Фотоэлектрическая поверхность

Фототопография 207. Фотоэлектрическая поверхность 176. Фотоэффект 277. [c.462]

Логическое объяснение этих явно двойственных свойств может быть найдено при проведении экспериментов. В экспериментах по изучению фотоэлектрического эффекта наблюдалось действие индивидуальных фотонов, ударяющихся о твердую поверхность. В экспериментах по дифракции измерялся статистический эффект от большого числа фотонов и электронов. Таким образом, вещество и излучение можно считать состоящими из дискретных ча- [c.71]

При измерениях следует иметь в виду, что некоторые приемники радиации (фотоэлектрические, термоэлектрические и др.) реагируют на поток, тогда как большая группа других приемников (в первую очередь фотохимические) измеряет не поток, а создаваемую им освещенность поверхности приемника. В частности, освещенность сетчатки человеческого глаза определяет его реакцию на свет. [c.42]

В данном справочнике рассмотрены линейные и угловые методы и средства измерения размеров в машиностроении. Именно эти измерения в промышленности технически развитых стран составляют 85—90% от всех существующих видов измерений [37]. Для повышения точности выполнения размерных параметров деталей приборостроительной промышленностью освоен выпуск различных измерительных средств, отвечающих современным требованиям высокоточных преобразователей различных конструкций (индуктивные, фотоэлектрические, электронные), различных приборов для контроля шероховатости обработанных поверхностей (оптико-механические приборы ПСС, ПТС, МИИ, профилометры и профилографы), приборов для контроля погрешностей формы и расположения поверхностей (оптические линейки, автоколлиматоры, интерферометры, кругломеры) и многих других приборов. В связи о тем, что трудоемкость контрольных операций в машиностроительной и приборостроительной промышленности составляет в среднем 10—50% от трудоемкости механической обработки, в последнее время широкое применение получили приборы активного контроля размеров деталей (пневматические приборы моделей БВ-6060, БВ-4009, БВ-4091, индуктивные приборы модели АК-ЗМ), обеспечивающие необходимую точность размеров непосредственно при изготовлении деталей Все эти измерительные средства, наряду с такими давно зарекомендовавшими себя приборами, как индикаторы, микрометры, оптиметры и др., рассмотрены в настоящем издании справочника. [c.3]

Для этой цели разработана система фотоэлектрического сканирования в ультрафиолетовом свете поверхности контролируемого изделия с отложением светящегося порошка на дефекте. [c.354]

Возможность контроля фотоэлектрическим методом полупроводниковых структур исследовалась в работе [14]. Выяснена L возможность определения таких дефектов, как наличие инверсных слоев и каналов, мест локального умножения на поверхности, неоднородность в металлическом покрытии, загрязненные поверхности. [c.226]

При проведении испытаний теплозащитных материалов применяются как фотографический, так и фотоэлектрический варианты яркостного и цветового методов определения температуры поверхности, которые дополняют друг друга. [c.333]

Важным свойством фотоэлектрического прибора является его характеристика, т. е. зависимость измеряемой электрической величины от освещенности поверхности. Вообще эта характеристика является нелинейной. В световом моделировании представляют интерес не [c.308]

Чувствительность фотоэлектрических приборов помимо длины волны зависит также и от угла падения света на их поверхность. Этот факт также приходится принимать во внимание при использовании фотоэлектрических приборов в световом моделировании. Для устранения ошибок от изменения угловой чувствительности фотоэлектрических приборов (в зависимости от угла падения света) можно использовать зеркальные параболические насадки, уменьшающие угол падения света на поверхность. прибора (см. рис. 11-2), а также, определив заранее угловую чувствительность фотоэлемента, вносить соответствующие поправки на основании расчетов. [c.309]

При проведении фотоэлектрических измерений следует иметь в виду то обстоятельство, что фотоэлемент 4 размещается с внешней стороны стенки, вследствие чего его освещенность отличается от определяемой освещенности внутренней поверхности за счет влияния оптического сопротивления стенки. Поэтому те места поверхности, в которых будут проводиться измерения освещенности, должны быть предварительно исследованы в отношении вносимого оптического искажения с тем, чтобы внести соответствующие коррективы. [c.314]

В качестве регистраторов освещенности могут использоваться оба упомянутых выше метода фотоэлектрический и фотографический. Однако если производить измерения освещенности стенок непосредственно на их внутренней поверхности, соприкасающейся со средой, то фотопленку или фотоэлектрический прибор необходимо помещать в герметическую кассету со светопрозрачным окном. При этом следует также иметь в виду, что присутствие измерительного устройства, обладающего иными оптическими свойствами, чем среда и поверхность, приведет к искажению светового поля и к связанным с этим погрешностям. Поэтому если идти на размещение измерительного устройства внутри модели, то необходимо предусмотреть его миниатюризацию с целью сведения отмеченных ошибок к минимуму. [c.315]

Высокоточным методом аттестации образцовых колец из прозрачного материала является метод абсолютных интерференционных измерений при отражении света от диаметрально противоположных участков поверхности отверстия. По данным работы 110], этот метод обеспечивает измерения с погрешностью 0,05 мкм. Интересен метод аттестации прозрачных колец по аттестованным пробкам [11 ]. Во ВНИИМ им. Менделеева создан прибор для измерения диаметров аттестованных колец с погрешностью 0,3 мкм. Прибор содержит двухлучевой интерферометр, фотоэлектрический оптический щуп и систему подачи с помощью пьезокерамического устройства [ 1 ]. [c.202]

Фотоэлектрический эффект, использование для подачи или намотки ленточного или полосового материала В 65 Н 26/00, Фотоэлементы, использование при манипулировании тонкими из делиями В 65 Н 43/08 Фракционная перегонка В 01 D 3/14-3/32 Фрезерные ( станки В 23 (С 1/00-1/20 комбинированные с гори зонтально-расточными станками В 39/02 конструктивные элементы С 1/20) съемные устройства к металлорежущим станкам В 23 С 7/00-7/04) Фрезерование [В 23 (зубьев (колес, реек или шестерен F 1/06, 5/20-5/26, 21/12 пил D 65/04) напильников и рашпилей D 73/08 пазов и канавок на изделиях С 3/28-3/35 поверхностей вращения С 3/02-3/04 резьбы G 1/32 специальных изделий С 3/00-3/36 спиральных канавок С 3/32 фрез С 3/36 червячных колес F 11/00) В 27 G деревянных деталей для соединения их в ус 5/04 древесины 5/00-5/10) камня В 28 D (1/18 правка фрезерных дисков 3/00-3/04) пластмасс В 29 С 37/00] Ф зы [В 23<С 5/00-5/28 зуборезных станков F 21/12 изготовление Р 15/(34—36) крепление на рабочем шпинделе фрезерного станка С 5/26 резьбовые G 5/18 смазывание и охлаждение С 5/28 фрезерование С 3/36) по дереву В 27 G 13/(08—10) заточка В 24 В 3/02-3/14 использование для добычи полезных ископаемых Е21 С 27/24 термообработка С 21 D 9/22] Фреоны С 07 F 13/00 Френсиса турбины F 03 В (3/02 регулирование 15/04) Фрикционная сварка В 23 К 20/12 Фрикционное зажигание в ДВС [c.204]

Пирометры. Пирометрическое бесконтактное измерение температуры по излучению поверхности тела выполняется с помощью визуальных и фотоэлектрических пирометров [18]. Визуальные оптические пирометры предназначены для работы в видимом спектре и используются для оценки яркостной температуры раскаленных тел. Для средних температур, близких к 30 °С, применяются фотоэлектрические пирометры, работающие в инфракрасной области спектра. [c.66]

Сплав плавится в тигле индукционной печи в вакууме или под водородом в зависимости от химических свойств его составляющих. Часть излучения от поверхности металла передается зеркалом через цветной фильтр, линзу и диафрагму к светочувствительной поверхности фотоэлектрического элемента. Кривые охлаждения вычерчиваются по данным измерения тока насыщения при охлаждении расплава. Точке ликвидус соответствует перегиб на кривой ток насыщения — время с помощью описанной выше градуировки вычисляют температуру термической ос.тановки. [c.183]

Солнечная энергия. В результате солнечной радиации на поверхность Земли ежегодно поступает в 3 тыс. раз больше энергии, чем потребляется в мире. В настоящее время солнечная энергия используется с помощью термоэлектрического и фотоэлектрического преобразования. Термоэлектрические установки по состоянию на начало 1997 г были в основном использованы в США. Их общая мощность составляла немногим более 330 МВт. Более широко распространены фотоэлектрические преобразователи. Наибольшие мощности таких энергетических установок у Японии (38 МВт), Индии (28 МВт), Г ер-мании (17 МВт), Австралии (13 МВт), Южной Африки (11 МВт) и Мексики (10,3 МВт). Широкое распространение получили в мире солнечные установки горячего водоснабжения и отопления. В Австралии, например, используются 250 тыс. бытовых солнечных водоподогревателей, в Китае насчитывается 400 производителей солнечных панелей с их [c.20]

Во многих современных вискозиметрах различных типов используется фотоэлектрический способ. В простейшем случае он применяется для измерения малых углов закручивания торсиона. Такой способ встречается в различных компенсационных схемах, когда необходимо поддержать то или иное неизменное положение измерительной поверхности. Измеряются величины, обусловливающие фиксированное положение измерительной поверхности. Использование фотоумножителей и других устройств для усиления слабых фототоков открывает широкие перспективы для применения фотоэлектрического способа регистрации углов закручивания или фиксации положения торсионов с высокой точностью. В свою очередь, это допускает использование торсионов с очень высокой жесткостью. [c.52]

Астрономические телескопы, снабженные фотоумножителями или электронно-оптическими преобразователями. В телескопах этого типа энергия падающего света используется для освобождения электронов с фотоэлектрической поверхности, помещенной там, где в противном случае был бы окуляр. Эти электроны могут быть умножены и измерены, показывая количество света, первоначально полученное телескопом, или могут бьггь сфокусированы (например, с помощью магнитных линз), чтобы образовать изображение на фотографической пластинке или флюоресцентном экране. [c.90]

Принцип работы электрофотометра основан на электрическом действии света (фотоэлементы, фотоусилители, фотосопротивления и т. д.). Самый простой фотоэлектрический фотометр состоит из фотоэлемента и соединенного с ним высокочувствительного гальванометра. Если измерить электроток, создаваемый действием света, то можно вычислить освещенность поверхности фотометра. Проградуировав гальванометр непосредственно в люксах, можно получить величину освещенности. В качестве фотоусилителей могут быть использованы так называемые фотоэлектронные усилители (ФЭУ). Выбор того или иного ФЭУ обусловлен спектральным составом измеряемого светового потока. Так, например, для красной и близкой инфракрасной областей спектра применяются фотоусилнтели ФЭУ-62, ФЭУ-22. Для сине-зеленой области применимы ФЭУ-17, ФЭУ-18, ФЭУ-19 и т. д. ФЭУ-18, ФЭУ-39 рассчитаны на работу в ультрафиолетовой и сине-зеленой областях спектра. ФЭУ-106 применяется как в видимой, так и в ультрафиолетовой и инфракрасной областях спектра. [c.20]

Простейши.м фотоэлектрическим приемником света является фотоэлемент. Принцип его действия ясен из рис. 8.17. Фотоэлемент представляет собой хорошо эвакуированную и затем отпаянную колбу, на часть внутренней поверхности которой [c.436]

При наблюдении, например, звезд глаз реагирует на свет, испущенный в направлении наблюдателя всей поверхностью звезды следовательно, в данном случае удобно говорить о силе света звезды. В фотографических приборах неважно, в каком направлении прищел свет в данную точку фотопленки и вызвал ее почернение, т. е. пленка осуществляет интегрирование энергии по углам поэтому здесь регистрируется освещенность. В приборах с фотоэлектрическими или тепловыми приемниками излучения измеряется, как правило, полный поток, попадающий на всю поверхность приемника по всем направлениям. [c.50]

При производстве двухшовных труб диаметром 1220. .. 1620 мм и толщиной стенки 10,0. .. 17,5 мм в ИЭС им. Е. О. Патона создана установка У-664. Акустическая система состоит из двух акустических блоков, каждый из которых в зависимости от толщины стенки трубы имеет два или четыре ПЭП на частоту 2,5 МГц, работающих в совмещенном режиме. В этой установке также отсутствует поперечное сканирование акустических блоков относительно оси шва. В процессе движения трубы по роликам одновременно контролируют два шва, которые располагаются в горизонтальной плоскости. Электронная стойка включает в себя серийные дефектоскопы, число которых соответствует числу каналов. Слежение за швом осуществляет фотоэлектрическая система, которая позволяет поддерживать расстояние от акустических блоков до оси сварного шва с точностью 2 мм при условии стабильной формы выпуклости. Предусмотрен также ручной режим слежения по световому пятну, проектируемому на шов осветителем. Конструкция полДвески акустических блоков обеспечивает их надежный прижим и копирование поверхности трубы. Подвеска, корректирующий механизм, система слежения за швом, отметчики дефектов, механизм подъема и опускания подвески представляют собой самостоятельный агрегат, крепящийся на опорной раме. Это оборудование размещается стационарно на площадке обслуживания. Производительность контроля 0,25 м/с, масса установки около 1200 кг. Недостатком следует считать отсутствие системы слежения за качеством акустического контакта и системы регистрации информации. [c.382]

В работе (341 описана схема фотоэлектрического профило скопа, в котором на исследуемую поверхность проектируется изображение освещенной узкой щели, которое совершает возвратно-поступательные движения по исследуемой поверхности с определенной частотой. Отраженный от исследуемой поверхности световой поток поступает на фотоэлемент. Изменение характера неровностей приводит к изменению фототока, переменную со ставляющую которого можно анализировать с помощью осциллографа, можно также измерить среднее значение его с помощью лампового вольтметра. [c.122]

Второе направление предусматривает монтаж сборных панелей солнечных фотоэлектрических элементов в малонаселенных и малоиспользуемых пустынных районах Земли. Реализация этого направления не приведет к дополнительному нагреву Земли, поскольку при этом сохраняется неизменным естественное солнечное нзлученне. Однако продолжительное использование солнечных панелей может вызвать даже в районе пустыни серьезные экологические изменения, поскольку меняется альбедо поверхности данного района. В настоящее время ведутся исследования в этом направлении. Считается, что результаты будут экономически приемлемыми, если будут созданы установки с КПД преобразования примерно 30 % при удельной стоимости производства панелей с фотоэлементами не более 60 долл/м . [c.36]

Уравнение Эйнштейна неоднократно подвергали эксцериментальной проверке. Особенно тщательные исследования были выполнены американским физиком Р. Э. Милликеном (1916 г.) и советскими физиками П. И. Лу-кирским и С. С. Прилежаевым (1928 г.) [8]. Прибор Милликена для изучения фотоэлектрического эффекта позволил установить, что энергия кванта равна сумме кинетической энергии электрона и некоторой постоянной но величине энергии, которая должна быть затрачена для выхода электрона с поверхности металла [9]. [c.352]

В рассматриваемый период бурное развитие получают оптические системы связи. В 1870 г, был изобретен светосигнальный прибор Манжена, который долго применялся в XIX в. в различных армиях. Он состоял из керосиновой лампы, расположенной в металлическом яш,ике. Пламя лампы, находившееся в фокусе линзы диаметром около 100 мм, давало параллельный световой пучок, прерыванием которого и подавались телеграфные сигналы по азбуке Морзе. Примерно в это же время (середина XIX в.), когда не только не существовало фотоприемников, необходимейшей части всякого оптико-электронного прибора, но и сам фотоэлектрический эффект ещ е не был открыт, делались попытки создать прибор для передачи и приема оптических сигналов, модулированных звуковой частотой. В качестве индикаторов приходящих сигналов применялись довольно грубые устройства, действие которых основывалось на тепловом нагревании световыми лучами. Понятно, что такого рода устройства не могли работать удовлетворительно они были мало чувствительны и обладали большой инерционностью. Только после развития техники изготовления фотоэлементов оптическая телефония получила основу для своего развития. В 1880 г. А. Г. Белл построил так называемый фотофон, состоящий из передатчика, модулированного звуковой частотой пучка лучей, и приемника с селеновым фотоэлементом. Вышедший из передающей станции параллельной пучок лучей падал на зеркальную мембрану микрофона и после отражения от нее направлялся к приемной станции. При колебаниях мембраны поверхность ее деформировалась и в зависимости от степени отклонения от плоскости пучок отраженных ею лучей становился более или менее расходящимся. В приемную часть, следовательно, поступало большее или меньшее количество света. 1880 г. можно считать годом рождения оптических систем связи. На протяжении последующих лет было разработано и описано различными авторами несколько систем оптических телефонов, различающихся между собой по преимуществу способами получения модулированного пучка световых лучей. Наибольший интерес представляет способ модуляции светового потока, предложенный в 1897 г. Г. Симоном. Он использовал в качестве источника излучения дуговую лампу, предложенную русским изобретателем П. Н. Яблочковым, установленную в фокусе передающего параболического зеркала. Излучение лампы модулировалось системой, состоящей из микрофона, трансформатора и источников питания. Дальность работы телефона Симона была в десять раз больше дальности работы фотофона Белла и достигала примерно 2,5 км. [c.379]

Характер распределения засветки на приведенных фотоснимках устойчиво воспроизводится при многократной записи на одних и тех же образцах при переполировке их поверхностей. Таким образом, наблюдаемые на фотографиях ИК пропускания неоднородности связаны с объемными свойствами вещества. Хорошо известно также, что электрические, фотоэлектрические и прочие свойства полупроводников связаны с макрооднородностью структуры последних. Таким образом, неоднородное распределение засветки на полученных фотоснимках уже само по себе свидетельствует о возможности осуществления контроля качества полупроводниковых материалов рассмотренным методом. [c.184]

Особенности температурных измерений. Фотографические пиро метры по своим эксплуатационным возможностям существенно отличаются от обычно используемых оптических визуальных и фотоэлектрических пирометров. В частности, они являются практически единственными оптическими пирометрами, при помощи которых удается регистрировать температурное поле на поверхности объекта в нестационарном режиме. Объясняется это особыми свойствами фотографической пленки как датчика температуры. Фотокамера экспонирует оптически четкое изображение поверхности излучающего объекта (образца) на чернобелую фотографическую пленку. Постороннее освещение объекта не допускается, поэтому плотность почернения изображения объекта на проявленной пленке оказывается однозначно связанной с яркостью исследуемой поверхности. Фотокамеру обычно снабжают светофильтрами и с их помощью монохроматизируют попадающее на пленку излучение объекта при некоторой эффективной длине волны Л. Благодаря этому фотографический пирометр вполне пригоден для измерений яркостной температуры светящихся объектов, от которой всегда можно перейти к интересующей нас истинной (термодинамической) температуре. [c.88]

Наиболее огнеупорная, а также наименее химически активная окись — окись тория. Она пригодна для применения в тиглях, предназначенных для сплавов с очень высокой температурой плавления. Тигли, набитые окисью тория, могут быть применены до 2700°. Окись магния, окись бериллия и окись циркония тоже представляют собой материалы с высокими огнеупорными свойствами, но они более химически активны и поэтому менее пригодны, чем окись тория. Окись алюминия имеет максимальную температуру службы до 1900—1950°, что является пределом, до которого можно применять оптический пирометр с исчезающей нитью, смотровой трубой из корундиза и экраном как источником излучения абсолютно черного тела. Современное производство прямых непористых смотровых труб из окиси тория значительно расширяет область применения этого метода. При более высоких температурах возможно измерение лучеиспускания непосредственно поверхности металла только оптическим пирометром или фотоэлектрическим элементом. В этом случае поверхность металла не удовлетворяет условиям излучения абсолютно черного тела, и поэтому такой метод можно применять только в том случае, если известны данные об эмиссионной способности металла и если для градуировки имеются в распоряжении металшы с известной точкой плавления и эмиссионной способностью, близкой к исследуемому сплаву. Однако точность такого метода не очень высока. Подробности мы рассматриваем ниже при описании метода Мюллера. Вольфрам-ирридиевые, вольфрам-мо-либденовые и различные другие термопары могут быть применены для измерения высоких температур однако эти термопары нельзя считать удовлетворительными ввиду трудности получения повторимых результатов (см. ниже). [c.179]

Для стационарных газорежущих машин применяют резаки с внутрисопловым смешением и датчиком контроля процессйр Зки. На штуцере режущего кислорода такого резака (рис. 9.41) установлен фотоэлектрический датчик контроля непрореза. При кислородной резке на передней лобовой поверхности реза шлаки имеют высокую температуру, что обеспечивает ее сильное свечение. Световой поток от лобовой поверхности реза проходит через горловой канал мундштука и попадает на фотосопротивление. [c.320]

Иногда на штуцере режущего кислорода резака (рис. 4.47) установлен фотоэлектрический датчик контроля непрореза. При кислородной резке на лобовой поверхности реза шлаки имеют высокую температуру, что обеспечивает сильное свечение зоны реза. Световой поток от лобовой поверхности реза проходит через центральный канал мундштука и попадает на фотосопротивление. При срыве процесса световой поток перестает попадать на фотосопротивление. В этом случае в системе управления формируется сигнал об останове машины и выключении подачи режущего кислорода. [c.233]

Солнечные фотоэлектрические установки в настоящее время находят все более широкое распространение в качестве источника энергии для средних и малых автономных потребителей, а иногда и для больших солнечных электростанций, работающих в энергосистемах параллельно с традиционными ТЭС, ГЭС и АЭС. Конструктивно СФЭУ обычно состоит из солнечных батарей в виде плоских прямоугольных поверхностей, работа которых состоит в преобразовании энергии СИ в электрическую. В фотоэлектрическом генераторе электрический ток возникает в результате процессов, происходящих в фотоэлементе при попадании на него СИ. Наиболее эффективны те из них, которые основаны на возбуждении ЭДС на границе между проводником"и светочувствительным полупроводником (например, кремний) или между раз -нородными проводниками. [c.148]

Для измерения блеска лакокрасочных покрытий в СССР и за рубежом широко применяются фотоэлектрические блескомеры, принцип действия которых основан на сравнении количества света, отраженного блестящей поверхностью покрытия, с количеством света, отражаемым идеально матовой поверхностью. [c.183]

Количественный метод определения блеска лакокрасочных покрытий с помощью фотоэлектрического блескомера ФБ-2 основан на измерении фототока, возникающего под. действием пучка света, падающего на поверхность покрытия под углом 45° и отраженного от нее. [c.192]

При нагревании деталей контроль и регулирование температуры производятся с помощью фотопирометра ФЭП-60 и автоматического регулятора температуры (APT). Температура нагрева токами высокой частоты контролируется термопарами, приваренными к поверхности детали или зачеканенными горячим спаем в деталь. Термопары подключаются к пирометрическому милливольтметру, потенциометру или другому прибору, с помощью которых получают кривую нагрева и охлаждения. Для этих же целей служат оптические и фотоэлектрические пирометры. Объективы этих приборов при замере температуры направляют в зазор между витками индуктора, в зону изделия, выходящую из индуктора, или в специальные отверстия в активном витке индуктора. Фотоэлектрические пирометры можно встраивать в электросхему автоматики закалочного устройства. Показания фотоэлектрических пирометров зависят от состояния поверхности (наличия окалины), образующихся при сгорании масла дыма и паров воды. [c.178]

Приборы дискретного действия с фотоэлектрическими датчиками на полупроводниковых фотосопротивлениях, диодах и других полупроводниковых приборах основаны на эффекте модуляции светового потока вращающимися деталями, жестко соединенными с рабочими поверхностями ротационных приборов. Например фотоэлектрические датчики дают возможность измерить число импульсов непосредственно на зубчатых колесах и других деталях, снабженных отверстиями или рисками. Схема включения полупроводниковых элементов проста и отличается высокой эксплуатационной надежностью. Слабым узлом в датчике с фотосопротивлением является осветитель и, в частности, его лампа накаливания. Измерители скорости на базе фотосопротивлений допускают скорость счета до 10 имп1сек и широко применяются в ротационных приборах. [c.58]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...