Третья релаксация

Напряженно-деформированное состояние материала во многом зависит от характера релаксационных процессов, развивающихся в деформированном теле. Релаксационные явления чрезвычайно важны для изучения всех особенностей строения материалов и для научного объяснения многих присущих им свойств. Для раскрытия физической картины напряженного состояния твердого тела понятие о релаксации как о процессе движения системы в направлении термодинамического равновесия вносит много существенного. Наличие напряжений первого, второго и третьего рода и явления релаксации свидетельствуют о том, [c.43]

ОТЛИЧНО от полиамидов (кривая IV). Такие различия, очевидно, связаны с особенностями структуры молекулярных цепей пластмасс, которые при высоких начальных напряжениях ведут себя по-разному. Отличия в процессе релаксации со временем уменьшается и указанные материалы на третьем этапе и дальше (рис. 42) меняют напряжения практически одинаково. [c.94]

Двухуровневые устройства работают в импульсном режиме. После того, как прошла инверсия, три процесса стремятся вернуть населенности их равновесное значение. Один из них — процесс индуцированного излучения, дающий полезный выходной сигнал. Второй — спин — решеточная релаксация. Третий — процесс спонтанного излучения некогерентных фотонов. Основную роль играют первые два процесса. [c.505]

Этим заканчивается релаксация первой строки. Дальнейшие вычисления очевидны. Чебышевское уклонение с точностью до сотых достигается с третьего приближения. Отдельные приближения помещены в табл. 7, а окончательные невязки — в табл. 8. [c.157]

В граничных условиях третьего рода учтены явления релаксации. Если время релаксации х, равно нулю, то граничные условия (7-317) и (7-318) приводятся к общепринятым граничным условиям третьего рода. [c.290]

Таким образом, третий метод, так же как и первый, можно назвать усеченным методом покоординатной релаксации [22], где координатой является компонента искомого вектора расходов в контуре. Вычисления поправочного расхода учитывает члены разложения относительно Д х второго порядка. [c.90]

Первое допущение в большинстве случаев соответствует реальным свойствам крепежных материалов. Случай, когда материал обладает высокой пластичностью при длительном разрушении, из рассмотрения исключается, тем более что при этом разрушение в условиях релаксации напряжений маловероятно. Второе и третье допущения также в основном соответствуют реальным условиям работы крепежных деталей стационарных установок. [c.391]

В случае же Г >7, когда тепло, поглощаемое при фазовом переходе, больше тепла, которое может быть сообщено за счет теплопроводности, квазистационарный режим не устанавливается при х > Tj наступает стационарный режим испарения. В этом случае время полной релаксации меньше, чем в первом, когда Хд > х. Это связано с тем, что возникают большие градиенты температуры и плотности пара, приводящие к мощным потокам тепла и пара, в результате чего быстро устанавливается стационарный режим. Как видно из (17), при Г 7 также невозможно установление квазистационарного режима, так как в этом случае второй и третий члены будут много меньше четвертого при х 1, и, пренебрегая ими, мы приходим к (27). Таким [c.73]

Поскольку длительности импульсов At", At и At много меньше каждой из пауз, в (15.77) эти малые величины в операторах релаксации отброшены. Так как фотонное эхо — эффект третьего порядка по взаимодействию со светом, каждый из операторов S достаточно взять в первом приближении [c.217]

При таком соотношении процесс временной эволюции вероятностей pj имеет два этапа короткий и длительный, отражающий быструю и медленную релаксацию вероятностей pj. Быстрая релаксация происходит за времена порядка Ti. После этого устанавливается квазиравновесие между населенностями электронно возбужденных состояний pi и рз с одной стороны и населенностью ро с другой. Искомую связь можно найти, положив Pi = Рз = О- Тогда, учитывая неравенства (18.30), находим из первого и третьего уравнений (18.29) следующую связь [c.262]

Третий механизм роста может иметь место в системах, где выполняется соотношение (4.5), но имеется рассогласование по периодам решетки и возникает энергия упругой деформации, зависящая от толщины пленки. Таким образом, в начале процесса реализуется слоевое зарождение пленки, но для компенсации возрастающей упругой энергии в дальнейшем островковый рост оказывается более предпочтительным. В островках происходит релаксация упругих напряжений и снижение уровня упругой энергии. [c.139]

С различными скоростями деформирования, вторая — для описания циклической релаксации и третья — для циклической ползучести. 0 проиллюстрировано на рис. 13.20. График зависимости tf от Nf для роторной стали I r-lMo-V V изображен на рис. 13.21. [c.460]

Различают два типа изменений в АМС, происходящих при их нагревании. Первому соответствуют изменения при сохранении аморфного состояния - структурная релаксация. При втором происходит распад аморфной фазы с образованием кристаллических фаз — кристаллизация. Протекание релаксации связано с тремя основными процессами 1) уменьшением свободных промежутков в структуре (выход свободного объема) 2) установлением геометрического ближнего порядка и 3) установлением химического ближнего порядка. Релаксация первого и, по-видимому, второго типов необратима и протекает при более низких температурах, а третьего типа может быть обратимой. Именно релаксационные процессы являются основой термической и термомагнитной обработки АМС. [c.404]

В-третьих, к уширению приводят релаксационные процессы (электронные флуктуации, релаксация электронного спина, диффузионное движение атомов), если время релаксации меньше или сравнимо с временем жизни возбужденного состояния ядра. Соответственно уширение третьего типа может дать информацию о процессах, которыми оно вызвано. [c.165]

Однако из анализа структурной модели с использованием эпюр распределения напряжений по подэлементам (см. гл. 3) следует, что в связи с различием в предысториях (наличие разгрузки в одном из опытов) нельзя было ожидать, что равные деформации в случаях 2 и 3 приведут к одному результату. Фактически уменьшение скорости релаксации во втором опыте должно было оказаться меньшим, чем в третьем. Оно зависит от вида кривой деформирования и принятых значений а и а". Как следует из анализа, при некоторых соотношениях влияние пластической деформации действительно может казаться несущественным. [c.126]

Теперь выберем такую скорость деформации с, при которой либо второй, либо третий член исчезает. Оба эти члена исчезнут, если только оба составляющих комплекса М имеют одинаковое время релаксации. Поэтому, вообще говоря, если материал течет при постоянной скорости, напряжение будет релаксировать. Наоборот, при постоянном напряжении материал не будет течь с постоянной скоростью деформации. Другими словами, не будет существовать со стояния простого вязкого течения, которое возможно в максвелловской жидкости. [c.175]

Скорость релаксации резин в воде в определенной области температур выше, чем на воздухе (рис. 64), хотя окислительное действие кислорода в воздухе (концентрация 21%) должно быть более заметным, чем в воде (концентрация около 3%). Анализ дискретных спектров времен релаксации (табл. 15) показывает, что в воздушной среде выделены три элементарных процесса релаксации напряжения. Первые два относятся к быстрой стадии соответственно физической релаксации надмолекулярных структур каучука и релаксации связей наполнитель — каучук. Третий процесс с большим временем релаксации может быть отнесен к медленной стадии химической релаксации. В воде первый процесс не выделен потому, что он протекает за время значительно меньшее, чем время наблюдения. При температурах выдержки резины от 25 до 90 °С процесс релаксации наполнителя в воде протекает значительно быстрее, чем в воздушной среде. Причем, это различие уменьшается с ростом температуры. При 110°С соотношение скоростей релаксации наполнителя в воде и на воздухе становится противоположным. Скорость химической релаксации, характеризуемой реконструкцией химических связей в пространственной структуре молекул [c.96]

Известно, что время релаксации растет с увеличением размеров системы. Поэтому отдельные малые части ее приходят в равновесное состояние гораздо раньше, чем устанавливается равновесие между этими малыми частями. В силу такого положения, хотя система в целом и не находится в равновесии, можно говорить о локальном равновесии в макроскопически небольших частях системы и описывать их состояние с помощью всех тех параметров и термодинамических функций, которые использовались ранее. При этом предполагается, во-первых, что малые участки системы содержат еще очень большое число частиц, во-вторых, что отклонения от равновесия достаточно малы, в-третьих, что различие в свойствах между соседними элементарными объемами незначительно и, в-четвертых, что все процессы в системе протекают достаточно медленно. (Эти допущения уже использовались в 6.3 и 10.2.) [c.234]

Отжиг СМК материалов приводит к эволюции их микроструктуры, которую условно можно разделить на два этапа. На первом этапе в результате отжига при температуре, составляющей примерно одну треть температуры плавления, происходят релаксация напряжений, переход границ зерен из неравновесного в более равновесное состояние и незначительный рост зерен. Дальнейшее повышение температуры отжига или увеличение его длительности вызывают собирательную рекристаллизацию, т.е. укрупнение зерен. [c.77]

Третья релаксация. В 1948 г. де-Вриер и Гортер [77] открыли новое релаксационное явление. Оно было обнаружено в некоторых хромовых квасцах в магнитных полях, меньших 600 эрстед при частотах порядка 10 сеж причем постоянная релаксации не зависела от температуры. При высоких температурах этот эффект перекрывается спин-решеточной релаксацией, рассмотренной в п. 12, но в области температур жидкого водорода и гелия.оба явления разделены, так как область решеточной релаксации смещается в сторону меньших частот. Возможно, что существует связь между упомянутой третьей релаксацией и некоторыми аномалиями р. [c.404]

Развиваемая советскими учеными академиком Н. Н. Рыкалиньш и профессором М. X. Шоршоро-вым теория образования соединений разнородных веществ показывает, что процесс прочных связей между ними можно разделить на три стадии. На первой, подготовительной стадии между веществами образуется физический контакт — соединяемые вещества сближаются до расстояний, необходимых для межатомного взаимодействия. На второй стадии поверхности подготовляются к взаимодействию, происходит их активация, приводящая к образованию прочного соединения за счет квантовых процессов электронного взаимодействия. Третья стадия — стадия объемного взаимодействия, заключающегося в релаксации [c.90]

Эпюры распределения упругих деформаций Эг в первых циклах показаны на рис. 1.31,а. Все стержни модели можно разбить на три группы. Стержни первой их них г < 2гв / (в — г ), наиболее слабые , деформируются неупруго при симметричном по напряжениям цикле никаких изменений с ростом числа циклов здесь не происходит. В третьей z гп/сх), наиболее сильной группе, стержни работают упруго, т. е. также стабильно по числу циклов. Во второй, промежуточной группе будет происходить постепенное смеш ение петель гистерезиса с уменьшением асимметрии по напряжениям. Стабилизация наступит после того, как часть стержней перейдет в третью группу, в то время как другая — в первую группу (рис. 1.31, а, эпюра ОЕОВС и ОНКЬМ). На плоскости е г это соответствует смеш ению петли асимптотическое состояние показано пунктиром на рис. 7.37, б. Переход в это состояние (циклическая релаксация напряжений) происходит с постепенно убываюш ей скоростью. [c.212]

Трёхимпульсное эхо наблюдается примерно по такой же схеме, но в этом случае, помимо второго импульса в момент 1 (рис. 2, б), на кристалл подаётся ещё третий импульс в момент Т с частотой 2ю, При этом отклик наблюдается в момент Т+х. Временная структура наблюдаемых в этом случае сигналов более сложна. При этом, как и раньше, первый импульс возбуждает с поверхности пьезоэлектрика УЗ-волны, распространяющиеся по всем направлениям в глубь кристалла. Второй импульс в момент т производит две операции возбуждает, как и первый, УЗ-волны и меняет на обратное направление распространения акустич, волн, возбуждённых первым импульсом. Т. о., в кристалле навстречу друг другу распространяются прямые и обратные волны, нелинейное взаимодействие к-рых приводит к появлению в пространстве взаимодействия постоянной составляющей, как это следует из дисперсионной диаграммы (рис. 3,5), При наличии в кристалле примесей постоянная составляющая выводит их из состояния равновесия, ИТ. о. в пространстве фиксируется информация о взаимодействии прямой и обратной волн. Третий импульс в момент времени Т воздействует на неоднородные в пространстве примесные состояния и возбуждает акустич. волну, К рая от этих примесей распространяется к поверхности кристалла, где благодаря пьезоэффекту восстанавливается в виде электрич, сигнала. При этом время Т должно быть меньше времени релаксации, в течение к-рого восстанавливается равновесное распределение примесей, нарушен- [c.517]

Поскольку время оптической дефазировки Тг на один-два порядка меньше времени энергетической релаксации Ti, неравенство (8.31) вполне может бьггь совмещено со вторым и третьим неравенствами (8.30). Эти два неравенства показывают, при какой накачке полуширина лоренциана, описывающего двухфотонный коррелятор при больших временах, начинает зависеть от интенсивности накачки. [c.107]

Трехимпульсное фотонное эхо. После облучения образца двумя короткими лазерными импульсами в нем возникает сигнал фотонного эха. Подождав некоторое время t , которое может превышать время Т2 на порядок или даже более, облучим образец третьим импульсом. Очевидно, что каждый лазерный импульс сопровождается свечением, создаваемым свободным распадом наведенной им поляризации. Возникнет ли дополнительный импульс фотонного эха Если руководствоваться формулами пре-дьщущего пункта, то при > Т2 дополнительный сигнал эха возникнуть не может. Тем не менее в опыте мы увидим дополнительный сигнал эха, который будет привязан к третьему возбуждающему импульсу (рис. 6.6). Такое фотонное эхо назьшается трехимпульсным, и его свойства несколько отличаются от свойств двухимпульсного эха. Если сигнал последнего содержит информацию только о фазовой релаксации, то сигнал трехим-пульсного эха содержит также информацию об энергетической релаксации. Рассмотрим новое фотонное эхо подробней. [c.217]

При изучении поверхности AI2O3, содержащей адатомы Pt, Ag, установлено [136], что эффекты релаксации достигают третьего кислородного монослоя адгезия атомов благородных металлов происходит в результате образования ионных связей, индуцируемых поверхностным потенциалом Маделунга, и достаточно невелика (энергии сцепления составляют 0,4 (Ag) и 0,6 эВ (РЬ) в пересчете на адатом). [c.144]

Для аморфных сплавов характерен ряд закономерностей структурной релаксации. Во-первых, эффект обратимости свойств, о которых шла речь выше. Во-вторых, часто изменение свойств при отжиге происходит по закону Ы. В-третьих, в аморфных сплавах наблюдается так называемый кроссовер-эффект ( rossover), суть которого состоит в том, что если свойство, например, возрастало в процессе выдержки при то нагрев до температуры Т (Т >Т ) приводит сначала к быстрому уменьшению данного свойства, а только затем к увеличению. Причем кинетика увеличения свойства в этом случае будет значительно отличаться от той, которая была бы, если бы начальной температурой была Т . Кроссовер-эффект наблюдали при измерениях электросопротивления, модуля [c.16]

Можно предложить и третий вариант расчета. Поскольку степень релаксации напряжений при циклическом нагружении экспериментально установить весьма сложно, составим систему уравнений, взяв условие для определения глубины проникновения пластической деформации из первого варианта (ГП.45), а условие трещиностой- [c.125]

О < г, < ( 1 == [( т) — (ь 2) .1 ) только у третьей остаются равными е. Таким образом, циклическое нагружение приводит к своеобразной релаксации напряжения Oj = 2Gri при неизменяю-щейся деформации ei = е. Одновременно несколько возрастает амплитуда составляющей напряжения ад = 2Сгг. Из рис. 4.13 видно, что после стабилизации зависимость Гг = Гг (eg) оказывается в точности такой же, какой она была бы при отсутствии начальной деформации е = 0. [c.97]

Таким образом, для сред с тепловой нелинейностью процесс выхода на стационарное изменение показателя преломления протекает в три зтапа после момента поглощения излучения. Оценим характерные времена этих этапов. Длительность первого из них, представляющего релаксацию возбуждения в тепло, мы указывали с. Второй зтап происходит со скоростью звука, равной по порядку величины у 10 см/с. Константа даффузии тепла, отвечающая за третий этап, ) 10" см /с. Для типичных периодов пропускающих решеток, записываемых в средах с тепловой нелинейностью А 10 см, получаем, что длительность этапа установления давления Гр 10 с, а время выравнивания температуры Го 10" с. Полученные времена существенно различаются, и вначале всегда устанавливается давление, а уже затем температура. Для случая отражательной решетки Л 10" см. Тогда Гр 10" с, а То 10 с. Видно, что времена сближаются, но по-прежнему давление устанавливается раньше. Отношение интервалов времени релаксации температуры для пропускающей и отражательной решеток составляет Ю . Поскольку решетки температуры релаксируют зкспоненциально, то и их стационарные амплитуды соотносятся как времена релаксации. Поэтому стационарные пропускающие решетки оказьшаются в 10 раз сильнее стационарных отражательных решеток при одновременной записи одними и теми же пучками излучения. [c.57]

ЛИШЬ при применении третьего метода возбуждения, т. е. при накачке посредством инжещии носителей заряда. Используется полупроводниковый диод, имеющий р, п-переход. При достаточно высоком легировании высота образующегося на границе перехода потенциального барьера может стать больше ширины запрещенной зоны (рис. 2.21, а) тогда в п-области уровень Ферми находится в зоне проводимости, а в р-области — в валентной зоне. При приложении к полупроводниковому диоду напряжения и носители заряда, проходя через р, п-переход, должны преодолеть дополнительный энергетический барьер eU это означает, что энергии уровней Ферми в обеих областях различаются на величину eU. В зависимости от знака приложенной к переходу разности потенциалов высота потенциального барьера у перехода может уменьшаться или увеличиваться. На рис. 2.21, б показано действие прямого напряжения, вызывающее уменьшение высоты потенциального барьера. Происходит усиленное проникновение электронов и дырок через переходный слой, т. е. имеет место инжекция носителей заряда. Предположим, что выравнивание населенностей между зоной проводимости и валентной зоной через межзонные процессы релаксации происходит медленнее, чем идет пополнение носителями заряда. Тогда неравновесная электронная населенность в переходном слое должна опять характеризоваться квазиуров- [c.87]

При уменьшении энергии иона расстояние между отдельными столкновениями иона уменьшается настолько, что отдельные каскады столкновений перекрываются и вдоль трека иона образуется область аномально высокой плотности вакансий, окруженная областью с избыточным содержанием меж-дуузельных атомов. Генерацию и релаксацию смещений в каскаде можно схематически представить следующим образом (рис. 3.3). На первой стадии в течение времени порядка 10 с происходит очень сильное возбуждение решетки, и количество возникающих точечных дефектов достигает нескольких процентов. В течение 10 с происходит спонтанная рекомбинация пар Френкеля, т. е. рядом расположенных вакансий и выбитых из своих узлов атомов мишени. Третья стадия [c.81]

Результат наложения ка переменные напряжения статических напряжений сжатия зависит от температуры и уровня предела выносливости при симметричном цикле. Эффективность сжимающей нагрузки, измеряемая отношением оаМ-ь как показали испытания сплава ХН77ТЮРУ при 250 С значительно выше, чем при 550° С. Отсюда следует, что применение поверхностного наклепа для деталей из сплава ХН77ТЮРУ, эксплуатируемых при 550° С, мен еэф-фективно, чем при т-емпературах до 250 С. Кроме того, длительное действие высокой температуры способствует релаксации и перераспределению остаточных напряжений в поверхностном слое детали. Статические напряжения сжатия компенсируют отрицательное влияние остаточных напряжений второго и третьего рода в высоколегированных сплавах, которое проявляется в понижении сопротивления усталости при нормальной температуре. На рис. 2.36 приведена кривая Wa-i =f( (T-i)> построенная по результатам испытания образцов гладких и с концентраторами напряжений из сплава ХН77ТЮРУ при базовом числе циклов Л б = 2-10 ... 2-10 . [c.69]

Будем считать, что скорость впрыска постоянна и не зависит от давления, т. е. что постоянная часть т не влияет на скорость горения. На рис. 114 приведен характер изменения во времени в каком-либо месте камеры давления р, времени запаздывания т, скорости горения и влияния скорости горения на изменение р. По оси ординат отложены амплитуда изменения р (верхняя и нижняя кривые), амплитуда изменения т и амплитуда изменения скорости горения (соответственно вторая и третья кривые сверху). Из этого рисунка видно, что если т-1-0 = 7 /2, где0 — время релаксации камеры, то влияние давления на скорость горения будет наибольшим создаются условия для возбуждения автоколебаний. Такое построение приводит к заключению, что автоколебания будут возбуждаться, когда время запаздывания т составляет нечетное число полупериодов одного из собственных колебаний системы. [c.511]

Работа состоит из шести глав. Первая глава посвящена разбору возможностей, предоставляемых классической механикой для решения названной основной задачи, и критике относящихся сюда работ, основанных на классической механике. Вторая глава посвящена аналогичному рассмотрению в квантовой механике. В третьей главе разбирается вопрос об описании немаксимально полных опытов, в частности об условиях применимости понятия статистического оператора матрицы плотности). В четвертой главе выводятся некоторые ограничения, которые накладываются на возможности измерений, производимых над макроскопическими системами, условием сохранения их заданной макроскопической характеристики. Значительная часть вопросов, затронутых в третьей и четвертой главах, заключается в получении свойств релаксации, Я-теоремы и т. д.— утверждений макроскопических, т. е., казалось бы, не связанных с вопросами о возможностях измерения. Поэтому, чтобы при решении поставленной в работе задачи не казалось странным возникновение этих вопросов, отметим сразу же, что самая суть поставленной задачи заключается в выяснении связи макроскопических утверждений с микромеханикой, а уравнениям последней можно, как известно, придать физический смысл лишь в связи с возможностями измерений. Пятая глава посвящена общим понятиям о релаксации физических систем, об j/У-теореме и о средних во времени значениях физических величин. В шестой главе выясняется связь между существованием релаксации и определенными свойствами гамильтониана системы. [c.16]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...