Инфракрасные микроскопы

Инфракрасные микроскопы — для рассматривания веществ прозрачных только в инфракрасном (невидимом) свете с применением электронно-оптических преобразователей света. [c.6]

Фотографирование изображений препаратов, увеличенных микроскопом, имеет очень большое значение, так как дает возможность сохранять их во времени. Кроме того, с помощью фотографии можно превращать невидимое изображение в видимое, как это делается, например, в ультрафиолетовых и инфракрасных микроскопах. По этим причинам микрофотография широко применяется везде, где работают с микроскопами. Естественно, что такая потребность привела к созданию не только различных приспособлений [c.54]

УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫЙ И ИНФРАКРАСНЫЙ МИКРОСКОПЫ [c.61]

Инфракрасные микроскопы появились в связи с необходимостью изучать объекты, непрозрачные в видимой области спектра, но пропускающие инфракрасные лучи. Такими объектами являются, например, полупроводниковые монокристаллы и некоторые биологические препараты. [c.62]

Инфракрасные микроскопы предназначаются для изучения препарата путем визуального наблюдения или фотографирования его увеличенного изображения в инфракрасных лучах. Эти приборы отличаются от обычного микроскопа наличием устройств, позволяющих преобразовывать невидимое инфракрасное изображение в видимое. Для этого служит, например, электронно-оптический преобразователь (ЭОП). В современных ЗОПах из-за аберраций фокусирующей системы происходит некоторое размытие изображения, а также имеется довольно значительная дисторсия. Если еще учесть, что люминофор на экране ЭОПа имеет зернистость, то становится понятно, что трансформация инфракрасного изображения в видимое приводит к уменьшению разрешающей способности. Для того, чтобы сохранить разрешающую способность, которую имеет микроскоп, масштаб изображения на экране ЭОПа должен быть большим. [c.62]

Рис. 43. Принципиальная схема инфракрасного микроскопа МИК-1

Инфракрасный микроскоп МИК-1 (рис. 43) предназначен для визуального исследования и фотографирования объектов в видимой и инфракрасной областях с длиной волны до 1,3 мкм. Работа может производиться в проходящем и отраженном свете. [c.63]

Рассмотрим устройство распространенного инфракрасного микроскопа МИК-4 (рис. 1.27), предназначенного для исследования полупроводников, минералов, ИК стекол и палеонтологических объектов в инфракрасных лучах в диапазоне длин волн от 0,75 до 1,2 мкм. Основным преимуществом этого микроскопа перед более ранними моделями является возможность измерения в инфракрасном поляризованном свете. [c.43]

Развитию инфракрасной микроскопии способствовало создание отечественных электронно-оптических преобразователей с широкими пределами спектрального диапазона, охватывающими ультрафиолетовую, видимую и ближнюю инфракрасную области спектра, с высоким коэффициентом преобразования и хорошей разрешающей силой. [c.45]

Минимально обнаруживаемый дефект достигает порядка 0,1 мм в диаметре. Применение металлического вращающегося зеркала увеличивает скорость сканирования в 4 раза по сравнению со стеклянным зеркалом. Возможно контролирование поверхности материала, двигающегося со скоростью свыше 15 м/с. Сканирующие лазерные системы бегущего луча могут также использоваться для получения изображения объектов контроля. Схема лазерного сканирующего инфракрасного микроскопа для контроля внутренних дефектов полупроводниковых материалов с механическим сканированием объекта контроля и неподвижным лучом лазера отличается низким быстродействием, но имеет высокую разрешающую способность. Схема с системой сканирующих зеркал отличается большим быстродействием (до 50 кад/с при 200. .. 400 строках разложения телевизионного изображения), однако наличие полевых аберраций оптической системы приводит в этом случае к снижению пространственного разрешения. [c.509]

В астрономии, инфракрасной микроскопии, рентгенологии, в приборах ночного видения и т. д. используют визуальные оптические системы с промежуточным преобразованием изображения, образованного оптической системой, в электронное, превращаемое затем в видимое [c.438]

Рассмотрим некоторые оптические схемы объективов, нашедших применение в инфракрасных микроскопах с длиной тубуса 160 мм [52]. [c.227]

Метод декорирования основан на том, что дислокации могут служить местами стока примесных атомов, что позволяет их выявлять. Для этого диффузией вводят в кристалл примеси, которые осаждаясь на линиях дислокаций, декорируют их. Это делает возможным их наблюдение с применением, например, инфракрасной микроскопии. В отличие от метода травления метод декорирования позволяет наблюдать дислокационную структуру не только на поверхности, но и в глубине кристалла. Существенным недостатком этого метода является необходимость нагревания и выдержки образцов при повышенных температурах, что влияет на количество и распределение дислокаций. Кроме того, к недостаткам этого метода следует отнести невозможность наблюдения за изменением дислокационной структуры. [c.111]

Отдельную группу образуют методы неэлектрических испытаний, используемые для определения структуры, макро- и микродефектов материалов. Сюда относятся ультразвуковые методы, рентгене- и гамма-люминесцентный анализ, инфракрасная спектроскопия, электронная микроскопия, ядерный магнитный резонанс, электронный парамагнитный резонанс, нейтронографический анализ, а также другие методы, применяемые для неэлектрических испытаний. [c.7]

К достоинствам подобных систем относятся повышенное по сравнению с обычными микроскопами разрешение, возможность регулирования яркости, контраста и масштаба изображения электронным способом, большой динамический диапазон (до 60 дБ и более). Для контроля материалов, прозрачных только в инфракрасном диапазоне спектра (кремний, германий, арсенид галлия), применяют лазеры, излучающие на соответствующих длинах волн, в сочетании с фотоприемниками, обладающими нужной спектральной чувствительностью. Возможно исследование объектов в поляризованных лучах, контролирование в них напряжений методом фотоупругости, а также исследование магнито- и электрооптиче-ских свойств материалов при использовании соответствующих источников электромагнитных полей. [c.96]

Теплозащитные светофильтры СЗС не пропускают инфракрасных лучей (рис. 41). Светофильтры для люминесцентной и ультрафиолетовой микроскопии предназначены для отделения света люминесценции от возбуждающего света. [c.271]

Призмы, коллективы, первые линзы широкоугольных окуляров и другие детали, расположенные вблизи от плоскостей действительного изображения оптической системы. Линзы микрообъективов с увеличением 10 и меньше Линзы окуляров телескопических приборов. Окулярные призмы. Отражательные пластинки и зеркала коллиматор-ных приборов. Линзы окуляров микроскопов и лабораторных приборов. Выравнивающие стекла фотокамер. Линзы объективов, работающих в инфракрасной области в условиях солнечной засветки [c.308]

Кроме того, исследования показали, что существует четкая температурная зависимость величин удельных нагрузок, при которых только начинают появляться первые ямки травления в месте контакта. При одинаковых режимах нагружения плотность ямок травления максимальная на плоскости (ПО), несколько меньше на (100) и мини-мапьная на (111), что согласуется с литературными данными по анизотропии механических свойств Si. Плотность дислокаций при одинаковых режимах нагружения меньше на кристаллах р-типа, чем на кристаллах -типа. Протекание процесса микропластической деформации ниже порога хрупкости было подтверждено нами с помощью поляризационно-оптических исследований на инфракрасном микроскопе [541]. Трансмиссионная электронная микроскопия позволила окончательно доказать возможность пластической деформации Si во всем интервале температур от 5 50° С до температуры жидкого азота (рис. 102). Кристаллы после нагружения мягким уколом химически полировали только с одной стороны, обратной по отношению к поверхности нагружения, до толщины порядка 1000-5000 А. Как видно из рис. 102 дислокационные полупетли имеют сравнительно малую величину -от нескольких долей микрона (такие дислокационные полупетли целиком видны при просвечивании фольги, поскольку максимальная ее толщина порядка 1 мкм) до нескольких микрон. В последнем случае дислокации выходят за пределы нижней поверхности фольги, со стороны которой осуществляли химическую полировку. Представ яло интерес выяснить, применима [c.172]

Дальнейшее развитие механизмов тонкой и грубой подачи идет по линии применения одной направляющей для обоих движений и применения одной рукоятки для осуществления этих движений. Кинематическая схема механизма с одной направляющей инфракрасного микроскопа МИК-4 показана на рис. 5, а, а на рис. 5, б показана кинематическая схема механизма поляризационного микроскопа фирмы Лейтц (ФРГ) с одной направляющей и одной рукояткой для обоих движений. [c.577]

При изучении оптических свойств халькогенидов свинца широко используется отражательная методика. Эвери [39] определил коэффициент поглощения, измеряя отражение поляризованного света. Точность таких измерений будет максимальной при условии, если мнимая часть комплексной диэлектрической проницаемости значительно больше действительной части. Это условие выполняется в области, где коэффициент поглощения более или равен 10 см т. е. далеко за краем полосы собственного поглощения. Скэнлон провел прямые измерения коэффициента поглощения, используя полированные монокристаллы микронной толщины [40, 41]. Из-за малых размеров образцов потребовалось применение инфракрасного микроскопа. Из этих данных им были получены значения ширины запрещенной зоны для прямых и непрямых переходов. Оказалось, что во всех случаях значения для непрямых переходов были меньше, чем для прямых. Это было объяснено поглощением с участием фононов, поскольку измерения проводились при комнатной температуре, существенно превышающей дебаевскую температуру для этих соединений. [c.332]

На рис. 7.4.17, а показано ближнее поле излучения ДГС-лазера на GaAs — ALGai j As с широким контактом, на рис. 7.4.17,6 — изменение интенсивности излучения, измеренное при развертке одной строки в видиконе с кремниевой мишенью. Отдельные локализованные области стимулированного излучения называют каналами генерации. Визуальное наблюдение воз-йикновения каналов в инфракрасном микроскопе является удобным методом определения порога в лазерах с широким контактом. При увеличении тока число каналов генерации увеличивается. По всей вероятности, каждый канал имеет свой собственный порог генерации. Лазеры с высокой дифференциальной эффективностью имеют наиболее однородное ближнее поле. В 2 гл. 8 обсуждается влияние однородности ближнего поля [c.224]

Использование ЭОПа, преобразующих изображения, созданные инфракрасным излучением на видимые изображения, дает возможность сконструировать микроскоп для микроскопических пространственных наблюдений в области инфракрасных излучений. На рис. IX. 13 представлена оптическая схема инфракрасного микроскопа. Микроскоп состоит из осветительной системы 1, сменного микрообъектива 2, линзовых компонентов Зк4, плоского зеркала 5, средней светоделительной призмы 6, боковых призм 7 и 8, тубусных линз 9, отражательной системы 10, шторок 11, ЭОПов 12 и луп 13. Изображение объекта, образуемое объективом 2, посредством компонента 3 проектируется в переднюю фокальную плоскость компонента 4. Последний вместе с зеркалом 5, призмами 6—8, тубусными линзами 9 и отражательными системами 10 передает изображение на входные окна ЭОПа 12, расположенных в левых и правых ветвях бинокулярного тубуса. В обеих ветвях после светоделительной призмы 6, в плоскостях — 1 и Л 2—А 2, сопряженных с выходным зрачком микрообъектива 2, размещаются шторки 11. [c.387]

Для того чтобы осуществился кванторазмерный эффект, средний размер зерен в наноструктурных полупроводниках должен быть меньше некоторого критического размера, расчетная величина которого для Si и Ge равна 5 нм [397] и 24 нм [398] соответственно. Более того, чтобы произошел значительный сдвиг спектра фотолюминесценции из инфракрасной области в видимую область спектра, средний размер зерен должен быть еще меньше — менее 3 нм в Si и менее 3,5 нм в Ge, т. е. существенно меньше, чем наблюдали методом электронной микроскопии. Объяснить это различие возможно, если принять, что основной вклад в спектр фотолюминесценции в наноструктурных полупроводниках вносит только центральная часть зерен, имеющая малоискаженную кристаллическую решетку. В согласии с развиваемой структурной моделью наноструктурных материалов (2.2) неискаженные области в ИПД материалах существенно меньше среднего размера зерен, включающего в себя приграничные сильноискаженные области. [c.234]

Для изучения процессов разрушения разных веществ современная наука пользуется инфракрасной спектроскопией, электронным парамагнитным резо-HaiH OiM, масс-спектрометрией, хромотографией, ядер-ным магнитным резонансом, рентгеновской дифракцией в малых и больших углах, дифракцией видимого света, электронной микроскопией, оптической и электронно-микроскопи ческой фрактографией и другими методами. [c.43]

В послевоенные годы были разработаны теоретические основы электронной оптики и создан ряд приборов, основанных на фокусировании электронных лучей электрическим или магнитным полем. Здесь прежде всего следует назвать электронно-лучевые трубки, применяемые в катодной осциллографии, различные телевизионные электронно-лучевые приборы, электронные микроскопы, даюш ие увеличение в сотни тысяч раз, электронные преобразователи изображений, преобразуюш,ие невидимые изображения (полученные в инфракрасном свете) в видимые, и т. п. [c.246]

Экспериментальные методы, дающие информацию о поверхностных явлениях на атомном уровне, разнообразны. Это автоэмиссионная микроскопия (см. Ионный проектор), дифракция электронов, инфракрасная спектроскопия, ионная спектроскопия, комбинационное рассеяние света, оже-спектроскопия, сканирующая туннельная микроскопия, термодесорбц. спектроскопия, фотоэлектронная спектроскопия, электронная микроскопия, электрон-фотонная спектроскопия, ал-липсометрия и др. Эти методы позволяют решать мн. практически важные задачи в области электроники, роста кристаллов, вакуумной техники, катализа, повышения прочности материалов и их обработки, борьбы с коррозией и трением и т. д. Т. к. роль П. особенно велика для частиц малых размеров и тонких плёнок, то исследование поверхностных явлений приобрело особо важное значение для развития микроэлектроники. [c.655]

Киносъемочный аппарат часто используется в сочетании с микроскопом, телеопти-кон, рентгеновским аппаратом. Широко распространены съемки в инфракрасных и ультрафиолетовых лучах, в поляризованном свете и т. д. Особенно широкое применение в микроскопии получили фото- и киносъемка в свете люминесценции. Наряду с описанными выше методами находят применение съемки с помощью электронно-оптических преобразователей и голографическим методом [65, 79]. [c.275]

Описанные экспериментальные результаты получены посредством непрерывных испытаний. На рис. 5.39 показана печь инфракрасного излучения со смотровым окном для наблюдения трещин, использованная в экспериментах. Длина трещины и раскрытие трещины измеряли с помощью специального микроскопа с рабочим расстоянием 5—15 см и увеличением 10—50. В качестве нагревательной печи целесообразно использовать обычную электрическую печь сопротивления со смотровым окном в боковой стенке (используемым также и для источника света). При измерении длины трещины использовали метод электрических потенциалов и телевизионную камеру. Метод электрических потенциалов не применим для материалов с высокой пластичностью, когда образец сужается при распространении трещины, однако этот метод достаточно эффективен в случае материала с пизко й пластичностью и малым раскрытием трещины. [c.165]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...