Анализ диффузного рассеяния

Весьма плодотворным оказалось применение темнопольной методики в сочетании с анализом диффузного рассеяния, возникающего на МДК (см. далее, раздел 2.3.4), а также метода прямого разрешения решетки для исследования начальных ( зонных ) стадий распада. Рассмотренными методами были получены прямые данные о размерах и распределении в матричной решетке кластеров растворенных атомов вплоть до прямого видения последних. Примеры электронно-микроскопических изображений структур стареющих сплавов приведены на рис. 2.5. [c.57]

Анализ диффузного рассеяния [c.278]

Тепловое диффузное рассеяние. Это рассеяние связано с тепловыми колебаниями атомов (ионов), составляющих кристаллическую решетку анализ эффектов теплового диффузионного рассеяния в пространстве обратной решетки позволяет получить данные об атомных конфигурация.х, возникающих в кристаллах при тепловых колебаниях. Такими конфигурациями являются плотноупакованные цепочки атомов (<110> в г. ц. к. решетке, <111> в о. ц. к. решетке). [c.58]

Мы будем не раз подчеркивать, что эффекты, которые будут рассматриваться как составляющие поглощения, сильно зависят от условии проводимого эксперимента. При взаимодействии пучка излучения с веществом происходит большое число упругих и неупругих процессов рассеяния. Степень включения рассеянного излучения в экспериментальные измерения определяется тем, учитывается ли вклад диффузного рассеяния определенного вида в измеряемые интенсивности непосредственно или же через функцию поглощения. Например, при дифракции нейтронов с анализом энергий измерение резких брэгговских отражений,от кристалла будет исключать тепловое диффузное рассеяние. Потеря энергии падающего и брэгговских пучков, вызванная тепловым диффузным рассеянием, дает незначительный вклад в величину поглощения. [c.279]

До сих пор существовало два главных пути изучения данных дефектов. Исторически первый и по-прежнему важный метод — это наблюдение растяжения рефлексов или диффузного рассеяния на дифракционных картинах. Классические примеры таких дифракционных картин дают структуры с плотной упаковкой, когда гексагональные плотноупакованные атомные плоскости уложены с нарушением регулярности чередования двух плоскостей в гексагональной структуре с плотной упаковкой или чередования трех плоскостей в кубической структуре с плотной упаковкой. Могут быть нарушения в том или ином типе последовательности атомных плоскостей и даже почти полная беспорядочность при переходе от одного типа последовательности к другому. В обратном пространстве результатом этого будут непрерывные линии рассеивающей способности, перпендикулярные плоскостям плотной упаковки и проходящие через некоторые точки обратной решетки. Первоначальный анализ был выполнен на дефектах упаковки гексагонального кобальта [395], но затем последовали другие примеры, и было обнаружено, что аналогичные эффекты существуют для целого-ряда структур металлических и неметаллических материалов-[172, 388]. [c.392]

Однако даже наиболее детальный анализ уравнений теплообмена излучением был выполнен в предположении,-что среда и граничная поверхность являются серыми и обладают идеально диффузными (изотропными) индикатрисами объемного и поверхностного рассеяния. Вследствие таких допущений система определяющих критериев оказалась неполной и из рассмотрения выпал анализ влияния ряда критериев на исследуемый процесс радиационного теплообмена. [c.266]

Вариант метода — метод КФОР (камера фотографирования обратной решетки), который позволяет получать на рентгенограмме неискаженные сечения обратной решетки. Методы вращения и КФОР удобны для анализа диффузного рассеяния, связанного с нарушениями кристаллической структуры, например при исследовании процессов выделения из пересыщенного твердого раствора [12, с. 166 и 385). [c.113]

Здесь пав 1 — число атомов В на 1-той координационной сфере Св — концентрация компонента В в сплаве 2 — координационное число. Анализ диффузного рассеяния при наличии ближнего порядка осложняется наложе- [c.128]

Выбранной системе скольжения в аустените (111) tll L эквивалентна [59] система сдвига в мартенсите - (011) [Olll , Интересно отметить, что экспериментальное изучение неустойчивости а-решетки перед обратным мартенситным превращением, выполненное на железоникелевых метастабильных сплавах с помощью анализа диффузного рассеяния электронов, свидетельствует о нали чии ближнего порядка смещений атомов подобного типа (110) <110> [134]. [c.118]

Интенсивность фона, наблюдаемого на рентгенограммах, является не только результатом диффузного рассеяния рентгеновских лучей на образце, но также связана с инструментальными факторами (например, с рассеянием дифрагировавшего излучения атмосферным воздухом) [141]. Если инструментальные факторы одинаковы для исследуемых образцов, то появляется возможность сравнительного анализа роли самих образцов в формировании диффузного фона рассеяния на рентгенограммах. Интенсивность дифрагировавших рентгеновских лучей, зафиксированная на рентгенограмме, складывается из интенсивности рентгеновских пиков и интенсивности фона [130]. Для отделения интенсивности, связанной с фоном, в районе рентгеновских пиков, представленных псевдофункциями Фойгта, проводят базисные линии. Левая и правая точки каждой базисной линии соответствуют интенсивности фона слева и справа от рентгеновского пика. Для получения интегральной интенсивности фона площади под базисными линиями суммируют с площадями под линией фона вне рентгеновских пиков. [c.79]

Дефекты кристаллич. структуры (примеси, вакансии, флуктуации состава, сгатистич. разупорядочен-ность и др.) приводят к ослаблению и уширению осн. рефлексов и появлению диффузного рассеяния. Анализ спектра рассеянных нейтронов позволяет отделить рассеяние на статич. дефектах от рассеяния на колебаниях кристаллич. решётки. [c.287]

В предлагаемом читателю издании, в отличие от предыдущих, представлены такие новые и перспективные методы исследования, как количественный анализ структуры, диффузное рассеяние электронов, растровая электронная микроскопия, рентгеноспектральный анализ, Оже-элек-тронная спектроскопия, ядерный гамма-резонанс, радиоспектроскопия и др. справочник дополнен разделом о способах оценки параметров вязкости разрушения, живучести отдельно освещены такие важные специальные испытания, как оценка износостойкости, кавитационной стойкости. [c.7]

Наиболее полное изложение теории дифракционных методов анализа дано в книгах Гинье[4], Г. С. Жданова [5], Джеймса [6], А. И. Китайгородского [7]. Отдельным вопросом теории посвящены книги Д. М. Васильева [8] (общее описание методов, геометрия дифракции), В. И. Ивероновой и Г. П. Ревке-вич [9] (теория рассеяния, интенсивность дифракции), Я. С. Уманского [10] (теория рассеяния, диффузное рассеяние). [c.95]

На данных измерений периода решетки практически не сказывается зонная стадия распада, и образование зон Г.—П. можно заметить лишь по эффектам диффузного рассеяния в ближайших окрестностях узлов обратной решетки матричного твердого раствора. Если неоднородности структуры, обусловленные образованием зон, носят регулярный характер (модуляции рассеивающей способности или модуляции межплоскостных расстояний), то диффузное рассеяние концентрируется, образуя сателлиты возле основных рефлексов, и легко выявляется даже при съемке рентгеновской картины поликристаллов [47, 48]. В остальных случаях выявление зон Г.—П. возможно либо при рентгеновском анализе монокристаллов или крупнокристаллических поликристаллов (из-за малости размера ОКР в поликристаллах н наложений эффектов диффузного рассеяния), либо методом электронной дифракции в просвечивающем электронном микроскопе, где область дифракции всегда ограничена малой частью монокристалла (метод микродифракции, см. раздел 2). В некоторых сплавах зоны Г.—ГГ. имеют координацию атомов, отличную от координации атомов в матричном твердом растворе (например, зоны Гинье—Престона— Багаряцкого в сплавах А1—Mg—Si), или упорядоченную структуру (например, зоны Г.—П.П или фаза в" в сплавах А1—Си). При этом эффекты рассеяния должны наблюдаться в точках ОР, соответствующих этой структуре. По характеру распределения диффузного рассеяния можно судить о форме зон и в простейших случаях (при действии только форм-фактора) оценивать их размеры. К-состояние связывается с процессами упорядочения и выде- [c.129]

Третья разновидность динамических методов определения модулей упругости — анализ рассеяния рентгеновских лучей и тепловых нейтронов на тепловых колебаниях решетки. Поскольку тепловые колебания представляют собой суперпозицию продольных и поперечных волн с широким набором длин волн (частот), вместо дифракционного рефлекса возникает более или менее широкая ди( )фузная область рассеянных лучей вблизи брэгговских углов отражения. Отдельным выделенным точкам в диффузном облаке соответствуют константы упругих волн с данной длиной волны и частотой. Таким образом, анализируя спектр теплового диффузного рассеяния в различных точках диффузного пятна, смещенных относительно дифракционного максимума для соответствующей отражающей плоскости кристалла, можно определить длину упругой волны, распространяющейся в выбранном направлении и, следовательно, найти упругие постоянные. [c.270]

Анализ приведенных концентрационных зависимостей свидетельствует об аналогичном характере изменения порога хладноломкости и энергии дефекта упаковки [100]. Оба эти параметра являются структурно-чувствительными характеристиками и изменяются по кривой с минимумом, соответствующим границе (е+у)- и у-областей. Несовпа-)дение по содержанию марганца при одинаковом фазовом составе объясняется различной чистотой выплавки взятых для исследования сплавов [12, 100]. По мере приближения к температуре начала мартенситного превращения Мп энергия дефекта упаковки уменьшается. В сплавах, расположенных на границе (e-fl-y)- и -областей температура М-а близка к комнатной, при этом энергия дефекта упаковки минимальная, что свидетельствует о снижении устойчивости кристаллической решетки [100, 108]. Наблюдается особое предмартенситное состояние, когда возникает ближ- ний порядок динамических смещений атомов, что характеризуется появлением диффузного рассеяния электронов и [c.246]

К объяснению природы этих процессов [32] можно подойти, используя анализ физического механизма голографической регистрации сфокусированных изображений с диффузно рассеянной опорной волной (см. гл. 2). Действительно, как уже отмечалось, диффузное рассеяние регистрируемого излучения является необходимым условием дальнейшего получения квазиосевых восстановленных изображений, причем наилучшие условия [c.74]

Здесь можно рассчитывать на выявление новых данных относительно особенностей воспроизведения фазы спеклограммами, регистрируемыми в разных областях объектного поля, в частности применительно к обращению волнового фронта, а также относительно свойств диффузно рассеянных волн, формируемых в высших максимумах дифракции применительно к интерференционным измерениям. Интересные результаты может дать дальнейшее исследование процессов пространственной фильтрации в голографии и оптике спеклов применительно к разделению информации о различных составляющих сложного перемещения объекта, а также развитию методов обработки информации и анализа структуры поверхности. Все зто должно привести к более глубокому осмыслению физической общности голографической и спекл41нтерферометрии, уточнению их метрологичес-юсх возможностей. Углублению представлений о физическом механизме голографической интерферометрии, безусловно, будет способствовать изучение тонкой структуры спеклчюлей и ее роли в изменениях видности голографических интерферограмм. [c.217]

Появление лазеров и успехи, достигнутые в последующие десятилетия в области когерентной оптики, вызвали повышение интереса к проблемам преподавания волновой оптики и совершенствования учебного эксперимента в этой области, что стимулировало появление эяда интересных публикаций. Их анализ выходит за рамки настоящей книги, посвящённой конкретному кругу проблем. Отметим лишь, что важный для современной практики круг вопросов, связанный с интерференцией света в диффузно рассеянных лучах, практически выпал из поля зрения экспериментаторов, успешно работающих в области учебных демонстраций. Предлагаемая читателю книга имеет целью в какой-то степени восполнить указанный пробел. [c.6]

Последующий анализ динамического диффузного рассеяния, проведенный Йённесом и Хёйером [160], дал основу для более полной интерпретации экспериментальных наблюдений, в особенности для относительно толстых кристаллов, когда в выражениях для интенсивности можно пренебречь членами, осциллирующими с ростом толщины. [c.279]

Во втором разделе справочника приведены данные для решения конкретных задач рентгеноструктурного анализа. Некоторые из этих задач — как, например, изучение рассеяния под малылп углами, диффузного рассеяния, тонкой кристаллической структуры материала,-- возникшие совсем недавно, обладают большим научным и практическим значением, но еще не имеют твердо установленных, классических методов решения. В этих случаях в справочнике приведены данные для наиболее широко распространенных или же наиболее современных методик исследования. [c.11]

На электронограммах, получаемых от молекул газов, а также паров оксидов, галогенидов и др. соединений, дифракц. пучки образуют диффузные кольцевые ореолы, диаметры и интенсивность к-рых определяются расположением атомов в молекуле и дифракц, характеристиками атомов (их атомными амплитудами упругого и neynpyrdro рассеяния). Методы газовой Э. позволяют определять структуры молекул с числом атомов до 10—20, а также характер их тепловых колебаний в пшроком интервале темп-р. Аналогичным методом проводят анализ атомной структуры ближнего порядка (см. Дальний и ближний порядок) в аморфных телах, стёклах, жидкостях. [c.585]

Выполненный автором анализ профиля реальных трещин и их отражательных характеристик показал [48], что диапазон изменения параметра Рн составляет 0,1—9. При этом все поперечные трещины и значительное число продольных горячих имеют оценку дисперсии неровностей 5 2 0,04 мм2 и Рл<С1. Это предопределяет наличие слабой диффузной компоненты рассеянного поля Лобр, что значительно ухудшает выявляемость таких дефектов одним ПЭП. Следовательно, при вероятности наличия трещин такого типа или непроваров (несплавлений) с гладкой отражающей поверхностью предпочтительно выбирать способ прозвучивания и параметры контроля с учетом необходимости регистрации зеркальной компоненты эхо-сигнала Аз, например использование ПЭП типа дуэт для контроля сварных швов труб малого диаметра, эхо-зеркального метода для швов значительной толщины. [c.213]

Книга проф. Дж. Каули, внесшего существенный вклад в развитие физической оптики, охватывает материал, относящийся к оптике реитгеиовских лучей, электронов и нейтронов. Рассматриваются основы кинематической и динамической теории дифракции, диффузное и неупругое рассеяние, структурный анализ, явления упорядочения, а также конкретные дифракционные методы изучения структуры кристаллов. [c.4]

Проведенный в рамках кинематической теории анализ рассеяния рентгеновских лучей реальными кристаллами позволил М. А. Кри-воглазу [68] подразделить дефекты на два класса. Правильные отражения, полученные от кристаллов, которые содержат дефекты первого класса, могут быть смещенными и ослабленными на фактор типа ехр (—2М), но не уширенными. При этом возникает диффузный фон. Дефекты второго класса приводят к уширению линий на рентгенограмме. Принадлежность дефекта к тому или иному классу определяется законом убывания смещений и (г) , создаваемых этими дефектами на больших расстояниях (строго говоря, в пределе бесконечного кристалла). Дефекты принадлежат к первому классу, если при больших г величина и (г) убывает как или быстрее, и ко второму классу, если смещение убывает медленнее, чем Г -" К дефектам первого класса принадлежат точечные дефекты, изолированные частицы выделений новой фазы, дислокационные петли и вообще произвольные ограниченные в тргх измерениях дефекты, если их максимальные размеры гораздо меньше размеров кристалла. К дефектам второго класса следует относить дефекты упаковки, если плоскость, в которой нарушаются укладки, пронизывает весь кристалл, а также дислокации и дислокационные диполи, линии которых проходят через весь кристалл и дисклинации. [c.230]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...