Наблюдение дислокаций в кристаллах

Ф о р т и А. Д., Непосредственное наблюдение дислокаций в кристаллах Металлургиздат, 1956. [c.245]

НАБЛЮДЕНИЕ ДИСЛОКАЦИЙ В КРИСТАЛЛАХ [c.147]

Наблюдение дислокаций в атомно-кристаллических решетках под электронным микроскопом стало возможно благодаря усовершенствованию их конструкции, позволяющей различать кристаллографические плоскости решетки с расстоянием друг от друга в 6,9 А. Это позволило исследовать решетку кристалла фталоцианина платины, у которого расстояние между плоскостями (201) около 12 А. [c.31]

Описанные свойства дислокаций и изменения, вносимые их присутствием в свойства кристаллов, послужили основой для разработки экспериментальных методов наблюдения дислокаций. Представления о дислокациях в кристаллах и их теоретическое изучение интенсивно развивались в период (1Й4— 1950 гг.), предшествующий непосредственному наблюдению дислокаций (начиная с 1953 г.), это создало благоприятные условия для экспериментаторов. Предсказания теории дислокаций во всех деталях были подтверждены при их экспериментальном наблюдении — случай довольно редкий в истории физики. В настоящее время экспериментальное изучение дислокационных структур кристаллов различных типов идет широким фронтом. Ниже приводятся иллюстрации, показывающие возможности некоторых разработанных к настоящему времени экспериментальных методов [2, 9, 10, 20]. [c.448]

Для изучения строения и свойств отдельных дислокаций и также различных дислокационных структур наиболее часто применяют электронно-микроскопическую методику, основанную на наблюдении дислокаций по дифракционному контрасту, возникающему из-за искажения решетки вблизи ее ядра. Эта методика позволила наблюдать расщепление дислокаций и образование расщепленных узлов (рис. 13.32), предсказанное теоретически. С ее помощью можно наблюдать изменение дислокационной структуры в ходе пластической деформации (см. рис. 13.36) при механических, тепловых и других воздействиях. Если методами травления, декорирования п поляризационно-оптическим можно наблюдать дислокации в кристаллах, где плотность дислокаций р см/см (суммарная дл та дислокационных линий в единице объема) не превосходит 10 —10 1/см , с помощью электронного микроскопа можно наблюдать структуры с плотностью дислокаций до 10 2 1/см . Однако недостатком метода электронной микроскопии является необходимость изготовления из исследуемых кристаллов тонкой фольги [c.453]

На стадии легкого скольжения основной вклад в деформацию дают дислокации, вышедшие на поверхность кристалла, что подтверждается экспериментально [10]. На этой стадии (площадка текучести на кривой напряжение — деформация) пластическая деформация растяжения отожженного технического железа [33] происходит путем лавинообразного течения, как это установлено наблюдениями линий скольжения на поверхности и методом дифракционной электронной микроскопии. По данным работы [34 ], в ходе легкого скольжения сдвиг не продолжается по тем плоскостям, где он уже происходил, так как легче активировать источники дислокаций в новых (неупрочненных) плоскостях скольжения. [c.46]

Известно, что пластическая деформация кристаллических тел является следствием движения дислокаций в определенных плоскостях. Кривая упрочнения в какой-то мере отражает интегральный характер зарождения и движения дислокаций, их взаимодействие с решеткой, между собой и другими структурными несовершенствами кристаллов. Одной из важных характеристик кривой упрочнения кристаллов является напряжение начала пластической деформации. Фактически оно соответствует стартовому напряжению дислокаций (Тз), зарождение и смещение которых представляет собой элементарный акт пластической деформации. Наиболее достоверными значениями можно считать данные непосредственных наблюдений начала движения дислокаций при нагружении и измерений критической амплитуды колебаний по методу определения внутреннего трения. В некоторых случаях эти величины совпадают со значением критических скалывающих напряжений (КСН), вычисленных по кривым растяжения как напряжение начала отклонения зависимости сг (б) от линейного закона в упругой области деформации. Самыми развитыми плоскостями и направлениями скольжения являются плотноупакованные, поэтому изменения сопротивления деформированию у облученных кристаллов прежде всего определяются количеством дефектов и полем напряжений в этих плоскостях. [c.55]

В. Я. Кравченко. О возможности наблюдения движения дислокаций в проводящих кристаллах по электрическим эффектам.— ФТТ, 1967, № 9. [c.43]

Сделанные замечания чрезвычайно существенны для техники наблюдения дислокаций и дисклинаций в кристаллах, содержащих эти дефекты одновременно. Из-за неинтегрируемости пластических поворотов интерпретация дифракционных контрастов может быть весьма неоднозначной. [c.118]

Непосредственное наблюдение дислокационной структуры кристаллов описанными методами показало, что отожженные монокристаллы имеют (в зависимости от типа кристалла и условий отжига) плотность дислокаций от 10 до Ш см/см . [c.454]

На параллельных плоскостях, отделенных правильными интервалами, можно себе представить много различных систем правильных конфигураций положительных и отрицательных нарушений расположения атомов. Чтобы сделать процесс пластической деформации наглядным, Тэйлор предполагает, что скольжение в кристалле начинается из хаотически расположенных центров и вызывается тепловым движением, причем Тэйлором делается различие между положительными и отрицательными дислокациями. Под действием касательных напряжений дислокации перемещаются по плоскостям решетки на некоторое среднее расстояние, останавливаясь у границ нарушения. Это среднее проходимое дислокацией расстояние представляет существенный параметр в теории Тэйлора. На основании ряда наблюдений можно, повидимому, принять, что границы нарушений располагаются в кристаллах через определенные правильные интервалы. Предполагается, иными словами, что скольжение происходит на ограниченных участках. Эта теория приводит к параболической зависимости между касательными напряжениями т и пластическим сдвигом 7 (см. стр. 66). Она объясняет также и причину изменения величины касательных напряжений х+х в различных точках пространства высокими значениями напряжений х, возникающих из центров дислокаций, задерживающихся на внутренних границах нарушений. Эта теория показывает, таким образом, что в зонах дислокаций должны накопляться определенные запасы упругой энергии ). [c.75]

При проверке теории дислокаций и исследовании влияния дислокаций прежде использовались косвенные методы обнаружения дислокаций. В частности, для этой цели использовались рентгеновский метод, наблюдение за ростом кристаллов и исследование изменений некоторых свойств кристаллов при пластической деформации. В настоящее время разработаны надежные прямые методы исследования формы и расположения дислокационных линий на поверхности и внутри кристаллов и на границах зерен. В некоторых случаях наблюдают следы выхода дислокации на поверхность образца. [c.77]

Теория дислокаций в настоящее время получила исключительно большое развитие не только в направлении разработки теоретических основ, но также и экспериментального ее подтверждения. За последние годы проведен ряд тонких экспериментов, убедительно показывающих образование дислокаций в процессе роста кристаллов из паров или расплава. Так, например, современные оптические приборы позволили наблюдать образующиеся на растущей поверхности кристаллов ступеньки, содержащие дислокации. Наблюдение за спиральным ростом кристаллов удалось осуществить на карборунде [1], парафине [2], берилле [3], кадмии и магнии [4] и других Форма наблюдаемых ступенек роста (неполных атомных плоскостей) совпадает с предсказаниями теории Франка [5, 6], показавшего, что наличие дислокаций создает условия для роста кристалла без образования новых зародышей взамен выросших в полные атомные плоскости. Наблюдаемые на поверхности растущего кристалла спиральные ступеньки являются непосредственным доказательством существования дислокаций в реальных металлах. [c.16]

Существует достаточно много экспериментальных методов наблюдения дислокаций. Например, за дислокациями можно наблюдать с помощью электронного микроскопа с высокой разрешающей способностью, с помощью рентгеновской топографии. Однако особенно широкое распространение при изучении дислокаций получили методы избирательного травления и декорирования. Метод избирательного травления основан на том, что вблизи дислокаций энергия связи атомов гораздо слабее, чем в недеформированной решетке. Поэтому места выхода дислокаций на поверхность кристалла травятся специально подобранным травителем быстрее, чем окружающая дислокацию поверхность. В результате такого травления на поверхности кристалла возникают ямки травления. Подсчет [c.110]

Метод декорирования основан на том, что дислокации могут служить местами стока примесных атомов, что позволяет их выявлять. Для этого диффузией вводят в кристалл примеси, которые осаждаясь на линиях дислокаций, декорируют их. Это делает возможным их наблюдение с применением, например, инфракрасной микроскопии. В отличие от метода травления метод декорирования позволяет наблюдать дислокационную структуру не только на поверхности, но и в глубине кристалла. Существенным недостатком этого метода является необходимость нагревания и выдержки образцов при повышенных температурах, что влияет на количество и распределение дислокаций. Кроме того, к недостаткам этого метода следует отнести невозможность наблюдения за изменением дислокационной структуры. [c.111]

У сплава MAR-M 200 установившаяся ползучесть при 760 °С начинается только после того, как на стадии первичной ползучести произойдет заметное деформационное упрочнение, сопровождающее пересечение полос деформации 111 <112>, и образуется субструктура. На поверхностях раздела зг - и г-фаз образуются дислокационные сетки, ограничивая среднюю длину свободного пробега скользящих дислокаций величиной порядка размера частицы. Благодаря этим сеткам снижается скорость возврата и, следовательно, скорость ползучести. Было обнаружено, что скольжение в направлениях <112> ответственно за перерезание (сдвиг) частиц. Согласно этому наблюдению для повышения сопротивления ползучести желательно, чтобы ориентировка кристалла [c.118]

Огромная скорость роста мартенситных кристаллов, превышающая 1000 м/с, способствует образованию наклепа в аустените, возникающие при этом дислокации переходят в образующийся затем мартенсит, что повышает его твердость, снижая пластичность до нуля. Плотность дислокаций возрастает до 10 см . За время превращения кристаллы мартенсита многократно возникают и проскакивают под углами 60° и 120° друг к дугу. При наблюдении в микроскоп их следы имеют игольчатую форму (см. рис. 5.2, г), поэтому мартенсит считается игольчатой структурой. [c.109]

Б закаленном алюминии. Они закаливали тонкие алюми-ниевые Монокристаллы и подвергали их старению для создания петель дефектов упаковки. Затем во время наблюдения в электронном микроскопе образцы деформировались, причем движущиеся дислокации могли взаимодействовать с петлями. Эти наблюдения показали, что при пересечении движущейся дислокации с несовершенной петлей всегда происходит разрушение дефекта упаковки. Когда такое пересечение происходит в тонких пленках, получающиеся сегменты геликоидальных дислокаций или удаляются в результате скольжения к поверхности, или оставляют за собой небольшие совершенные петли. Они предположили, что при таком пересечении в массивном кристалле за движущейся дислокацией остаются совершенные петли, а сегменты геликоидальной дислокации переносятся на субграницы. [c.349]

Основанные на использовании этого понятия интенсивные исследования, проводившиеся более четверти века, убедительно доказали существование дислокаций во всех материалах. Значительный вклад в классификацию дислокаций, исследование их взаимодействия и условий образования внесли Франк, Рид, Бюргере и Шокли. Дислокации впервые наблюдались в начале 50-х годов Хеджесом и Митчеллом, которые использовали для наблюдения их в кристаллах галогенида серебра метод декорирования. Теперь дислокации наблюдаются повсеместно с помощью электронных микроскопов методом просвечивания, разработанным в 1956 г. Хиршем, Хорном и Уиланом и независимо Веллманом. Многие серьезные достижения еще впереди. [c.48]

Поляризационно-оптический метод. Этот метод был впервые использован для непосредственного наблюдения напряжений около дислокаций в кристаллах кремния советскими физиками В. Л. Инденбомом, В. И. Никитенко и Л. С. Милевским [18]. [c.449]

В металлических кристаллах с о. ц. к. решеткой и ионных кристаллах это обычно связывают с тем, что в ходе отжига атомы примесей, неизбежно присутствующие в реальных кристаллах и вызывающие локальное искажение решетки, начинают приближаться к дислокациям и образуют атмосферы Коттрелла (см. рис. 13.23,а). Для перемещения дислокации, окруженной атмосферой Коттрелла, необходимо либо вместе с ней диффузионно перемещать атмосферу (это возможно лишь при достаточно высоких температурах), либо оторвать дислокацию от атмосферы, рис. 13.23, б (для этого нужно достаточно высокое напряжение). Даже, если предположить, что все исходные дислокации начинают двигаться при нагружении кристалла и выходят на его поверхность, подсчет по формулам (13.9) и (13.11) покажет, что их количества недостаточно для достижения практически наблюдаемой пластической деформации кристаллов, а также для объяснения картины следов скольжения, появляющихся на их поверхности. В действительности (как показали непосредственные наблюдения) в ходе пластической деформации плотность дислокаций в кристалле не только не убывает, а, наоборот, резко возрастает. У большинства кристаллов достижение макроскопического предела текучести сопровождается увеличением исходной плотности дислокаций на один-два порядка [29]. [c.454]

Представления о различных дефектах, в частности дисклинациях, все более масштабно используют в современной физике конденсированного состояния, например, в задачах прочности и пластичности. Если принять тезис, что наряду с трансляционным массопереносом пластическая деформация обусловлена или сопровождается и другими эффектами, скажем, поворотами веш,ества, то должны быть различным образом организованные несовместности, прежде всего заторможенные пластические сдвиги и заторможенные повороты. Это с неизбежностью означает, что кроме обычных дислокаций в кристаллах присутствуют дисклинации и другие дефекты кристалла как континуума. Утверждение о возможности суш,ествования разнообразных микромеханических объектов сплошной среды, объединяемых общим термином дефект , вытекает, таким образом, из самых общих соображений о реально протекающих процессах в твердом теле. Однако, как показывает опыт научных исследований, еще мало что известно о их реальной природе и методах аналитического описания. Неясно, какими именно процессами порождаются дефекты, возникают ли дисклинации от самостоятельных поворотов или от поворотов, производимых обычным дислокационным скольжением остается открытым вопрос о масштабном уровне дефектов , например о том, могут ли дисклинации быть решеточными или только крупноструктурными не до конца выяснена роль дисклинаций в явлениях деформирования и разрушения совершенно не решены вопросы их экспериментального наблюдения и пр. [c.278]

Хови А, Конфигурация дислокаций в деформированных ГЦК монокристаллах с различной энергией дефектов упаковки Ц Прямое наблюдение несовершенств в кристаллах.— М. Металлургия, 1964. [c.242]

Наибольший интерес представляют прямые методы наблюдения и исследования дислокаций, их скоплений и точечных дефектов. К ним относятся исследования с помощью ионного проектора, рентгеновской топографии и прямые световые и электрономикроскопические исследования. Прямые методы дают наиболее ценную информацию о дефектах в кристаллах, однако неприменимы для количественных оценок при изучении металлов, подвергнутых значительной пластической деформации, или технических сплавов сложного состава. В этом случае приходится применять косвенные методы исследования рентгеноструктурный анализ с оценкой формы и интенсивности интерференционных максимумов механические испытания измерение внутреннего трения, электрических и магнитных характеристик. [c.94]

НАБЛЮДЕНИЕ ЛИНИИ ДЕКОРИРОВАННЫХ ДИСЛОКАЦИИ В СВЕТОВОМ МИКРОСКОПЕ. Метод декорирования дислокаций в прозрачных кристаллах заключается в том, что в кристалл при его выращивании или диффузионным путем вводят примесь, атомы которой притягиваются к дислокациям. При соответствующей термической обработке область вокруг линии дислокации оказывается пересыщенной примесью, которая выделяется в виде мельчайших частиц вдоль линии дислокации. Эти непрозрачные частицы, рассеивающие свет, делают видимой линию дислокации, хотя диаметр ее ядра находится за пределами разрещающей способности обычного микроскопа. Таким способом наблюдали дислокации в хлористом натрии, хлористом калии, галоидных соедине- [c.100]

Травление на ямки травления часто является удобным способом определения плотности дислокаций и в случае полупроводниковых материалов часто применяется для оценки совершенства кристаллов. Подобные ямки образуются тогда, когда скорость травления поверхности, пересекаемой дислокациями, меньше, чем скорость травления вдоль дислокации. В случае равномерной травимости материала по всем направлениям ямки имеют круговую симметрию и выпуклую поверхность наиболее удобные для наблюдения ямки имеют резкие края они образуются на поверхностях, характеризующихся Минимальной по сравнению с другими скоростью растворения. Увеличение скорости растворения вдоль дислокации определяется главным образом степенью сегрегации примесей на дислокациях и энергией упругих.искажений решетки, зависящей от типа дислокации (см. ФМ-3, гл. 1, разд. 2.2). Ирвинг (50] показал, что наиболее эффективно травление вдоль дислокации происходит, по-видимому, в тех случаях, когда дислокация перпендикулярна поверхности, так что дислокационные ямки травления возникают не во всех кристаллах и не при всех наклонах дислокаций к поверхности кристаллов так, плотности ямок травления, соответствующих случайным или расположенным вдоль плоскостей скольжения дислокациям в сечениях 100 германия, обычно ниже, чем в тех же образцах на плоскостях 111 . Влияние ориентационной зависимости скорости травления на условия стабильного появления бугорков или ямок травления на различно ориентированных поверхностях было подробно рассмотрено Баттерманом [4] и Ирвингом [50]. [c.354]

В 50-х годах благодаря широкому развитию электронной микроскопии стало возможным изучение отдельных дефектов в тонких кристаллических пленках. Двумерные дефекты дают на снимках полосы. Дислокации выявляются как линии с темным или светлотемным контрастом. В основу интерпретации таких картин была положена по существу динамическая теория дифракции электронов быстро накапливался опыт изучения конфигураций дефектов и интерпретации их изображений (см. [195]). Несколькими годами позже появились аналогичные данные по наблюдениям дефектов в почти совершенных кристаллах с помощью дифракции рентгеновских лучей в условиях динамического рассеяния [249, 277, 278], а соответствующая теория дифракции рентгеновских лучей была развита на основе работы Като [250, 251] . Позже был развит более точный метод для дифракции электронов, основанный на п-волновой динамической теории, и была решена трудная задача получения адекватной динамической теории для несовершенных кристаллов для всех видов излучения (см., например, работы Като [253 ] и Куриямы [270 ] Мы будем следовать этим методам лишь в общих чертах. [c.393]

Рассматривая ползучесть как некоторый вид квазивязкого течения металла, мы должны допустить, что в каждый момент скорость ползучести при данном структурном состоянии определяется однозначно действующим напряжением и температурой. Структурное состояние — это термин, чуждый по существу механике, поэтому применение его в данном контексте должно быть пояснено более детально. Понятие о структурном состоянии связано с теми или иньгаи физическими методами фиксации этого состояния — металлографическими наблюдениями, рентгеноструктурным анализом, измерением электрической проводимости и т. д. Обычно физические методы дают лишь качественную характеристику структуры, выражающуюся, например, в словесном описании картины, наблюдаемой на микрофотографии шлифа. Иногда эта характеристика может быть выражена числом, но это число бывает затруднительно ввести в механические определяющие уравнения. В современной физической литературе, относящейся к описанию процессов пластической деформации и особенно ползучести, в качестве структурного параметра, характеризующего, например, степень упрочнения материала, принимается плотность дислокаций. Понятие плотности дислокаций нуждается в некотором пояснении. Линейная дислокация характеризуется совокупностью двух векторов — направленного вдоль оси дислокации и вектора Бюргерса. Можно заменить приближенно распределение большого числа близко расположенных дискретных дислокаций их непрерывным распределением и определить, таким образом, плотность дислокаций, которая представляет собою тензор. Экспериментальных методов для измерения тензора плотности дислокаций не существует. Однако некоторую относительную оценку можно получить, например, путем подсчета так называемых ямок травления. Когда линия дислокации выходит на поверхность, в окрестности точек выхода имеется концентрация напряжений. При травлении реактивами поверхности кристалла окрестность точки выхода дислокаций растравливается более интенсивно, около этой точки образуется ямка. Таким образом, определяется некоторая скалярная мера плотности дислокаций, которая вводится в определяюпще уравнения как структурный параметр. Условность такого приема очевидна. [c.619]

Дислокации и физические свойства кристаллов. Д, влияют в первую очередь на механич. свойства твёрдых тел (упругость, пластичность и прочность), для к рых их присутствие часто является определяютцим. Упругие поля Д. изменяют оптич. свойства кристаллок, на чём основан метод наблюдения изолированных Д. в прозрачных материалах (рис.. 3). Т. к. упругие нанри-жения сравнительно легко вовлекают Д. в движение, то в случае интенсивных тепловых колебаний кристалла (см. Колебания кристаллической решётки) Д. периодически смещаются из своих равновесных положений и часть энергии колебаний идёт на их перемещение. Но т. к. движение Д. сопровождается опредол. торможением, то Д. рассеивают колебат. энергию, давая ощутимый вклад во внутреннее трение в твердых телах. [c.638]

При этом весь недеформированный объем кристалла как бы заключен в более жесткую рубашку приповерхностного слоя, упрочненную повышенной плотностью дислокаций. Указанные наблюдения проводились на грани (111)- Таким же образом исследования проводили на грани (112), где наблюдается аналогичная картина. Причем напичие градиента плотности дислокаш1Й вблизи поверхности деформируемого образца [c.31]

Заслуживает внимания следующий пример экономичности в эксперименте Тэйлор на базе трех опытов с монокристаллами алюминия, четырех с железом, по одному с медью и золотом и трех или четырех испытаний с поликристаллами меди и алюминия разработал кинематику предельной деформации сдвига в условиях. МОНо- и двойного скольжения, предложил физическую теорию дислокаций, согласующуюся с построенными им теоретически параболическими функциями отклика для определяющего сдвига, и сконструировал первую правдоподобную, правда существенно ограниченную, теорию пластической деформации среды, основанную на наблюдениях монокристаллов. То, что сорок лет последующих исследований выдвинули серьезные вопросы, касающиеся статистического происхождения моноскольжения и применимости кинематики двойного скольжения в области параболического упрочнения, рассматриваемой Тэйлором то, что его теория дислокаций оказалась слишком примитивной, чтобы продолжать существовать в предложенной форме, и то, что ограниченность допущений его теории поликристаллического тела и неуспех с включением в ее формулировку условия равновесия напряжений мешали полной корреляции с наблюдением, не могут заслонить тот факт, что работа Тэйлора примерно на протяжении десятилетия давала толчки для большого числа последующих экспериментальных и теоретических исследований в области пластичности кристаллов. [c.125]

В работе [501] предполагалось, что наблюдаемые декаэдрические частицы образованы идеальными тетраэдрами, разделенными по границам дислокациями. Такой подход, возможно, приемлем в случае крупных кристаллов, но сомнительно, чтобы дислокации существовали в декаэдрических частицах диаметром менее 100 А. Правда, Смит и Маркс [503] сообщили о наблюдении с помощью электронного микроскопа высокого разрешения некоторой особенности внутри икосаэдрической частицы Ag размером около 120 А, назвав эту особенность дислокацией, однако их заключение требует дальнейших подтверждений. [c.180]

Использование. Имеется достаточное количество примеров применения фазового контраста в металлографии [26, 61, 62]. Метод дает особые преимущества в том случае, когда иоверхность имеет различие в уровнях, а контраст цвета или отражающей способности отсутствует. Так, этим методом можно легко исследовать структуру мартенсита, особенности роста кристаллов, поверхности скола и т. п. (фиг. 8). Очевидно, теоретически чувствительность к неровностям поверхности неограниченна Форти [39], считая чувствительность в 50 А вполне заурядной, приводит фотографии выходов на поверхность металлов винтовых дислокаций, причем высота ступеней, несомненно, не превышает 20 А с помощью подходящей техники декорирования становятся видимыми ступеньки высотой 5 А. Существует, однако, верхний предел, за которым фазовый контраст перестает увеличивать яркость поверхности с увеличением высоты неровностей поверхности иногда описываемый эффект делает невозможным определение того, является данный элемент поверхности выступом или, наоборот, впадиной. Еще одно из преимуществ метода фазового контраста заключается в том, что слабо и сильно травящиеся элементы поверхности при наблюдении не слишком резко различаются по контрасту. [c.365]

В настоящее время есть все больше оснований полагать, что, кроме трансляционных дислокаций, точечных и других дефектов (в каноническом восприятии этих понятий), в механических характеристиках и структуре большую роль играют также другие возбуждения решетки. Так, некоторые наблюдения наводят на мысль о возможности массопереноса по специфическим механизмам, которые не сводятся ни к дислокационным явлениям, ни к классической диффузии. Подобного рода факты получены при изучении алюмоиттриевых гранатов, подвергаемых царапанию и вдавливанию индентором. Неожиданный вывод получен на основе квантово-механических расчетов, допускающих возможность столь сильного взаимодействия электронной и решеточной подсистем при больших давлениях (например, в зонах концентрации напряжений), в результате которого можно говорить об особом и очень сильном возбуждении кристалла, кардинальным образом изменяющем его потенциальный рельеф. В настоящее время все больше склоняются к предположению о дисклинационной природе аморфных веществ, в частности, изготовленных пластическим деформированием, Данное обстоятельство позволяет думать о действительном существовании со- [c.3]

Интересно отметить, что при некоторых видах деформации (прокатке, циклическом растяжении) вытянутые участки локализации дислокаций, обнаруживаемые в состоянии СН, могут приводить к самоорганизации системы в виде макроскопически протяженной полосовой структуры (рис. 3.23, а также рис. 3.8—3.10). В случае прокатки вольфрама (см. рис. 3.10) кристаллическая структура темных полос дифракиионньши методами не выявляется. Особенно характерна такая структура для поверхностных слоев усталостно нагруженных монокристаллов (рис. 3.24). При снятии нагрузки в таких кристаллах обнаруживается поверхностный рельеф, соответствующий рассматриваемым полосам. Однако в большинстве случаев наличие направленных микрополос в состоянии СН приводит к направленности границ формирующихся структурных элементов, что неоднократно отмечалось при наблюдениях фрагментированной структуры [7]. [c.95]

Такое расхождение можно объяснить трудностью создания на поверхности кристалла зародышей новых мономолекуляр-ных слоев в том случае, когда поверхность кристалла совершенна. Если же имеется винтовая дислокация типа изображенной схематически на рис. 20.21, то в зарождении нового слоя нет никакой необходимости, поскольку кристалл будет спирально расти от края ступеньки. (Атом может быть связан со ступенькой сильнее, чем с плоской поверхностью.) Вычисление скорости роста, основанное на этом механизме, дает результаты, хорошо согласующиеся с наблюдениями. Поэтому следует, видимо, считать, что все кристаллы в природе, выросшие при малых пересыщениях, содержат дислокации, ибо в противном случае они не могли бы вырасти. [c.713]

Экспериментальные измерения Д. п. позволяют непосредственно изучать кинетику и динамику дислокаций такие измерения могут быть также использованы в качестве экспресс-методов для регистрации весьма тонких изменений в дислокационной структуре кристаллов при различного рода внешних воздействиях — механических, температурных, иони-зируюш,их облучений и т. д. Наблюдение характеристик возврата Д. п. даёт возможность определять активационные энергии вакансий, дивакансий, примесей. На практике метод [c.118]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...