Величина освещённости

Величина освещённости рабочей поверхности определяется точностью зрительной работы и коэфнциентом отражения освещаемой поверхности. Чем работа точнее, т. е. чем мельче детали, которые необходимо различать в процессе работы, а также чем темнее освещаемая поверхность, т. е. чем меньше её коэфициент отражения, тем большей должна быть освещённость рабочей поверхности. [c.523]

На основе общих правил и норм искусственного освещения промышленных предприятий и опыта проектных организаций разработаны детальные нормы освещённости для машиностроительной промышленности [1]. В табл. 65 приведены нормированные величины освещён- [c.529]

Проектирование должно производиться по следующим этапам а) изучение рабочих процессов, оборудования и помещений, подлежащих освещению б) выбор величины освещённости в) выбор системы освещения и типа светильника г) выбор расположения источников света относительно рабочих поверхностей и положения работающих д) расчёт освещённости е) расчёт питающей электрической сети. [c.329]

Выбор величины освещённости. С точки зрения осветительной техники каждый производственный процесс характеризуется коэфициентом отражения фона поверхности, контрастом и размерами рассматриваемых деталей, интенсивностью работы и опасностью травматизма. На основании этих данных можно выбрать минимальную освещённость, согласно ГОСТ 3825-47 Нормы искусственного освещения (см. табл. 10, И, 12). В их основу положен гигиенический минимум требований к освещению. [c.329]

Коэфициент запаса. Величина освещённости, указанная в нормах, относится к ра- [c.330]

При расчёте комплексных калибров, особенно здесь не освещённых, необходимо проверять величину минимального производственного. . опуска (А ш1п на фиг. 222), который зависи от выбранной шкалы или класса допусков калибров, наличия и величины поправки Е и расположения допусков, т. е. величины у. [c.167]

В пределах котельного пучка тепловосприятие отдельных рядов труб пропорционально их освещённости. Величина фактора формы х выбирается по графику фиг. 87 в зависимости [c.81]

В п Е) величина измеряемой освещённости отсчитывается по шкале прибора с помощью стрелки, скреплённой с осью вращения пластинки В. [c.533]

Распределение освещённости Е в изображении двух точечных источников света, расположенных так, что угловое расстояние между максимумами освещённости аф равно угловой величине радиуса центрального дифракционного пятна А0 (Ач> = Дв — условие Рэлея), [c.248]

СВЕТОВЫЕ ЕДИНИЦЫ — единицы световых величин силы света, освещённости, яркости, светового потока и т. д. Единица силы света — кандела (кд, ранее — свеча) она воспроизводится по световым эталонам и входит в качестве осн. единицы в Международную систему единиц (СИ). С. е. в этой системе приведены в табл, в ст. Световые величины. Употребляется также др. единицы освещённости и яркости 1 фот = 1СИ люксов 1 люмен на квадратный фут (лм/фут или 1 фут-свеча) = = 10,704 люкса 1 стильб — 10 кд/м 1 ламберт — = 10 /я кд/м 1 фут-ламберт= 3,426 кд/м . [c.464]

Если электроны, испускаемые отд. малым элементом фотокатода, переносятся электрич. полем на соответствующий малый элемент люминесцентного экрана, то на экране создаётся изображение, состоящее из множества светящихся элементов, геометрически подобное изображению, проецируемому на фотокатод. Поскольку ток с каждого элемента фотокатода пропорционален падающему на него световому потоку, а яркость свечения элементов экрана (при умеренной плотности тока.) линейно связана с величиной приходящего на него тока, распределение яркости свечения по экрану достаточно точно воспроизводит распределение освещённости по фотокатоду. Т. о., изображение на экране и по форме и по яркости воспроизводит изображение, проецируемое на фотокатод. [c.563]

К параметрам ЭОП относят также отношение сигнал/шум. Шум, наблюдаемый в виде беспорядочных флуктуаций яркости элементов экрана, объясняется статистич. природой выхода электронов из фотокатода и излучения квантов света экраном. При соизмеримости величин сигнала и шума изображение перестаёт быть различимым, поэтому величина шума определяет мин. освещённость объектов, необходимую для их наблюдения с помощью ЭОП. [c.563]

Я. измеряется в кд м . Из всех световых величии Я. наиболее непосредственно связана со зрительными ощущениями, т. к. освещённости изображений предметов на сетчатке глаза пропорциональны Я. этих предметов. В системе энергетических фотометрических величин аналогичная Я. величина наз, энергетической яркостью и измеряется в Вт - ср м " . Д. Н. Лазарев. [c.691]

Не останавливаясь на подробностях этого весьма сложного и многогранного вопроса (полнее он освещён в курсе деталей машин), укажем лишь основные факторы, влияющие на величину требуемого коэффициента запаса прочности [c.84]

Свет, падающий на поверхность закиси меди, пройдя тонкий её слой, на границе запирающего слоя вызывает движение электронов. Эле строны, пройдя запирающий слой, могут вернуться в первоначальное положение только через внешнюю цепь, поскольку сопротивление запирающего слоя в обратном направлении весьма велико. При этом закись меди получает положительный потенциал, а медь — отрицательный. Под действием возникшей таким образом электродвижущей силы во внешней цепи появится ток, величина которого будет пропорциональна освещённости. Интегральная чувствительность фотоэлементов с запирающим слоем — купроксных 100—200 и 400 — 500 MKajAM. [c.547]

Методами А, с. пользуются в молекулярной акустике при исследовании газов и жидкостей. Анализ частотных зависимостей параметров распространения УЗ в твёрдых телах позволяет определить экстремальные диаметры ферми-поеерхностей и эфф. массы электронов, выявить несовершенство кристаллич. решёток, дислокации, домены, кристаллиты и т. п. Дополнит, информация о структуре исследуемого вещества может быть получена при изменении внеш. услови11 темп-ры, давления, напряжённости электрич. и магн, полей, освещённости, интенсивности проникающих излучений и т. п. В таких исследованиях, как правило, определяют не абс. значения параметров распространения, а их относит, изменения, при этом эти ивмерения на один-два порядка точнее абс. измерений. Такой подход позволяет, нанр,, проводить исследования слабых растворов биополимеров, где требуется разрешающая способность 10 —10 при измерениях приращений скорости звука, в то время как при измерении абс. значения скорости может быть достигнута точность 10 —10 . Аналогично при измерении относит, приращений коэфф. затухания может быть достигнута точность (2—5 -10 , при этом значения абс. величины измеряются с точностью (2—5)-10 . [c.43]

Здесь — освещённость, % — длина волны, — спектральная чувствительность (кривая реакции) регистрирующей аппаратуры, С — постоянная, задающая пуль-пункт системы величин. Коэф. —2,5 опреде- 1яет 1пкалу 3. в. и наз. коэффициентом П о г с о н а. Знак минус указывает на то, что при увеличении блеска 3. в. уменьшаются. Величина равна произведению спектральной чувствительности приёмпика излучения и пропускания коэффициента отражения коэффициента) оптич. элементов регистрирующей аппаратуры (фотометра) и телескопа. [c.64]

ПОРОГ БОЛЕВОГО ОЩУЩЕНИЯ — см. Пороги слуха, ПОРОГ ЗРИТЕЛЬНОГО ОЩУЩЕНИЯ — минимальная интенсивность света, вызывающая зрительное ощущение. Величина П. з. о. зависит от адаптация глаза к световому воздействию и от угл. размеров наблюдаемого объекта. При ночном зрении, когда яркость объектов не превышает 10 кд/м, работает только палочковый зрит, аппарат (см. Зрение), чувствительность глаза очень велика и человек способен видеть звёзды 6-й величины, что соответствует освещённости зрачка глаза 9-10 лк. В условиях зрит, темновой адаптации для иоявления зрит, ощущения достаточно анергия 3—4 фотонов (сине-фиолетового участка спектра). Мин. порог составляет 9 -10 лм (8 10" кд/ы ). Это дорог ахроматин, ночного зрения, когда все окрашен-яые предметы воспринимаются только белыми, серыми -ялн чёрными. Число различимых по яркости ахрома-дич. полей объекта составляет от 10 до 100 в зависимо- ств от размеров объекта и чёткости границ между объектом и фоном. [c.87]

Если точки предмета самосветящиеся и излучают не-когеревтные лучи, выполнение критерия Рэлея соответствует тому, что найм, освещённость между изображениями разрешаемых точек составит 74% от освещённости в центре пятна, а угл. расстояние между центрами дйфракц. пятен (максимумами освещённости) определится выражением Aq) = 1,212,/D, где Я — длина волны света, D — диаметр входного зрачка оптич. системы. Если оптич. система имеет фокусное расстояние /, то линейная величина предела разрешения 6 = Предел разрешения телескопов и зри- [c.248]

СВЕТОВОЕ ДАВЛЕНИЕ — см. Давление света. СВЕТОВОЕ ПОЛЕ — поле светового вектора, пространственное распределение световых потоков. Теория С. п,— раздел теоретич. фотометрии. Осн. характеристики С. п,— световой вектор, определяющий величину и направление переноса лучистой энергии, и скалярная величина — ср. сферич. освещённость, определяющая объёмную плотность световой энергии в исследуемой точке поля. Распределение освещённости находят, применяя общие методы расчёта пространственного распределения светового потока. В теории С. п, используют понятие о световых линиях, аналогично понятию силовых линий в классич. теории эл.-магв. поля. С. п. исследуют методами фотометрии при атом не учитывают квантовую природу света, принимая, что распределение энергии в С. п. непрерывна во времени и пространстве. [c.462]

СПЕКТРОФОТОМЕТРИЯ совокупность методов фо-тометрированин потоков оптич. излучения от источников излучения или после его взаимодействия с образцами в зависимости от длины волны объединяет разделы спектрометрии, фотометрии и метрологии. С. источников излучения наз, спектрорадиоме т-р и е й она занимается измерениями энергетич. характеристик изл чения и излучателей (потока силы света, светимости, яркости, освещённости и т. и.). В узком смысле под С. понимают теорию и методологию измерений фотометрия, характеристик образца, безразмерных коэф., определяемых отношением потоков X = Ф/Фд (где Фо — поток, падающий на образец, Ф — поток, наблюдаемый после взаимодействия с образцом) в зависимости от направлений освещения и наблюдения величина X — коэф. пропускания, отражения или рассеяния. Специфич. случай С.— метод нарушенного полного внутреннего отражения. [c.626]

Высоковольтная (аномальная) эдс—возникает при неоднородном освещении и характеризуется тем, что электрич. поле направлено вдоль поверхности образца, её величина пропорц. длине освещённой области. В отличие от вентильной и объёмной эдс, величины к-рых не Ьревышают ширины запрещённой зоны, высоковольтная эдс может превышать JO B. Одним из её механизмов является поперечный эффект Дембера в условиях, когда диффузионный ток имеет компоненту вдоль поверхности другой механизм — образование структуры р—п—р — —р, выходящей на поверхность. Высоковольтная эдс возникает вследствие суммирования эдс на каждой паре несимметричных р—и- и п—/(-переходов. [c.343]

Независимо от выбора СЧС и продесса получения стабильного изображения на нём общая схема Ф. включает формирование на поверхности СЧС изображения в виде распределения освещённостей, к-рое вызывает в СЧС хим. или физ. изменения, различные по величине в разных участках СЧС и однозначно определяемые кол-вом освещения, сообщенным каждому участку усиление физ. или хим. изменений, если они малы для непосредственного восприятия глазом или прибором стабилизацию возникших изменений 4 непосредственных или усиленных), позволяющую сохранить полученные изображения для последующего рассматривания или анализа извлечение информации из полученного изображения—рассматривание, считывание, измерение и т. д. Эта общая схема может быть дополнена печатью и размножением изображений и т. п., отдельные п. речисленные стадии могут быть разделены на более др.обные или совмещены, но в целом схема одинакова для лсех процессов Ф. [c.344]

ЭКСПОЗИЦИЯ (количество освещения, световая экспозиция) — поверхностная плотность световой энергии отношение световой энергии dQ, падающей на элемент поверхности dA, к площади этого элемента. Эквивалентное определение—произведение освещённости Е на длительность освещения H=dQjdA = Edt. Э. выражают в лк - с. Понятие Э. удобно применять, если результат воздействия излучения накапливается во времени (напр., в фотографии). В системе энергетических фотометрических величин аналогичная величина наз. энергетической экспозицией. [c.505]

ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ ОСВЕЩЁННОСТЬ (облучённость)— поверхностная плотность лучистого потока равна отношению потока излучения к площади облучаемой поверхности. Единица измерения Э. о.— Вт/м . В системе световых величин аналогом Э. о. является освещённость. ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ СИЛА СВЕТА (сила излучения)—равна отношению потока излучения, распространяющегося от источника внутри нек-рого телесного угла, к величине этого телесного угла. Единица измерения Э. с. с.— Вт/ср. В системе световых величин аналогом Э. с. с, является сила света. [c.613]

ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ ЭКСПОЗИЦИЯ (количество облучения, доза Н,) — отношение энергии dQ,. падающего на элемент поверхности излучения к площади dA этого элемента, Эквивалентное определение Э. э. есть произведение энергетической освещённости на длительность облучения dt. H, = dQJdA = E dt. Единица измерения 3. э.— Дж-м , В системе световых величин аналогичная Э, э. величина наз. экспозицией. Понятием Э. э. широко пользуются также при работе с корпускулярным излучением. [c.613]

Дополнительная информация о структуре исследуемого вещества может быть получена в сиектроскопич. исследованиях при изменении внешних условий темп-ры, давления, напряжённостей электрич. и магнитных полей, освещённости, интенсивности проникающих излучений п т. п. В таких исследованиях, как правило, измеряются не абсолютные значения измеряемых параметров, а их приращения, величина к-рых в ряде случаев может быть весьма небольшой. Именно поэтому требования к точности и разрешающей способности аппаратуры для сиектроскопич. исследований оказываются достаточно высокими. Напр., разрешающая способность аппаратуры для измерения приращения скорости в биологич. средах должна быть не хуже 10 — 10 при точности абсолютных измерений скорости УЗ не хуже 10 — 10 . Точность измерений абсолютного значения коэфф. затухания УЗ должна быть не менее 2—5% при точности относительных измерений 0,2—0,5%. Реализация такой высокой точности измерительной аппаратуры в широком диапазоне частот требует учёта и тщательного анализа возможных источников погрешностей, как инструментальных, так и методических. Снижение инструментальных погрешностей достигается совершенствованием электронной аппаратуры и механич. узлов приборов, тогда как снижение методич. погрешносте требует тщательного согласования импедансов пьезоэлектрич. преобразователей измерительной камеры с входным и выходным импедансами электронной схемы. Особое внимание должно быть уделено учёту систематич. погрешностей, возникновение к-рых обусловлено дифракционным и волноводными эффектами в измерительной камере. [c.331]

Смотреть страницы где упоминается термин Величина освещённости : [c.470] [c.787] [c.532] [c.534] [c.122] [c.515] [c.96] [c.221] [c.350] [c.407] [c.449] [c.615] [c.392] [c.109] [c.113] [c.248] [c.269] [c.463] [c.475] [c.351] [c.353] [c.56] [c.668] [c.19]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...