Глубина проникновения поля

Отсюда видно, что Д == 1/а — глубина проникновения поля в диэлектрик, так как на глубине х = = А амплитуда напряженности поля уменьшается в е раз. [c.142]

Тепловую обработку пищевых продуктов следует проводить в контейнерах из диэлектрика, не греющегося в электрическом поле СВЧ. Этому требованию удовлетворяют контейнеры из жаропрочного стекла пирекс , фарфора, полиэтилена, пропилена, фторопласта. Размеры кусков пищевых продуктов хотя бы в одном измерении не должны превосходить двух-трех значений глубины проникновения поля. Установлено, что загрузка рабочей камеры в форме низкого цилиндра, высота которого в 2—5 раз меньше диаметра, наилучшим образом удовлетворяет условиям СВЧ-нагрева [30]. [c.311]

Диэлектрические свойства пищевых продуктов могут быть самыми различными. Они зависят от влажности и меняются в течение тепловой обработки. Например, значения е и [й б при температуре 20 °С для говядины 50 и 0,38, а для говяжьего жира 5 и 0,1 соответственно. Глубина проникновения поля при частоте 2375 МГц в говядину 1,5 см, а в жир — 18 см. [c.311]

Режим работы проводникового экрана зависит от соотношения между толщиной его стенки di и эквивалентной глубиной проникновения поля. Если di < Sd, то коэффициент затухания проводникового экрана прямоугольной, цилиндрической и сферической форм равен [c.151]

Поведение фазы поля, отраженного от эшелетта, иллюстрируют рис. 82— 84. В случае -поляризации (рис. 82) наиболее сильным изменениям в диапазоне О < и < 1 подвергается фаза волны, отраженной от симметричной решетки. Возрастание tf) уменьшает arg Aq. вероятно, вследствие того, что при фиксированном периоде уменьшаются глубина канавки и соответственно глубина проникновения поля в глубь последней. [c.139]

Рис. 86. Зависимость фазы (штриховые кривые) и глубины проникновения поля (сплошные) от коэффициента заполнения s при и = 0,2 и ф = 0°.

Приближенные граничные условия (56.04) применимы, если глубина проникновения поля в нижнее полупространство [c.311]

Протекание этого процесса существенно зависит от относительной величины двух характерных для сверхпроводника длин глубины проникновения поля (см. выше) [c.184]

Глубина проникновения поля, вычисленная по выражению [c.22]

Здесь учитывается, что часть магнитного потока проходит и по валу, так как при малой частоте перемагничивания (/а = при 5 0,10 н- 0,05) глубиной проникновения поля в массивный вал не следует пренебрегать. Для асинхронных машин при 2р = 2 расчет магнитного напряжения производится в таком порядке. [c.58]

На глубине проникновения поля б поток активной энергии [c.81]

То обстоятельство, что глубина проникновения полей в объемные проводники при высоких частотах уменьшается, на практике используют, например, для исследования бетонных перекрытий, дорожных покрытий и полых пространств (карстов) вблизи земной поверхности. [c.227]

В объеме металла, ограниченного глубиной проникновения, выделяется количество теплоты, равное 0,864 д, где - плотность энергии электромагнитной волны на поверхности тела. Глубина проникновения поля может быть рассчитана как [c.491]

Теория Лондона дает полную и непротиворечивую электродинамику сверхпроводников, которая была приложена к широкому кругу задач и с помощью которой были успешно объяснены п предсказаны результаты ряда экспериментов. Один из выдающихся успехов заключался в нредсказании глубины проникновения поля с указанием правильного порядка величины (- 10 см) (еще до экспериментального ео измерения). Тем не менее теория но получила полного количественного подтверждения и, кроме того, по крайней мерс в одном случае (анизотропия глубины проникновения в олово [14]) она находится, по-видимому, в прямом противоречии с экспериментом ). Уравнения Лондона, вероятно, являются лишь идеализироваииым предельным случаем более сложных уравнений, описывающих реальные сверхпроводники. Как таковые они продолжают оставаться очень полезными, хотя их решения могут и не находиться в хорошем количественном согласии с экспериментом. [c.690]

Шенберг [46J использовал. эти результаты при анализе. экспериментальных данных, полученных на коллоидных растворах ртутп с размерами частиц порядка 10 —Ю см. Вследствие разброса в размерах частиц количественная проверка формулы (11.12) оказалась невозможной, хотя при изучении температурного хода в области применимости формулы (11.14) можно получить сведения о глубине проникновения поля. [c.698]

Экспериментальные доказательства необходимости упомянутой связи не очень многочисленны, но весьма убедительны. Во-первых, это—изменение глубины проникновения магнитного поля с концентрацией примесей индия (последняя изменяется от нуля до 3% см. гл. VIII). Наблюдалось уменьшение глубины проникновения почти в 2 раза, хотя в критической температуре не было заметно почти никакого изменения. По мнению Пиннарда, изменение глубины проникновения поля означает уменьшение длины свободного пробега электронов благодаря наличию примесей атомов индия и соответствующее уменьшение длины когерентности. Во-вторых, это—изменение глубины проникновения поля в монокристалле олова в зависимости от его ориентации ). Глубина проникновения имеет максимум, когда угол 6 между осью кристалла и осью четвертого порядка равен 60° и уменьшается для всех других углов (см. гл. VIИ). Это изменение не может быть объяснено предположением о тензорном характере параметра Л в уравнении Лондона, поскольку такое предполоягение приводило бы к монотонной зависимости от величины угла. Пиппард наблюдал соответствующее изменение в высокочастотном сопротивлении нормального олова, что опять не может быть объяснено простым учетом тензорного характера проводимости для объяснения приходится привлекать теорию аномального скин-эффекта. В последнем случае средняя длина свободного пробега электрона больше толщины скин-слоя, так что электрическое поле, действующее на электрон, существенно изменяется на протяжении длины свободного пробега. В-третьих, это—зависимость глубины проникновения поля от параметров металла данная зависимость будет рассмотрена позднее с позиции модифицированной теории Пиппарда (см. п. 26). [c.705]

Здесь с — характерный для металла параметр, имеющий размерность длины и связанный н основном с длиной когерентности в чистом металле, а R— г —г . Параметр q тесно связан с длиной свободного пробега /. Пиппард нашел, что характер изменения глубины проникновения поля в случае сплавов олово — индий может быть объяснен, если нредноложить, что [c.707]

Решение (18.5) находится способом, напоминающим метод, примененный Рейтером и сондгеймером для решения аналогичного уравнения, описывающего скин-эффект. Глубина проникновения поля в предположении [c.707]

Отметим, что большой диамагнетизм наблюдается только, когда длина волны электронов велика по сравнению с глубиной проникновения поля. Волновые функции электронов в этом случае размазываются на расстояния, большие по сравнению с глубиной проникновения поля. В этом смысле предельным случаем является идеальный газ Бозе — Эйнштейна заряженных частиц. Ниже температуры конденсации некоторая часть электронов находится в самом нижнем состоянии, причем волновая функция этого состояния размазывается на весь объедг. Это соответствует в рассмотренном выше примере пределу и мы получаем обычную [c.721]

Фабер и Пиппард [66] оценили X для олова и алюминия по измеренным значениям скипового сопротивления при высокг х частотах и сравнили эти оценки с наблюдаемой глубиной проникновения поля. Из теории вытекает, что [c.724]

Для устранения влияния контакта, а также влияния других мешающих факторов, касающихся геометрии объекта контроля, применяют многопа-раметровый метод с формированием сигнала путем вариации топографии электрического поля (изменения распределения напряженности поля в контролируемом объеме). Изменение топографии поля осуществляется, например, коммутацией электродов многоэлементного ЭП, смещением плоскостей разноименно заряженных электродов, изменением диэлектрической проницаемости в зазоре между электродами ЭП и контролируемой поверхностью. На ркс. 7 приведена схема сечения девятиэлементного ЭП, электроды которого соединяются в две комбинации, соответствующие большой глубине проникновения поля (рис. 7, а) и малой глубине проникновения поля (рис. 7, б) в объект контроля, Емкость ЭП в обоих соединениях имеет монотонную зависимость от зазора между электродами ЭП и объектом контроля с наибольшей крутизной (чувствительностью к зазору) в контактной зоне. Зависимость разности емкостей от зазора имеет экстремальную точку, в которой чувствительность ЭП к зазору равна нухю. Подбором крутизны зависимостей емкости ЭП в некоторых случаях можно переместить в желаемую зону. Простое вычитание зависимостей емкостей ЭП с различной топографией, приведенное на рис. 7, соответствует линейной аппроксимации этих зависимостей. Большую точность и расширение зоны компенсации дает решение системы [c.171]

Рис. 7. Схемы сечения электродов девяти-вдементного ЭП для различных глубин проникновения поля и соответствующие завнсимосш емкости ЭП от зазора

Значительно большее влияние в этой области частот оказывают магнитные нелинейности, к-рые могут менять С.-э. не только количественно, но и качественно. Их действие проявляется при условии u) fT 1, где Шд = eHjm — циклотронная частота носителей. В режиме магн, нелинейности С.-э. необходимо учитывать тензорный характер сопротивления среды в магн. поле. Зависимость диагональных компонент сопротивления р от Я (мазнетосопротивление) аналогична влиянию электрич. нелинейностей. Недиагональные компоненты тензора сопротивления (см. Холла эффект) наиб, ярко проявляются в нестационарной задаче о проникновении в плазму постоянного магн. поля, включаемого в нек-рый момент времени I = 0. Тогда глубина проникновения поля в плазму меняется со временем 6 hp(E, В режиме не- [c.542]

В ИК-области, когда б = с/Ыр, нелинейные изменения происходят при 1Р18л й Nm , когда носителей в скин-слое толщиной с/Шр не хватает для переноса тока даже при их движении со скоростью, близкой с. В результате глубина проникновения поля увеличивается (чтобы повысить число носителей) до необходимой для поддержания тока б = H/inNe. В области высоких частот ш Шр толщина скин-слоя в плазме может как уменьшаться, так и возрастать в зависимости от знака нелинейного вклада в диэлектрич. проницаемость. В Отличие от линейного режима, в случае нелинейного С.-э, при медленном увеличении напряжённости поля оно, начиная с аек-рой пороговой амплитуды, проникает в глубь плазмы на расстояние, определяемое диссипативным затуханием. (Это происходит при положит, нелинейном вкладе.) В случае достаточно слабой диссипации нелинейное проникновение поля в плазму может носить характер гистерезиса, т. е. зависеть от предыстории процесса. Напр., для плазменного слоя конечной толпщны эффективность Т проникновения эл.-магн. волны через слой, измеряемая отношением потоков энергии после слоя и перед ним, является неоднозначной ф-цией интенсивности падающей волны / (как схематически показано на рис.). [c.542]

Отсюда видно, что с указанной точностью о является монотонно растущей функцией от os ф экспоненциально убывает при возрастании угла наклона лент решетки а с увеличением длины волны обратно пропорционально %. Из выражения для ао следует, что решетка ведет себя подобно идеально отражающей плоскости, параллельной хОу и помещенной в точку Zo = /I созгр — Д. Величину Д = созгр (г1>)/2л можно рассматривать как глубину проникновения поля внутрь решетки. Она монотонно уменьшается от I 1п 2/л при гр = О до нуля при гр -> 90°. Пренебрегая величинами порядка ехр (—4лб), получаем в случаегр =0 о1 = 4х созф ехр (—2лб), что совпадает с формулами из [240]. Отметим, что проанализировать дифракционные свойства решетки для х <с 1 в - и Я-поляризации можно и на основе формул из [6], погрешность которых не зависит от б. [c.74]

Здесь a = 2 —геометрический фактор для вычисления емкости С е — диэлектрическая 11ронииаемость керамики d — расстояние между электродами (50 мкм) ш —другой размер светового клапана (100 мкм) / — эффективная глубина проникновения поля в пластине (40 мкм) п —показатель преломления г —квадратичный злектрооптический коэффициент Отсюда [c.135]

Из сказанного видно, что при j = О магнитное поле внутри сверхпроводника (вдалеке от его границ) отсутствует. Вблизи же границы уравнение (12") дает решение ехр(—хж), экспоненциально затухающее внутрь сверхпроводника здесь х — расстояние от границы, величина = 47ге Фр/ш определяет глубину проникновения поля. В ненроникновении поля внутрь сверхпроводника и состоит уже упоминавшийся эффект Мейсснера [12]. Физически он объясняется тем, что при включении поля в сверхпроводнике наводятся индукционные токи (второй член в левой части (12")), экранирующие, по правилу Ленца, внешние источники поля и, в отличие от нормального металла, не затухающие со временем. [c.184]

Общая глубина разведки или глубина проникновения поля, рассчитанная Эвьеном, была уже рассмотрена выше. Чем меньше удельное сопротивление пород и чем больше глубина разведки, тем ниже должна быть частота. Она может нри этом достигать значений, лежащих ниже уровня слышимости (инфразвук). [c.196]

Рис. 5. Схемы сечения электродов девятиэлементного ЭП для различных глубин проникновения поля в ОК и зависимости емкости ЭП от зазора

Толщину d, м, обычно подбирают, руководствуясь К0нсгр5тстивными соображениями d = 0,5...2,0 мм), на основании выражения Н / Ядоп = /гэе Ч2,85бЦэ), где 8 - глубина проникновения поля в экран, 5 = (л/ц эУэ) Здесь уэ - удельная проводимость стали, равная [c.429]

В области сверхвысоких частот П. э. м. определяется ур-пиями Максвелла в сочетании с ур-нием Ландау—Лифшица [10]. П. э.м. и его расчет существенно осложняются влиянием макро- и микронеодпород-ностей (см. Микровихревые токи), а также магнитной анизотропией и обмепн1лми взаимодействиями. В микроволновой технике наблюдается ряд аномалий П. э. м., обусловленных возникновением спиновых волп, а также сравнимостью длины свободного пробега электронов проводимости и глубины проникновения поля (металлы при низких темн-рах) [10, 11]. [c.64]

Смотреть страницы где упоминается термин Глубина проникновения поля : [c.691] [c.699] [c.713] [c.717] [c.722] [c.752] [c.906] [c.212] [c.581] [c.182] [c.190] [c.21] [c.404] [c.17] [c.85] [c.333] [c.444] [c.459] [c.24] [c.78]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...