Интегральная микросхема

Компоновка проектируемых изделий на каждом иерархическом уровне осуществляется с помощью соответствующего набора модулей. Так, для построения электронных устройств ЕС ЭВМ используется пять модульных уровней 1) интегральная микросхема 2) ТЭЗ — типовой элемент замены, содержащий до 72 микросхем 3) панель, включающая до 40 ТЭЗ 4) рама, которая может содержать до шести панелей 5) стойка, объединяющая две или три рамы. [c.15]

Следовательно, САПР ТЭЗ современных ЕС ЭВМ относится к САПР простых объектов, а САПР многопроцессорных вычислительных систем на сверхбольших интегральных микросхемах — к САПР очень сложных объектов. [c.44]

На электрической принципиальной схеме интегральной микросхемы (рис. 24.8) элементы в перечень не записывают их расчетные номиналы и другие данные проставляют около У ГО элементов или на поле схемы. Кроме этого, должны быть [c.496]

Интегральная микросхема - это микроэлектронное изделие, выполняющее определенные функции преобразования и обработки сигнала или накапливания информации, например суммирование, имеющее высокую плотность упаковки (существуют приборы размером до 1 см ) электрически соединенных элементов. С точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации, интегральная схема рассматривается как единое целое. [c.538]

По конструктивно-технологическому исполнению интегральные микросхемы подразделяются на гибридные и полупроводниковые. [c.538]

Полупроводниковая интегральная микросхема [c.539]

Полупроводниковая интегральная микросхема 541 [c.541]

Полупроводниковая интегральная микросхема 559 [c.559]

После изготовления кристалла интегральной микросхемы нужно провести операции сборки и герметизации. Это означает, что кристалл необходимо поместить в корпус с выводами. Корпус должен быть достаточно прочным, герметичным, обеспечивать теплообмен с окружающей средой и защищать интегральную микросхему от воздействия света или другого внешнего излучения. [c.584]

Тугоплавкие металлы имеют достаточно высокое р и сравнительно небольшой ТКр, Эти металлы и их сплавы применяются для изготовления нагревательных элементов, работающих в вакууме или в инертной среде, термопары для измерения высоких температур. Тонкие плёнки (десятки -сотни нанометров) тугоплавких материалов, нанесённые на диэлектрические подложки, используются в качестве резисторов в интегральных микросхемах. [c.28]

Полупроводниковая ЯС — интегральная микросхема, все элементы и меж-элементные соединения которой выполнены в объеме и на поверхности полупроводника. [c.82]

Пленочная ИС — интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в виде пленок. Частными случаями пленочных интегральных микросхем являются тонкопленочные и толстопленочные ИС. [c.82]

Гибридная ЯС — интегральная микросхема, содержащая, кроме элементов, компоненты и (или) кристаллы. Частным случаем гибридной ИС является многокристальная ИС. [c.82]

Аналоговая ИС — интегральная микросхема, предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции. Частным случаем аналоговой ИС является микросхема с линейной характеристикой (линейная микросхема). [c.82]

Цифровая ИС — интегральная микросхема, предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции. Частным случаем цифровой ИС является логическая. [c.82]

Корпус ИС — часть конструкции интегральной микросхемы, предназначенная для защиты ИС от внешних воздействий и для соединения с внешними электрическими цепями посредством выводов. [c.82]

Бескорпусная ИС — интегральная микросхема, не защищенная корпусом и предназначенная для использования в гибридных ИС, микросборках, герметизируемых блоках и аппаратуре. [c.82]

Микропроцессорная ИС — интегральная микросхема, выполняющая функцию микропроцессора или его части. [c.83]

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ [c.92]

Характеристики материалов для контактных площадок и пленочных проводников в гибридных интегральных микросхемах [c.449]

Почти все химические соединения (табл. 34), обладающие высокой прочностью связи, особенно окислы кремния, тугоплавких металлов, алюминия, щелочных, редкоземельных металлов, являются диэлектриками, пригодными для использования в интегральных микросхемах. Получение пленок термодинамически стабильных соединений возможно с помощью различных методов вакуумного осаждения и при различных маршрутах химических реакций. [c.454]

Основные блоки УЛУ II уровня выполнены на интегральных микросхемах при вводе информации обеспечивается гальваническое разделение цепей УЛУ и цепей источников информации и управления. [c.484]

Рио. 11. Топограмма фрагмента интегральной микросхемы из монокристалла Si, [c.356]

Часть интегральной микросхемы, реализующая функцию какого-либо электрорадиоэлемента, которая выполнена нераздельно от кристалла или подложки и не может быть выделена как самостоятельное изделие, называют элементом интегральной микросхемы (резисторы, конденсаторы, диоды и др.). [c.538]

Гибридные интегральные микросхемы (ГИМС) - микросхемы, представляющие собой подложку, на которую напыляют резисторы и проводники в виде пленки, получая таким образом плату. Конденсаторы и другие приборы, изготовленные отдельно, прикрепляют к подложке и присоединяют к предусмотренным на ней контактным площадкам. [c.538]

Полупроводниковые интегральные микросхемы (ПИМС) формируются из элементов (резисторов, конденсаторов, диодов, транзисторов и др.) внутри подложки. Подложка изготавливается из полупроводниковых материалов, обычно кремния или германия, и межэлементных соединений (проводников) на поверхности подложки. Размеры ПИМС порядка 1-5 мм . [c.538]

Полупроводниковая интегральная микросхема Понятие о конструкции ПИМС [c.538]

Микроэлектроиика занимается разработкой интегральных микросхем и принципов их применения. Интегральной микросхемой называют совокупность большого числа впаимосвязан-пых компонентов — TfiaHun To-ров, диодов, резисторов, конденсаторов, соединительных проводов, изготовленных в едином технологическом процессе. [c.162]

Интегральная микросхема (ИС) — микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала и имеющее высокую плотность упаковки элек ическн соединенных элементов (или элементов в [c.81]

Элемент ЯС —часть интегральной микросхемы, реализующая функцию ка-кого-либо электрорадиоэлемеита, которая выполнена нераздельно от кристалла или подложки и не может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации. Под электрорадиоэлементом понимают транзистор, диод, резистор, конденсатор и др. [c.82]

Компонент И С — часть интегральной микросхемы, реализующая функции какого-либо электрорадиоэлемента, которая может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации. [c.82]

Большая ИС (БИС) — интегральная микросхема, содержащая 500 и более элементов, изготовленных по биполярной технологии, и 1000 и более элементов, изготовленных по МДП-техиологии. [c.83]

Разнообразие технологических процессов, требующих визуального контроля и распознавания, привело к созданию большого числа адаптивных РТК, отличающихся компоновкой, типом применяемых видеодатчиков, методами и средствами распознавания. В качестве методов автоматического распознавания используются логические, логико-вероятностные, инвариантные и дискриминантные (перцетронные) алгоритмы и решающие правила [4, 9, 44, 99, 108, 119, 1331. Эти методы реализуются либо программно на мини-ЭВМ или микропроцессорах, либо аппаратно на интегральных микросхемах. [c.265]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...