Дискретность электронных энергетических уровней

Глава 2 ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА МАЛЫХ ЧАСТИЦ 2.1. Дискретность электронных энергетических уровней [c.274]

В [96,101-104] рассматривался размерный эффект колебательной (решеточной) части теплоемкости. Для массивных металлов электронная подсистема в низко- и высокотемпературных областях вносит в теплоемкость суш ественный электронный вклад el — 1еТ. Оценка электронной теплоемкости наночастиц затруднена дискретностью электронных энергетических уровней, возникаюш ей из-за ограниченного числа атомов. [c.99]

Подробное объяснение причин возникновения зонной структуры выходит за рамки данной книги, так что мы добавим к сказанному лишь несколько слов. Как известно, электроны в изолированном атоме имеют дискретные энергетические уровни. Когда атомы сближаются друг с другом, образуя кристаллы, определенный электрон перестает принадлежать отдельному атому, а распределяется, так сказать, между всеми атомами кристалла. Это и обусловливает двоякую природу электронов кристалла они одновременно являются как атомными, так и свободными. В результате дискретные атомные энергетические уровни размываются. Таким образом можно качественно объяснить возникновение зон, имеюш их некоторую конечную ширину. Вообще говоря, установить соответствие между определенным атомным уровнем и зоной можно лишь для низколежащих энергетических зон. Напротив, более высокие зоны часто перекрываются, так что установить такое соответствие не всегда просто. [c.256]

Наличие естественной ширины спектральной линии вытекает также из квантовой теории. Согласно квантовой теории, атомы (и молекулы) принимают не всевозможные значения энергии, а лишь дискретные, т. е. каждому атому соответствует совокупность значений энергии. Их и принято называть энергетическими уровнями. Отдельные уровни энергии графически изображаются с помощью горизонтальных линий. Расстояния между линиями в вертикальном направлении в выбранных масштабах выражают разность энергий между соответствующими их уровнями. При переходе атомов (или электронов) с верхних уровней на нижние происходит излучение, а при обратном переходе — поглощение. [c.41]

Магнитный резонанс — это избирательное (резонансное) поглощение энергии переменного электромагнитного поля электронной или ядерной подсистемами вещества, находящегося в постоянном магнитном поле. Поглощение связано с квантовыми переходами между дискретными энергетическими уровнями, возникающими в этих подсистемах под действием постоянного магнитного поля. Ниже мы кратко рассмотрим два типа магнитных резонансов — электронный парамагнитный резонанс (ЭПР) и ядерный магнитный резонанс (ЯМР). [c.351]

Полосатые молекулярные спектры поглощения и излучения возникают при переходах между дискретными уровнями молекул. В точной постановке задача определения энергетических уровней молекулы не имеет решения и для учета взаимного влияния движения электронов и ядер, связи спиновых моментов с орбитальными и т. д. приходится опираться на приближенные методы, использующие характерные особенности внутримолекулярных взаимодействий. Вследствие заметной разницы в массах скорость движения электронов в молекулах велика по сравнению со скоростью движения ядер и стало быть электроны и ядра вносят неодинаковый вклад в полную энергию молекулы. При этом оказалось возможным отделить проблему определения энергии, связанной с движением электронов в поле ядер, от энергии собственно ядерного движения и учесть методами последовательных приближений взаимное влияние электронной (характеризующейся относительно большой частотой переходов) и ядерной (характеризующейся относительно малой частотой переходов) подсистем в молекуле. [c.849]

Переизлучение энергии в квантовой теории сводится к представлению о рассеянии как о поглощении падающего на систему фотона с последующим испусканием рассеянного фотона. Энергетический спектр молекулы образуется электронным спектром входящих в нее атомов и колебательными и вращательными уровнями энергии молекулы. Колебательные движения и вращательные движения молекулы квантованы и соответствующие энергетические уровни дискретны. Комбинационное рассеяние образуется в результате переходов между колебательными уровнями. Разность энергий между соседними уровнями равна Ш. Если молекула поглощает падающий фотон с энергией й(о, то может случиться, что энергия Ш будет затрачена для перехода молекулы на более высокой энергетический уровень. Оставшаяся энергия Н(й — Ш) = Н ( > — Q) испускается в виде рассеянного фотона частоты со — Q. При переходе из возбужденного по колебательным уровням энергии состояния на более низкий энергетический уровень молекула может освободившуюся при этом энергию Ш передать рассеиваемому фотону, энергия которого при этом равна Н(й + h l = й(со -Ь Q), т. е. частота фотона увеличивается. В спектре комбинационного рассеяния линии излучения с уменьшением частоты называются стоксовыми, а с увеличением частоты-антистоксовыми. При не очень высоких температурах молекулы по энергиям распределены в соответствии с распределением Больцмана и число молекул, способных принять участие в образовании стоксовых компонент комбинационного рассеяния, больше, чем в образовании [c.266]

Электрофизические, оптические и другие свойства любых материалов определяются возможными энергетическими состояниями их электронов, которые характеризуются энергетической диаграммой. Рассмотрим энергетическую диаграмму отдельно взятого атома. Из квантовой физики известно, что электроны такого атома могут обладать лишь строго определенными энергиями, т. е. находиться на разрешенных дискретных энергетических уровнях. Разрешенные уровни разделены интервалами энергий — запрещенными зонами, в которых нахождение электронов запрещено. Кроме того, число электронов, обладающих одинаковой энергией (т. е. находящихся на одном энергетическом уровне), также строго ограничено. В невозбужденном состоянии атома (например, при температуре абсолютного нуля) электроны занимают разрешенные уровни с наименьшей [c.5]

Из курса физики известно, что энергия электронов в изолированном атоме имеет дискретные значения. На рис.1.2,а в качестве примера показаны энергетические уровни электронов в атоме натрия. [c.7]

Как известно, электрон в изолированном атоме может находиться лишь на строго определенных дискретных энергетических уровнях (состояниях). [c.82]

Обобществление электронов в кристалле. Б свободных атомах электроны располагаются на энергетических уровнях, образующих дискретный спектр (рис. 3.6). На рис. 5.1, а схематически по- [c.142]

Испускание энергии атомами на основании квантовой теории объясняется следующим образом. В атомной системе, состоящей из положительного ядра и движущихся вокруг него электронов, последние могут находиться (в связанном состоянии) только на определенных дискретных энергетических уровнях по отношению к основному невозбужденному состоянию с минимальной энергией. В свободном состоянии электрон (ионизированный атом) может обладать любой энергией. Переход электрона в атоме из состояния с большей энергией в состояние с меньшей энергией сопровождается испусканием кванта, а его поглощение атомом приводит к обратному электронному переходу. [c.24]

При связанно-связанных переходах происходит переход электрона с одного дискретного энергетического уровня на другой, причем сам электрон и в начальном и в конечном состояниях находится в связанном состоянии. Вследствие строгой дискретности энергетических уровней при испускании кванта ему сообщается вполне определенная энергия, равная разности верхнего (я) и нижнего т) уровней энергетического состояния электрона Еп—Ещ- Поскольку энергия кванта связана с частотой соотношением (1-8), то, очевидно, что при связанно-связанных переходах должны испускаться кванты строго определенных частот согласно условию [c.24]

Что касается электронных переходов в молекулах, то они аналогичны переходам в атомах, но в количественном отнощении являются более сложными благодаря тому, что структура молекулы сложнее простейшей атомной системы. Колебательные и вращательные энергетические уровни молекулы так же, как и электронные уровни, являются дискретными (квантованными). Вследствие этого общее число энергетических уровней и число возможных переходов между ними для молекул существенно больше, чем у атомов. Часто линии молекулярных спектров расположены весьма близко друг к другу, и их число довольно велико, благодаря чему они сли- [c.25]

Оба эти противоречия могут быть устранены, если мы воспользуемся приближением, упомянутым в 39, и, считая газ невырожденным и пользуясь распределением Больцмана, учтем дискретность энергетических уровней. При этом квантованными оказываются все виды энергии молекулы поступательная, вращательная и колебательная. Однако минимальные порции (кванты) всех этих видов энергии резко различаются по величине. Для порядка величин квантов поступательной Ле,, вращательной колебательной Лси, электронной ЛСе и внутриядерной Ле п энергий имеет место соотнощение [c.220]

Поскольку поведение электронов в малых частицах детально обсуждалось ранее [5, 6, 8], здесь мы только напомним основные положения, необходимые для понимания недавних публикаций. Характерной особенностью малых металлических частиц является дискретность энергетических уровней вследствие небольшого числа взаимодействующих атомов. В энергетической области вблизи уровня Ферми, где осуществляются главные эффекты электронных взаимодействий, среднее расстояние между уровнями есть 6 = l/iV(6 )F. Здесь [c.274]

Важным остается следующий вывод электромагнитное излучение, взаимодействуя с микросистемой, изменяет ее внутреннюю энергию. Поскольку микросистема включает в себя молекулы, атомы, ионы и электроны, то их энергетическое состояние (в полном соответствии с квантовой природой материи и энергии) можно представить в виде дискретного ряда энергии, обозначаемой на рис. 1 в виде энергетических уровней. Таким образом, можно отметить, что внутренняя энергия системы квантована. Частицы обозначаются кружочками и располагаются на соответствующих уровнях. Они могут совершать переход с одного уровня на другой. При этом переходе либо излучается энергия, либо поглощается, что соответствует вполне определенному движению и ориентации частиц. [c.11]

Необходимо учесть стабилизирующее влияние на кристаллическую структуру энергетических зон, образуемых коллективизированными 3- и rf-электронами [32]. Энергетические полосы s- и d-электронов в переходных металлах перекрываются. Перекрытие означает возможность взаимных переходов коллективизированных электронов из s-состояния, где они почти свободны, в rf-состояние, где электроны сильно взаимодействуют с решеткой, хотя и не локализованы на атомах. Электроны в перекрывающихся s- и й-зонах обобществлены и принадлежат решетке в целом, в отличие от р-элект-ронов, локализованных во внешних р -оболочках остовов, так как зона остовных р-электронов отделена от s- и d-состояний широкой полосой запрещенных энергий. Естественно, что при формировании в металлической решетке энергетических 9- и d-зон (или полос) из дискретных энергетических уровней свободных атомов сохраняются признаки э- и <остояний не только по энергиям, но и по симметрии, т. е. в металлической решетке коллективизированные [c.21]

Коллективизированные электроны, заполняющие з-, р- и d-энергетические полосы или зоны, характеризуются не только энергиями, но в равной мере и S-, р , d-орбиталями, различающимися по симметрии. Внешние валентные электроны характеризуются в свободных невозбужденных атомах S-, р-, f-орбиталями, обусловливающими распределение электронов в пространстве вокруг ядра. Сближение атомов приводит к расширению дискретных энергетических уровней в полосы или энергетические зоны, сохраняющие симметрию S-, р-, rf-состояний и признаки геометрии соответствующих атомных орбиталей. Перекрытие электронных орбиталей между ближайшими соседями означает образование металлических связей. [c.37]

В связанном состоянии атом может находиться только на определенных дискретных энергетических уровнях. Энергия атома принимается равной нулю, когда электрон находится на границе между связанным и свободным состоянием. Электрон считается свободным, когда при поглощении очередного кванта атом распадается на положительно заряженный ион и электрон. [c.333]

Свечение возбужденных разреженных газов, вызванное квантовыми переходами внешних электронов в атомах и молекулах с высоких энергетических уровней на низкие. Это излучение имеет дискретный спектр, т. е. состоит из узких спектральных линий. Ртутная дуга низкого давления дает пример источника линейчатого спектра, отдельные линии которого можно выделить с помощью фильтров. Широкое распространение в лабораторной практике получили безэлектродные лампы, возбуждаемые СВЧ-раз-рядом. [c.8]

Нулевой энергетический уровень соответствует условию г— -—>-оо, или п—>-оо. Энергетические уровни, разрешенные для электронов внутри атома водорода, приведены на рис. 1-1-1,б. Из рисунка видно, что энергия электрона не изменяется непрерывно, а имеет дискретные значения в зависимости от главного квантового числа п. [c.12]

В любой микросистеме, включающей в себя молекулы, атомы, ионы и электроны, их движение и ориентация соответствуют дискретному ряду энергий — энергетическим состояниям или уровням. Следовательно, внутренняя энергия системы квантована. Электромагнитные колебания, взаимодействуя с микросистемой, изменяют ее внутреннюю энергию. При этом частицы совершают переход с одного энергетического уровня на другой. [c.157]

На рис. 2.2 изображена схема энергетических уровней простейшей атомной системы, состоящей из протона и электрона, которые в связанном состоянии образуют атом водорода. За нуль энергии принята, как обычно, граница между свободным и связанным состояниями электрона, так что в связанном состоянии энергия отрицательна. В связанном состоянии электрон может находиться только на определенных, дискретных энергетических уровнях. Основное состояние системы протон — электрон имеет энергию = —13,5 эе, равную по абсолютной величине потенциалу ионизации атома водорода. В свободном состоянии с положительной энергией (ионизованный атом водорода) электрон может обладать любой энергией, так что энергетический спектр непрерывен. [c.100]

К связанно-связанным относятся переходы электронов в атомах, молекулах и ионах с одного дискретного уровня на другой. В силу дискретности энергетических уровней связанного состояния электронов при таких переходах испускаются и поглощаются линейчатые спектры. В молекулах, когда одновременно с электронным переходом происходит изменение состояния колебательного и вращательного движений, получаются полосатые спектры ). [c.100]

До сих пор мы обсуждали лишь флуктуационные электронные состояния неупорядоченной системы. Однако достаточно глубокие и широкие потенциальные ямы могут возникать не только из-за случайных флуктуаций силового поля, но и благодаря существованию вполне определенных, присущих данной системе дефектов (например, оборванных связей, примесных атомов или молекул и т.п.). В отсутствие случайного поля эти дефекты создавали бы дискретные энергетические уровни — узкие пики плотности состояний в запрещенной зоне. При наличии случайного поля эти пики "размываются", причем ширина их тем больше, чем больше амплитуда случайной компоненты силового поля — см. рис. 2.16,а,в. В сильно разупорядоченных системах какие-либо особенности на плавной функции р( ) могут вообще не наблюдаться — рис. 2.16,5. При высокой концентрации флуктуационных полей разделение электронных состояний на истинные (обусловленные конкретными дефектами) и флуктуационные становится нереальным из-за перекрывания кулоновских полей заряженных состояний. При более или менее равномерном пространственном распределении заряженных дефектов это произойдет, когда средние расстояния между ними станут меньше длины дебаевского экранирования. В этом случае флуктуационные поля приобретают кооперативные свойства изменение заряда одного состояния влечет за собой изменение всей системы зарядов хаотически распределенных дефектов. [c.116]

Так, задача о свободном электроне в ящике постоянных конечных размеров имеет множество дискретных энергетических уровней нормальные моды колебаний конечной мембраны имеют множество дискретных частот и т. п. [c.147]

Во всех случаях сдвиг Найта хорошо объясняется размерным квантовым эффектом с учетом различия спин-орбитальной связи. С другой стороны, вследствие дискретности электронных энергетических уровней взаимное опрокидывание ядерных и электронных снинов малой частицы затруднено, ибо не всякое изменение энергии допустимо. В свою очередь, это должно повлечь за собой удлинение времени ядерной снип-решеточной релаксации. Однако измерения Tj не подтвердили ожидаемую аномалию, хотя результаты для сдвига Найта отчетливо указывают на существоваяие квантовых размерных эффектов (см. [8]). Причина этого разногласия нока неизвестна. [c.276]

Цини указал на то, что феноменологическая гидродинамическая теория, непосредственно не связанная с дискретностью электронных энергетических уровней, предсказывает, однако, как голубой, так и красный резмерный эффект в зависимости от степени размытия электронного облака на поверхности частицы, причем для перехода от одного к другому характеру эффекта требуется совсем небольшое изменение размера области диффузности электронов [922]. На этом основании Цини считает неудовлетворительной модель, в которой свободные электроны находятся внутри коробки, ограниченной беско -нечно высокими барьерами потенциальной энергии. В действительности имеется определенная вероятность распада поверхностного плазмона частиц с испусканием электрона в окружающую среду. [c.296]

Итак, прямым следствием объединения атомов (в приближении сильной связи) является расширение дискретных атомных энергетических уровней в энергетические зоны. Очевидно, такими же закономерностями должны характеризоваться внутренние энергетические уровни атомов, поскольку этот результат не зависит от положения уровня. При определенных условиях (больших Р) энергетические зоны могут не перекрываться, и отсутствие такого перекрытия может рассматриваться как сохранение элементов дискретности в расположении энергетических уровней. Уменьшение межатомных расстояний (например, за счет давления) может привести к столь значительному расширению соседних зон,, что ранее неперекрывавшиеся зоны станут перекрываться. В связи с этим промежуток между потолком одной (нижней) и дном другой (верхней соседней) зоны нередко называют энергетической щелью по аналогии с запрещенными зонами, возникающими в приближении почти свободных электронов (рис. 4.9,б). [c.83]

Итак, энергетические состояния электрона, обобществленного кристаллом, имеют зонную структру. Электрон в атоме характеризуется энергетическими уровнями энергетический спектр свободного электрона непрерывен. Электрон, обобществленный кристаллом, занимает в известном смысле промежуточное положение он свободен , но лишь в пределах кристалла. Закономерна зонная структура энергетических состояний такого электрона она является промежуточной между структурой дискретных уровней и непрерывным спектром. [c.141]

В первом хметоде, иредложеином Блохом, для построения волновых функций системы электронов в кристалле исходят из функций для отдельных атомов (приближение сильно связанных электронов). Перекрытие волновых функций, соответствующих двум соседним ионам, приводит к тому, что в кристалле дискретные энергетические уровни отдельных атомов размываются в широкие полосы, ширина которых зависит от того, в какой степени перекрываются волновые функции соседних ионов. Так, полосы или зоны, соответствующие внутренним электронам атома, размыты очень слабо, тогда как зоны, соответствующие основным и возбужденным состояниям валентных электронов, имеют такую ширину, что могут даже перекрываться. В случае неперекрывающихся соседних зон между ними имеется зона запрещенных значений энергии. [c.324]

Энергетические уровни отделены друг от друга значениями энергии, которых электрон в данном атоме иметь не может. Дискретность значений энергии электронов в изолированном атоме подтверждается характером спектров поглош,ения и излучения различных веществ в газообразном состоянии, когда атомЬ отстоят друг от друга на больших расстояниях, т. е. определенными спектральными линиями, наличие которых объясняется переходом электрона с одного уровня на другой. [c.82]

Доноры и акцепторы. Рассмотрим роль тех примесей, атомы iOTopbix создают дискретные энергетические уровни в пределах запрещенной зоны полупроводника. При небольшой концентрации примесей их атомы расположены в решетке полупроводника на таких больших расстояниях друг от друга, что они не взаимодействуют, а потому энергетические уровни их почти такие же, как в отдельном (свободном атоме. Вероятность непосредственного перехода электронов с одного примесного атома на другой ничтожно мала. Однако примеси могут либо поставлять электроны в зону проводимости полупроводника, либо принимать их с уровней его валентной зоны. [c.233]

Высокую каталитическую активность малых частиц объясняют электронным и геометрическим эффектами, хотя такое деление весьма условно, так как оба эффекта имеют один источник — малый размер частицы. Число атомов в изолированной металлической частице мало, поэтому расстояние между энергетическими уровнями 8 = EfIN Ef — энергия Ферми, N — число атомов в частице) сравнимо с тепловой энергией к Т. В пределе, когда 8 > к Т, уровни оказываются дискретными и частица теряет металлические свойства. Каталитическая активность малых металлических частиц начинает проявляться, когда 8 по величине близко к к Т. Это позволяет оценить размер частицы, при котором проявляются каталитические свойства. Для металлов энергия Ферми Ер составляет около 10 эВ, при комнатной темпе- [c.8]

Квантовомеханическое рассмотрение вопроса приводит к представлению о возникновении в кристалле полос (зон) разрешенных значений энергии, разделенных запрещенными зонами. Качественно этот эффект можно понять так. Электрон в атоме имеет дискретные уровни энергии. При добавлении второго атома в результате взаимодействия электронов — возмущения — каждый уровень расщепляется на два близко расположенных, поскольку возмущение мало. Добавление каждого нового атома приводит к появлению дополнительного энергетического уровня (и одновременно к некоторому изменению уже существующих). Этот процесс изображен на рис. 7, из которого видно, что в пределе возникает полоса (зона) дозволенных уровней энергии. Полное число уровней в зоне равно очевидно, числу атомов в кристалле. Поскольку это число велико (/ 10 з для одного грамм-атома), зону можно считать квазине-прерывной. Если исходные уровни были расположены далеко один от другого (например, 2s [c.25]

Чтобы более корректно описать размытие пиков поглощения. Цини исходит непосредственно из правила сумм, предполагая, что с электромагнитным полем заданной частоты взаимодействуют не все N электронов частицы, распределенных по дискретным энергетическим уровням, но только некоторые из них в количестве Мдф (со), занимающие высокие уровни. Учитывая очевидное условие Л"эф (со)- ЛГ при со- оо, Цини находит мнимую компоненту 82(0)) диэлектрической проницаемости из правила сумм и, подставляя 82 (со) в дисперсионное соотношение, определяет реальную компоненту 8j (со). Расчеты выполнялись для куба с обычной заменой суммирований на интегралы. Частоты СО поверхностных плазмонов находили ориентировочно по формуле 8i( o )=—2, действующей для сферической частацы в вакууме. Расчетами выявлено 1) при уменьшении размера частиц значения со возрастают, но немонотонно, а осциллирующим образом [c.297]

На рис. 9, б представлена схема расщепления дискретных энергетических уровней внешних валентных электронов свободного атома ванадия, имею,щего электронную конфигурацию 3d 4э , в широкие энергетические полосы или зоны при образовании металлического кристалла. Сближение атомов вызывает сильное возбуждение, самых внешних 45 -электронов, образующих широкую энергетическую полосу 45-состояний наименее связанных, почти свободных. электронов, осуществляющих электропроводность. G 4з-полосой перекрывается полоса более глубоких, сильнее взаимодействующих с решеткой Зd-элeктpoнoв, осуществляющих прежде всего металлическую связь. Перекрытие 4s-и Зd-пoлo означает возможность переходов любого валентного электрола из 4s- в Зй-состояние и обратно, т. е. коллективизацию всех валентных электронов. Электроны внешней Зр -оболочки остова локализованы на атомах, т. е. не могут переходить от атома к атому, и следовательно, не принимают участия ни в металлической проводимости, ни в металлической связи. Этому отвечает запрещенная зона АЕ, исключающая переходы между полосой проводимости 4s, 3d и валентной зоной Зр. Однака внешняя Зр -оболочка остова также возбуждена, а именно, Испытывает спиновое расщепление, приводящее к асимметрии р-орбиталей,, сохраняющих р-состояние. [c.26]

В те несколько микросекунд, которые проходят от момента рождения связанной электрон-дырочной пары лазерным излучением до ее исчезновения в результате рекомбинации, это образование, так называемый экситон, ведет себя очень активно. Как и отрицательные и положительные заряды, из которых они формируются, экситоны обладают высокой подвижностью, идет ли речь о движении под действием внешних СИД йли просто о тепловом движении, И подобно свободным атомам, они связаны кулоиовским притяжением, имеют дискретные энергетические уровни и могут, соединяясь с другими экситоиами, образовывать молекулы и даже конденсироваться в со стояние типа жидкости. В полупроводниковых кристаллах типа кремния все это происходит при температурах ниже 30 К, а при более высоких температурах экситоны, слабо связанные нейтральные частицы, легко ионизуются, превращаясь в свободные электроны и дырки. За последние два десятилетия экситон-ными фазами занимались многие физики, и в ходе таких исследований обнаруживаются все новые и новые интересные явления. [c.125]

Электрон в изолированном атоме может находиться лишь на строго определенных дискретных энергетических уровнях, которые разделены интервалами запрещенных энергий. Дискретность значений энергии электронов в изолированном атоме подтверждается характером снекторов поглощения и излучения разреженных газов, т. е. определенными спектральными линиями, наличие которых объясняется переходом электрона с одного уровня на другой, при котором излучается или поглощается свет определенной частоты, соответствующей разности энергий этих уровней. [c.49]

Состояния Шокли представляют собой в обычном смысле свободные валентности на поверхности. Четыре валентных электрона элементов группы IV распределены по четырем атомным орбиталям, если атом изолирован,— одна s-орбиталь и три р-ор-битали. В случае связи с другими атомами обычно рассматривается тетраэдрическая sp -гибридизация валентных электронов. С учетом спина имеется восемь состояний, четыре из которых заняты в связи, у четырех остальных энергия гораздо выше. Если они составляют кристалл структуры алмаза, дискретные энергетические уровни уширяются, образуя валентную зону и зону проводимости, как было описано выше. Рассмотрим атом на поверхности (111). Три орбитали необходимы для того, чтобы встроить атом в кристалл, четвертая орбиталь остается свободной. Свободная орбиталь, локализованная, таким образом, на поверхности, является состоянием Шокли. Состояния Шокли могут затем расщепляться в поверхностную зону. [c.21]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...