Диффузия дефектов в кристаллах

Сейчас имеется обширная литература по диффузии в твердых телах, в которой подробно изложены различные аспекты современной теории диффузии, основанной на фундаментальных представлениях физической кинетики й неравновесной термодинамики и связанной с учением о дефектах в кристаллах. [c.198]

Другим видом дефектов в кристалле является экситон, представляющий собой нейтральное возбужденное состояние электрона до уровня, энергия которого ниже энергии ионизации. В ковалентном или ионном кристалле экситон можно рассматривать как слабо связанные между собой электрон зоны проводимости и дырку, образующие в целом нейтральный центр, который тем не менее не находится в основном состоянии (если бы это было так, электрон должен был вернуться в валентную зону и рекомбинировать с дыркой). Это состояние в известной степени аналогично возбужденному состоянию атома водорода, в котором электрон и протон еще остаются связанными. В молекулярных кристаллах экситон также представляет собой локальное электронное возбужденное состояние, возникающее в результате возбуждения одной молекулы. Экситоны могут двигаться в твердом теле за счет диффузии связанной пары электрон —дырка или за счет переноса молекулярного возбуждения от одной молекулы к другой. Экситоны могут иметь значительное время жизни, по истечении которого они переходят в состояние с более низким уровнем энергии время жизни является характеристическим для (нестабильных) частиц. [c.68]

Скорость диффузии по описанным выше механизмам целиком определяется концентрацией дефектов. В условиях тер- -I Й мического равновесия имеется опреде- ленная концентрация этих дефектов в кристалле (см. разд. 5.3) концентрацию I дефектов часто можно увеличить за счет введения примеси или облучения части- 3 цами с высокой энергией. [c.109]

Подразумевается, что скорость v точек среды совпадает с производной и от ее смещения. Подчеркнем, однако, что отождествление этих двух величин отнюдь не является чем-то само собой разумеющимся. В кристаллах вектор и представляет собой смещение узлов решетки скорость же v определяется в механике сплошных сред как импульс единицы массы вещества. Равенство v = и справедливо, строго говоря, лишь для идеальных кристаллов, где в каждом узле решетки (и только в них) находится по атому. Если же кристалл содержит дефекты (незаполненные узлы — вакансии, или же, напротив, лишние атомы в междоузлиях), то перенос массы относительно решетки (т. е. отличный от нуля импульс) может существовать и в недеформированной решетке — за счет диффузии дефектов сквозь решетку . Отождествление v и и подразумевает пренебрежение этими эффектами — в связи с медленностью диффузии или малой концентрацией дефектов. [c.124]

МОЖНО И В твердых кристаллах, где оно связано с диффузией дефектов (см. примечание на с. 124). Но в смектиках оно в принципе неустранимо ввиду большей размытости периодической структуры (как бы содержащей значительное число дефектов — вакансий) и большей подвижности молекул. [c.238]

Реальные кристаллы отличаются от идеализированной модели наличием достаточно многочисленных нарушений регулярного расположения атомов. Любое отклонение от периодической структуры кристалла называют дефектом. Дефекты структуры оказывают существенное, порой определяющее, влияние на свойства твердых тел. Такими структурно-чувствительными, т. е. зависящими от дефектов структуры, свойствами являются электропроводность, фотопроводимость, люминесценция, прочность и пластичность, окраска кристаллов и т. д. Процессы диффузии, роста кристаллов, рекристаллизации и ряд других можно удовлетворительно объяснить исходя из предположения об их зависимости от дефектов. В [c.84]

Особенность начального образования оксида состоит в том, что из-за несовершенства поверхности отдельные зародыши располагаются на металле хаотично. Поскольку интенсивность и характер хемосорбции во многом определены ориентацией кристаллов, наличием кромок, пустот, дефектов на поверхности и т. д., предполагается, что хемосорбция является преобладающей в окислении металла в начальной стадии образования оксида, Число зародышей мало зависит от времени, а возрастает с повышением парциального давления кислорода-в окружающей среде. С повышением температуры число зародышей, приходящихся на единицу поверхности, убывает. Объясняется это увеличением поверхностной диффузии, что в свою очередь расширяет зародыши по размерам. После об-разования размещающихся хаотично на поверхности зародышей оксида окисление в дальнейшем идет путем роста отдельных кристаллов до тех пор, пока поверхность полностью не покрывается тонким оксидным слоем. Иногда такие дискретные зародыши и кристаллы оксидов могут образовываться даже после возникновения тонкой оксидной пленки [62]. Им часто отводят важную роль в общем процессе окисления металла. [c.46]

Длина скачка s зависит от геометрии кристалла и выражается, через периоды решетки. Число перескоков при вакансионной диффузии определяется концентрацией вакансий или дефектов в кри- сталле и зависит от температуры по экспоненциальному закону [c.51]

Наряду с объемной диффузией, которая протекает через точечные дефекты кристаллической решетки, в поликристаллическом теле имеются и дислокации, границы зерен, внутренние и наружные поверхности, через которые также протекает диффузия. В общем диффузия вдоль таких линейных и поверхностных дефектов, протекает быстрее, чем диффузия атомов через точечные дефекты в решетке кристалла. Имеются данные о том, что энергия активации диффузии по границам зерен в первом приближении равна примерно половине энергии активации объемной диффузии [62]. Вследствие более низкой энергии активации, относительное значение диффузии по границам зерен возрастает с увеличением тем- пературы медленнее, чем при объемной диффузии. [c.51]

Группа травителей, содержащих медные соли, наряду со способностью выявлять сегрегации, отличается тем, что под их воздействием на поверхности шлифа, особенно из листов малоуглеродистых (котельных) сталей, появляются своеобразные темные полосы, названные фигурами деформации. Причина их возникновения— пластическая деформация в зонах, нагруженных выше предела упругости. Потемнение полос вызвано процессами выделения (особенно деформацией в сочетании с диффузией атомов внедрения, растворенных в кристаллах). Согласно исследованиям Кестера [40], фигуры деформации возникают преимущественно в результате сегрегации нитрида железа в участках зерен, содержащих дефекты кристаллической решетки. В железных сплавах, в которых азот отсутствует, фигуры деформации не наблюдаются. Выделение нитридов происходит особенно интенсивно в температурном интервале 250—400° С. При температуре около 500° С растворимость азота в железе быстро возрастает. После длительных выдержек нитриды выделяются и при комнатной температуре. [c.60]

Возможны также др. эффекты в II. с., связанные с диффузией дефектов. При длит, выдержке кристалла при данном Т дефекты перераспределяются, собираясь в наиб, энергетически выгодных участках волны . Замороженная волна дефектов может затем долгое время сохраняться в кристалле, и момент прохождения той темп-ры, при к-рой происходило формирование этой волны , отмечается по особенностям в температурной зависимости разл. величин. [c.335]

Дефекты в кристаллической решетке оказывают большое влияние на протекание процессов диффузии и самодиффузии, которые во многом определяют скорости химических реакций в твердом теле, а также ионную проводимость кристаллов. Распределенные нужным образом по объему кристалла дефекты кристаллической решетки позволяют создавать в одном образце области с различными типами проводимости, что необходимо при изготовлении некоторых полупроводниковых элементов. [c.10]

Волокна бора характеризуются низкой плотностью (2400. .. 3000 кг/см ) прочностью при растяжении (до 3800 МПа) и модулем упругости (до 400 ООО МПа). Их получают осаждением бора из газовой смеси водорода и треххлористого бора на нагреваемую вольфрамовую проволоку (диаметром 10. .. 12 мкм). В результате осаждения образуется сердечник из бори-дов вольфрама (диаметром 15. .. 17 мкм), вокруг которого располагается слой поли-кристаллического бора. Сердечник образуется вследствие диффузии и взаимодействия бора с вольфрамовой проволокой. Поэтому в волокнах бора существует явно выраженная поверхность раздела между оболочкой и сердцевиной. Прочность волокон во многом зависит от появляющихся дефектов в процессе их получения. Снижение прочности в основном связано с появлением локальных дефектов структуры борного слоя в виде крупных кристаллов, инородных включений, трещин, пустот и др. Эти дефекты, имеющие технологическое происхождение, могут располагаться на поверхности волокон, в борном слое, в сердцевине и на границе раздела между ними. [c.462]

С помощью статистической термодинамики можно попытаться описать процесс диффузии на основе анализа колебаний кристалла как системы связанных осцилляторов, содержащей дефекты. В отличие от первых двух подходов здесь существенную роль играют микроскопические характеристики системы. [c.94]

Поверхности раздела в кристаллах — границы зерен и субграницы, границы фаз, внешняя поверхность — какова бы ни была их физическая модель являются средоточием структурных дефектов (дислокаций, избыточных вакансий) и, следовательно, создают пути облегченной диффузии. Аналогичное влияние должны оказывать нарушения, возникающие в результате пластической деформации, облучения частицами высоких энергий, фазовых превращений и растворения чужеродных атомов. Диффузия в связи с особенностями тонкой структуры металла определяет во многих случаях кинетику сложных процессов, изменение структуры и в конечном счете изменение свойств металлического сплава. [c.118]

Под синергетическим подходом главным образом подразумевается формулирование и анализ системы кинетических уравнений для выявления механизмов самоорганизации в ансамбле дислокаций с образованием структур диссипативного типа [201]. Важным аспектом развиваемых теорий является формулирование такой системы дислокационных кинетических уравнений, которая могла бы описать это явление не только с качественной, но и с количественной стороны [201]. Кинетические уравнения должны включать в себя процессы, реально идущие в кристалле, а именно генерацию, аннигиляцию и диффузию дефектов. [c.112]

Очень важно оценить, какой же из двух типов СТД (межузельные атомы или вакансии) является доминирующим в тех или иных условиях выращивания. Согласно [5], для каждого из двух типов СТД выражение для потока дефектов от фронта кристаллизации в кристалл (в системе координат, связанной с фронтом) складывается из члена, обусловленного переносом дефектов движущимся кристаллом (со скоростью F) и из диффузионного члена - ибо вблизи фронта (вследствие аннигиляции) возникают большие градиенты концентрации СТД. Диффузионный член равен по порядку величины D /1 (здесь опущен индекс у концентрации дефектов С и у их коэффициента диффузии D). При этом характерная длина аннигиляции I 1/G, т. е. диффузионный поток пропорционален градиенту температуры G. [c.50]

Благодаря тепловому возбуждению точечные дефекты не остаются в кристалле на одном месте, они дрейфуют по его объему. Дрейф (или диффузия) точечных дефектов может происходить хаотически (самодиффузия) или же направленно под действием градиентов температуры, напряжения или концентрации дефектов. Скорость диффузий пропорциональна ехр [—Q KT), где Q = = (/тд + At/ — энергия активации диффузии, состоящая из энергии f/тд образования точечного дефекта и высоты А/7 энергетического барьера, который необходимо преодолеть при перемещении дефекта из одного устойчивого положения в другое. На величину At/ влияет поле напряжений. В связи с этим вакансии и атомы примесей с малыми радиусами (но сравнению с атомами основного металла) диффундируют в зоны сжатия, а внедренные атомы и атомы примесей с большими радиусами—в зоны растяжения. [c.82]

Вдоль границ зерен и субзерен быстро протекает диффузия (во много раз быстрее, чем сквозь кристалл), особенно при нагреве. Взаимодействие между дефектами, перемещение их в кристаллах, изменение концентрации дефектов — все это отражается на свойствах и имеет большое практическое значение. [c.36]

На контактное плавление значительное влияние оказывает дефектность структуры металлов. Так, при плавлении предварительно облученных металлов обнаружено проникновение одного компонента в другой не только в поверхностном слое, по границам зерен и блоков, но и по дефектам структуры кристаллов и дислокациям, прилегающим к этим границам. После возникновения жидкой фазы дальнейшее взаимодействие металлов происходит через слой расплава. Образование твердого раствора в поверхностном слое взаимодействующих металлов, находящихся в контакте с жидкой фазой, является процессом, непосредственно подготавливающим плавление этого слоя. Поэтому и после возникновения жидкой фазы контактное плавление рассматривается как процесс плавления пересыщенных твердых растворов, образовавшихся вследствие диффузии атомов второго компонента из жидкости и ухода атомов первого компонента в жидкую фазу [4]. Разница лишь в том, что этот процесс протекает в более узком слое и ему сопутствует растворение твердых растворов. [c.141]

За редкими исключениями, кристаллы и кристаллиты, образующие поликристаллы, обладают различными типами структурных дефектов. Знание типов, способов образования, а также влияния структурных дефектов на различные процессы и свойства твердых тел совершенно необходимо для современных специалистов по физике твердого тела. Понятие реальный кристалл чрезвычайно широко. При малой концентрации структурных несовершенств реальный кристалл в пределе переходит в идеальный, приобретая качественно новые свойства. При большом содержании дефектов реальный кристалл в пределе приобретает аморфную структуру и свойства, характерные для аморфного состояния. Воздействие на реальную структуру твердых тел является одним из способов управления их свойствами. Например, в зависимости от концентрации точечных дефектов коэффициент диффузии в металлах может меняться на семь порядков, в таком же диапазоне меняется электропроводность полупроводника. Техническая прочность твердых тел отличается от теоретической (предельной) на три-четыре порядка. Исключив возможность влияния несовершенств, можно реализовать теоретическую прочность. Каждому понятно, насколько это важно для практических целей. [c.6]

Отметим принципиальное различие стабильности одномерной структуры по сравнению с двух- и трехмерными структурами. Удаление какой-либо частицы в одномерном кристалле приведет к его распаду на два кристалла (рис. 3.9, а). В двухмерной (рис. 3.9, б) и трехмерной структурах это приведет к образованию пустых узлов (вакансий) и нарушению строгой периодичности без распада структуры в целом. Реальные кристаллы обычно содержат значительное число точечных дефектов— вакансий, образующихся при высоких температурах за счет внутреннего испарения частиц и при бомбардировке кристаллов тяжелыми частицами (нейтронами и нонами). Вакансии в кристаллах играют важную роль в объяснении ряда явлений, например диффузии. [c.72]

Характерной особенностью уравнения (29) является слишком большое увеличение энтропии при введении в кристалл нескольких первых атомов примеси или нескольких дефектов. Таким образом, несмотря на то что кристалл уже содержит небольшое количество различных примесей и дефектов, w увеличивается в N раз при Добавлении нового дефекта или атома новой примеси. Это имеет большое значение при вычислении скоростей процессов когда нужно подсчитать концентрацию атомов, находяш,ихся в высокоэнергетических состояниях, являюш ихся промежуточными состояниями в кинетических процессах. Доказательством постоянного наличия в системе хотя бы нескольких таких высокоэнергетических конфигураций служит большая величина энтропии смешения при низких концентрациях. Это положение будет рассмотрено более подробно при последующем обсуждении диффузии и скорости зарождения новой фазы. [c.28]

Электропроводность. Изучение электропроводности кристаллов позволяет получить сведения о природе дефектов и их энергии активации. Электропроводность сег-нетоэлектриков характеризуется целым рядом особенностей, обусловленных наличием домен юй структуры и фазовых переходов. Для электрических измерений использовались образцы стехиомет-рического состава с х = 0,25, на торцевые поверхности которых были нанесены омические палладиевые контакты [31]. Серебряные электроды использовать не рекомендуется, так как наблюдается заметная диффузия серебра в кристалл. Измерения проводились в интервале температур 25 860 °С при скорости нагрева 150°С/час. Температура вблизи кристалла контролировалась платино-платинородиевой термопарой. Электропроводность была измерена на постоянном и переменном токе с частотой 100 Гц (рис. 4.9). В области 400 °С на кривой lga = /(l/D имеет место характерный излом, разделяющий два прямолинейных участка в области высоких температур имеет место собственная про ьодимость, при низких температурах преобладает при- [c.115]

Щ им от температуры членом, включающим в себя энтропию диффузии Можно представить, что процесс диффузии создает определенный беспорядок и тем самым увеличивает энтропию. Этот прирост должен быть тем больше, чем больше исходная степень упорядочения, т. е. чем меньше дефектов в кристалле. Если учесть, как это уже отмечалось, неточность эксперимен-тальны-х значений >о, практическая ценность этого представления остается еще весьма ограниченной. [c.61]

Вычисление энергии активации , необходимой для возникновения различных дефектов в кристаллах, представляет весьма больщой интерес. Как правило, теоретически вычисленные значения энергии не совпадают точно с величинами, определенными из эксперимента (из-за неизбежной идеализации реальной картины и ряда допущений, необходимых для проведения строгой математической обработки). Тем не менее подобная математическая обработка экспериментальных данных часто позволяет делат > важные заключения относительно структуры дефектов и механизма электропроводности, диффузии, природы диэлектрических потерь и т. д. [c.43]

В настоящее время установлено, что в областях с нарущен-ной кристаллической структурой, таких как дислокации и границы зерен, скорость диффузии может оказаться гораздо выше, чем в идеальной решетке. Однако из-за малой объемной долн этих дефектов в кристалле их влияние иа процесс диффузии экспериментально обнаруживается лишь в ограниченном температурном диапазоне. Это и будет продемонстрировано в дайной главе. [c.205]

Наиболее распространенным точечным дефектом в кристаллах являются вакансии. Уменьщенне концентрации вакансий происходит либо путем заполнения вакансий диффундирующими к ним междоузельными атомами, которые переходят при этом в состояния с минимальной энергией либо путем диффузии вакансий к поверхности кристалла и аннигиляции на ней либо путем диффузии вакансий к дислокациям и аннигиляции на них. В первом приближении время, необходимое для уменьщения концентрации неравновесных вакансий в кристалле, можно оценить из соотнощения т где Ь — длина пути вакансии до [c.240]

Авторы [9,28] отдают предпочтение полигонизационному механизму образования ячеистой структуры, согласно которому существенную роль в формировании дислокационных ячеек играют процессы переползания краевых компонент дислокаций. Этот процесс, как известно, является самым медленным звеном полигонизации, поскольку требует переноса массы за счет диффузии точечных дефектов [9]. Избыточная концентрация точечных дефектов в деформируемом кристалле обусловлена возникновением, движением и взаимодействием дислокаций в процессе деформации, поскольку каждая дислокация, пересекаясь с дислокациями леса высокой плотности, приобретает значительное число порогов, способных порождать при дальнейшем перемещении вакансии и междоузельные атомы. В работе [9] особо подчеркивается качественно различный характер ячеистой структуры, возникающей на ранних и конечных стадиях деформации, причем это различие проявляется как в механизме образования дислокационных ячеек, так и механизме передачи пластической деформации через границы ячеистой структуры. На ранних стадиях деформации границы ячеек представляют собой клубки, сплетения, вытянутые вдоль плоскостей скольжения и в направлении скольжения. При дальнейшей пластической деформации формируется разориентированная ячеистая структу- [c.123]

Динамика дефектов. Точечные дефекты типа при.ме-сей, вакансий или мсждоузельных ато.мов способны перемещаться в кристалле путём диффузии. Но классич. диффузию нельзя считать динамич. процессом, т, к. очередной скачок дефекта имеет случайное направление и только усреднение по больнюму числу дефектов может дать нек-руго направленность их движению. Иначе могут вести себя точечные дефекты в квантовом кристалле, когда для дефекта появляется возможность перехода из одного положения в соседнее путём квантового туннелирования (см. Туннельный эффект). В результате дефект может превратиться в квазичастицу — дефектен, свободно перемещающуюся в кристалле. [c.619]

К. д. наблюдается для легких примесных частиц (атомов II или мюонов) в металлах, а также для разл, точечных дефектов в гелии твёрдом (вакапснй, изотопич. примесей, перегибов па дислокациях, дефектов поверхности). В последнем случае К. д. существенна для объяснения кристаллизационных волн. Для нек-рых точечных дефектов К. д. происходит только вдоль онредел. осей или плоскосте кристалла, а диффузия вдоль остальных направлений является чисто классической, К. д, приводит также к особеииостям внутр. трения в квантовых кристаллах. [c.268]

В зависимости от взаимного расположения дислокаций вызываемые ими напряжения могут либо складываться, образуя макронапряжения, убывающие на расстояниях порядка размеров кристалла, либо компенсировать друг друга и убывать на расстояниях порядка расстояния между дислокациями, образуя микронапряжения. По мере приближения к дефекту напряжения возрастают по величине и могут достигать значений порядка предела прочности материала. На расстояниях, близких к центру дефекта, в области очень сильных искажений кристаллич. решётки смещения атомов настолько велики, что деформации достигают величины порядка единицы, понятие напряжений теряет определ. физ. смысл и для описания искажения возникает необходимость учёта дискретности среды, её конкретной атомарной структуры. М. определяют ряд физ. свойств кристаллов, и прежде всего закономерности их пластич. деформирования и разрушения. МИКРОНЕУСТОЙЧИВОСТИ ПЛАЗМЫ -- мелкомасштабные плазменные неустойчивости, опасные для удержания плазмы, к-рые не приводят к немедленному разрушению равновесного состояния плазмы, а оказывают влияние на её удержание через процессы переноса — диффузию частиц и теплопроводность. Именно в результате развития М. п. появляются мелкомасштабные пульсации электрич., мага, полей и концентрации плазмы, к-рые увеличивают потоки частиц и тепла поперёк магн. поля, удерживающего плазму. [c.138]

Диффузионное спекание. Диффузионный механизм переноса вещества наблюдается три спекании большинства кристаллических фаз в отсутствии жидкой фазы. Происходит, как принято называть, твердофазовое спекание. Диффузионный механизм спекания самым тесным образом связан со структурой и н ичием дефектов в кристаллической решетке спекаемого материала. Чем больше дефектов имеют кристаллическая решетка и поверхность спекаемого кристалла, тем больше его поверхностная энергия. Реальные тонкоизмельченные кристаллические тела всегда различаются между собой величиной свободной энергии. При соприкосновении мельчайших кристаллических частиц в процессе нагревания происходит перенос вещества с большей свободной энергией в местах. контакта в направлении частицы с меньшей свободной энергией, так как по законам термодинамики всякая система стремится к выравниванию уровней энергии. Таким образом, движущей силой и энергетическим источником переноса вещества диффузией является разность значений свободной энергии в месте контакта вещества. [c.70]

Нестабильный характер протекания пластической деформации (в общем случае возникновение скачков нагрузки на кривых деформационного упрочнения) обусловливается взаимодействием исходной дефектной структуры кристаллов и субструктуры, образующейся в процессе деформации. В частности, как отмечается в [229], при пластической деформации предварительно облученных монокристаллов меди и закаленных с предпла-вильных температур образцов из алюминия в исходной дефектной структуре указанных материалов, содержащей больщое количество вакансион-ных и межузельных призматических петель и тетраэдров дефектов упаковки, образуются бездефектные каналы шириной 0,1—0,5 мкм (рис. 85,6). Это обусловливает развитие неоднородности пластической деформации на ее начальной стадии, что отражается на кривых деформационного упрочнения в виде характерных скачков нагрузки (рис. 85, а). В работе [229] механизм образования бездефектных каналов в облученных или закаленных кристаллах рассматривается с кинетических позиций как "закономерная эволюция дислокационного ансамбля в кристалле при заданных условиях его деформирования". При этом, помимо процессов размножения, аннигиляции и диффузии дислокаций, учитывается также механизм взаимодействия скользящих дислокаций с призматическими петлями дефектов упаковки. В результате указанного взаимодействия дефекты заменяются дислокациями, образуя на них пороги и перегибы. [c.128]

Допустим, что ускоренным испытаниям с целью прогаозирования отказов подвергаются элементы РЭА (интегральные микросхемы, транзисторы, диоды и т.д.), и что эти элементы прошли предварительные испьггания на входном контроле, в процессе которых, в основном, выявлены и устранены явные и скрытые дефекты. В этом случае потенщсальные дефекты будут определяться физическими (физико-химическими) процессами, происходящими в твердых телах (кристаллах интегральных схем, транзисторов, диодов, токопроводящих элементах, элементах электроизоляции и т.д.). К их числу Moiyr быть отнесены в первую очередь процессы диффузии, распада твердых растворов, роста окисных пленок, гетерогенные и гомогенные химические реакции, процессы адсорбции и т.д. [c.472]

Результат рекомбинационного отбора (вид и концентрация доминирующих дефектов) зависит от соотношения переносных потоков СТД ( F) и диффузионных потоков СТД ( С). При достаточно больших значениях V/G вкладом диффузии можно пренебречь. В этом простейшем случае после аннигиляции выживают те СТД, исходная концентрация которых в кристалле была выше. Иная ситуация складывается при малых V/G, когда преобладающую роль играют диффузионные потоки. При охлаждении кристалла дефекты исчезают парами, однако для более быстродиффундирующего типа дефектов эти потери восполняются скорее благодаря диффузионному подводу от фронта кристаллизации. В результате выживает тот тип СТД, у которого исходное произведение D больше, независимо от того, больше или меньше сама его исходная концентрация С. Наиболее интересная ситуация складывается в том случае, когда СТД с меньшей исходной концентрацией С имеют более высокое значение произведения D благодаря большей диффузионной подвижности. Тогда этот тип дефектов оказывается доминирующим (после аннигиляции) при малых V/G, но уступает эту роль своему конкуренту при больших V/G. При некотором промежуточном, пороговом значении V/G происходит практически полная взаимная аннигиляция обоих типов СТД. В этом случае должен расти бездефектный кристалл, условием чего является VjG b, [c.50]

Механизмы Френкеля и Шоттки в реальных кристаллах могут действовать независимо, и одновременно, а оба типа точечных дефектов — атомы в междоузлии и вакансии, двигаясь по кристаллу, дают свой вклад в общий массоперенос (диффузию) [38, 39]. Большое влияние на массоперенос оказывают также инородные примеси, растворенные в кристалле. В этом случае наряду с вакансиями и междоузель-ными атомами следует учитывать еще один тип точечных дефектов кристаллической решетки — дефекты замещения. Этим термином обозначают узлы решетки, занятые атомами другого сорта. [c.34]

Закономерность изменения совершенства ориентировок в карбидных слоях насыщения свидетельствует о конкурентном отборе кристаллов в процессе роста с одновременным накоплением дефектов роста. Преимущественное развитие получают те кристаллы карбида, в которых реализуется наибольший поток углерода в направлении, нормальном к поверхности монокристалла молибдена. Направление роста этих кристаллов совпадает с направлением наименее плотной упаковки атомов в peiiieiKe молибдена. Подобные закономерности, роста Кристаллов в слое насыщения наблюдались при диффузии бора в железо [95]. [c.116]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...