Образование случайных кристаллов

Образование случайных кристаллов [c.206]

Если в расплаве имеются гетерогенные зародыши, которые могут вызывать образование твердой фазы при переохлаждении 8Тс, тогда везде, где в расплаве концентрационное переохлаждение превышает бГс, будут образовываться в большом количестве случайные кристаллы. Таким образом, условие образования случайных кристаллов может быть выражено аналогично условию возникновения ячеистой структуры поверхности раздела [c.207]

В данном разделе нас будут интересовать главным образом отклонения решетки от физической однородности, и, следовательно, мы будем иметь дело в основном с образованием физических дефектов в кристалле во время роста. Будут рассмотрены следующие четыре типа дефектов 1) неоднородности по химическому составу 2) дислокации 3) пустоты 4) случайные кристаллы. [c.194]

Дислокации представляют собой дефекты кристаллического строения, вызывающие нарушения правильного расположения атомов на расстояниях, значительно больших, чем постоянная решетки. Они возникают случайно при росте кристалла и термодинамически неравновесны. Причинами образования дислокаций могут быть также конденсация вакансий, скопление примесей, действие высоких напряжений. Процесс преобразования скоплений точечных дефектов в линейные идет с уменьшением свободной энергии кристалла. [c.470]

А. П. Семенов предложил теорию схватывания металлов, т. е-образования металлических связей, в результате совместного пластического деформирования, приводящего к объединению кристаллических решеток. Для схватывания реальных металлов необходимо преодоление некоторого энергетического порога или барьера (энергии активации), величина которого зависит от степени рассогласования кристаллических решеток и гибкости связей в кристаллах данных металлов. При сдавливании двух чистых поверхностей поликристаллического металла могут образоваться лишь отдельные металлические связи или мельчайшие участки соединения благодаря случайному совпадению направлений кристаллических [c.4]

Как указывается в работе [17], имеется высокая вероятность образования плоских зародышей растворения твердого тела (моно-атомных углублений) на тех участках поверхности, на которых плотность энергии решетки и химический потенциал больше такими местами прежде всего являются окрестности выхода краевых дислокаций. Поскольку на грани совершенного кристалла образование зародышей растворения носит случайный характер и требует относительно больших затрат энергии, то, если скорость [c.28]

Как указывается в работе [19], имеется высокая вероятность образования плоских зародышей растворения твердого тела (моно-атомных углублений) на тех участках поверхности, на которых плотность энергии решетки и химический потенциал больше такими местами прежде всего являются окрестности выхода краевых дислокаций. Поскольку на грани совершенного кристалла образование зародышей растворения носит случайный характер и требует относительно больших затрат энергии, то, если скорость такого растворения невелика, на грани реального кристалла, растворяющегося с заметной скоростью, образование зародышей должно происходить в местах пересечения дислокаций с поверхностью кристалла, т. е. в очагах локального плавления, где АР = = ст и указанные выше условия проявления механохимического эффекта могут выполняться (по крайней мере, для участков металла в состоянии медленного растворения в не слишком агрессивных электролитах). [c.26]

Для зарождения кристаллика цементита необходимо, чтобы при хаотическом тепловом движении атомов углерода случайно в небольшом объеме содержание их повысилось от среднего (0,8%) до 6,67%, а расположение оказалось близким к расположению углерода в цементите. Причем размер этого образовавшегося зародыша должен быть достаточно большим. Только в случае, если зародыш окажется больше определенного объема, называемого критическим, образовавшийся кристаллик цементита будет расти. Кристаллики размером меньше критического самопроизвольно распадаются. Чем меньше степень переохлаждения, тем большим должен быть размер устойчивого зародыша кристалла цементита. При малых степенях переохлаждения вероятность образования устойчивого зародыша относительно невелика. Таких зародышей появляется мало в единицу времени в единице объема. С увеличением степени переохлаждения размер устойчивого зародыша уменьшается и число центров [c.127]

Типичная структура слитка сплавов состоит из трех зон (см. рис. 3.7, а). Жидкий металл прежде всего переохлаждается в местах соприкосновения с холодными стенками формы. Большая степень переохлаждения способствует образованию на поверхности слитка зоны 1 мелких равноосных кристаллов. Отсутствие направленного роста кристаллов этой зоны объясняется их случайной ориентацией, которая является причиной столкновения кристаллов и прекращения их роста. Ориентация кристаллов, в свою очередь, зависит от состояния поверхности формы (шероховатость, адсорбированные газы, влага) и наличия в жидком металле оксидов, неметаллических включений. Эта зона очень тонка и не всегда различима невооруженным глазом. Затем происходит преимущественный рост кристаллов, наиболее благоприятно ориентированных по отношению к теплоотводу. Так образуется зона 2 столбчатых кристаллов. [c.75]

Жданов [ 656] подчеркнул, что односторонний подход, рассматривающий плавление тела как однофазный процесс разрушения идеальной или дефектной решетки, неправомерен, поскольку он игнорирует вторую фазу — расплав. Между тем с точки зрения кластерной модели само понятие фазы приобретает условный характер. Кластеры кристалла продолжают существовать в первоначальном или трансформированном виде в расплаве, по-видимому, до критической температуры, при которой теряется различие между жидкостью и паром, а молекулярные группировки находятся в равновесии с мономером (критическая опалесценция). При этом процесс плавления представляет собой не что иное, как кооперативное изменение характера движения кластеров — от колебательного к случайному броуновскому. Такой кооперативный процесс, очевидно, наиболее легко начинается на поверхности тела, где имеются большие возможности для образования одиночных и групповых вакансий [667] по границам кластеров, а последние менее связаны друг с другом, чем в глубине кристалла. [c.224]

Наличие ярко выраженной пластичности, которая наблюдается при деформации щелочных галогенидов под водой, называется эффектом Иоффе. В присутствии воды или других растворителей происходит растворение близких к поверхности участков кристалла. Поэтому случайно возникающие при деформации микротрещины тотчас же залечиваются. Благодаря этому образование разрывов практически подавляется и достигаются значения прочности, которые очень близки к теоретическим значениям. [c.393]

Нетрудно видеть, что образование каналов нормально к по верхности металла может привести к логарифмическому росту и в том случае, если они окажутся закрытыми по той или иной случайной причине, например вследствие сваривания под действием остаточных сжимающих напряжений или роста новых кристаллов поперек пор. В этом случае сохранятся в силе те же самые доказательства, которые были приведены выще применительно к случаю образования пузырей. [c.146]

Третья, зона слитка — зона равноосных кристаллов 3. В центре слитка ужё "не замечается определенной направленности отдачи тепла, температура застывающего металла успевает почти совершенно уравниваться в различных точках и жидкость обращается как бы в кашеобразное состояние вследствие образования в различных ее точках зачатков кристаллов. Далее зачатки разрастаются осями — ветвями по различным направлениям, встречаясь друг с другом В результате этого процесса образуется равноосная структура. Зародышами кристалла здесь являются обычно различные мельчайшие включения в жидкой стали, случайно в нее попавшие или не растворившиеся в жидком металле тугоплавкие составляющие. [c.32]

Таким образом, кристаллизация складывается из двух этапов образования центров кристаллизации и роста кристаллов. У каждого из растущих кристаллов кристаллографические плоскости ориентированы случайно, кроме того, при первичной кристаллизации кристаллы могут поворачиваться, так как они окружены жидкой фазой. Смежные кристаллы растут навстречу друг другу и точки их соприкосновения определяют границы кристаллитов [c.22]

Третья — срединная зона, или центральная область, слитка. Она состоит из кристаллов, ориентированных в разных направлениях. В этой зоне центры кристаллизации возникают не только на границе с затвердевшим металло.м, но и внутри — вокруг различных неметаллических включении в жидкой стали, случайно в нее попавших или не успевших раствориться тугоплавких состав-ЛЯЮШ.ИХ, что и способствует образованию кристаллов, ориентированны. с в разных направлениях. [c.37]

В простой, модели, использованной выше, первый возбуждённый уровень шестикратно вырожден, если пренебречь спином, так как каждый ион хлора имеет шесть равноудаленных соседних ионов щелочного металла. Такое вырождение является частично случайным, поскольку эти шесть функций не обязаны обладать соответствующей симметрией, для того чтобы иметь ту же самую энергию в кубическом кристалле. Таким образом, вырожденные уровни будут расщепляться, если принять во внимание взаимодействие между атомами. В первом приближении новые функции будут линейными комбинациями шести функций ф,, которые соответствуют разделённым щелочным ионам. Электронное распределение новых функций должно простираться на все шесть соседних ионов. Наинизшее состояние, очевидно, выражается симметричной функцией, образованной суммированием всех шести ф, и аналогичной атомной -функции. Выше этого уровня имеется трижды вырожденная серия уровней, аналогичная трём атомным р-функ-циям, и дважды вырожденный уровень, не имеющий атомной аналогии. Две из четырёх возможностей для двухмерного случая изображены на рис. 186. [c.436]

Не имеется никаких экспериментальных свидетельств того, что собственная ширина запрещенной зоны уменьшается из-за каких-либо случайных эффектов, связанных с процессом сплавления. Например, кристаллы кремния и германия образуют твердые растворы в пределах всей области изменения состава, причем энергии, соответствующие границам зон в сплавах, изменяются с составом непрерывно (рис. 19.16). Надо полагать, одиако, что функция плотности состояний на границах зон при образовании сплава несколько размазывается . [c.674]

Самый чистый пример плотной системы с беспорядком газового типа дают нам примеси замещения (например, фосфор) в ковалентном полупроводнике типа кремния [43, 126]. Если нет заметной химической тенденции к сегрегации примесей или к образованию кластеров при кристаллизации образца (подобное предположение справедливо отнюдь не всегда ), то примеси будут случайно распределяться по узлам решетки, как в любом сильно разбавленном сплаве ( 1.2). Для электронов проводимости, однако, роль размера примесного атома играет эффективный боровский радиус ан, отвечающий низшему примесному уровню. Этот радиус может в 10 или 100 раз превышать постоянную решетки исходного кристалла. Соответственно концентрацию примесей в 10" —10 ат.% следует считать очень большой , так как здесь оказывается несправедливым предположение о независимости электронных процессов, протекающих на отдельных примесях (рис. 2.55). Такая система будет подробно рассмотрена в гл. 13. [c.129]

Рассмотрим сначала чистый металл. Поверхности раздела твердое тело—жидкость соответствует некоторая, иногда очень небольшая, степень переохлаждения. Это переохлаждение является существенным для протекания затвердевания оно уменьшается и, в конце концов, внутри жидкой фазы становится равным нулю. Макроскопическая форма поверхности раздела является обязательно плоской или, по крайней мере, гладкой, так как любая случайная выпуклость на твердом теле проникла бы в более горячую зону и ее рост тем самым замедлился бы. Однако в микроскопическом масштабе рост кристалла может протекать путем образования ступенек или наложения слоев, которые дают полосчатость микронных масштабов. И наконец, в атомном масштабе могут ускорить рост дефекты решетки путем добавления новых кристаллических слоев. [c.56]

Появление дендритных образований обусловлено, с одной стороны, наличием температурного градиента на поверхности затвердевания, а с другой стороны, — наличием жидкой пленки, обогащенной растворенными элементами, вытесненными кристаллами. Если тепло отводится через переохлажденную жидкость, даже когда степень переохлаждения очень мала, каждый случайный выступ, который появится на поверхности кристалла, оказывается в зоне пониженной температуры и таким образом приобретает склонность к росту. Это обычно происходит в осевой зоне слитка. Если же тепло отводится через твердый металл (положительный температурный градиент на поверхности затвердевания), каждый твердый выступ, который проникает в лежащую перед кристаллом область структурного переохлаждения, имеет тенденцию к росту с образованием дендритных осей [30]. [c.15]

Использовать тигли специальной формы, сделанные из несмачи-ваемого расплавом материала с коэффициентом термического расширения близким к коэффициенту термического расширения кристалла. Это позволит уменьшить вероятность образования случайных зародышей на стенках тигля. [c.241]

Дислокации могут возникать во время кристаллизации из-за ра.эных случайностей роста кристаллов. Эти случайности приводят к образованию мозаичной структуры — кристалл состоит из взаимно разориентированных субзерен (блоков). Одна из возможных причин образования субзерен — изгиб очень нежных ветвей денд-ритов из-за конвекционных токов, градиента температур и действия других факторов. Когда слегка разориентированные ветви дендри-тов срастаются, на границе между ними возникают дислокации. Поверхность срастания представляет собой стенку из краевых дислокаций. [c.104]

Разрушение и образование шейки разрушения — наименее изученные явления при деформации монокристаллов. Однако прямая зависимости gxp от Ig Г/Гпл (см. рис. 118,6) для меди, золота, свинца и других г. ц. к. кристаллов имеет тангенс угла наклона, пропорциональный величине AI(Gb ), где /l= onst=2,7- 2,8. Связь Тр с Л приводит к мысли, что при образовании шейки разрушения и при поперечном скольжении на стадии III протекают схожие процессы, т. е. напряжение разрушения Тр, которое хорошо воспроизводится от эксперимента к эксперименту, характеризует состояние всего кристалла, а не развитие шейки разрушения, происходящее более или менее случайно. Эту мысль подтверждает тот факт, что если оставшийся кусок разрушенного кристалла заново деформировать, то шейка разрушения в ка-ком-то произвольном месте возникает вновь при этом же (т. е. первоначальном) напряжении. [c.197]

Слабая Т. J)T. волновых полей, когда из-за сильной дисперсии волновые пакеты перекрываются на. малое время и взаимодействие между волнами оказывается достаточно слабым—справедливо приближение (гипотеза) случайных фаз волн. Пример слабой Т. (в таком понимании)—волнение на поверхности моря без образования барашков. 2) Движение среды (или поля), соответствующее хаосу динамическому. При этом размерность фазового пространства динамической системы, описывающей Т. (или число независимых возбуждённых мод колебаний), прибл. glO. В простейшем случае — это низкоразмерный временной хаос (примером является Лоренца систсма). В более общем случае — низкоразмерный пространственно-временной хаос (пример—динамика дефектов в жидких кристаллах). [c.178]

В работе [199] в одномодовом приближении определены критические условия возникновения ячеистой структуры в модельной системе случайно размещенных винтовых дислокаций. Ячеистая структура рассматривается как диссипативная, возникающая вследствие сильной нелинейности в соотношении между истинным напряжением S, действующим на дислокацию, и ее скоростью ) = >o(S/G)", где п, "Do — константы материала. Теоретически показано, что рост средней плотности дислокаций в кристалле приводит к монотонному увеличению волнового числа субструктуры. Получены оценки минимальной плотности дислокаций, необходимой для образования ячеистой структуры. Так, для поликристаллической меди при 20°С соответстйующая минимальная плотность дислокаций составляет (1,1 1,2) 10 см 2 (экспериментальное значение 1,2 10 смг- ). [c.111]

Как следует из рис. 5.13, при случайной ориентировке монокристалла при постоянной и большой длине волны (т. е. при малом радиусе кривизны Сф. О) для большого и совершенного кристалла (когда узлы ОР—точки) мала вероягрость образования значительного числа рефлексов на рентгенограмме (или попадания узлов ОР на поверхность Сф.О). Чтобы получить достаточно информативную рентгенограмму, используются следующие методы [c.113]

Кроме значений r i, (То 2 при выборе марки стали учитывают ударную вязкость, сопротивление износу, прокаливаемость. Высокая циклическая прочность стали достигается в том случае, если она оказывает высокое сопротивление зарождению трещин усталости и их развитию. Механизм зарождения усталостной треш ины связан с развитием и накоплением в поверхностном слое микропластической деформации. Он основан на движении дислокаций, возможность перемещения которых при напряжениях ниже предела текучести обусловлена анизотропией кристаллов и их случайной ориентацией. В отдельных кристаллах при небольших средних напряжениях могут возникать напряжения, достаточные для. перемещения слабозакрепленных дислокаций. Кроме того, для тонких поверхностных слоев (в 1 - 2 зерна) характерно низкое напряжение работы источников дислокаций Франка — Рида. По этим причинам в мягких (отожженных) металлах уже на ранней стадии нагружения (1 - 5 % от общего числа циклов до разрушения) наблюдаются ранняя микропласти-ческая деформация и повреждение тонких поверхностных слоев. Микро-пластическая деформация проявляется в образовании на поверхности линий сдвига (скольжения), плотность которых растет с увеличением числа [c.273]

Необратимые процессы при переменном деформировании проявляются в поглощении энергии, характеризуемом петлей упруго-пластического гистерезиса, выделении тепла и накоплении локальных напряжений остаточных. Образование сдвигов при циклич. деформировании монокристаллов возникает на весьма ранних стадиях, составляющих по числу циклов несколько процентов по сравнению с тем, к-рое необходимо для возникновения микроскопич. трещин. В поликристаллах неравномерность необратимых процессов при циклич. деформировании усугубляется микронеоднородной напряженностью конгломерата вследствие случайной ориентировки отдельных кристаллов, дефектами их структур, искажениями у границ и др. несовершенствами. Начальные стадии сдвиговых явлений возникают в отделг,-ных наиболее напряженных и ослабленных дефектами кристаллах. При дальнейшем деформировании сдвиговые процессы распространяются на все большие объемы кристаллич. конгломерата. В настоящее время нет ещо общепринятой теории усталостного разрушения. Согласно одной пз распространспных теорий при определеи-ном уровне циклической напряженности накопление сдвигов приводит к зональному исчерпанию способности металла к дальнейшему деформированию, к его предельному наклепу и возникновению микроскопических разрушений в форме трещин, образующихся в местах высокой плотности сдвиговых явлений. Наклеп, распространяющийся па часть напрягаемых объемов конгломерата, проявляется в увеличении сопротивления металла пластич. дефор- [c.382]

В соответствии с др. теориями, физич. природа процесса усталости отлична от природы статич. наклепа. Образование микроскопич. трещин при циклич. нагрузках рассматривается в этом случае как процесс постепенного ослабления межатомных связей и развития необратимых повреждений в определенных участках структуры (напр., на границах мозаичных блоков). Модель неоднородного упруго-пластич. деформирования конгломерата случайно ориентированных кристаллов послужила основой для теорий усталостного процесса как в детерминированной, так и в вероятностной трактовке. При напряжениях, не превосходящих предела текучести металла, усталостные процессы связаны лишь с явлениями местной пластич. деформации, не проявляющейся макроскопически, и рассматриваются как квази-упругие. Числа циклов, необходимые для усталостного разрушения при таких уровнях напряженности, измеряются сотнями тыс. и млн. При напряжениях, превосходящих предел текучести, явления усталости сопровождаются макросконическими пластич. деформациями и рассматриваются как упруго-пластические. Число циклов, необходимое для разрушения в этой области, измеряется сотнями и тысячами. В зависимости от условий протекания процесс У. может также сопровождаться фазовыми превращениями в металлах. Так, при новы-шенных темп-рах происходит выделение и перераспределение упрочняющих фаз при переменном нагружении, что иногда приводит к ускоренному ослаблению границ зерен, и при длительной работе трещины усталостного разрушения возникают в этом случае на границах зерен. Физико-химич. превращения в структуре наблюдались также и при комнатной темп-ре при циклич. напряжениях выше предела У. Стадия усталостного разрушения, связанная с развитием трещины, возникает на разных этапах действия переменных напряжений. При большой структурной неоднородности, свойственной, например, чугунам, в местах включений графита система микротрещин возникает задолго до развития магистральной трещины, приводящей к окончательному усталостному разрушению. Для структурно более- однородных металлов, напр, конструкционных сталей, образованию отдельных микро-, а потом макротрещин предшествуют длительно накапливающиеся изменения, и трещины возникают на относительно поздних стадиях, развиваясь с нарастающей скоростью. [c.383]

Наличие потенциального барьера, представляющего работу образования зародыша, предопределяет склонность системы к переохлаждению. Процесс кристаллизации в таком случае 1ЙОЖНО вызвать путем введения кристаллической затравки, т. е. небольшого кристалла того же самого вещества, ориентирован-лого определенным образом для того, чтобы вырастить кристалл нужной ориентации. Случайные примеси и неоднородности стенок кристаллизатора способствуют началу кристаллизации и могут помешать заданному режиму роста. [c.97]

Заметив, что полоса 465 та близка к полосе селективного фотоэффекта калия, Н. Г. ГТолитов полагает, что указанные центры обусловлены коллоидными частицами щелочного металла, образование которых облегчается при введении в кристалл примесных ионов тяжелых металлов. Однако известно, что полоса поглощения каллоидных частиц калия в чистых кристаллах КС1 расположена в более длинноволновой области по сравнению с F-полосой и для мельчайших частиц имеет максимум около 700 та [236]. Совпадение же максимума селективного фотоэффекта с максимумом полосы 465 mu, следует считать случайным, так как известно, что в случае коллоидных частиц в щелочно-галоидных кристаллах кривая фототока не находится ни в каком соответствии с кривой поглощения. [c.177]

Во всяком случае, указанные факты показывают, что после превышения некоторой предельной длины (порядка 200 А) отдельные части одной и той же молекулы при образовании кристалла из раствора ведут себя как разные цепи. Поскольку при случайных перегибах данной молекулы ее соседние участки оказываются в непосредственной близости друг к другу, они могут удобно упаковаться и образовать сначала двухцепной, а далее трехценной зародыш или ленту. При этом некоторый проигрыш внутренней энергии молекулы за счет излома компенсируется выигрышем ван-дер-ваальсовской энергии совместной упаковки. [c.86]

В другом предельном случае корреляция атомных положений не выходит за пределы расстояний, необходимых для образования заметной рассеянной амплитуды. Относительные фазы волн, рассеянных строго скоррелированными группами атомов, будут изменяться случайным образом при переходе от одной группы атомов в кристалле к другой. Тогда интенсивности многократного рассеяния складываются некогерентно. Этот случай был отнесен к многократному упругому рассеянию . Очевидно, что на практике может осуществляться некоторый промежуточный случай или комбинация промежуточных положений, так что точное описание рассеяния может оказаться очень сложным. [c.100]

Наблюдать указанные дифракционные эффекты, используя рентгеновские лучи, довольно трудно, поскольку объемы образцов, подвергающиеся воздействию одной дислокации, слишком малы, чтобы вызвать измеримые интенсивности. В большинстве материа лов, содержащих большое число дислокаций, их ориентации могут оказаться более или менее случайными или же в результате сегрегации образуются дислокационные сетки. Эти последние формируют границы зерен с малоугловым рассеянием. В результате мы переходим к дифракции от мозаичного кристалла или от кристалла с внутренними деформациями. В каждом случае влияние этих эффектов на интенсивности можно оценить статистически (гл. 16). Недавно было обнаружено, что в некоторых материалах параллельное расположение дислокаций может обладать достаточной регулярностью, чтобы привести к образованию сверхструктуры. Сасс и его сотрудники предложили использовать измерение интенсивностей сверхструктурных отражений как основу "для структурного анализа, результатом которого было бы определение точного расположения атомов вокруг дислокаций. [c.405]

Дислокационная структура, возникающая в кристаллах вследствие различных способов их обработки, например, в процессе пластической деформации, термообработки, облучения и прочих воздействиях, зависит от энергетических факторов, связанных с упругими взаимодействиями дислокаций п кинетических факторов, которые определяются механизмами возникновения и движения дислокаций. При этом наблюдаются различные конфигурации дислокаций, сложные переплетения, клубки и ансамбли дислокаций. В большинстве случаев различаются устойчивые отдельные конфигурации и образования, составленные из определенным образом сочетающихся элементов дислокаций, Такие устойчивые дислокационные конфигурации, которые в дальнейшем будем называть дислокационными структурами, могут быть расположены в объеме кристалла в определенном порядке или случайным образом. Примером таких дислокационных структур могут служить прямолинейные участки дислокационных линий, длина которых порядка размера кристалла дислокационные петли разных типов (призматические или скользящие) и разной формы дислокацион- [c.243]

Груц показывает, что получение мелкокристаллических осадков из цианистой ванны лучше всего объясняется явле ем- -адсорбции на растущих участках кристаллитов, способствующем прекращению их роста с образованием, таким образом, гладкого осадка. Подобно этому некоторые коллоиды адсорбируются на поверхности кристалла и хфотиводействуют силам кристаллографического характера, позволяя, однако, оса- ждаться металлу в другом направлении. Таким образом добавка небольшого количества коллоидов способствует уменьшению величины кристаллов и делает осадок более гладким, блестящим и часто более твердым. Слишком большое количество коллоида делает осадок хрупким и некрасивым, но в то время как добавка подходящего коллоида или другого органического вещества может в значительной степени улучшить покрытие, случайное присутствие некоторых нежелательных коллоидов может дать обратный эффект. Жаке находит, что некоторые коллоиды — протеины и пептоны — немедленно оказывают действие на осадок, обнаруживаемое через несколько секунд после их введения очевидно, они самопроизвольно адсорбируются на поверхности. Другие, как гуммиарабик и декстрин, проявляют свое действие более медленно и более слабо, вероятно, потому, что они переносятся к катоду при помощи катафореза. Жаке нашел, что присутствие коллоидов в электролите может иногда уменьшать сцепление осадка с основным металлом, несомненно, за счет образования пленки на последнем он нашел, что первый класс коллоидов (например пептоны) очень активен в этом отношении, а второй класс (смолы и декстрин) почти не действует. [c.669]

Фактически есть не поддающиеся алгебраическому описанию веские причины геометрической и механической природы, которые заставляют отвергнуть паракристаллическую гипотезу как модель структуры с простой тетраэдрической сеткой связей. Если область топологически упорядочена, то ее структура должна быть очень близкой к идеальной кристаллической жесткость связей в тетраэдре не позволяет слишком сильно изменяться ни длинам связей, ни углам между ними. Но если каждый кристаллит внутренне хорошо упорядочен, то области между ними должны быть сильно разупорядочены, чтобы зерна могли сопрягаться друг с другом без образования излишне больших напряжений и структурных дефектов. Для решетки связей с малым координационным числом это практически невозможно, если только пограничная область не очень широка отдельные зерна могут удерживаться вместе лишь благодаря существованию значительной прослойки материала с более или менее случайными тетраэдрическими связями. Но тогда мы должны предположить наличие в структуре заметной пространственной неоднородности — больших зерен, которые можно увидеть в электронный микроскоп, и т. д. Другими словами, экспериментальные данные свидетельствуют о том, что диаметр паракристаллов, если они вообще существуют, не может превосходить десятка ангстрем или около того просто невозможно построить тетраэдрическую сетку, большая часть атомов которой лежит в таких областях. Если попытаться создать подобную модель, сближая маленькие кристаллы с произвольными ориентациями, то скоро выяснится, что беспорядок, существующий на границах зерен, распространяется и на сами кристаллиты, пока от них ничего не останется. Пока приверженцы рассматриваемых моделей не построят реальную трехмерную структуру, удовлетворяющую всем сделанным ими предположениям, приходится сомневаться в том, что это вообще возможно. [c.90]

Сплавы, затвердевающие с образованием зоны столбчатых кристаллов, редко бывают однородными, так как обычно центр слитка обогащен различными примесями. Кроме того, развитие характерных для столбчатой кристаллизации больших мешкристаллических плоскостей нежелательно, ибо эти плоскости обычно представляют собой те слабые места в которых металл в процессе технологического передела или эксплуатации разрушается. С этой точки зрения наиболее желательна равноосная структура, так как равноосные зерна имеют случайную ориентировку и примерно одинаковые размеры во всех направлениях, что способствует образованию макроскопически изотропного и относительно однородного по химическому составу материала. [c.435]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...