Глубины проникновения зависимость

Рис. 118. Зависимость глубины проникновения водорода в хромистую сталь от содержания хрома в стали при давлении 30 Мн/м и разных температурах (длительность испытания 300 ч)

На рис. 5.25 представлена зависимость чувствительности магнитопорошкового метода от состояния порошка при силе намагничивающего тока в пределах 200.. 1500 Л. С ростом намагничивающего тока выявляемость дефектов, определяемая глубиной проникновения в металл, повышается. На глубине 2 мм могут [c.138]

Ф и г. 24. Зависимость глубины проникновенна от магнитного поля (поданным Пиппарда [161]). [c.646]

Одной из важнейших характеристик, определяющих величину управляющего усилия, создаваемого как при вдуве газа, так и при впрыске жидкости, является глубина проникновения струи в поток к. В случае впрыска капельных жидкостей ее величину можно определить при помощи эмпирической зависимости [c.345]

Зависимость удельного сопротивления от температуры для стали с содержанием углерода 0,4—0,5 % приведена на том же рис. 1-6. Из кривой видно, что в промежутке 15—800 °С удельное сопротивление возрастает примерно в 5 раз. В дальнейшем рост удельного сопротивления замедляется, причем значения его для разных сортов стали становятся почти равными. В среднем можно принять, что в интервале температур 800—900 С удельное сопротивление равно 10 Ом-м. В результате падения магнитной проницаемости и роста удельного сопротивления в процессе нагрева глубина проникновения тока возрастает в 8—10 раз. Для определения глубины проникновения тока в сталь, нагретую выше точки магнитных превращений, можно написать простую формулу, подставив в (1-15) значения р = Рк 1 Ом-м и р = 1. Тогда [c.20]

Рис. 14. Зависимость к. п. д. индуктора от отношения диаметра детали к величине горячей глубины проникновения при нагреве сплошного стального цилиндра в кольцевом индукторе

Толщина трубки выбирается в зависимости от глубины проникновения тока, как указано в гл. 1. Та- [c.243]

Рио. 217. Глубина проникновения коррозии нихрома в азотной кислоте за 1 ч в зависимости от температуры И ] [c.26]

Рис 3.18. Зависимость глубины проникновения переменного тока t от его частоты и 2 —для меди и стали соответственно (i. мм) 3 —для стального трубопровода с условным проходом DN=200 мм (t, км) 4 —для грунта с удельным электросопротивлением р 100 Ом-м (/, км) 5 —для грунта с р=10 Ом-м (/, км) [c.114]

Рис. 6. Зависимость от времени средней и максимальной глубин проникновения коррозии для железа, меди, свинца и цинка в четырех грунтах

Количество радиоактивного фосфора, перенесенного от донора к акцептору в зависимости от длины пути трення (числа оборотов), и глубина проникновения и Fe в акцептор показаны на рис. 2 я 3. [c.29]

Рис. 51. Зависимость скорости смещения атомов к потоку частиц от глубины проникновения ионов [19].

Изучение макро- и микроструктуры образцов после их взаимодействия с расплавленным флюсом показывает, что цинк, восстановленный из флюса в результате реакции замещения, будучи в жидком состоянии, не остается на поверхности образца, а диффундирует в глубь образца, образуя с алюминием твердый раствор цинка в алюминии и эвтектику А1 — 2п (или А1 — Zn—Мп), располагающуюся по границам зерен. Глубина проникновения цинка в образец в мм при температуре 450, 500, 550, 600° С (кривые 1, 2, 3, 4) в зависимости от времени ( мин взаимодействия с флюсом 34А показана на рис. IV. 9. [c.406]

В объёме газового тела в зависимости от давления содержится различное число молекул, поэтому поглощение газовым объёмом луча, проникающего на глубину s (зависящую от формы и размера), будет зависеть не только от глубины проникновения, но и от давления газа так как обычно приходится иметь дело с газовыми объёмами, заполненными смесями газов, то, говоря о поглощении каким-либо компонентом смеси, считают зависящим от [c.504]

Прозрачное окрашивание в зависимости от глубины проникновения красителя называется морением или травлением. Окрашивание под давлением, при котором краска проникает в древесину на всю её толщину, называется пропиткой. Лишь очень немногие породы дерева поддаются пропитке без давления. К ним относятся ольха и груша. Для пропитки изделий, выполненных из этих пород, достаточно опустить их на некоторое время в горячий раствор красителя. Древесина большинства пород требует для пропитки высокого давления (например, дуб и ясень — до 25 am, сосна —до 50 am). [c.664]

Насколько сильно пре . .тствуют добавки, например хро.ма, диффузии водорода в металл, можно видеть из следуюидпх данных проникновение водорода в углеродистую сталь (0,157о С) за один и тот же промежуток времени при отсутствии хрома составляет 0,9 мм, при содержании 1% Сг — 0,3 мм, а при содержании 5% Сг — 0,1 мм. На рис. 118 пока,зап.а зависимость глубины проникновения водорода в хромистую сталь от температуры газа и содержания хрома в металле. Карбиды хрома не [c.151]

Рис. 128. Глубина проникновения межкристаллитной коррозии в хро-моникелевой стали в зависимости от содержания углерода

Температурная зависимость X. В п. 16,г мы отметили что данные Локка хорошо согласуются с теорией в предположении, что глубина проникновения меняется с температурой следующилЕ образом [c.645]

В предыдущем разделе мы отмечали, что температурная зависимость как критического поля, так и теплоемкости сверхпроводников не вполне точно согласуется с моделью Гортера. Наоборот, измеренная температурная зависимость глубины проникновения совпадает с нею. Это расхождение, вероятно, MOHi HO объяснить тем, что измерения глубины проникновения крайне трудны и точность излюрения, необходимая для обнаружения незначительных отклонений от закона t, до сих пор не достигнута. [c.646]

Зависимость глубины проникновения от магнитного поля. Пипнард [1621 измерил зависимость глубины проникновения от магнитного поля у олова. Полученные им экспериментальные результаты приведены на фиг. 24, [c.646]

Одним пз самых больших успехов теории Гортера—Казимира является объяснение температурного хода зависимости глубины проникновения магнитного поля X. Согласно теории Лондона, обратно пропорционально концентрации сверхпроводящих электронов п . В двухжпдкостной модели предполагается пропорциональной ш, так что для а = /j имеем [c.687]

Экспериментальные доказательства необходимости упомянутой связи не очень многочисленны, но весьма убедительны. Во-первых, это—изменение глубины проникновения магнитного поля с концентрацией примесей индия (последняя изменяется от нуля до 3% см. гл. VIII). Наблюдалось уменьшение глубины проникновения почти в 2 раза, хотя в критической температуре не было заметно почти никакого изменения. По мнению Пиннарда, изменение глубины проникновения поля означает уменьшение длины свободного пробега электронов благодаря наличию примесей атомов индия и соответствующее уменьшение длины когерентности. Во-вторых, это—изменение глубины проникновения поля в монокристалле олова в зависимости от его ориентации ). Глубина проникновения имеет максимум, когда угол 6 между осью кристалла и осью четвертого порядка равен 60° и уменьшается для всех других углов (см. гл. VIИ). Это изменение не может быть объяснено предположением о тензорном характере параметра Л в уравнении Лондона, поскольку такое предполоягение приводило бы к монотонной зависимости от величины угла. Пиппард наблюдал соответствующее изменение в высокочастотном сопротивлении нормального олова, что опять не может быть объяснено простым учетом тензорного характера проводимости для объяснения приходится привлекать теорию аномального скин-эффекта. В последнем случае средняя длина свободного пробега электрона больше толщины скин-слоя, так что электрическое поле, действующее на электрон, существенно изменяется на протяжении длины свободного пробега. В-третьих, это—зависимость глубины проникновения поля от параметров металла данная зависимость будет рассмотрена позднее с позиции модифицированной теории Пиппарда (см. п. 26). [c.705]

Обсуждение феноменологических теорий. Пиппард [14] получил экспериментальные доказательства справедливости своего варианта феноменологических уравнений сверхпроводимости, который объясняет 1) изменение глубины проникновения X сплавов олова с алюминием в зависимости от средней длины пробега 2) анизотропию X у олова, в особенности максимум на промежуточных углах 3) тот факт, что X значительно больше, чем даваемое лондоновским выражением, и 4) относительное значение X у олова и алюминия (см. п. 25). Имеется, конечно, много фактов, которые еще не объяснены теорией. Возможно, что наиболее важным из них является зависимость X от температуры, которая очень хорошо описывается обычной теорией Лондона в комбинации с двухжидкостной моделью Гор-тера—Казимира (см. п. 4). До сих пор нет уверенности в том, что явления проникновения поля в тонких пленках и других телах малых размеров могут быть объяснены теорией Пиппарда так же хорошо, как и теорией Лондона. [c.725]

В п. 30 рассмотрена зависимость глубины проникновения от поля, обусловленная как изменением параметра упорядочения п , так и истиннонелинейными членами в теории. В п. 31 обсуждается вопрос о том, как зависят переходы в тонких пленках и других образцах малых размеров от поверхностных эффектов и от изменения параметра упорядочения. [c.732]

В табл. 3 приведены зиачешш s для металлов, у которых известны Яд п Хр. Все величины относятся к случаю низких температур. Следует отметить, что достаточно мало для всех указанных в таблице металлов, так что шприна переходной области у них велика по сравнению с глубиной проникновения X и соответственно велико отношение д/Х . Температурная зависимость А/Х не слишком сильная, поскольку. s достаточно медленно меняется с температурой [c.739]

Зависимость глубины проникновения от поля. Пиппард [74] наблюдал небольшую, но весьма важную зависимость глубины проникновения в олове от поля соответствующие данные изображены пунктирной линие па фиг. 13. Оказалось, что ДХ/Х пропорционально квадрату нанряженностц ноля Н. Приведенная на графике величина ДХ/Х является относительной разностью между глубиной проникновения в поле, равном критическому значению при данной температуре, и глубиной проникновения без поля. Измерения проводились микроволновым методом. Определялась зависимость реактивной части поверхностного импеданса от приложенного статического магнитного поля. [c.739]

Оказалось, что величина ДХ/Х имеет минимум при температуре 3"К и возрастает на 2 — 3% в обе стороны. Это наводит па мысль о том, что здесь действуют два различных механизма один, существенный прц Т, близких к T ljp, и другой —при низких температурах. Пиппард предположил, что при Г, близких к Т нр., o HOBHoii причиной изменения глубины проникновения является зависимость от поля параметра упорядочения вблизи поверхности, причем должно меняться таким образом, чтобы привести к увеличению проникновения поля, а следовательно, к уменьшению свободной энергии. Чтобы объяснить малость величины ДХ/Х, Пинпарду пришлось принять, что изменения параметра упорядочения происходят вплоть до глубины иг см. Это было одним из экспериментальных доказательств существования длины когерентности . Как мы увидпм ниже, теория Ландау — Гинзбурга дает даже еще меньшее изменение глубины проникновения, чем это было обнаружено на опыте. [c.739]

Зависимость глубины проникновения от магнитного поля рассчитывалась также на основе модифицированной при помощи двухжидкостной модели теории Ландау и Гинзбурга. В присутствии внешнего поля эффективная волновая функция при приблх1жении к поверхности убывает от своего равновесного значения в глубине сверхпроводника до некоторого значения Ч з при а = О, как показано на фиг. 14. Это приводит к более заметному проникновению поля в образец п, следовательно, к уменьшению [c.741]

Известно [83, 84], что определяющим при воздействии потоков с высокой удельной мощностью (5г 10 -10 Вт/см ) является интенсивный разогрев облучаемого материала с возможным, в зависимости от удельной мощности потока, плавлением, вскипанием и испарением поверхностного слоя с последую1цим высокоскоростным охлаждением за счет отвода 1-епла в более глубокие слои обрабатываемой мишени. Однако конфигурация и динамика тепловых полей, глубина проникновения заряженных частиц в вещество, физические характеристики и особенности кристаллической структуры (например, ее стабильность в условиях облучения) могут существенно, а зачастую принципиально изменить фазово-структурное состояние не только поверхностного слоя, но и всего объема обрабатываемого объекта. [c.168]

Формулу (1) и номограмму на рис. 9, а можно использовать для приближенной оценки глубины проникновения магнитного поля проходного ВТП в длинный круговой цилиндр или трубу. Истинное значение глубины проникновения для наружного проходного ВТП с однородным магнитным полем превышает оценку по (I). На рис. 10 показаны графики зависимости относительной глубины проникновения 6 . = 8/R от квадрата обобщенногопараметра контроля х == = R / (OfiaO, где R — радиус контролируемого цилиндра или наружный радиус трубы (б = f2lx). [c.89]

Для устранения влияния контакта, а также влияния других мешающих факторов, касающихся геометрии объекта контроля, применяют многопа-раметровый метод с формированием сигнала путем вариации топографии электрического поля (изменения распределения напряженности поля в контролируемом объеме). Изменение топографии поля осуществляется, например, коммутацией электродов многоэлементного ЭП, смещением плоскостей разноименно заряженных электродов, изменением диэлектрической проницаемости в зазоре между электродами ЭП и контролируемой поверхностью. На ркс. 7 приведена схема сечения девятиэлементного ЭП, электроды которого соединяются в две комбинации, соответствующие большой глубине проникновения поля (рис. 7, а) и малой глубине проникновения поля (рис. 7, б) в объект контроля, Емкость ЭП в обоих соединениях имеет монотонную зависимость от зазора между электродами ЭП и объектом контроля с наибольшей крутизной (чувствительностью к зазору) в контактной зоне. Зависимость разности емкостей от зазора имеет экстремальную точку, в которой чувствительность ЭП к зазору равна нухю. Подбором крутизны зависимостей емкости ЭП в некоторых случаях можно переместить в желаемую зону. Простое вычитание зависимостей емкостей ЭП с различной топографией, приведенное на рис. 7, соответствует линейной аппроксимации этих зависимостей. Большую точность и расширение зоны компенсации дает решение системы [c.171]

Примерная зависимость относительной магнитной проницаемости от температуры также приведена на рис. 1-4. Исходное значение магнитной проницаемости принято равным 16, что объясняется применением при индукционном нагреве чрезвычайно сильных магнитных полей. Нередко ее исходное значение составляет 5—6. Поэтому глубина проникновения тока в сталь возрастает при нагреве в 8—10 раз. Значения ее при Т = 800° Сданы в табл. 1-1. Для определения глубины проникновения тока в сталь, нагретую выше точки магнитных превращений, можно написать простую формулу, подстайив в формулу (1-10) значения р = =10 ом-м и х. = . Тогда [c.15]

Частотная зависимость фотопроводимости. Как видно из рис. 8-7, в области малых длин волн (левее максимума кривой) наблюдается спад фотопроводимости. Это объясняется быстрым увеличением коэффициента поглощения с ростом частоты и уменьшением глубины проникновения падающей на тело электромагнитной энергии. Поглощение происходит в гонком поверхностном слое, где и образуется основное количество носителей заряда. Появление большого числа избыточных носителей заряда только у поверхности слабо 01ражается на проводимости всего объема полупроводника, потому что скорость поверхностной рекомбинации больше, чем объемной, и проникающие внутрь неосновные носители заряда увеличивают скорость рекомбинации в объеме полупроводника. [c.246]

Большой пик на кривой зависимости линейной тормозной способности вещества от глубины проникновения частицы в слой вещества в конце тормозного пути называют пиком Брэгга. Это явление используют в лучевой терапии рака, где очень важно добиться максимального выделения энергии в глубоко расположенной опухоли, не разрушив окружающую здоровую ткань или, по крайней мере, причинив ей минимальный вред. В этом отношении еще более эффективным по сравнению с протонным излучением является использование пионов, поскольку в этом случае не только имеется пик Брэгга, но происходит поглощение пиона одним из ядер вещества, которому полностью передается энергия массы покоя пиона (см. табл. 14.1), следствием чего является расщепление или скалывание этого ядра. Пнонная терапия делает только первые шаги, поскольку получение пионных пучков (для этого требуются специальные ускорители) является не очень простой задачей. [c.335]

Рис. 14.3. Зависимость линейной тормозной способности тканн от глубины проникновения протонов в слой вещества (в конце пробега. можно наблюдать пик Брэгга)

Такую зависимость ЛГр Е ) можно объяснить следующим образом. Для отрыва атома от поверхности мишени необходима определенная энергия, и до тех пор, пока ионы ею не обладают, они не способны вызывать распыление. Ионы, обладающие более высокой энергией, проникают внутрь мишени на тем большую глубину, чем выше их энергия. На своем пути они смещают атомы мишени, сообщая им энергию, достаточную для подхода к поверхности и отрыва от нее. С ростом энергии ионов растет число атомов, способных покинуть мишень. Поэтому на первых порах Кр растет с ростом . Однако увеличивается и глубина проникновения ионов в мишень, вследствие чего не все атомы, получившие от иона большую энергию, выходят из мишени. Часть из них при движении к поверхности растрачивает свою энергию при столкновениях с другими атомами. Относительная доля таких атомов увеличивается по мере роста глубины проникновения ионов, т. е. по мере увеличения их энергии. Поэтому, начиная с некоторой энергии. Ещах дальнейшее ее увеличение приводит к падению /Ср. [c.63]

На рис.4 представлена графическая зависимость глубины проникновения в пенгапласг кислот от длительности экспозиции [c.45]

Результаты исследования лредставлены в виде зависимости глубины проникновения агрессивной среды ( i) от времена воздействия ( VF) яри температурах 20, 50 и 70°С (рис.1). Как следует из рисунка, зависимость 1 = f(Vf) линейна и Может быть выражен уравнением [c.56]

В экспериментах по ионному облучению образцов влияние поверхности накладывает ограничение на энергию бомбардирующих частиц [331. Общепринятого критерия, позволяющего оценить минимальную энергию бомбардирующих частиц, при которой поверхность не влияет на развитие радиационного распухания в пике повреждения, нет, однако считается, что при энергии металлических ионов мен -ше 500 кэВ зависимость развития пористости от энергии бомбардирующих частиц в значительной мере обусловлена влиянием поверхности, поскольку глубина проникновения ионов должна превышать две ширины свободной от пор зоны, иначе, как и в Случае облучения в ВБЭМ, результаты не представительны для описания поведения объемного повреждения материалов [120]. [c.148]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...