Кристаллические решетки и обратная решетка

Дополнение 2. Кристаллические решетки и обратная решетка [c.66]

Необходимость отчетливого представления столь же существенна для обратной решетки, как и для реальной кристаллической решетки. Каждой кристаллической структуре соответствуют две решетки кристаллическая решетка и обратная решетка. Они связаны между собой соотношениями (2.28). Можно сказать, что дифракционная картина представляет собой карту обратной решетки кристалла, так же как микроскопическое изображение представляет собой карту реальной структуры кристалла. При повороте кристалла поворачиваются как кристаллическая (прямая), так и обратная решетки. Векторы кристаллической решетки имеют размерность длины, а размерность векторов обратной решетки [длина]Кристаллическая решетка— это решетка в обычном, реальном пространстве обратная решетка — это решетка в пространстве Фурье, Введение понятия нространство Фурье обосновывается ниже. [c.78]

Зона Бриллюэна есть своеобразный геометрический образ форма ее зависит только от кристаллической структуры решетки, а не от природы действующих в ней сил. Так как обратная решетка, а следовательно, и зона Бриллюэна определяются только основными векторами прямой решетки, то зона Бриллюэна одна и та же как для простых, так и для базисных решеток одной сингонии (например, для простой гранецентрированной решетки и для решетки типа алмаза). В случае простой кубической решетки зона Бриллюэна представляет собой куб (рис. 27). [c.65]

Рис. 2.24. Одномерные кристаллическая и обратная решетки. Базисным вектором обратной решетки является вектор Л длиной 2я/а Кратчайшими векторами обратной решетки, проведенными из начала координат, являются векторы Л и —А. Линии, перпендикулярные к этим векторам и делящие их пополам, — границы первой зоны Бриллюэна На этих границах к — я/а.

Чаще всего примитивные векторы элементарных трансляций а, Ь, с не ортогональны. Математический анализ явлений, связанных с кристаллическим состоянием, и в частности дифракции рентгеновских лучей и электронов в кристаллических решетках, сильно упрощается с помощью введенного Дж. В. Гиббсом понятия об обратной решетке. Векторы элементарных трансляций обратной решетки а, Ь, с выражаются через примитивные векторы элементарных трансляций прямой решетки посредством следующих уравнений (рис. 2.41, 2.42) [c.67]

Пусть а, Ь и с — примитивные векторы трансляций в реальной кристаллической решетке. Тогда основные векторы обратной решетки можно записать в следующем виде [c.58]

Обнаруженная обратная зависимость прочностных свойств от скорости активного растяжения при исследовании основного металла и металла сварного шва представляет особый интерес. Проявление такой зависимости подтверждает принципиальную важность исследования физико-механических свойств материалов в процессе облучения при температурах 0,3—0,47 пл, когда определяющими считаются кратковременные, а не длительные прочностные свойства. Аномальное поведение основного металла при флюенсе 0,5 10 нейтр. см- и металла сварного шва при флюенсах 0,5 10 и 2 10 нейтр. см- связано, вероятно, с переходом от дислокационно-субструктурного механизма деформационного упрочнения в необлучаемых образцах к диффузионно-дислокационному механизму в процессе облучения. Последний обусловлен диффузионной релаксацией напряжений в деформируемых материалах и проявляется в виде обратной скоростной зависимости физико-механических свойств [4]. Проявлению действия механизма диффузионно-дислокационного упрочнения способствует миграция избыточных точечных дефектов, образующихся при облучении. Необходимым условием диффузионно-дислокационного упрочнения является также постоянство скорости деформирования, обеспечивающее равенство между внутренним сопротивлением деформированию и прилагаемой растущей нагрузкой [4]. Как показано в [5], при этом происходит перераспределение примесей в неоднородном поле внутренних напряжений и их релаксация вследствие направленной (восходящей) диффузии. Такое перераспределение, наряду с процессами микротекучести и диффузионного залечивания очагов разрушения, повышает структурную однородность решетки и лежит в основе программного упрочнения кристаллических тел [4]. Характерно, что обратная скоростная зависимость прочностных свойств [c.109]

Точечные дефекты бывают различных типов. Ионы, расположенные в узлах кристаллической решетки, совершают тепловые колебательные движения около положения равновесия. Величина среднего по всему кристаллу отклонения ионов от положения равновесия определяется температурой. Однако всегда имеются ионы, которые отклонились в данный момент от положения равновесия больше, чем другие. Отдельные ионы могут отклоняться настолько, что они уже не возвращаются обратно в положение равновесия. При этом в узле кристаллической решетки образуется пустое место — вакансия (рис. 1-5,а). Плотность вакансий, установленная косвенными методами, оценивается для отожженного металла в а для наклепанного, т. е. деформированного пластически при низких температурах, до 10 — в 1 см . Сместившийся из узла ион некоторое время не находит свободного узла в кристаллической решетке и оказывается в промежутке между другими ионами. Такой дефект строения называется смещением (рис. 1-5,6). 12 [c.12]

В общем кристаллическая структура мартенсита характеризуется более низкой симметрией по сравнению со структурой исходной фазы. В связи с этим возможность возникновения соответствия кристаллических решеток двух фаз ограничена. Если пренебречь упорядоченным расположением атомов на рис. 1.20, то можно выделить только три эквивалентных соответствия решеток, обозначенные на рис. 1.20, а как А, В С. Если обратное превращение происходит путем перестройки по схеме А, то кристаллическая структура образующейся фазы становится такой, как показана на рис. 1.20,6. В процессе прямого и обратного превращений сохраняется упорядоченная структура решетки исход- [c.37]

Вследствие этого поверхность становится энергетически однородной и активной для появления новых центров кристаллизации и равномерного осаждения металла при последующем катодном импульсе. В этом случае снижаются число дефектов кристаллической решетки и содержание примесей в осадке. При относительно большой плотности тока в обратных импульсах (/ а >0,5/ ) и значительной длительности их протекания (скважность > 8) растворяются не только грани растущих кристаллов, но и фаницы зерен. В результате осадки получаются крупнокристаллическими, обладающими большой пластичностью и невысокими внутренними напряжениями. [c.433]

Повышение содержания марганца приводит к резкому понижению мартенситной точки М (см. рис. 13). Гистерезис прямого и обратного мартенситных превращений значительный и увеличивается от 120 до 330 °С при повышении концентрации марганца, вследствие возрастающего искажения кристаллической решетки [44]. [c.46]

Носителями пластической деформации в кристаллическом материале являются дефекты различной природы, обладающие полем упругих напряжений, которое либо присуще дефекту как таковому, либо наводится- внешними напряжениями. Тип дефекта и его собственное ноле взаимосвязаны. Зная поле, можно определить тип дефекта, и наоборот. В теории дефектов кристаллической решетки по заданному типу дефекта находят его собственное поле упругих напряжений, хотя возможна и обратная задача, но она не дает детального описания атомной конфигурации в ядре дефекта. [c.26]

Если на элементарную ячейку приходится одна цепь, то для нахождения распределения интенсивности удобно использовать метод Фурье-трансформа-ций [111,3 111,4]. В этом случае находится распределение в обратном пространстве величины Fм или Рм нри всех значениях 8, а затем сравниваются с опытом лишь те из них, которые реализуются, согласно уравнению (6), в точках 8 = Н/1 г обратной решетки. Суш,ественно то, что нри этом не обязательно рассчитывать трансформанту в декартовых координатах, ее можно рассчитать и в цилиндрических координатах, а далее наложить на нее трехмерную сетку точек Нл или двумерную сетку I /га -Ь по слоевым линиям. Такой метод широко используется при анализе структуры цепных молекул, для которых рассчитывают цилиндрически симметричную функцию — квадрат трансформанты Фурье — Бесселя для каждой слоевой I и сравнивают с ней наблюдаемые в точках И значения интенсивности. Мы приводили на рис. 84, 97 примеры квадратов цилиндрических трансформант Фурье для некоторых спиральных молекул. На рис. 151 приведена рентгенограмма натриевой соли дезоксирибонуклеиновой кислоты (ДНК), на рис. 152 — сравнение вычисленных и наблюденных значений интенсивности для этой структуры. В этой кристаллической форме (так называемой -форме) Ка-ДНК имеет моноклинную элементарную ячейку а = 22,0 Ь = 39,8 с = 28,1 А Р =96°,5 пространственная группа С2 [1 И, 31 П1,1,22]. Препараты ее представляют собой нити, получаемые вытягиванием из густого геля. На рис. 152 непрерывными линиями обозначена величина цилиндрически симметричного квадрата трансформанты Фурье — Бесселя Ф1(1И, 98) для ДНК. Вертикальные линии дают величину наблюдаемых дискретных интенсивностей по каждой из слоевых линий I в зависимости от К. Хорошее совпадение свидетельствует [c.248]

Дальнейшее отличие геометрии дифракции рентгеновских лучей от геометрии при использовании электронов заключается в числе дифрагированных пучков, получающихся одновременно. Для рентгеновских лучей даже при размытии максимумов рассеивающей способности или сферы Эвальда, которые обсуждались выше вероятность того, что сильное отражение будет появляться для любой частной ориентации падающего пучка, мала для кристаллов с малыми элементарными ячейками. Если же сильное отражение действительно появляется, то маловероятно, что появится второе такое же сильное отражение. С другой стороны, для электронов сфера Эвальда обычно пересекает некоторое число протяженных областей рассеивающей способности и для частных ориентаций число дифрагированных пучков может быть значительным. Это иллюстрируется фиг. 6.2, которая дает приближенное сравнение дифракции рентгеновского СиК -излучения и дифракции электронов с энергией 80 кэВ от кристаллов золота или алюминия, для которых условие Брэгга выполняется для 400-точки обратной решетки в обоих случаях. При рассеянии рентгеновских лучей совершенные кристаллические области имеют предположительно размер 1000 А или больше. В случае дифракции электронов кристалл обычно берут в виде тонкой пленки толщиной 50 А. [c.134]

В случае плоскопараллельной кристаллической пластинки все волны в кристалле, соответствующие одной точке обратной решетки Ь, на выходной поверхности будут преломляться в одном и том же направлении, образуя дифрагированную волну в вакууме. В кристалле амплитуда этой волны будет [c.219]

Принципиальное ограничение этого метода заключается в той, что он имеет дело лишь с изменениями амплитуд набора дифракционных пучков Н, которые соответствуют точкам обратной решетки для совершенной структуры. Как мы уже видели в гл. 7, дифракционные эффекты от нарушений в кристалле, как и от общих непериодических объектов, не ограничиваются этим дискретным набором пучков. Много информации о природе дефектов или об атомных конфигурациях, не отвечающих кристаллической структуре, содержится в непрерывном распределении фона рассеяния в дифракционной картине. Этот кинематический результат будет в равной степени приемлем и для рассеяния фазовой решеткой от каждого из тонких слоев, рассматриваемых в формулировке динамической теории рассеяния. Следовательно, при любом реалистическом рассмотрении дифракционных эффектов или изображений для всех, за исключением весьма специальных, видов отклонений от периодичности совершенного кристалла необходимо учитывать диффузионное рассеяние. [c.252]

К числу превращений в твердых сплавах нужно отнести особые превращения, которые также улавливаются на кривых охлаждения (и нагревания), как и все вышеуказанные, поскольку и они сопровождаются выделением или поглощением тепла, но которые относятся к магнитным явлениям и встречаются лишь в ферромагнитных металлах и сплавах. Эти превращения связаны с утратой ферромагнетизма или, точнее говоря, с переходом ферромагнитных тел в парамагнитные и обратно. Так как эти явления связаны с внутриатомными превращениями (изменениями в расположении электронов) и не изменяют расположения атомов в кристаллической решетке, магнитные превращения нельзя рассматривать как фазовые превращения. [c.92]

Одним из направлений химического взаимодействия подземных вод и горных пород является процесс растворения, сопровождаемый переходом вещества пород в растворенное состояние в результате разрушения их кристаллической решетки под влиянием электростатического и теплового воздействия молекул воды на ионы минералов, связанные с ней силами электростатического притяжения. При этом прослеживаются два одновременно протекающих процесса — переход ионов из твердого состояния в раствор и обратно. Растворение практически прекращается при равенстве скоростей обоих процессов. [c.10]

Принятая система обозначения плоскостей с помощью индексов Миллера позволяет переносить начало системы координат без поворота осей в любую точку кристаллической решетки, и эта операция не изменяет индекса плоскостей. Например, если перенести начало координат на рис. 3, а из точки 1 в точку 9, то плоскость, образующая грань куба 2—3—7—6, будет параллельна осям X и Z, а на оси У отсечет отрезок, равный 1/2. Следовательно, отсекаемые на осях отрезки будут со, 1/2, со. Обратные им величины получаются такими О, 2, 0. После приведения к простым целым числам (делением всех трех индексов на 2) имеем окончательно индексы плоскости 2—3—7—6 (010). Как видно, они совершенно одинаковы с индексами этой плоскости в предыдущем случае, когда начало координат находилось в точке 1. [c.28]

Обратный переход ионов хрома в нормальное состояние происходит в два этапа на первом этапе они отдают часть своей энергии кристаллической решетке и переходят на некоторое время в неустойчивое (метастабильное) состояние, находясь на промежуточном энергетическом уровне на втором этапе под действием фотонов, испускаемых другими ионами хрома, из метастабильного состояния они переходят в нормальное, излучая красный свет. Проходя вдоль стержня и многократно отражаясь, красный свет достигает большой интенсивности и направленности, так как в резонансной системе (в рубиновом стержне) усиливаются колебания, распространяющиеся вдоль оси стержня, и подавляются колебания, распространяющиеся по другому направлению (они покидают рубиновый кристалл, проходя через -боковые стенки). [c.428]

Если имеются обоснованные предположения о принадлежности монокристалла к одной из двух или нескольких фаз с известной кристаллической структурой, то его идентификация возможна и по одной электронограмме. Для этого необходимо построить пространственные обратные решетки предполагаемых фаз и, приведя электронограмму к одному масштабу с обратными решетками, установить (чисто геометрическим путем), в какой именно из возможных решеток можно найти узловую плоскость, сфотографированную на электронограмме. В тех случаях, когда кристаллические решетки возможных фаз обладают различной симметрией, их можно идентифицировать уже по одной только симметрии дифракционной картины. [c.171]

Переход вещества из жидкого состояния в твердое, сопровождающийся определенной закономерной расстановкой атомов (ионов) в пространстве с образованием кристаллической решетки, называется к р и с т а л л и 3 а ц е й. Обратный процесс — плавление — сопровождается разрушением кристаллической решетки и переходом твердого кристаллического вещества в жидкое состояние. [c.71]

В тоже время надо иметь в виду, что теория энергетических спектров ставит перед собой две совершенно различные задачи. Одна из них—возможно более строгий расчет спектров исходя из элементарных взаимодействий электронов и ионов. Об этом говорилось выше. Другая задача — практическое построение спектров, облегчающее анализ и систематизацию экспериментального материала. Последняя задача легко решается для простых металлов с помощью модели свободных электронов, описанной в следующем параграфе. В металлах, в которых существенны d- или /-зоны, можно пытаться описать их с помощью формул, полученных из приближения сильной связи, подбирая коэффициенты из сравнения с экспериментальными данными. Такая процедура оказывается во многих случаях очень успешной. Однако следует понимать, что это не является доказательством правильности такого приближения. В действительности орбиты перекрываются достаточно сильно, а к тому же имеет место так называемая гибридизация с S- и р-зонами. Успех формул сильной связи связан с тем, что они правильно учитывают симметрию кристаллической решетки и возникающую вследствие этого возможность вырождения энергетических термов е р) для точек р в пространстве обратной решетки, обладающих повышенной симметрией. [c.265]

Каждой кристаллической структуре соответствуют две решетки — кристалли1ческая и обратная, связанные между собой соотношениями (2. 12). Можно сказать, что дифракционная картина представляет собой такую же карту обратной решетки кристалла, как и микроскопическое изображение,— карту реальной структуры кристалла. При повороте кристалла поворачивается и кристаллическая (прямая) решетка, и обратная. [c.58]

В 1982 г. выпущено учебное пособие Практическое рукоаодст-по кристаллографии и кристаллохимии. Методы описания кристаллических многогранников . В настоящем пособии приведены основные методы описания кристаллических структур, включая определение пространственной группы симметрии, правильных систем точек, базиса кристаллической структуры,. символов атомных плоскостей и атомных рядов в кристаллических структурах, метод обратной решетки. Описаны кристалли 4еские методы представления и расчета кристаллических структур, в том числе эпитаксиальных. [c.27]

При помощи радиоактивных ионов серебра было найдено, что скорость обмена определяется реакцией на границе раздела фаз, т. е. переходом адсорбированных ионов серебра (с дегидратацией) в решетку и обратно. Постоянная обмена при насыщенном адсорбционном слое оказалась равной /<7шах = Ю мол/сек - см" . Так как диффузия в кристаллической решетке имеет большую скорость и не определяет суммарную скорость обмена, то можно указать лишь минимальное значение коэффициента самодиффузии (при 20°С) [c.43]

Атомные смещения приводят к таким необратимым нарушениям в неорганических изоляционных материалах, которые проявляются в виде изменения параметров решетки, плотности, прочности и электрических свойств. Бомбардировка нейтронами кристаллических тел (AI2O3, MgO, кристаллический кварц и т. д.) приводит к расширению решетки и соответственно к уменьшению плотности. При интегральных потоках быстрых нейтронов порядка 10 —10 нейтрон 1см плотность керамических изоляторов [17], обладающих плохой или умеренной радиационной стойкостью, изменяется приблизительно на 1—6%. Из обычно используемых изоляционных материалов а-кварц является, по-видимому, наименее стойким к облучению быстрыми нейтронами, так как при интегральном потоке около 6,6-10 нейтрон/см его плотность понижается на 3,5—5% [81]. Небольшое уменьшение плотности (на 1—3%) наблюдается в карбиде кремния, окиси магния, сапфире и шпинели при интегральных потоках быстрых нейтронов порядка 10 —10 нейтрон1см [63]. Зисмани др. [72] установили, что при интегральном потоке быстрых нейтронов 2-10 нейтрон/см изменение плотности окиси магния, окиси алюминия, шпинели и форстерита составляет менее 1 %. Если под влиянием облучения быстрыми нейтронами плотность кристаллических материалов уменьшается, то в таких аморфных изоляторах, как плавленый кварц и стекло, наблюдается обратный эффект. Примак и др. [62], например, наблюдали увеличение плотности плавленого кварца на 17% при интегральных потоках выше 10 нейтрон/см . [c.397]

Характерной особенностью жаропрочных сталей и сплавов с ннтерметаллидным упрочнением является способность у -фазы типа Ni j (TiAl) с повышением температуры старения переходить в твердый раствор и обратно с понижением температуры выделяться в высокодисперсном состоянии. Переход v -фазы в твердый раствор со-провохадается расширением кристаллической решетки, т. е. объемными изменениями, а ее выделение в дисперсной форме — сокращением объема. Поэтому для деталей, работающих при пониженных температурах (550—650° С), с целью стабилизации размеров применяют одинарное или двойное ступенчатое старение. [c.170]

В первой стадии спеканйя при более низких температурах происходит главным образом поверхностная диффузия. По мере повышения температуры роль поверхностной диффузии убывает, а объемной — возрастает и достигает преобладающей степени. При нагревании в результате возрастающего теплового движения атомов или ионов кристаллическая решетка вещества стремится к совершенствованию, избавлению от дефектов строения и залечиванию этих дефектов, а в термодинамическом понимании —к минимуму свободной энергии. Поэтому при диффузионном спекании происходят два встречных процесса — перенос вещества в свободные вакантные места и движение вакансий (незанятых узлов кристаллической решетки) в обратном направлении, т. е. к границам зерен. Этот суммарный процесс иногда называют диффузией вакансий. [c.71]

Поскольку обычно, зная химический состав и режим обработки исследуемого материала, можно заранее предположить возможность присутствия фаз с известными кристаллическими структурами, типичная задача фазового микродифракционного анализа в металловедении — экспериментальная проверка таких предположений, т. е. соответствия МДК какому-то сечению обратной решетки одной или нескольких из ожидаемых фаз. [c.54]

Вариант метода — метод КФОР (камера фотографирования обратной решетки), который позволяет получать на рентгенограмме неискаженные сечения обратной решетки. Методы вращения и КФОР удобны для анализа диффузного рассеяния, связанного с нарушениями кристаллической структуры, например при исследовании процессов выделения из пересыщенного твердого раствора [12, с. 166 и 385). [c.113]

Атомы металла на поверхности находятся на энергетических уровнях, связанных со структурой кристаллической решетки, и, чтобы перейти в раствор, они должны приобрести некоторое количество энергии, называемое энергией активации. Роль энергии активации сводится к поддержанию сложного процесса, посредством которого атом отрывается от кристаллической решетки металла, проникает сквозь слой молекул воды, находящихся в контакте с поверхностью металла, и приобретает оболочку эт11Х молекул, так что конечным продуктом этих реакций становится гидратированным катион металла. НачальныЛл конечный энергетические уровни представлены на фиг. 27,а [46], причем последний ниже, так что процесс протекает слева направо и металл растворяется. При достижении, равновесия энергетический запас будет отвечать уровню, представт ленному на фиг. 26,6, а прямая и обратная реакции будут следующими [c.63]

Электронный спектр кристаллов, т. е. распределение электронов по энергиям в разрешенных зонах, принято описывать в пространстве квазиимпульсов — в обратной решетке. Закон дисперсии W p), т. е. зависимость энергии электронов от их квазиим-пульса p = Hk, где k — волновое число, различается для свободных электронов и электронов в кристаллической решетке. Для свободных электронов W p) представляет собой простую параболическую функцию [c.13]

Возникновение сателлитных рефлексов вокруг нормальных рефлексов в направлении Ь в соответствии с периодичностью дальнего порядка в сверхструктуре uAu II заставляет предположить, что зона Бриллюэна должна иметь некоторое расщепление определенных граней. Это иллюстрируется схемой на фиг. 32, которая представляет горизонтальное сечение обратной решетки, проходящее через зону, показанную на фиг. 31. Сато и Тот [102] предположили, что при наличии одного электрона на атом поверхность Ферми проходит на небольшом расстоянии от граней 110 , и поэтому в случае образования сверхструктуры uAu II взаимодействие поверхности Ферми с этими расщепившимися гранями приводит к дополнительной стабилизации структуры дальнего порядка. Поскольку от периода М зависит расстояние между сателлитными пятнами в обратной решетке, то должна быть связь между М и электронной концентрацией, определяющей объем сферы Ферми. Было показано, что при увеличении электронной концентрации е а поверхность Ферми лучше соответствует граням (110), если их расщепление увеличивается. Это должно приводить в свою очередь к уменьшению периода М. Сато и Тот [101] показали, что добавление различных элементов к сплаву СпАи II, обусловливающее изменение электронной концентрации е/а, приводит также и к изменению периода дальнего порядка, согласующемуся с вышеописанной моделью. Более того, эта модель дает возможность объяснить и другие характеристики сверхструк-тур дальнего порядка, такие, как характер искажения кристаллической решетки, температурную и концентрационную зависимости этих искажений и периодичности, а также позволяет ответить на- вопрос о том, будет ли данная сверхструктура одномерной или двумерной. [c.213]

По мере роста температуры число дефектов начинает увеличиваться и из-за коллективного взаимодействия межузельных катионов с катионами, остающимися в узлах решетки (они как бы вытягиваются со своих мест). Под влиянием тепловых колебаний кристаллической решетки происходят и обратные перескоки катионов из межузлий в узлы и поскольку эти точечные дефекты имеют энергию, примерно на порядок превышающую энергию тепловых колебаний решётки, их равновесная концентрация невелика. Однако эта концентрация может быть выше равновесной (например, после закалки). Такой пересыщенный твердый раствор точечных дефектов может распадаться, причем вакансии конденсируются (объединяются) в диски (рис. 4.10), которые по достижении критических размеров, из-за взаимного притяжения атомных плоскостей, схлопываются, внося искажения в решетку кристалла. Например, при схлопывании однослойного диска (рис. 4.11) в кристалле с гексагональной структурой атомные плоскости смещаются на половину вектора трансляции (под термином трансляция понимают поступательное перемещение одной части монокристалла относительно другой без искажения его решетки). Трансляция выражается вектором, перпендикулярным атомным [c.81]

Для расчета требуется матричное представление ориентационных соотношений между кристаллическими решетками при прямом и обратном превращениях. С иентационвая связь при прямом превращении Т у - а) экспериментально установлена для многих сппавов и может быть удовлетворительно описана как промежуточная между соотношениями Курдюмова-Закса и Нишиямы. [c.42]

На рис. 178 представлена система точек с тангенциальными смещениями, моделирующая криволинейный кристалл , и полученная от нее оптическая дифракционная картина [7], на которой хорошо видны описанные особенности. При образовании текстурдиаг-рамм, т. е. при вращении обратной решетки, одномерную дифракцию по направлениям а и Ь выявить трудно, так как вращение вокруг оси с размажет соответствующие эффекты. В направлении же с этого не произойдет, и одномерная дифракция может быть выявлена. Таким образом, рентгенограмма осевой текстуры криволинейных кристаллов должна иметь вид, показанный на схеме рис. 179. Нужно отметить, что такого рода дифракционные эффекты — размытие острых рефлексов с увеличением R, слияние дальних слоевых в непрерывную линию — наблюдаются во многих случаях при исследовании кристаллических полимеров (см., например, рис. 72). Это показывает, что практически почти всегда кристаллы полимеров являются в той или иной степени криволинейными . [c.280]

В главе III было показано, что трансформанта спиральной молекулы Fi представляет собой сумму по величинам Fni (Ш, 75), которые определяют по (111,100) и (111,129) спиральную проекцию данной снира.т1ьпой молекулы вдоль системы спиралей индекса п1 с шагом ис/Z (рис. 103). При винтовом беспорядке трехмерный кристаллический порядок исчезает, однако для каждой из молекул спиральные проекции того порядка nZ,которыйидет вдоль нарезки, остаются неизменными, так как сдвиг любой структуры вдоль линий проектирования не влияет на проекцию. Поэтому та часть дифракционной картины, которая соответствует этой спиральной проекции, остается кристаллической , т. е. непрерывная трансформанта молекулы выявляется в узлах обратной решетки кристалла. [c.307]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...