Плотность кристаллическая

Плотность кристаллической решетки — объема, занятого атомами, коюрые условно можно рассматривать как жесткие шары (см. рис. 6, а), характеризуется координационным числом, под которым понимают число атомов, находящихся на равном и наименьшем расстоянии от данного атома. Чем выше координационное число, тем больше плотность упаковки атомов. [c.14]

Методы определения объемной, относительной и насыпной плотности твердых материалов условно можно разделить на две основные группы объемно-весовые и основанные на использовании физических констант. Методы определения средней плотности твердых материалов достаточно полно изложены в лабораторной работе 2.3. Теоретическую плотность кристаллических веществ нередко и притом наиболее точно определяют с помощью рентгенографического метода (рассчитанная таким образом плотность носит название рентгенографической). [c.184]

Цель настоящей работы — изучить методику расчета плотности кристаллических веществ, используя результаты рентгенографического эксперимента, и рассчитать рентгенографическую плотность заданного кристаллического вещества. [c.184]

Расчет рентгенографической плотности кристаллических веществ [c.187]

Гетерогенная система — макроскопически неоднородная термодинамическая система, состоящая из различных по физическим свойствам или химическому составу частей (фаз). Смежные фазы гетерогенной системы отделены друг от друга физическими поверхностями раздела, на которых скачком изменяется одно или несколько свойств системы (состав, плотность, кристаллическое строение, электрические и магнитные свойства и др.). Примером гетерогенной системы являются композиционные материалы, в которых компоненты отличны по составу, строению, свойствам. Различие между гетерогенной и гомогенной (однородной) системами не всегда четко выражено. Так, переходную область между гетерогенными механическими смесями (взвесями) и гомогенными (молекулярными) растворами занимают коллоидные растворы, в которых частицы растворенного вещества столь малы, что к ним неприменимо понятие фазы. [c.25]

Плотность кристаллической решетки и многие свойства металла определяются координационным числом. [c.14]

Атомы в кристаллической решетке можно условно рассматривать как соприкасающиеся между собой жесткие шары (рис. 1.1). При этом очевидно, что в решетке кроме атомов существует свободное пространство. Объем, который занимают атомы, т. е. плотность кристаллической решетки, характеризуют координационное число и коэффициент компактности. Координационным числом называется число атомов, которые находятся на наименьшем равном расстоянии от данного атома. Для объемно- [c.10]

Если принять, что атомы в решетке представляют собой упругие соприкасающиеся шары, то нетрудно видеть, что в решетке, помимо атомов, имеется значительное свободное пространство. Плотность кристаллической решетки, т. е. объем, занятый атомами, характеризуется коэффициентом компактности. [c.9]

Зная, что период вдоль оси [ЮО] равен 3,73 А и что плотность кристаллического вещества равна 3,9 г/сж , определить [c.12]

Аморфный магнезит представляет собой очень чистую разновидность магнезита, почти свободную от примесей железа, но почти всегда содержащую кремнезем. Твердость по Моосу для кристаллического магнезита колеблется от 3 до 5 и для аморфного — от 3 до 4,5. Плотность кристаллического и аморфного магнезита в среднем колеблется от 2850 до 3100 кг/м . Магнезит растворим в минеральных кислотах только в измельченном виде (порошок) и при нагревании. [c.43]

Плотность элементарной ячейки у разных кристаллических решеток различная, т. е. объем, занимаемый атомами, разный. Плотность кристаллической ячейки характеризуется координационным [c.72]

Штриховой линией показана плотность кристаллического ТНТ при начальном давлении 60 0.3 ГПа. [c.288]

Плотность, термическое расширение. Плотность кристаллического и аморфного теллура, определенная различными авторами, приводится в табл. 98. В табл. 99 приведено изменение плотности и коэффициента объемного расширения теллура [191 при нагревании. [c.194]

Превращение в точке Аз сопровождается изменением объема. Так как плотность кристаллической решетки у-железа больше плотности решетки а-железа, в точке Асз объем уменьшается, а в точке Аг — увеличивается. [c.24]

Работы, посвященные измерению давления пара над кристаллом и плотности кристаллического этилена, не рассматриваются нами, так как свойства твердого вещества не исследуются в настоящей монографии. [c.32]

ТАБЛИЦА 6. Зависимость между пропусканием света и оптической плотностью кристаллических и аморфных областей полимера [c.101]

Плотность кристаллической решетки, т. е. объем, занятый атомами, которые условно можно рассматривать как в достаточной степени жесткие шары (см. [c.15]

Ри однако в чистом виде их практически нельзя использовать из-за низкой температуры фазовых переходов, влекущих за собой изменение кристаллической решетки, плотности и линейных размеров. [c.9]

Усовершенствование рентгеноструктурного анализа позволяет изучать и дефекты кристаллического строения. Ширина (размытость) рентгеновских линий свидетельствует о степени несовершенств кристаллического строения. В частности, суммарная плотность дислокаций пропорциональна ширине линий [c.36]

Цинк металл с низкой температурой плавления (419°С) и очень низкой температурой кипения (906°С), высокой плотностью (7,1 г/см ). Прочность цинка низка (ств=15 кгс/мм ) при высокой пластичности (6 = 50%). Кристаллическая решетка гексагональная. Аллотропических превращений не имеет. [c.628]

Металл Кристаллическая решетка Плотность, г/см> t, °С ПЛ Твердость НВ Окисляется на воздухе при температуре, °С [c.631]

Исходной заготовкой для начальных процессов обработки металлов давлением (прокатки, прессования) является слиток. Кристаллическое строение слитка неоднородно (кристаллиты различных размеров и форм). Кроме того, в нем имеется пористость, газовые пузыри и т. п. Обработка давлением слитка при нагреве его до достаточно высоких температур приводит к деформации кристаллитов и частичной заварке пор и раковин. Таким образом, при обработке давлением слитка может увеличиться и плотность металла. [c.58]

Прочность конструкционных материалов повышается благодаря воздействию нагрузок, создающих эффективные препятствия для движения несовершенств кристаллической решетки. При этом создаются структуры с повышенной плотностью закрепленных и равномерно распределенных по всему объему дислокаций. [c.391]

Объемная масса п.зделий из каменного литья равна их плотности (2,9—3,0), что свидетельствует о весь.ма плотной кристаллической структуре, обусловливающей незначительное водопо-глощение и непроницаемость изделий (открытая пористость равна пулю). [c.368]

Плотность кристаллической реп1етки - объема, занятого атома-мами, которые условно можно рассматривать как жесткие нтры [c.16]

Атомные смещения приводят к таким необратимым нарушениям в неорганических изоляционных материалах, которые проявляются в виде изменения параметров решетки, плотности, прочности и электрических свойств. Бомбардировка нейтронами кристаллических тел (AI2O3, MgO, кристаллический кварц и т. д.) приводит к расширению решетки и соответственно к уменьшению плотности. При интегральных потоках быстрых нейтронов порядка 10 —10 нейтрон 1см плотность керамических изоляторов [17], обладающих плохой или умеренной радиационной стойкостью, изменяется приблизительно на 1—6%. Из обычно используемых изоляционных материалов а-кварц является, по-видимому, наименее стойким к облучению быстрыми нейтронами, так как при интегральном потоке около 6,6-10 нейтрон/см его плотность понижается на 3,5—5% [81]. Небольшое уменьшение плотности (на 1—3%) наблюдается в карбиде кремния, окиси магния, сапфире и шпинели при интегральных потоках быстрых нейтронов порядка 10 —10 нейтрон1см [63]. Зисмани др. [72] установили, что при интегральном потоке быстрых нейтронов 2-10 нейтрон/см изменение плотности окиси магния, окиси алюминия, шпинели и форстерита составляет менее 1 %. Если под влиянием облучения быстрыми нейтронами плотность кристаллических материалов уменьшается, то в таких аморфных изоляторах, как плавленый кварц и стекло, наблюдается обратный эффект. Примак и др. [62], например, наблюдали увеличение плотности плавленого кварца на 17% при интегральных потоках выше 10 нейтрон/см . [c.397]

С. плотность кристаллического бора 2,34, аморфного 1,73. В природе встречается только в виде соединений получается восстановлением окислов. Устойчив по отношению к воздуху, нерастворим в воде, соляной и серной кислотах. Растворяется в щелочах. При нагревании реагирует с кислородом, галогенами, азотом, серой. С металлами при нагревании образует бориды (например, MgaBa), отличающиеся чрезвычайно большой твердостью и высокой температурой плавления. [c.374]

Значение рассчитанной таким образом рентгенографической плотности кристаллического материала характеризует идеализированную кристаллическую рещетку с реальными параметрами. Справочные значения плотности кристаллических веществ, как правило, будут отличаться от рентгенографической в меньшую или большую сторону. Эта разница может быть вызвана наличием в реальных кристаллах примесей, дефектов кристаллической решетки, внутренних напряжений. [c.188]

Рентгенограмма металла с малой плотностью кристаллических дефектов, регистрируемая на дифрактометре, т. е. дифрактограмма, характеризуется наличием дифракционных максиму- [c.141]

Для окиси алюминия характерно образование поликристал-лических тел с плотностью, приближающейся к плотности кристаллического глинозема. Так, микролит, созданный Китайгородским и Павлушкиным [5], представляет сверхпрочный материал, отличающийся плотностью упаковки очень мелких кристаллов при малой толщине межкристаллического слоя. [c.21]

Соединение КдО 43102 при 592° испытывает энантиотропное превращение, весьма напоминающее а Р-превращение кварца. Интересно, что плотность кристаллического тетрасиликата калия (2.335 г/см ) значительно ниже плотности его в стеклообразном состоянии (2.384), в связи с чем коэффициент, характеризующий влияние давления на температуру плавления, будет отрицателен (как у льда I). Горансон и Крачек [2 ] построили Р— -диаграмму для [c.17]

Плотность аморфной фазы, как правило, несколько меньше, чем плотность кристаллической (но близка к ней) в обоих случаях имеется стремление к плотной упаковке атомов без пустот между атомами соседних молекул. В наилучшей степени это достигается при кристаллической упаковке. В разупорядоченпом аморфном состоянии наилучший контакт между атомами соседних изогнутых цепей может быть получен как вследствие их наиболее удобного приспособления друг к другу путем взаимных поворотов и сдвигов одной цепи относительно другой, так и вследствие изменения строения самих цепей, например поворотов тех или иных радикалов вокруг одинарных связей, энергия которых (поворотов) вполне сравнима с энергиех межмолекулярного взаимодействия. Ввиду случайного характера изгибов и упаковки цепех и сдвиги атомов в элементарных группировках, происходящие в результате их искажений, также будут случайными. Таким образом, суммарное действие изгибов и взаимных контактов приведет к искажениям элементарных группировок, которые являются искажениями первого рода, типа застывшего теплового движения, поскольку они происходят вокруг некоторых фиксированных равновесных положений. Характеризуя их известным нам параметром Д (У,27), который может достигать значительной величины, и обозначая его применительно к этому случаю статических искажений Аст, мы должны будем заменить усредненную амплитуду / м] в (60) на [c.336]

Плотность кристаллической решетки, г. е. обье.м, занятый ато.ма.ми, которые условно хюжно рассматривать как жесткие шары (см. рис. 5), характеризуется коордипспцюапым числом, под которым понимают число атомов, находящихся пи равном и наименьшем расстоянии от данного атома. Че.м выше координационное чнс.ю, 1е.м бо.тьше п.тотность упаковки ато. юв. [c.15]

Производя оценку величины температуры статистического вырождения по отношению к трансляционному движению во h /2m) N/Vy и обсуждая в гл. 2, 2, п. г) возможность реально обнаружить вырожденную систему, мы выяснили, что, исключая один-единственный случай жидкого гелия, все реальные газы и жидкости из атомов и молекул во всей области их физического сушествовайия в земных условиях вплоть до точки кристаллизации являются системами невырожденными (фактически только электронный газ в металлах является вырожденным газом, но это — газ электронов, а не молекул, и то, что для электронного газа во 10 К связано, во-первых, с тем, что по сравнению с молекулами газа это достаточно легкие частицы, тПе 0,5 10 тр 10 тПмол. к, во-вторых, с тем, что его плотность п = N/V по сравнению с плотностью газов достаточно высока, так как соответствует плотности кристаллической упаковки молекул). А это означает, что если не производить учета внутримолекулярных движений (мы это в какой-то мере научились в гл. 2, 3 делать отдельно), то для расчета характерных особенностей таких систем можно использовать формализм статистической механики классических систем (см. гл. 1, 6). [c.296]

Насыпная плотность кристаллического карбамида, содержащего 0,5% влаги, составляет 640 кг1м насыпная плотность гранулированного продукта больше и зависит от. гранулометрического состава продукта (табл. П-57). [c.207]

К самопроизвольным процессам, которые приводят пластически деформированный металл к более устойчивому состоянию, относятся снятие искажения кристаллической решетки и другие В1нутризеренные процессы и рост зерен. Первое е требует высокой температуры, так как при этом происходит незначительное перемещение атомов. Ул<е небольшой нагрев (для железа 300— —400°С) снимает искажения решетки (как результат многочисленных субмн кролроцессов — уменьшение плотности дислокаций в результате их взаимного уничтожения, так называемая аннигиляция, слияния блоков, уменьшение внутренних напряжений, уменьшение количества вакансий и т. д.). Линии на рентгенограммах деформированного металла, размытые вследствие искажений решетки и нарушений се правильности, вновь становятся четкими. Снятие искажений решетки в процессе нагрева деформированного металла называется возвратом, или отдыхом. В результате этого процесса твердость и прочность несколько понижаются (па 20— 30% по сравнению с исходными), а пластичность возрастает. [c.86]

Эти металлы, кроме высокой температуры кипения, плавления и соответственно высокой температуры рскт исталлизации (указывается ориентировочно для металлов промышленной чистоты), имеют одинаковую кристаллическую решетку — объемноцентрированный куб (кроме рения и гафния), не имеют полиморфизма, обладают высокой (выше чем у железа) плотностью (кроме ванадия и хрома) и малым 1.оэффнциентом теплового расширения (кроме ванадия). [c.522]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...