постепенно истощающаяся в результате прилипания электронов к нейтральным молекулам отрицательная ионная компонента, плотность потока которой постепенно возрастает в направлении к внешнему положительному электроду. Во внешней зоне II имеется только отрицательная ионная компонента. [c.658]

К числу бесконтактных методов относится также изучение шероховатых поверхностей с помощью электронной микроскопии, в частности, для этой цели применяется растровая электронная микроскопия, использующая для формирования изображения низкоэнергетические вторичные электроны. Профиль поверхности оценивается по изменению интенсивности эмиссии вторичных электронов при повороте образца. Прибор соединен с компьютером и позволяет определять стандартные характеристики шероховатости. Поскольку вертикальное разрешение составляет около [c.28]

Основными элементами сцинтилляционного счетчика (рис. 53) являются фосфор (сцинтиллятор), фотоэлектронный умножитель (ФЭУ) и регистрирующая система. Под действием рентгеновского кванта 1 в фосфоре <9, находящемся в алюминиевой фольге 2, возникает вспышка света 7, которая попадает на фотокатод 4 ФЭУ, в результате чего из него выбиваются фотоэлектроны 6. Эти фотоэлектроны за счет эмиссии вторичных электронов, т. е. за счет вырывания вторичных электронов из ряда последовательно расположенных электродов-динодов 5, умножаются и вызывают на выходе ФЭУ импульс тока, который создает на нагрузочном сопротивлении импульс напряжения, регистрируемый счетной системой. [c.106]

Главное возражение против подобного использования метода термоэлектронной эмиссии касается задерживающего электрода С, задача которого состоит в подавлении эмиссии вторичных электронов с коллектора и коллиматорных щелей. Такой вторичный ток составляет пренебрежимо малую часть эмиссионного тока с плоскостей монокристалла вольфрама с малыми значениями работы выхода, но сопоставим по своей величине с током эмиссии плоскостей с большим значением работы выхода. Благодаря этому средние значения ф могут оказаться заниженными. Описанный способ использования электрода С вызывает сомнение в правильности значений ф для плоскостей (ПО) и (112), полученных в этих экспериментах, особенно у Смита. Хьюз и др. показали, что при использовании натрия значения Ф для плоскостей (110) и (112) совпадают с соответствующими значениями ф в пределах ошибок измерения. Хотя такое хорошее согласование и является случайным, поскольку значение ф отдельной плоскости не может быть измерено совершенно независимо от ионизации на других плоскостях, оно все же свидетельствует в пользу того, что полученные ими значения Ф не слишком занижены. [c.221]

Если ионизация вызывается только носителями одного типа, скажем, электронами (к = 0), то лавина развивается более простым путем, который иллюстрируется рис. 13.1, в. На интервале, значительно превышаюш,ем ( / ), число электронов растет экспоненциально. В реальных материалах к фО, что соответствует частичной положитель-гюй обратной связи в процессе умножения. В результате появляется неопределенность в теоретическом расчете числа электрон-дырочных пар на конечном интервале. (Этот процесс аналогичен пробою Таунсенда в газе, но несколько сложнее. В газе первичный электрон рождает ионы и электроны. Ионы падают на отрицательный электрод, где они с конечной вероятностью вызывают эмиссию вторичных электронов. Если первичный электрон произведет достаточное количество иоиов, чтобы в результате эмиссии появилось не менее одного электрона, ток может неограниченно нарастать и наступит пробой. На практике при этом устанавливается новая форма разряда, соответствующая большему току и меньшему напряжению.) [c.330]

Д. э. характерен не только для термоэлектронной эмиссии он сопровождает любые процессы, связанные с образованием потоков заряж. илп нейтральных ч-ц, напр, протекание электрич. тока через ПП, фотоэлектронную эмиссию, вторичную электронную эмиссию, формирование молекулярных и атомных пучков и т. п. [c.185]

И ВТОРИЧНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ [c.66]

Умножитель фотоэлектронный — электровакуумный прибор, в котором ток фотоэлектронной эмиссии, полученный от фотокатода, усиливается внутри самого прибора посредством вторичной электронной эмиссии имеет очень высокую чувствительность, малую инерционность 13, 4). [c.162]

Для увеличения чувствительности контроля используют также усиливающие экраны (металлические и флуоресцентные). Материалом металлических экранов служит фольга тяжелых металлов (свинца, олова, вольфрама), а флуоресцентных — сернистый цинк, сернистый кадмий и др. Физическая сущность действия усиливающих экранов заключается в эмиссии с них вторичных электронов, которая инициируется излучением от источника (для металлических экранов, толщиной 0,0.5...0,5 мм), или эмиссией фотонов видимой части спектра (для флуоресцентных экранов толщиной 0,002. .. 0,2 мм). Усиливающие экраны, помещаемые между пленкой и объектом, служат своеобразным фильтром рассеянного излучения. При этом рассеянное вторичное излучение от тяжелых металлов, подобных свинцу, невелико. [c.155]

Вторичная электронная эмиссия (ВЭЭ) — эмиссия электронов, вызываемая бомбардировкой тел электронами. [c.582]

Характеристики эффективных эмиттеров вторичных электронов приведены в табл. 25.22—25.24 и на рис. 25.39—25.43, где Ер п— энергия первичных электронов, при которой достигается максимальное значение коэффициента вторичной электронной эмиссии От- [c.582]

Эмиссия оже-электронов (ЭОЭ). В спектрах вторичных электронов имеются узкие линии, соответствующие вторичным электронам, возникшим в результате оже-процесса, протекающего при бомбардировке тела первичными электронами, которые вышли из тела без рассеяния (табл. 25.25 и рис. 25.44—25.46). Этот процесс состоит в следующем. При возбуждении атома первичными электронами происходит переход электрона с какого-либо внутреннего уровня (например, К) в свободное состояние выше уровня вакуума. Освободившийся [c.586]

Фотоны вспышки, попадая на фотокатод, выбивают из него фотоэлектроны. Эти фотоэлектроны внутри ФЭУ специальными электрическими полями фокусируются и направляются на промежуточный электрод, называемый динодом. Материал динода выбирается таким, чтобы на нем интенсивно шла вторичная электронная эмиссия. В среднем каждый электрон, падающий на динод, выбивает из него от 3 до 10 новых электронов. С первого динода поток электронов поступает на-второй динод и т.д. Всего в ФЭУ устанавливается примерно 10—20 динодов, что позволяет усиливать поток электронов в 10 —10 раз. Замечательной особенностью ФЭУ является [c.500]

Пироэлектрические мишени являются хорошими изоляторами. Считывание электронным пучком распределения положительного потенциала, возникающего при нагревании мише-ИИ, приводит к накоплению отрицательного заряда на коммутируемой поверхности. Отрицательный относительно катода потенциал мишени выбывает закрывание прибора — пучок не коммутирует мишень и выходной сигнал отсутствует. Для устранения этого отр щательного эффекта на катод подается импульсное отрицательное напряжение во время обратного хода луча при этом электронный пучок бомбардирует мишень с энергией, достаточной, для -возникновения вторичной электронной эмиссии с коэффициентом, большим единицы. Потеря отрицательно заряженных электронов повышает положительный потенциал поверхности и делает мишень готовой к дальнейшей работе. [c.142]

Современные достижения в области физических исследований металлов свидетельствуют о перспективности использования не только световой, но и электронной тепловой микроскопии, когда контраст изображения обусловлен не геометрическим профилем поверхности образца, а определенными характеристиками исследуемого материала, например, работой выхода электрона при термоэлектронной или фотоэмиссии кроме того, в качестве такой характеристики может быть использован коэффициент вторичной электронной эмиссии при бомбардировке первичными электронами. Эти характеристики существенно зависят от состава, фазового состояния, ориентации и температуры изучаемого объекта, поэтому, например, эмиссионная высокотемпературная микроскопия вследствие более высокой разрешающей способности обеспечивает получение большего объема информации по сравнению со световой тепловой микроскопией. При микроструктурном изучении процессов деформирования и разрушения принципиально новые результаты могут быть получены при использовании эффекта экзоэлектронной эмиссии, позволяющего количественно характеризовать определенное энергетическое состояние локальных участков исследуемого образца, что является весьма ценным дополнением к наблюдаемым в металлографический микроскоп качественным структурным изменениям, связанным с накоплением дефектов в поверхностных слоях материала. [c.6]

Эмитируемые поверхностью электроны детектируются вторично-электронным умножителем 11 и регистрируются специальной аппаратурой, электрическая схема которой аналогична описанной в работе [3]. Переход от локальных к интегральным исследованиям эмиссии электронов осуществляется удалением объектива, причем регистрация интегрального эмиссионного тока не может сопровождаться параллельным изучением микроструктуры. [c.33]

Наряду со световой тепловой микроскопией интенсивно развивается аппаратурно-методическое обеспечение электронной тепловой микроскопии, в которой контраст изображения обусловлен не геометрическим профилем поверхности образца, а такими характеристиками материала, как работа выхода электронов при термоэлектронной или фотоэмиссии, коэффициент вторичной электронной эмиссии и т. д. Эти характеристики существенно зависят от состава, фазового состояния, ориентации и температуры изучаемого объекта. Высокая разрешающая способность этих методов обеспечит получение большого объема информации по сравнению с тепловой микроскопией. [c.493]

Электронно-микроскопические исследования поверхности образцов после испытаний проводили на приборе s-405 рмы "Хитачи". Перед исследованием образцы обезжиривались и обезвоживались промывкой в ацетоне и в спирте. На исследтемую поверхность напылялось платиновое покрытие толщиной 250 А, которое выравнивало поверхностную электропроводность образца и увеличивало эмиссию вторичных электронов, что обеспечивало хорошую проработку на микрофотографиях структурных и морфологических особенностей не-электроцроводных продуктов коррозии. [c.39]

Схема простейшего фотоэле- жуточный электрод (динод) Дь вызывая мента эмиссию вторичных электронов. Кон- [c.460]

При бомбардировке поверхности металла в вакууме электронами, которые ускоряются электрическим полем, наблюдается встречный пэток электронов от поверхности. Это явление называется вторичной электронной эмиссией. Вторичный электронный поток состоит из электронов, отраженных поверхностью, а также из электронов, вырванных из металла. Наибольшая эмиссия вторичных электронов происходит при энергиях первичных электронов в несколько сотен эВ. Для некоторых чистых [c.238]

Вторичная электронная эмиссия, отражение электронов и термоэлектронная эмиссия с обрабатываемой проверхности. [c.113]

Вторичная электронная эмиссия широко используется для усиления слабых токов, в частности фототоков. Такие устройства называются фотоэлектронными умножителями. Схематическое изображение одиокаскадного фотоэлектронного умножителя приведено на рис. 26.17. Фотоэлектроны, вырываемые светом из фотокатода К, ускоряются электрическим полем, и значительная их часть, пролетая сквозь анод А, представляющий собой сетку, попадает на вторичный эмиттер. Выбитые из него электроны меньших скоростей, чем первичные, собираются анодом. Такие фотоумножители позволяют получать 10—20-кратг[ое усиление фототока. [c.172]

Электронная и ионная эмиссия — испускание электронов или ионов телами под влиянием внешних воздействий нагревания, потока фотонов, электронов, ионов или сильного электрического поля. В зависимости от характера внешнего воздействия различают соответственно термоэлектронную, термоионную, фотоэлектронную, вторичную электронную и вторичную ионную, электронноионную, ионно-электронную и полевую (иначе — туннельную или автоэлектронную) эмиссии. Во всех видах эмиссии. кроме полевой, роль внешних воздействий состоит в увеличении энергии части электронов или ионов тела до значения, позволяющего преодолеть действие сил. которые связывают их с телом, и выйти в вакуум или в другую среду. При ионной эмиссии эмитироваться могут как положительные, так и отрицательные ионы. [c.567]

Облучение поверхности электронами вызывает эмиссию всех четырех видов частиц, однако наиболее часто анализируются электроны, что обусловлено сравнительной простотой их регистрации. Для получения информации о поверхности регистрируют энергию и пространственное распределение упруго- и неупругоотраженных первичных электронов зонда или регистрируют вторичные электроны и оже-электроны, В энергетическом спектре вторичных электронов, испускаемых вследствие облучения поверхности пучком первичных электронов (рис, 6,3), условно можно выделить три основные зоны. [c.151]

В РЭМ различают два вида контраста изображения - т о п о -графический и композиционный [73]. Топографический контраст изображения определяется изменением интенсивности вторичной электронной эмиссии в зависимости от положения элемента поверхности по отношению к пучку электронов. Композиционный контраст изображения образцов сложного фазового состава обусловлен раз-лнчными значеннями коэффициента вторичной электронной эмиссии. [c.152]

Современные достижения в области физических исследований металлов свидетельствуют о перспективности использования не только световой, но и электронной тепловой микроскопии, когда контраст изображения обус-словлен не геометрическим профилем поверхности образца, а определенными характеристиками материала, например работой выхода электрона при термоэлектронной эмиссии или фотоэмиссии кроме того, в качестве такой характеристики может быть использован коэффициент вторичной электронной эмиссии при бомбардировке первичными электронами. Эти характеристики существенно зависят от состава, фазового состояния, ориентации и темпера-10 туры изучаемого объекта, поэтому, например, эмиссионная высокотемпера- [c.10]

Полупроводники, как оказалось, были в состоянии давать исключительно большие значения термоэлектронной и вторичной электронной эмиссии. Используя это явление, Л. А. Кубецкий в 1930 г. предложил усилительное устройство, основанное на принципе умножения числа электронов с помощью электронной бомбардировки надлежащим образом расположенных эмиссионных поверхностей. [c.320]

При записи остросфокусированный пучок быстрых электронов, со-здаваемый записывающим прожектором с помощью отклоняющей системы, последовательно направляется в нужные точки мишени, создавая на отрицат. фоне положит, потенциальный рельеф, т. к. ка облучаемых участках диэлектрик покидает больше вторичных электронов (отбираемых коллекторной сеткой), чем вносится первичных электронов пучком (см. Вторичная электронная эмиссия). Глубина потенциального рельефа Л17 зависит от тока пучка, но нигде не достигает потенциала катода ВП. Заряд, накопленный на элементарных ёмкостях между подложкой и поверхностью диэлектрика, и создаваемый ими потенциальный рельеф сохраняются долго. [c.49]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...