Экспериментальные АЭ Кристалл LT-70u и Кристалл

В работе [8.40] при измерении зависимости т] (у) на модулятор с фотопластинки проектировалось изображение решетки с v = = 5 лин/мм. Имелась возможность вращать фотопластинку вокруг оптической оси проектирующей системы и тем самым изменять ориентацию решетки относительно осей кристалла. Результаты измерения, получаемые для модулятора, у которого кристаллическая пластина имела срез (111) и толщину 700 мкм, показаны на рис. 8.10. Результаты получены при считывании циркулярно и линейно поляризованным вдоль оси кристалла [112] светом. При изменении направления поляризации линейно поляризованного света вид зависимости Т1 (y) сохраняется, но в соответствии с (8.2) кривая смещается вращением вокруг начала координат на угол, который в два раза больше, чем угол поворота плоскости поляризации считывающего света. Хорошее согласие экспериментальных данных с расчетными наблюдается лишь тогда, когда при записи решетки отрицательный потенциал подается на передний по отношению к считывающему свету электрод. Если же на этот электрод подать положительный потенциал, то экспериментальная кривая (7) оказывается повернутой приблизительно на 30° по отношению к расчетной (рис. 8.10). Это может быть объяснено влиянием оптической активности кристалла BSO, которая не учитывалась при расчете т] (у). Как указывалось выше, неоднородное электрическое поле, вызывающее модуляцию считывающего света, формируется вблизи отрицательного электрода. При прохождении через кристалл направление поляризации считывающего света изменяется на 15° (толщина кристалла в данном случае была 700 мкм, а коэффициент оптической активности BSO для [c.174]

Излучение кристалла в диапазоне 810- -1050 нм с помощью собирающей линзы с фокусным расстоянием 30 см, расположенной за оптическим окном (вне вакуумной камеры), направляли на входную щель монохроматора и детектировали охлаждаемым германиевым фоторезистором. Ширину запрещенной зоны Eg кристалла находили путем подгонки расчетной модели к спектру люминесценции, полученному экспериментально. Температуру кристалла определяли с помощью известной температурной зависимости ширины запрещенной зоны Е в). В условиях данной работы наблюдался спектральный сдвиг максимума люминесценции на 0,2 эВ в длинноволновую сторону, что соответствует увеличению температуры кристалла от 25 до 450 °С. [c.191]

Экспериментальные науки предоставили нам возможность познать все эти данные о природе классифицировать звезды и определить их массы, состав, расстояние до нас и скорости классифицировать виды живых существ и расшифровать их генетические соотношения синтезировать неорганические кристаллы, биохимические вещества и новые химические элементы измерить частоты линий спектров испускания атомов и молекул, находящиеся в интервале от 10 до 10 ° Гц наконец, создать в лабораторных условиях новые элементарные частицы. [c.20]

Сравним полученные расчетом данные с экспериментальными [4]. Для Mg, Be, Na и К эксперимент соответственно дает —1,53 —3,33 —1,13 —0,94 эВ/ат. Если для Mg и Be рассчитанные и измеренные значения различаются более чем в 4 раза, то для Na и К это различие совсем незначительно. Полученные результаты означают, что количественное сходство с экспериментом по энергии связи наблюдается по крайней мере у некоторых групп металлов (например, щелочных). Однако, сравнивая с данными предыдущей главы, легко убедиться в том, что даже это сходство не очень надежно, поскольку в наших расчетах не был учтен какой-либо потенциал отталкивания, без которого с кристаллом должен произойти коллапс. [c.40]

Сравнение зависимости (3.17) с экспериментальной для кристаллов меди показывает, что начиная с дозы 10 н/см и выше обе кривые имеют один и тот же наклон, соответствующий т При дозах, меньших 10 н/см , экспериментальная кривая спадает быстрее, чем теоретическая. Согласно теории Орлова и Трушина по мере превращения зон обеднения в дислокационные петли скорость повышения т с дозой уменьшается, что и наблюдается экспериментально. [c.66]

По многочисленным экспериментальным данным, моно-кристаллический молибден обладает существенной анизотропией работы выхода электронов для разных кристаллографических плоскостей (см. табл. 4.1), что связано с различной плотностью упаковки атомов в кристаллической решетке на разных плоскостях— гранях кристалла [124, 125, 154, 155]. Подробная подборка экспериментальных данных по термоэмиссионным свойствам молибдена дана в справочнике [155]. [c.78]

Сделанные до сих пор оценки теоретической прочности при сдвиге идеальных монокристаллов выполнены в предположении, что кристалл испытывает чистый сдвиг и сила, нормальная к плоскости скольжения, отсутствует. Учет растягивающих и сжимающих напряжений должен сильно повлиять на величину Ттах-Приведенные оценки теоретической прочности относились к температуре абсолютного нуля. Однако теоретическая прочность зависит от температуры по двум причинам. Во-первых, следует учитывать температурное изменение упругих постоянных, параметров решетки и поверхностной энергии и, во-вторых, термические флуктуации. При температуре, отличной от 0° К, в кристалле имеется конечная вероятность возникновения дислокаций под действием приложенных напряжений и термических флуктуаций [49, 50], что, как показывает расчет, приводит к небольшому уменьшению прочности с температурой. Между тем это противоречит хорошо известному экспериментальному факту о значительном понижении прочности с температурой. Последнее обусловлено влиянием температуры на свойства структурных де- [c.281]

Справедливость высказанных положений была подтверждена экспериментально аустенитные кристаллы игольчатой формы наблюдались при полиморфном а -> 7-превращении в хромистом железе, имевшем в исходном состоянии полиэдрическую структуру (отожженное состояние) [26]. Для подавления вторичных термически активируемых процессов, изменяющих строение движущейся границы фаз, авторы [ 26] применяли высокие скорости нагрева (5000°С/с). Ориентированный характер а -> 7-превращения в отожженных сталях наблюдался [ 116] и при небольших скоростях (1 и 100°С/мин) нагрева (рис. 44). Как [c.88]

До настоящего времени отсутствует единое мнение о мартенситных превращениях, протекающих при деформации метастабильных сплавов. Общеизвестный экспериментальный факт, что 7- е-превращение в низкоуглеродистых железомарганцевых сплавах всегда предшествует у- а-превращению, уменьшение количества е-фазы в результате деформации при определенном увеличении количества а-фазы [20], а также то обстоятельство, что кристаллы а-мартенсита в большинстве случаев возникают внутри пластин е-мартенсита, позволили рассмотреть е-мартенсит в качестве промежуточной фазы при образовании фаз Деформации по реакции у г- а [41, 45, 87, 133]. [c.97]

Обзоры экспериментальных данных относительно центров окраски в кристаллах щелочно-галоидных соединений содержатся в ряде работ [2, 13, 14, 31, 32, 33, 34]. Здесь будут рассмотрены только наиболее существенные результаты, освещение которых может оказаться полезным для анализа явлений люминесценции окрашенных кристаллов щелочно-галоидных соединений. [c.21]

Перечисленные экспериментальные факты позволяют с достаточной надежностью предположить, что У-центры являются аналогами электронных центров окраски. С химической точки зрения это означает, что если f-центры соответствуют нейтральным атомам щелочного металла, диспергированным в щелочно-галоидном кристалле, то определенные У-центры должны соответствовать диспергированным нейтральным атомам галоида. По аналогии с физической моделью элементарного центра окраски, согласно которой f-центр представляет собой электрон, ассоциированный с вакантным галоидным узлом, элементарный дырочный центр может быть представлен как положительная дырка, ассоциированная с вакантным катионным узлом. [c.35]

В растущем кристалле всегда имеются дислокационные несовершенства. В месте выхода на поверхность винтовой дислокации имеется ступенька, в которой легко присоединяются атомы, поступающие из жидкости (рис. 20, б). Винтовые дислокации ведут к образованию на поверхности кристалла спиралей роста высотой от одного до нескольких тысяч атомов. Спиральный рост экспериментально обнаружен при изучении роста кристаллов магния, кадмия, серебра и других металлов. [c.34]

До квантовой механики (и даже после ее полного ста новления) в научно-исследовательской практике очень большое хождение имело представление об эффективных радиусах атомов, проявляющихся в их действиях, т. е. в химических соединениях. Эффективные радиусы определяли из экспериментальных данных о межъядерных расстояниях в молекулах и кристаллах. Предполагалось, что атомы представляют собой несжимающиеся шары, которые соприкасаются своими поверхностями. При определении значения эффективного радиуса из межъядерных расстояний в ковалентных молекулах подразумевали ковалентные радиусы, при вычислении их из данных для металлических кристаллов — металлические. Эффективные радиусы, найденные из кристаллов с преимущественно ионной связью, назывались ионными. Металлические и ковалентные радиусы вычислялись как половина межъядерного расстояния между центрами двух смежных атомов в кристаллической решетке металла или кристалла соответствующего простого вещества. [c.20]

Расчет наиболее вероятных стадий осаждения частиц при росте кристалла недостаточен, чтобы полностью объяснить дальнейший рост жизнеспособного зародыша. Возникает вопрос, каким образом при поступлении атомов из паровой фазы осуществляется повторяющаяся стадия (осаждение на полукристаллическом положении), которая по сравнению с другими стадиями осаждения появляется гораздо чаще. Ответ на этот вопрос дает учет процесса поверхностной диффузии (поверхностной миграции), называемой также диффузией Фольмера (см. И и 14.3). Этим процессом обеспечивается высокая подвижность попадающих на поверхность кристалла атомов или молекул благодаря этому становится возможным переход частиц на энергетически выгодные позиции. Экспериментальные доказательства поверхностной диффузии приводятся в главе 14.3, в настоящей главе рассматривается только ее значение для роста кристаллов. [c.316]

Наилучшее значение величины NEP, экспериментально измеренное при работе с преобразователем частоты, составляет 10-14 gj да одной поперечной моде вблизи длины волны 3,5 мкм. Оно было получено Смитом и Маром [146] при использовании в качестве нелинейного кристалла ниобата лития и в качестве непрерывного источника накачки — лазера на ионизированном аргоне. Кристалл помещался вне резонатора лазера, а его температура синхронизма была достаточно высока, чтобы избежать проблем, связанных с повреждением кристала. Указанная величина вплотную приближается к тем значениям NEP, которые могут быть получены с обычными детекторами на фотопроводимости при тех же длинах волн. Ясно, что эта характеристика в принципе может быть улучшена при помещении кристалла-смесителя внутрь резонатора лазера, что увеличит на один-два порядка эффективную мощность накачки. Однако, как мы уже указывали при обсуждении внутрирезонаторной ГВГ, возникающие при этом проблемы требуют для своего разрешения [c.187]

Экспериментальные доказательства необходимости упомянутой связи не очень многочисленны, но весьма убедительны. Во-первых, это—изменение глубины проникновения магнитного поля с концентрацией примесей индия (последняя изменяется от нуля до 3% см. гл. VIII). Наблюдалось уменьшение глубины проникновения почти в 2 раза, хотя в критической температуре не было заметно почти никакого изменения. По мнению Пиннарда, изменение глубины проникновения поля означает уменьшение длины свободного пробега электронов благодаря наличию примесей атомов индия и соответствующее уменьшение длины когерентности. Во-вторых, это—изменение глубины проникновения поля в монокристалле олова в зависимости от его ориентации ). Глубина проникновения имеет максимум, когда угол 6 между осью кристалла и осью четвертого порядка равен 60° и уменьшается для всех других углов (см. гл. VIИ). Это изменение не может быть объяснено предположением о тензорном характере параметра Л в уравнении Лондона, поскольку такое предполоягение приводило бы к монотонной зависимости от величины угла. Пиппард наблюдал соответствующее изменение в высокочастотном сопротивлении нормального олова, что опять не может быть объяснено простым учетом тензорного характера проводимости для объяснения приходится привлекать теорию аномального скин-эффекта. В последнем случае средняя длина свободного пробега электрона больше толщины скин-слоя, так что электрическое поле, действующее на электрон, существенно изменяется на протяжении длины свободного пробега. В-третьих, это—зависимость глубины проникновения поля от параметров металла данная зависимость будет рассмотрена позднее с позиции модифицированной теории Пиппарда (см. п. 26). [c.705]

Комбинация формул (2.47) и (2.48) позволяет вычислить L/полв с использованием двух надежно определенных экспериментально величин Ra и В. Помимо этого f/полн можно найти и с помощью прямого эксперимента (например, по измерениям энергии сублимации). Результаты сравнения рассчитанных по (2.47), (2.48) и измеренных величин для ряда кристаллов приведены в табл. 2.6 [4]. [c.34]

Возрастание теплоемкости при подходе к точке фазового перехода кристалл—кристалл обусловлено отклонением реальной структуры кристалла от идеальной кристаллической решетки. Обозначим разность значений Ср на экспериментальной кривой в области фазового перехода и на прямой линии, описывающей изменение с-р на удалении от точки перехода и проэкстраполированной на область фазового перехода через Аср. [c.237]

Зная структуру, производят расшифровку (индицирование) рентгенограммы порошка путём сравнения экспериментально наблюдённых и теоретически рассчитанных по квадратичной форме [см. уравнение (18) для кубической структуры] синусов брэгговских углов. Расшифровка сводится к тому, что каждой линии на рентгенограмме приписываются мил-леровские индексы , Нк1) той плоскости в кристалле, от которой эта линия получилась. Значения постоянных решётки а, с и индексы (кМ). свойственные данной структуре, берутся из Справочника по рентгеноструктурному анализу [9]. Для расшифровки рентгенограмм веществ с неизвестной кристаллической струк- [c.167]

Экспериментальными исследованиями И. Н. Медведева [Ы установлено минимально необходимое для этого переохлаждение смеси, величина которого зависит от солесодержания опресняемой воды. Чем выше солесодержание, 1ем труднее осуществляется упорядочение молекул воды в кристаллической решетке зародышевых кристаллов газгидрата, тем большее переохлаждение смеси необходимо по сравнению с критической телшературой (при данном давлении) для формирования кристаллогидратов. Зависимость величины необходимого переохлаждения смеси от солесодержания воды приведена на рис. 8.3. [c.104]

Оценим теперь скорость переползания дислокаций в Si на рис. 132. При Dy = - 2,5 ILT см /с. Со = 3,55 10" и q/ = 1,3499 дая j = 6 кгс/мм (см. табл. 8) получим значение F = 7,12 10 см/с, что хорошо согласуется с экспериментально полученным на рис. 132 значением V = 2,22 10 см/с. Таким образом, во всех трех приведенных оценках скоростей переползания в Ge и Si расчетные значения V очень хорошо согласуются с экспериментальными. Кстати, весьма близкая к полученным выше значениям V скорость переползания получается из оценки данных на рис. 114, г V = 14 мкм /120ч= 3,34-10" см/с. Учитьшая, что скорость переползания при даштель-ной выдержке кристалла под нагрузкой имеет затухающий характер, уменьшим время на порядок и получим V = 3,34 10 см/с. [c.230]

На рис. 12.10 приведена экспериментальная кривая, показывающая зависимость частот сигнальной и холостой волн от 0 в кристалле NH4H2PO4 (ADP). На этом же рисунке представлена и теоретическая кривая, построенная по формуле (12.9.7) в квадратичном приближении с использованием данных по дисперсии (т. е. зависимости п от со) для кристалла ADP. На рис. 12.11 представлена кривая угловой настройки генератора на кристалле dSe [21]. [c.581]

Кристаллы известной ориентации анизотропных твердых тел подвергались ультразвуковому импульсу с частотой, измеряемой мегагерцами, генерирующему продольные или поперечные волны, почти неизменяющиеся при прохождении вдоль одной из главных кристаллографических осей. Поскольку углы, определяющие ориентацию кристалла, известны, а продолжительность прохождения импульса измеряется в эксперименте, экспериментаторы обычно, не мудрствуя лукаво, предполагают, что справедлива инфинитези-мальная линейная теория упругости i). Следовательно, предполагается также существование упругих жесткостей с,у и упругих податливостей s,y. Экспериментаторы, расширившие область первоначальных исследований с теми же целями, которые были у Грюнай-зена (Gruneisen [1910, 11) в 1910 г., пришли затем к заключению, что температурные зависимости указанных постоянных упругости могли быть найдены с помощью таких же ультразвуковых измерений и в пределах тех значений температуры, которые были экспериментально возможны. [c.456]

Экспериментально беэрезонаторную параметрическую генерацию при шестипучковом взаимодействии удалось наблюдать в кристаллах LiNbOa, легированных медью (0,02 мас.% шихты) [71, 72] (рис. 4.39). Толщина образца составляла 1,5 мм. Для возбуждения использовалось несфокусированное излучение одночастотного одномодового лазера на аргоне (е-волна в кристалле). Встречный пучок формировался за счет отражения от задней грани кристалла. В соответствии с условиями синхронизма (4.63) плоскость, в которой локализованы генерационные пучки, должна быть перпендикулярной плоскости схождения пучков накачки. Это позволило управлять пространственным положением генерационных пучков, соответствующим образом изменяя угол наклона образца по отношению к пучку накачки [72]. [c.173]

На рис. 8.27 показаны конструкции модуляторов, которые позволяют производить одновременно запись нескольких электрических сигналов. В первом варианте модулятор представлял пластину кристалла BSO, с одной стороны которой нанесены электроды в виде прозрачных проводящих полосок, а с другой — один сплошной рбщий электрод. Количество одновременно записываемых электрических сигналов соответствует количеству полосковых электродов. Электроды создают в кристалле в основном продольное электрическое поле. Во втором варианте (рис. 8.27, б) напряжения записываемых сигналов прикладываются к паре полосковых электродов, расположенных на одной поверхности кристаллической пластины. Для экспериментальных образцов электроды изготавливались фотолитографическим способом с расстоянием между ними 125 мкм. Причем величина управляющих сигналов ограничивалась пробоем по воздуху и не превышала 200 В, что ограничивало дифракционную эффективность ПВМС. При записи все электроды одновременно сканировались узкой полосой записывающего света. Считывание осу- [c.202]

Иных возможностей фазовых превращений металла в диэлектрик из одио-электронной теории не следует. Поэтому приведенные на рис. 4.11 экспериментальные характеристики по резкому изменению проводимости различных веществ выходят за пределы предсказаний этой широко распространенной теории. Дело в том, что приближение блоховоких волновых функций, принятое одноэлектрои-ной теорией, основано на особенностях строения волновых функций s- и р-элек-тронов, орбитали которых имеют большую пространственную протяженность и значительное взаимное перекрытие. На рис, 4,11,а,г—е приводились, однако, примеры других соединений (с f- и d-электронами), волновые функции которых локализованы вблизи соответствующих ядер. Прежде чем перечислить различные теоретические интерпретации ФП типа диэлектрик — металл, целесообразно привести более полно, чем иа рис. 4.11, данные об изменении совокупности физических свойств кристаллов в окрестности такого перехода. [c.115]

Синхронизация мод лазера на АИГ Nd исследовалась Куи-зенгой и Сигманом, экспериментально подтвердившими многие выводы теории, данной в разд. 4.2 [4.6]. Для синхронизации мод лазера на АИГ Nd ими использовался электрооптический фазовый модулятор на кристалле LiNbOs с частотой модуляции 264 МГц. Ширина спектра излучения Av определялась с помощью интерферометра Фабри—Перо. Для измерения длительности импульсов Xl использовался быстродействующий фотодиод. Длительность более коротких импульсов определялась корреляционным методом на основе измерения второй гармоники (см. гл. 3). В зависимости от глубины модуляции Ьрм наблюдались импульсы длительностью от 40 до 200 пс при средней выходной мощности 300 мВт. Без принятия дополнительных мер кристалл модулятора выполнял роль эталона Фабри— Перо, ограничивавшего ширину спектра излучения лазера. Для сокращения длительности импульсов необходимо исключить селекцию мод модулятором, устранив мешающие отражения (для этого можно, например, скосить входные окна модулятора под углом Брюстера к оптической оси резонатора). Можно также наклонить модулятор на достаточно большой угол, устранив таким образом перекрытие падающего и отраженного пучков. Измерялась зависимость ширины спектра излучения и длительности импульсов от коэффициента глубины модуляции 8рм. Результаты измерений представлены на рис. 4.6. Проведенные через экспериментальные точки прямые подтверждают предска-10 [c.147]

Развитие представлений о физических закономерностях роста больших совокупностей кристаллов ведется на основе экспериментальных данных, получаемых в условиях, когда не только не устранено влияние различного рода примесей, но и, как правило, не контролируется их содержание и элементный состав. В настоящее время мы не располагаем чистыми экспериментальными данными, за исключением данных по тонким пленкам, получаемым при остаточном давлении не более 10 Па. Однако эти данные содержат информацию только о начальных стадиях образования пленок (зарождение, коалесценция), а не о стадии роста. Поэтому о закономерностях роста в чистых условиях приходится судить на основе косвенных срображевдй, в частности экстраполяций с привлечением теоретических представлений. Подавляющее число работ, направленных на изучение различных аспектов закономерностей роста, фактически содержит информацию о закономернрстях, связанных с конкретными условиями эксперимента. Как правило, эти условия в разных работах различны и, кроме того, трудно сопоставимы. [c.3]

В экспериментальном АЭ Кристалл модели ГЛ-201Д32 с длиной разрядного канала 150 см (на 30 см длиннее, чем в АЭ Кристалл LT-50 U ) в режиме УМ с двухканальным ламповым источником питания (две лампы ГМИ-29А включены параллельно) при ЧПИ 12 кГц достигнут съем мощности излучения 85-90 Вт с практическим КПД 1,5% и КПД АЭ 3%. В экспериментальном АЭ Кристалл LT-75 u [c.284]

При попытке обнаружить этот ионизационный процесс в кремнии экспериментально мы столкнулись с большой технической трудностью практически невозможно создать однородную плотность фотовозбужденных носителей в кристалле. Во-первых, диффузионная длина носителей экситонов—это величина порядка всего лишь 1 мм, а, во-вторых, эта длина зависит от температуры и оказывается неодинаковой для экситонов и свободных носителей. Если же взять кристалл, линейные размеры которого меньше диффузионной длины, то из-за поверхностных ловушек сильно уменьшится время рекомбинации. [c.138]

Исходя из представления об идеальном кристалле, невозможно объяснить экспериментально наблюдаемые закономерности пластической деформации реальных кристаллов и прежде всего огромное различие между теоретическим сопротивлением сдвигу и критическим касательным напряжением, при котором практически идет трансляционное скольжение. Чтобы найти выход из этого противоречия, необходимо было отойти от схемы идеального кристалла и предположить существование неких дефектов, облегчающих прохождение пластической деформации. В 1934 г. С. Тейлор, Е. Орован и М. Поляни почти одновременно предположили, что пластическое скольжение осуществляется путем перемещения особых дефектов кристаллической решетки — дислокаций. [c.419]

Первые экспериментальные исследования фотохимических процессов в галоидном серебре, проведенные Хильшем и Полем [I], показали, что при облучении светом из полосы собственного поглощения происходит образование коллоидного серебра ). Наши исследования [2], особенно для случая бромистого серебра, содержащего типичный сенсибилизатор — сернистое серебро, — дали такие же результаты. Согласно этим измерениям, акт оптического поглощения связан с образованием коллоидных частиц. Присутствие атомарных центров, которые должны образовываться в качестве промежуточного продукта при освещении кристалла, не могло быть установлено. Такой результат не вызывает особого удивления, если считать, что в галоидном серебре содержатся дефекты по Френкелю [катионы в междуузлиях (Ag ) и вакантные катионные узлы (Ag )], что следует главным образом из работ Поста [3] и Вагнера [4]. Независимо от того, что уже одни чисто термодинамические соображения говорят против образования атомарных центров ), трудно допустить, что атом серебра [c.59]

Полосы поглощения, соответствующие частотам колебаний, близким к расчетныхм (--10 гц), были обнаружены позднее экспериментально в кристаллах BaTiOg и SrTiOg. Эти низкочастотные колебания действительно обнаружи- вают аномальную тенденцию — падение частоты при приближении к области фазового перехода со стороны параэлектрической модификации (т. е. при охлаждении). [c.81]

Рентгеновские методы являются одними из основных в изучении тонкой структуры деформированных материалов, так как дают достаточно подробные дополнительные данные к прямым методам исследования, использующим, например, электронную и оптическую микроскопию. Преимущество этих методов в том, что материалы и изделия можно исследовать без разрушения и непосредственного контакта, не останавливая производства, а это обеспечивает создание системы неразрушающего контроля дефектной структуры кристаллических твердых тел, находящихся в рабочем состоянии. Для использования интерпретации экспериментальных результатов требуются детальные выражения, описывающие зависимость особенностей распределения интенсивности на дифрактограммах от параметров дислокационной структуры. Часть этих данных содержится в весьма обширной литературе по кинематическому приближению статистической теории рассеяния рентгеновских лучей деформированными кристаллами [3—58]. В настоящей главе в ряде случаев с необходимой подробностью приведены функциональные зависимости и численные значения коэффициентов, определяющих связь экспериментальных данных с параметрами дефектной структуры кристалла. Кроме того, приведены новые результаты по теории рассеяния рентгеновских лучей сильно искаженными приповерхностными слоями и предсказаны рентгенодифракционные эффекты в кристаллах, которые содержат структуры, характерные для развитой пластической деформации материала. [c.226]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...