Освещённость поверхности

ЛЮКС (от лат. lux — свет) (лк, 1х) — единица СИ освещённости 1 лк равен освещённости поверхности площадью 1 м при световом потоке нормально падающего на неё излучения, равном 1 люмену. 1 лк= = 10 фот. [c.623]

Из формулы (89) следует, что если А равна нулю или четному числу полуволн, то / = 4/1, т. е. имеет место усиление суммарной интенсивности пучков по сравнению с суммой их интенсивностей а если она равна нечетному числу полуволн, то / = О, т. е. суммарная интенсивность будет нулевой. Это соответствует принципу сохранения энергии. При параллельности рассматриваемых пластин поверхность верхней пластины будет равномерно освещённой Если пластины расположить под углом а друг к другу, т. е. создать между их внутренними поверхностями воздушный клин, то на поверхности верхней пластины будут видны чередующиеся светлые и темные интерференционные полосы, параллельные ребру клина, каждая из которых является геометрическим местом точек одинаковой толщины промежутка 1 между внутренними поверхностями пластин, причем этот промежуток равен [c.89]

Величина освещённости рабочей поверхности определяется точностью зрительной работы и коэфнциентом отражения освещаемой поверхности. Чем работа точнее, т. е. чем мельче детали, которые необходимо различать в процессе работы, а также чем темнее освещаемая поверхность, т. е. чем меньше её коэфициент отражения, тем большей должна быть освещённость рабочей поверхности. [c.523]

Распределение освещённости на рабочих поверхностях и яркостей в пределах всего поля зрения в основном определяется соотношением общего освещения всего цеха и местного, осуществляемого светильниками, расположенными [c.523]

На рабочих поверхностях, требующих по нормам освещённости более 50 л ( контрольные столы, столы для ручной формовки стержней, прессы Бринеля и пр.) [c.530]

Расчёт по силе света. Для расчёта освещённости отдельных участков рабочей поверхности от светильников с диаметром, значительно меньшим расстояния от светильника до точки расчёта, можно применять закон квадратов расстояний [c.531]

Расчёт по световому потоку. Среднюю освещённость рабочей поверхности в люксах находят по уравнению [c.532]

Всякое изменение в осветительной установке должно отмечаться в журнале эксплоатации. В этот же журнал должны заноситься выводы регулярных осмотров установки, проводимых не реже одного раза в месяц. Каждое обследование желательно сопровождать измерением освещённости наиболее ответственных участков рабочих поверхностей (см. стр. 533). [c.532]

Для расширения диапазона измеряемой освещённости применяются нейтральные фильтры или диафрагмы, с помощью которых уменьшают световой поток, падающий на приёмную поверхность фотоэлемента. [c.533]

Метод намерения Д. д. состоит в генерации неравновесных носителей (обычно светом, путём проектирования ярко освещённой щели на поверхность образца) н их регистрации на нек-ром расстоянии г от. места генерации. Коллектором неравновесных частиц может служить электронно-дырочный переход или контакт металл-полупроводник. Изменяя г (расстояние между световой н елью и коллектором) и сигнал, снимаемый с коллектора, можно определить стационарное распределение концентраций неравновесных носителей. Зная зависимость концентрации от отношения r/L, определяют L. [c.686]

ФОТ (от греч. phds, род. падеж photds—свет) (ф) — устаревшая единица освещённости равна освещённости поверхности в 1 см при нормально падающем световом потоке в 1 люмен. 1 ф= люксам. [c.341]

При освещении изолир. поверхности полупроводника вследствие разделения пар полем приэлектродного барьера и изменения заряда на поверхностных ловушках происходит изменение потенциала поверхности. Потенциал освещённой поверхности наз. плавающим, а его изменение—поверхностной эдс. Последняя может быть измерена конденсаторным методом с использованием либо вибрирующего электрода (метод Кельвина), либо прерывистого освещения, Измеряемое при этом изменение контактной разности потенциалов между поверхностью полупроводника и металлич. электродом включает кроме поверхностной эдс (основной вклад) также и эдс Дембера, возникающую в приповерхностной области, [c.342]

АПОСТИЛЬБ (от греч. apostilbo — сверкаю, сияю) (асб, asb), устаревшая ед, яркости освещённой поверхности 1 асб=0,318 кд/м =10 ламберт= [c.32]

В таких Ф. в качестве приёмника послесвечения используют фотоэлектронный умножитель, фототок с к-рого может подаваться на осциллограф. ФОТ (от греч. phos, род. падеж photos — свет) (ф, ph), устаревшая ед. освещённости, равная освещённости поверхности площадью 1 см при световом потоке падающего на него излучения, равном 1 люмен. 1 ф = = 10 люкс. [c.823]

Свет, падающий на поверхность закиси меди, пройдя тонкий её слой, на границе запирающего слоя вызывает движение электронов. Эле строны, пройдя запирающий слой, могут вернуться в первоначальное положение только через внешнюю цепь, поскольку сопротивление запирающего слоя в обратном направлении весьма велико. При этом закись меди получает положительный потенциал, а медь — отрицательный. Под действием возникшей таким образом электродвижущей силы во внешней цепи появится ток, величина которого будет пропорциональна освещённости. Интегральная чувствительность фотоэлементов с запирающим слоем — купроксных 100—200 и 400 — 500 MKajAM. [c.547]

Гигиенические требования. Правильно (рационально) устроенное освещение должно обеспечивать достаточную освещённость рабочих поверхностей (поверхности, с которыми связана зрительная работа достаточно равномерную освещённость рабочих поверхностей отсутствие резкой разницы в яркостях рабочей поверхности и окружающего фона отсутствие резких теней на рабочих поверхностях, на частях станков и машин, а также на полу в 11роходах постоянство освещённости рабочей поверхности во времени отсутствие в поле зрения светящихся поверхностей, обладающих большой блёскостью. [c.523]

Обеспечение постоянства освещённости во времени осуществляется жёстким креплением светильников, расположенных в непосредственной близости к рабочим поверхностям, а также поддержанием постоянсгва напряжения в осветительной сети. В частности, из-за указанных соображений нельзя допускать объединения осветительной сети с силовой, если последняя питает мощные приёмники ударной нагрузки (мощные прессы, молоты, краны и пр.) . [c.523]

Общие правила эксплоатации. Для обеспечения нормированной освещённости рабочих поверхностей в течение всего периода эксплоатации осветительной установки необходимо регулярно наблюдать за её состоянием. Отсутствие такого наблюдения приводит к снижению освещённости в основном вследствие загрязнения, а также старения светильников и ламп. Наблюдать за состоянием установки должно специально выделенное для этого лицо, подчинённое непосредственно главному энергетику завода. У лица, ведающего эксплоатацией установки, дoлl teн храниться проект освещения всех цехов предприятия. Каждое изменение в установке в процессе её эксплоатации должно быть отражено в проекте, чтобы последний соответствовал действительному состоянию установки. Изменения в осветительной установке должны производиться во всех случаях, когда меняется планировка производственного оборудования или назначение цеха, отделения, участка и пр., и лишь после утверждения их главным энергетиком завода. [c.532]

Коэфф. А, В, С, D, Е зависят от характеристик оптич, системы (радиусов кривизны, расстояний между оптич, поверхностями, показателей преломления). Обычно классификацию Л. о. с. проводят, рассматривая каждое слагаемое в отдельности, полагая др. коэфф. равными нулю. При этом для наглядное представления об аберрации рассматривают семейство луяей, исходящих из точки-объекта и пересекающих плоскость входного зрачка по окружности радиуса р с центром на оси. Eii соответстиует определённая кривая в плоскости изображений, а семейству концентрич. окружностей в плоскости входного зрачка радиусов р, 2р, Зр и т. д. соответствует семейство кривых в плоскости изображений. По расположению этих кривых можно судить о распределении освещённости в пятне рассеяния, вызываемом аберрацией. [c.9]

Если для наблюдения И. с. от тепловых источников приходится соблюдать ряд ограничений, причём возникающая и. к. обычно имеет малую яркость и размеры, то при использовании в качестве источников света лазеров явления И. с. настолько ярки и характерны, что нужны особые меры для получения равномерной освещённости. Чрезвычайно высокая когерентность излучения лазеров приводит к появлению помех интерфе-ренц. происхождения при наблюдении объектов, освещённых лазером. При лазерном освещении произвольной шероховатой поверхности аккомодированный на бесконечность глаз воспринимает хаотич. картину световых пятен, мерцающую при смещениях глаза (см. СпекАы). Это вызвано том, что шероховатая поверхность, рассеивая лазерное излучение, служит источником нерегулярной и. к., образованию к-рой в обычных условиях препятствует низкая пространственно-временная когерентность излученпя тепловых источников. Близкую к этому природу имеет эффект мерцания звёзд, являющихся источниками света с очень большой площадью пространственной когерентности. [c.167]

При переходе от дня к ночи в области D концентрация электронов Пе резко уменьшается и соответственно уменьшается поглощение радиоволн, поэтому раньше считали, что ночью слой D исчезает. В момент солнечных вспышек на освещённой Солнцем. зем1гой поверхности сильно возрастает интенсивность рентг. излучения, увеличивая ионизацию области D, что приводит к увеличению поглощения радиоволн, а иногда даже к полному прекращению радиосвязи — т. н. внезапное ионосферное возмущение (Д е л и и д ж е р а эффект). Продолжительность заметных возмущений обычно 0,3— [c.214]

Ср. отражательная способность всей лунной поверхности 12,44%, материковых областей 13,45%, морских областей 7,30%. Поверхностный слой Л. по своим оптнч. свойствам в большой степени однороден. Отражённый Л. поток излучения частично поляризован. Максимум поляризации лунного света наступает при фазовых углах 100—110° и достигает степени поляризации для всего освещённого диска примерно 6—8%. Максимум отражённого излучения Л. приходится на длину волны примерно 0,6 мкм, т. е, по сравнению с солнечным светом имеет несколько красноватый оттенок. Степень покраснения варьирует в зависимости от типа поверхности. Максимум собственного излучения Л. приходится на область 7 мкм. Темн-ра поверхности в подсолнечной точке достигает 400 К. К концу лунной почи новерхность остывает до 100 К. [c.614]

Для поверхностей, равномерно рассеивающих свет, часто пользуются (напр., при светотехн. расчётах) Ла.и-берта законом, согласно к-рому яркость диффузно отражающего тела пропорц. его освещённости и не зависит от направления, в к-ром она рассматривается. Однако закон этот выполняется очень приближённо, лишь для тел с высокой отражат, способностью и под углами наблюдения < 60 . [c.512]

Влияние Солнца па Землю многогранно и неоднозначно (обратное влияние Земли на Солнце ничтожно мало). Прежде всего Земля непрерывно получает от Солнца почти неизменный поток энергии (си. Солнечная постоянная), обеспечивающий наблюдаемый уровень освещённости и ср. теми-ру её поверхности (см. Тепловой баланс Земли), Кроме того. Земля подвергается комбиниров. воздействию излучений от нестационарных солнечных процессов (солнечных возмущений) — проявлений солнечной активности. Хотя не все звенья цепочки С.-з. с. (рис. 1) одинаково изучены. [c.584]

Спеклы мешают рассматриванию объектов, освещённых когерентным светом, поэтому для их устранения используют разл. методы, сводящиеся либо к существ, уменьшению размеров С., либо к усреднению спекл-структуры во времени при случайном изменении распределения фазы волны, освещающей объект (или голограмму). Но С. имеют и широкое практич, применение в спекл-фотографив и спекл-интерферо-метрии [1—3, 5] для регистрации перемещений к деформаций объектов с диффузной поверхностью, для измерения шероховатостей поверхности, в астрономии [c.604]

Высоковольтная (аномальная) эдс—возникает при неоднородном освещении и характеризуется тем, что электрич. поле направлено вдоль поверхности образца, её величина пропорц. длине освещённой области. В отличие от вентильной и объёмной эдс, величины к-рых не Ьревышают ширины запрещённой зоны, высоковольтная эдс может превышать JO B. Одним из её механизмов является поперечный эффект Дембера в условиях, когда диффузионный ток имеет компоненту вдоль поверхности другой механизм — образование структуры р—п—р — —р, выходящей на поверхность. Высоковольтная эдс возникает вследствие суммирования эдс на каждой паре несимметричных р—и- и п—/(-переходов. [c.343]

Независимо от выбора СЧС и продесса получения стабильного изображения на нём общая схема Ф. включает формирование на поверхности СЧС изображения в виде распределения освещённостей, к-рое вызывает в СЧС хим. или физ. изменения, различные по величине в разных участках СЧС и однозначно определяемые кол-вом освещения, сообщенным каждому участку усиление физ. или хим. изменений, если они малы для непосредственного восприятия глазом или прибором стабилизацию возникших изменений 4 непосредственных или усиленных), позволяющую сохранить полученные изображения для последующего рассматривания или анализа извлечение информации из полученного изображения—рассматривание, считывание, измерение и т. д. Эта общая схема может быть дополнена печатью и размножением изображений и т. п., отдельные п. речисленные стадии могут быть разделены на более др.обные или совмещены, но в целом схема одинакова для лсех процессов Ф. [c.344]

Смотреть страницы где упоминается термин Освещённость поверхности : [c.604] [c.523] [c.530] [c.531] [c.532] [c.533] [c.9] [c.131] [c.258] [c.275] [c.367] [c.461] [c.461] [c.670] [c.671] [c.369] [c.407] [c.182] [c.112] [c.248] [c.269] [c.464] [c.351]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...