Электропроводность кристаллов

С прекращением нагрева или светового воздействия электропроводность кристалла уменьшается, поскольку освободившиеся электроны размещаются в связях (происходит рекомбинация электронов и дырок). Этот процесс заканчивается в течение менее тысячных долей секунды и кристалл вновь теряет электропроводность. [c.387]

В первоначальное состояние она определяется в основном свойствами этой молекулы (атома) и сравнительно мало зависит от внешних условий (температуры, окружающих молекул и т. д.). Сюда относится в первую очередь люминесценция газов и жидкостей. Другой тип наиболее ясно представлен люминесцирующими кристаллами или кристаллическими порошками. При возбуждении таких веществ электрон нередко совершенно удаляется от своего положения в кристаллической решётке, благодаря чему повышается электропроводность кристаллов и возникает фосфоресценция, сопровождающая возвращение на старое место отделившегося электрона или какого-либо другого. [c.760]

Весьма интересно еще одно следствие из выражения (5.1). Оно означает, что электрон в периодическом поле кристаллической решетки, состоящей из неподвижных атомов, имеет стационарные, не зависящие от времени энергетические уровни и может бесконечно долго двигаться, не теряя средней скорости и не испытывая сопротивления. Этот результат явно противоречит более ранним представлениям об электропроводности кристаллов, указывая на ограниченность классической модели. [c.88]

При измерении электропроводности кристаллов НБН в атмосфере Ог + НгО удельное сопротивление образцов в точках Кюри возрастало. Для нестехиометрических образцов оно увеличилось на 0,2 первоначальной величины, [c.186]

Эйнштейна соотношения 55, 222 Электропроводность кристаллов 60 Энергия активации диффузии 64, 128, 129, 143, 181, 232 256 [c.283]

Если действие давления заключается в понижении электропроводности кристаллов бромистого серебра, то время нейтрализации должно увеличиваться. Это приведет к смещению излома кривой взаимозаместимости в сторону более продолжительного освещения. Вся кривая должна принять вид, изображенный пунктиром на фиг. 4. Разности ординат двух кривых будут давать ожидаемый эффект давления для различных времен освещения. [c.402]

Электропроводность кристаллов карбида кремния зависит от примесей и от избытка атомов кремния или углерода над стехио-метрическим составом. Примеси элементов, составляющих вторую подгруппу V группы периодической системы, а также примесь железа окрашивают карбид кремния в зеленый цвет и обусловливают проводимость типа п. Элементы II группы (Са, Mg) и второй 98 [c.98]

С прекращением освещения электропроводность кристалла начнет уменьшаться, так как электроны, которые освободились под действием света, будут размещаться в связях, т. е. произойдет рекомбинация электронов и дырок. Этот процесс заканчивается в течение тысячных долей секунды или меньше и кристалл снова перестает проводить электрический ток. Явление, при котором возникает электрический ток под действием света в кристалле, помещенном во внешнее электрическое поле, называется фотопроводимостью. [c.148]

Окраска и тип электропроводности кристалла Si , состоящего из двух элементов IV группы таблицы Менделеева, зависит от инородных примесей или же определяется избытком атомов Si либо С над стехиометрическим составом. [c.294]

В зависимости от исходного сырья и особенностей технологического процесса получаются кристаллы различной окраски. Окраска и тип электропроводности кристаллов Si зависят от инородных примесей или избытка атомов Si или С над стехиометрическим составом. [c.350]

Электропроводность кристаллов Si при нормальных температурах — примесная и колеблется в широких пределах. [c.351]

Под влиянием гамма-излучения при температурах порядка 100°К электропроводность кристаллов селенистого кадмия возрастает в 10 раз [444], что связано со способностью его резко снижать электропроводность при охлаждении. Гамма-излучение при снижении температуры поглощается в одинаковой мере и даже немного сильнее, чем обычно любым твердым телом, в том числе и селенистым кадмием. Постоянная величина поглоще-ной телом энергии гамма-излучения проявляется в неизменном количестве свободных электронов независимо от температуры кристалла. Это обстоятельство и приводит к большему соотношению электропроводности кристалла, находящегося под гамма-облучением, и электропроводности, если последнего нет. Поэтому такие вещества, как селенид (а также теллурид) кадмия, а также другие соединения второй и шестой группы периодической системы могут быть прекрасными детекторами гам-ма-рентгеновского, ультрафиолетового, видимого и инфракрасного излучений. Этими свойствами материалов теперь широко пользуются в технике при изготовлении так называемых фотосопротивлений [441]. [c.276]

Будем считать далее подвижность электронов, коэффициент диффузии электронов и электропроводность кристалла скалярами — = 6, хе (Пд + /п), где х — подвижность электронов в кристалле емо л = Оц — равновесное (в отсутствие волны) значение электропроводности кристалла. Такое упрощение является общепринятым. [c.198]

Здесь (То — равновесное значение электропроводности в объеме кристалла. Данное граничное условие учитывает и электропроводность кристалла, и диффузию электронов в кристалле. При отсутствии свободных электронов в кристалле ((То = О, div D = 0) оно переходит в обычное условие на границе диэлектрика с вакуумом [c.202]

Далее, при отсутствии диффузии электронов в кристалле (сод = оо) и малых значениях электропроводности (О < сос/со < 0,5) максимальные значения коэффициента усиления (затухания) достигаются для рэлеевской волны при меньших значениях (меньшие дрейфовые поля), чем для поперечной. G увеличением электропроводности кристалла эти максимальные значения очень быстро возрастают, стремясь к предельному значению, соответствующему насыщению . Иными словами, зависимость коэффициента усиления (затухания) рэлеевской волны от и o /w в области малых значений этих параметров очень резкая. Для поперечной волны эта зависимость сглаженная. Так, при сос/со = 0,1 максимальное значение уа для рэлеевской волны составляет 0,84 от предельного значения и достигается при = 0,17. Для поперечной волны соответственное значение yt составляет лишь 0,42 от предельного и достигается при = 0,50. При o /w> >0,5 зависимости у ( ) ш Дс/сд (Q для рэлеевской и поперечной волн примерно одинаковы. [c.230]

Ом" -см 1 в образце 1 и 2-10 Ом" -см 1 в образце 2) для поперечных волн. Между тем согласно теории области значений электропроводности, в которых должно наблюдаться максимальное взаимодействие волн с электронами кристалла (как в режиме затухания, так и в режиме усиления), для рэлеевских и поперечных волн на частоте 30 МГц примерно совпадают. Это означает, что максимальные значения коэффициентов усиления рэлеевских и поперечных волн должны достигаться при одинаковых значениях электропроводности кристалла. Наиболее вероятной причиной наблюдаемого различия является отличие электропроводностей поверхностных слоев кри Сталлов, в которых локализованы рэлеевские волны (- 60 мкм), от электропроводностей объемов кристаллов электропроводности поверхностных слоев образцов существенно меньше электропроводностей объемов. [c.242]

Гребенчатые электроды возбуждали рэлеевские волны на различных частотах в диапазоне от 30 до 240 МГц. Эффективное возбуждение волн удавалось осуществить только при затемнении электродов. Оптимальные электропроводности кристалла для усиления на указанных частотах составляли 10 —10 Ом -см"Ч Дрейф электронов осуществлялся достоянным электрическим полем. [c.243]

Величины aiJ — это элементы матрицы, которая представляет собой тензор электропроводности кристалла. Если известна группа преобразований симметрии, оставляющих кристалл инвариантным, то эта группа преобразований также должна оставлять тензор электропроводности инвариантным таким образом, мы получаем определенную информацию о свойствах тензора электропроводности. Для получения наиболее полной информации можно пользоваться всеми преобразованиями точечной группы. [c.22]

Электропроводность кристаллов Si при нормальной температуре примесная. Тип электропроводности и окраска кристаллов карбида кремния зависят от инородных примесей или определяются избытком атомов Si или С над стехиометрическим составом. Чистый карбид кремния стехиометрического состава бесцветен. Примеси элементов V группы (N, Р, As, Sb, Bi) и железа в карбиде дают зеленую окраску и электропроводность п-типа, элементы П (Са, Mg) и III групп (В, А , Ga, In) — голубую и фиолетовую окраску и электропроводность р-типа. Избыток Si приводит к электронной электропроводнос ти Si , а избыток С — к ддлрочной. [c.290]

Следствием структурной анизотропии — текстурированно-сти — является анизотропия макросвойств. Поэтому удобно сопоставить показатель текстуры материала и анизотропию его электросопротивления или электрической проводимости. Последнюю можно выразить через электропроводность кристаллов вдоль плоскости базиса (оа) и перпендикулярно к ней ((Тс) [229] [c.39]

Электропроводность. Изучение электропроводности кристаллов позволяет получить сведения о природе дефектов и их энергии активации. Электропроводность сег-нетоэлектриков характеризуется целым рядом особенностей, обусловленных наличием домен юй структуры и фазовых переходов. Для электрических измерений использовались образцы стехиомет-рического состава с х = 0,25, на торцевые поверхности которых были нанесены омические палладиевые контакты [31]. Серебряные электроды использовать не рекомендуется, так как наблюдается заметная диффузия серебра в кристалл. Измерения проводились в интервале температур 25 860 °С при скорости нагрева 150°С/час. Температура вблизи кристалла контролировалась платино-платинородиевой термопарой. Электропроводность была измерена на постоянном и переменном токе с частотой 100 Гц (рис. 4.9). В области 400 °С на кривой lga = /(l/D имеет место характерный излом, разделяющий два прямолинейных участка в области высоких температур имеет место собственная про ьодимость, при низких температурах преобладает при- [c.115]

Электропроводность кристаллов НБН измерялась при комнатной температуре до и после монодоменизации. Результаты, представленные в табл. 5.1, показывают, что [c.184]

Рис 5 9 Температурные зависимости электропроводности кристаллов НБН выращенных из расплавов следующих составов 1 — BajNaNbsOis, 2 — [c.185]

В некоторых нецентросимметричных кристаллах при изменении температуры наблюдается пироэлектрический эффект возникает электрическое напряжение, полярность которого изменяется в зависимости от того, нагревается кристалл или охлаждается Ei = qiAT, где дг — вектор пироэлектрического коэффициента (см. табл. 1.1). Пироэлектричество обусловлено спонтанной (самопроизвольной) поляризацией таких кристаллов (пироэлектриков). В равновесном состоянии при неизменной температуре электрическое поле, сопутствующее спонтанной поляризации, не проявляется, так как оно экранировано электрическими зарядами, лритекаю-щими к пироэлектрику из внешней среды или за счет электропроводности кристалла. Однако при изменении температуры изменяющаяся спонтанная поляризованность не успевает скомпенсировать-ся, вследствие чего и наблюдается пироэффект. [c.23]

Примеси и дефекты создают благоприятные условия для увеличения электропроводности кристаллов. В свою очередь благодаря электропроводности создаются условия (особенно в первлменных полях) для рассеивания энергии в диэлектрике (диэлектрические поляри). Но эти явления зачастую не связаны с процессами, имеющими прямое отношение к основным свойствам кристаллических диэлектриков, и мы их рассматривать не будем. [c.30]

При макроскопических измерениях спонтанной поляризации Реи кристалл сегнетоэлектрика, разбитый на домены, необходимо предварительно монодоменизировать. Однако пряхмые статические измерения спонтанной поляризации по величине связанного заряда монодоменизи-рованного кристалла осуществить трудно из-за отмечавшейся выше электропроводности кристалла и наличия свободных зарядов в окружающей атмосфере. Поэтому в сегнетоэлектриках (как зачастую и в линейных пироэлектриках) величину Реи определяют не непосредственно, а через измерения пьезоэффекта, пироэффекта, величины поляризации при быстрой переполяризации (переориентации доменов) кристалла и т. д. Наиболее широко используется метод петель диэлектрического гистерезиса. Эти петли по внешнему виду напоминают известные петли упругого и магнитного гистерезиса. [c.82]

Итак, изучение изменений электропроводности кристаллов КВг, КС1, Т102, ВаТЮз, ЗгТЮз, а также титаносодержащих, станнатных и цирконатных керамик позволяет судить о развитии процессов старения и регенерации свойств этих диэлектриков [c.41]

Для других исследованных кристаллов, а также для керамик труднее решить вопрос о природе возникающих при электрическом старении дефектов решетки и о связи между изменением электропроводности и концентрации этих дефектов при старении и регенерации. Эти вещества менее прозрачны, чем щелочно-галоидные кристаллы, поэтому оптические исследования природы возникающих дефектов или центров не были проведены, да и вообще в литературе сравнительно мало данных о механизме электропроводности кристаллов TiOg, BaTiOg, SrTiOg, содержащих дефекты решетки. Однако все же некоторые сведения о причинах изменения тока при старении и регенерации этих кристаллов могут быть получены. Рассмотрим данные, имеющиеся по этому вопросу для кристаллов рутила и рутиловой керамики. [c.134]

Щелочно-галоидные кристаллы прозрачны, имеют наиболее простую структуру и достаточно хорошо изучены. Это облегчает анализ механизма электрического старения, т. е. электролитического окрашивания кристаллов, происходящего в электрическом поле при повышенной температуре и сопровождающегося возрастанием электропроводности кристалла ( 1-5). Рядом исследователей установлено, что в процессе электрического старения облако окраски распространяется со стороны катода. Поэтому очевидно, что процессы на катоде играют значительную роль в развитии электролитического окрашивания щелочно-галоидных кристаллов, которое объясняют обычно распространением /"-центров в кристалле со стороны катода. Для объяснения электрического старения щелочно-галоидных кристаллов может быть использована третья из перечисленных выше ( 4-2) гипотез, учитывающая внедрение (ин-жекцию) носителей тока со стороны электродов. Рассмотрим эту гипотезу подробнее на примере щелочно-галоидных кристаллов. [c.159]

Тип электропроводности Si и окраска кристаллов зависят от содержания примесей или избытка (недостатка) атомов Si относительно стехиометрического состава. Примесь элементов V группы (см. табл. 1.1) и Fe-доноров, а также избыток Si приводят к проводимости п-типа и зеленой окраске примесь элементов III группы, а также недостаток Si - к проводимости р-типа и голубой или фиолетовой (в толстых слоях - черной) окраске. Чистые, почти стехиометрические кристаллы карбида кремния прозрачны. Электропроводность кристаллов Si п-типа разных политипов при Т - 300 К колеблется в широких пределах вследствие различий в структуре зоны проводимости. Из-за качественной одинаковости валентной зоны политипы Si р-типа характеризуются сходными электрическими свойствами, в них отсутствует анизотропия электропроводности, характерная для политипов п-типа. По совокупности электронных свойств наиболее перспективна политипная модификация АН большая ширина запрещенной зоны, наименьшая эффективная масса электрона, наименьшая энергия ионизации доноров и акцепторов, одна из самых высоких подвижностей электронов. [c.653]

Как видно из графиков, при неизменной частоте ю имеется область значений электропроводности кристалла (юс) в которой взаимодействие рзлеевской волны с электронами максимально коэффициент затухания волны и быстрота изменения фазовой скорости максимальны. [c.214]

Зависимость коэффициента усиления и фазовой скорости рэлеевской волны от дрейфового поля и параметров кристалла (кривые усиления). На рис. 3.15, а, б изображены кривые усиления рэлеевской волны в кристалле GaAs, рассчитанные на основе дисперсионного уравнения (3.114). Подвижность электронов [х считалась равной 4000 В 1-см -с Т = 300 К, фактор ловушек / был принят равным единице. При этом связь и о (в кВ) давалась следующим простым соотношением = 1—14 Е -Кривые рассчитаны для двух случаев сод = оо (рис.3.15, а) и сод = со (рис. 3.15, б). В каждом из случаев рассчитан ряд кривых, соответствующих разным значениям отношения сос/о) электропроводности кристалла к частоте. Для сравнения на рис. 3.16, а, б приведены кри- [c.229]

Основной целью экспериментов по исследованию усиления рэлеевских волн было получение зависимости коэффициента усиления (затухания) волн от дрейфового поля при различных значениях электропроводности а кристалла. Усиление и затухание, как обычно, определялось по отношению к уровню темпового сигнала. Темповые сигналы соответствовали малым значениям а, при которых влияние электронов на ультразвуковые волны в dS было пренебрежимо мало и можно было считать коэффициент у равным нулю (в области От амплитуды волн переставали зависеть от электропроводности кристалла). Для выяснения особенностей взаимодействия рэлеевских лолн с электронами параллельно исследовалось усиление (затухание) поперечных волн в тех же кристаллах. [c.233]

В образце 1 уровень шума при усилении рэлеев-Ьких волп меньше, чем при усилении поперечных волн. В образце 2 уровни шумов при усилении рэлеевских и поперечных волн, хотя и почти одинаковы, но вследствие большего значения коэффициента усиления рэлеевских волн соотношение сигнал—шум при усилении рэлеевских волн по-прежнему существенно лучше, чем при усилении поперечных волн. Благодаря этим обстоятельствам шумы не оказывают столь существенного влияния на усиление импульса рэлеевских волн, как на усиление импульса поперечных волн. Для поперечных волн при некоторых значениях электропроводности кристалла и дрейфового поля Ед наблюдается очень сильное взаимодействие сигнала с шумом. Это приводит к наличию у кривых усиления сигнала (см. рис. 3.18, б и 3.19,6) участков, где при увеличении напряженности электрического поля в кристалле усиление временно перестает расти и даже уменьшается (наиболее ярко это выражено у кривой 6 на рис. 3.18, б). Связь указанной особенности кривых усиления поперечных волн с взаимодействием сигнала и шума была впервые установлена авторами работы [193]. [c.242]

Кроме того, поверхностная локализация волн доказывалась еще с помощью светового зондирования. Пучок света, параллельный оси цилиндра, направлялся на торец кристалла и освещал площадку сектора, заключенную между двумя дуГЬМи (заштрихованная область на рис. 3.28). Освещенная область перемещалась вдоль радиуса так, что ее внутренний край находился на разном расстоянии й от поверхности цилиндра, а ширина /г и площадь оставались постоянными. Электропроводность кристалла в освещенной области увеличивалась, и вследствие электронного поглощения амплитуды импульсов, распространяющихся в нем, уменьшались. На рис. 3.31 представлены зависимости амплитуд девяти последовательных импульсов (кроме шестого), наблюдаемых на экране осциллоскопа, от глубины зондирования с1. [c.266]

Для окиси цинка без дефектов решетки характерна зонная структура изолятора [29]. 2 - и 2р-орбитали кислородных ионов О - образуют полностью занятую валентную зону, а 45-уровии ионов 2п + создают пустую зону проводимости. Запрещенная полоса шире чем 10 эВ. Если имеются избыточные, внедренные атомы цинка в решетке или если некоторые ионы цинка в регулярных местах решетки заменены примесными ионами более высокой валентности (такими, как ионы алюминия АР+), то примесные уровни появляются много ниже зоны проводимости. В первом случае они возникают из 45-уровней внедрённых атомов цинка, а во втором — из уровней валентных электронов ионов примеси. Электроны с примесных уровней термически переходят в зону проводимости, что приводит к появлению электропроводности кристалла. Если эти примеси присутствуют в самом наружном слое, они могут создать состояния Тамма. [c.26]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...