Подложка активная

При наполнении лодочек пастой контролируются вес покрытий, прочность сцепления их с подложками, активность поглотителя (способы контроля, 10-5). [c.459]

Результат этого опыта свидетельствует о формировании в макроструктуре нефтяного пека своего рода "каркаса", концентрирующего в себе парамагнитные соединения, которые вследствие своей высокой активности преимущественно образуют адгезионный контакт с подложкой. В обедненных парамагнитными соединениями [c.206]

В работах Ю. М. Полукарова с сотр. [82] установлено, что увеличение перенапряжения катода при электроосаждении меди вызывает переход от слоисто-спирального роста осадка к образованию и росту двумерных зародышей с появлением дефектов упаковки двойникового типа добавки к электролиту меднения поверхностно активных веществ резко повышают вероятность образования дефектов упаковки, увеличивают искажения кристаллической решетки и плотность дислокаций. Заряд двойного электрического слоя ускоряет процессы возврата в тонких осадках меди (эффект Ребиндера), приводящие к появлению внутренних напряжений растяжения. Влияние электрохимических условий осаждения на состояние кристаллической решетки осадков становится определяющим при достаточно большой толщине осажденного слоя на пластически деформированной монокристал-лической подложке дефектность слоев осадка постепенно уменьшалась при утолщении слоя, а при росте осадка на подложке из граней совершенного монокристалла, наоборот, увеличивалась до значений, соответствующих условиям электролиза. [c.93]

Следовательно, создание прочных, но достаточно редких связей покрытия с подложкой, способных обеспечить высокую адгезию, является необходимым, но недостаточным условием для защиты поверхности изделия от воздействия влаги. Поэтому антикоррозионные защитные покрытия наносятся в несколько слоев, каждый из которых выполняет определенную функцию. Верхние, кроющие слои играют роль диффузионного барьера и придают изделию товарный вид. Они наносятся на нижний слой, непосредственно касающийся защищаемой поверхности этот слой называют грунтом. Функция -его состоит в предотвращении или по крайней мере в торможении процессов, приводящих к коррозии. Для выполнения таких функций грунт должен, во-первых, состоять из пленкообразующего вещества, имеющего высокую адгезию к защищаемой поверхности, во-вторых, содержать специальные добавки, способные тормозить коррозию. В качестве таковых используют обычно пигменты, обладающие окислительными или щелочными свойствами — окислы свинца, хроматы, окись цинка и др. Растворяясь в воде, проникшей через покрытие, они пассивируют защищаемую поверхность, делая ее коррозионно более стойкой. Часто в грунты вводят порошки металлов, химически более активных, чем защищаемая поверхность. Эти порошки выполняют в грунте ту же роль, какую выполняет цинковое покрытие на железе окисляясь сами, они предотвращают от коррозии поверхность изделия. Хорошие результаты дает сочетание предварительного анодирования или фосфатирования поверхности с последующим нанесением на нее полимерной защиты. [c.94]

При использовании пленочной технологии на подложку наносятся проводящие, диэлектрические, ферромагнитные и резистивные пленки преимущественно способом термического испарения в вакууме. Такими же способами возможно выполнять и активные элементы схемы полупроводниковые диоды и триоды. Конечно, такое производство пока еще очень сложно, требует высокой тщательности и почти полной его автоматизации. Но зато изделия, полученные таким способом, обладают исключительной надежностью. [c.420]

В отличие от граничного трения в режиме ИП"в начальной стадии происходят процессы, создающие благоприятные условия для образования прочной связи между продуктами полимеризации и металлом низкие удельные давления, соизмеримые с прочностью пленки, свободные химические связи, возникающие при избирательном растворении легирующих элементов сплава в начальной стадии трения эти связи могут быть использованы для взаимодействия с образующимся на поверхности полимером. Отсутствие на поверхности окисных пленок также способствует взаимодействию. Возникающие в процессе деструкции при трении свободные радикалы органических веществ могут образовывать полимерные цепи, прикрепляющиеся активным концом к металлической подложке, и создавать таким образом полимерные образования. Такие образования наблюдались в режиме ИП [12, 40]. [c.16]

Выглаживание сталей не представляет каких-либо трудностей титановые сплавы вследствие их высокой когезионной активности с алмазами не поддаются выглаживанию. Устранить когезионное схватывание удается только за счет нанесения на поверхность титановых сплавов прочных изолирующих прослоек, имеющих хорошее сцепление с подложкой. В качестве таких прослоек используют газонасыщенный слой (ГНС) и хромовое покрытие. [c.128]

Для полиэфирных покрытий рентгеноструктурным анализом установлена взаимосвязь между природой подложки и структурой сформированных надмолекулярных образований в зоне раздела [Л. 75], причем замечено, что размер надмолекулярных структур покрытия и их распределение зависят от количества активных центров на поверхности подложки. Таким образом, процесс формирования гетерогенных полимерных систем, в том числе и клеевых, проходит через стадию образования надмолекулярных структур, зависящих от природы субстрата. В свою очередь структура надмолекулярных образований определяет прочность адгезионного взаимодействия, величину внутренних напряжений и термического сопротивления клеевых прослоек. [c.69]

К П. л. относятся копланарная (рис. 1, ) и щелевые (рис. 1,и) линии. Все проводящие полоски этих линий расположены с одной стороны подложки. Поэтому они допускают монтаж активных элементов, в т. ч. соединение с землёй , с одной стороны подложки и удобны для создания монолитных ИС. В сочетании с П. л., нанесёнными на др. сторону подложки, они существенно расширяют возможности создания разл. конструкций ИС, [c.29]

Число импульсов в единицу времени, характеризующее активность пробы, просчитывается несколько раз. До этого определяется фон с пустой подложкой, не бывшей в употреблении. Истинная интенсивность, отвечающая определяемой концентрации, вычисляется как разность числа импульсов от пробы и фона. Аналогичные операции выполняются со стандартным раствором, концентрация которого заранее известна. Отношение определенного числа импульсов в минуту за вычетом фона для исследуемой пробы и стандартного раствора дает концентрацию этой пробы. [c.115]

Для получения более точных данных о содержании элемента в сплаве в качестве эталонов следует применять сплавы, близкие по химическому составу к исследуемым. Для исключения ошибок эксперимента подготовку поверхности эталона и исследуемого образца следует вести одинаково, обеспечивая высокое качество поверхности шлифов. Наличие неровностей шлифа или активного травления может привести к неверным результатам микроструктура поверхности образца, выявленная тепловым травлением, будет отличаться от состава подложки, что повлияет на результаты анализа. [c.316]

Описаны природа и закономерности образования дефектов в эпитаксиальных слоях полупроводников. Обобщены и проанализированы данные о влиянии структурных несовершенств (различие периодов решетки, наличие градиента состава и наследование дефектов из подложки и др.) на морфологические особенности композиций на основе многокомпонентных твердых растворов соединений Рассмотрены. основные механизмы и источники образования дислокаций при эпитаксии. Впервые рассмотрены вопросы стехиометрии при жидко- и газофазной эпитаксии. Особое внимание уделено влиянию электрически активных дефектов на характеристики ин-жекционных лазеров, светодиодов и других полупроводниковых приборов. [c.54]

Это явление, видимо, связано с тем, что инертные окисные частицы, не обладающие каталитической активностью, осаждаясь на поверхности образца, уменьшают площадь, на которой может происходить восстановление металла. Такое предположение подтверждается и данными, полученными при измерении стационарного (смешанного) потенциала, возникающего на поверхности образца в процессе химического осаждения покрытий. На рис. 2 показано изменение потенциала поверхности подложки при увеличении концентрации суспензии для покрытий Си—А12О3 и N1— СеОг (длительность опыта 1 ч). Значения потенциала даны по отношению к нормальному водородному электроду. Сдвиг потенциала в сторону более положительных значений при включении окисных добавок указывает на уменьшение активности поверхности образца. Таким образом, процесс химического осажде- [c.27]

Большинство исследователей склоняются к мысли, что осаждение атомов металла при потенциалах ниже равновесного следует рассматривать как результат большей свободной энергии адсорбции атомов металла на чужеродной подложке (подложке из другого металла), чем на том же металле [91 184 188 193 194 204 221 241 243 244]. На этой основе были предложены модели ДФО, связывающие избыточную свободную энергию адсорбции, пропорциональную А м = Бм — Д Еы — потенциал выделения М на Ml, а Ef — равновесный потенциал металла М в данных условиях), с физическими характеристиками металлов М и и их ионов [91 204 221 251 255], в частности с работами выхода электронов и электроотрицательностями. Так как характер распределения металла по поверхности и работа адсорбции зависят от состава раствора и особенно от присутствия поверхностно-активных веществ, то и в этом случае комбинация ионов тяжелых металлов (в концентрациях, исключающих контактный обмен, но не ДФО) с ПАОВ может оказаться весьма эффективной и экономичной антикоррозионной добавкой. [c.89]

По агрегатному состоянию ПВАД — жидкость белого цвета, очень похожая на сметану. Когда такую жидкость разливают тонким слоем по поверхности, вода из нее испаряется, и на подложке остается полимерная плрнка, обладающая высокой адгезией к различным основаниям, в том числе и к металлам. Дисперсия легко взармодейст-дует с ортофосфорной кислотой, различными солями, поверхностно-активными веществами, ингибиторами, что дает возможность получения различных модификаций грунтовки, [c.27]

При соударениях атомов, выбитых из мишени, с атомами нейтрального газа в камере последние могут также приобретать высокую кинетическую энергию, достаточную для внедрения их в подложку. Концентрация таких атомов в напыленной пленке может достигать нескольких процентов. Кроме того, при ионном распылении возможно образование значительно большего числа разнообразных химических соединений активрюго газа с материалом мишени, чем при термическом распылении, так как в разряде возникают воз-буждершые атомы и молекулы, молекулы могут диссоциировать на нейтральные атомы или ионы, образуются молекулярные ионы и т. д. Все эти частицы химически более активны, чем нейтральные невозбужденные молекулы. Это обстоятельство используется, в частности, для получения нитридов металлов и особенно нитрида кремния в технологии интегральных схем. [c.69]

Прежде всего необходимо, чтобы на границе раздела создавались прочные, гидролитически устойчивые химические связи между молекулами защитного покрытия и поверхностью, способные сформировать Предельно высокий уровень адгезии. В этом случае молекулы воды, проникшие на границу раздела, не в состоянии разорвать возникшие связи и нарушить целостность соединения покрытия с подложкой. Однако так как полимерные покрытия могут пришиваться к подложке лишь редкими химически активными группами, то сетка химических связей покрытия с подложкой не может быть частой. Поэтому большая часть поверхности подложки остается фактически свободной от связей, и если не приняты надлежащие меры, [c.93]

В микросхемах, изготавливаемых по тонко- и толстопленочной технологии, используются также навесные бескорпусные и корпусные активные элементы диоды, триоды, диодные сборки, схемы памяти и т. п,, а также малогабаритные керамические конденсаторы, светодиоды и т. д. Подобные схемы получили название микросборок. Применение активных навесных элементов обусловливается конструктивными, технологическими и эксплуатационными требованиями, а также значительными технологическими трудностями в получении стабильных пленочных активных элементов методами тонкопленочной технологии. Это объясняется тем, что при вакуумном или химическом осаждении получаются, как правило, поликрнсталли-ческие пленки с очень развитой поверхностью, способствующей различным обменным реакциям с окружающей средой и миграции адсорбированных атомов. Скорость перемещения атомов по поверхности и по межкристаллическим прослойкам на несколько порядков выше, чем в объеме твердого тела. В результате, пленочные активные элементы, изготовляемые по тонкопленочной технологии на аморфных или поликристаллических подложках, имеют принципиально низкую надежность и не представляют практического интереса, так как их применение не только не приводит к улучшению конструктивных, эксплуатационных или экономических характеристик тонко-и толстопленочных микросхем, но и значительно их ухудшает. [c.412]

Алюминий позволяет получить адгезию к ситалловым подложкам порядка 1,5-10 —2,0-10 Па. Все металлы, у которых температура плавления Тпл больше 1400 °С, а также магний и алюминий, обладают хорошей адгезией к кремнию, причем эти металлы, за исключением платины и палладия, обладают также хорошей адгезией к 5Ю2. Алюминий, кроме того, активно раскисляет поверхность кремния и хорошо травится. Он позволяет в первом приближении решить всю проблему коммутации интегральных и гибридных интегральных схем — создание омических контактов, пленочных проводников, внешних выводов (алюминиевая проволока, присоединяемая термокомпрессией). [c.446]

Гетеролазеры и гетерофотоприём-н и к и, используемые в сочетании с плёночными полупроводниковыми Болиоводами, могут выполняться на основе единой Г. и на общей полупроводниковой подложке объединяться (интегрироваться) в оптич. схему (методами планарной технологии). Для управления условиями генерации и распространения света часто используются сложные Г., активный слой к-рых состоит из неск. слоев постоянного или плавно изменяющегося состава с соответствующим изменением Sg. Помимо локализации света в пределах одного или неск, слоёв в плоскости ГП, при создании интегрально-оптнч. схем возникает необходимость дополнит, локализации световых потоков в плоскости волноводных слоёв (в плоскости ГП). Такие волноводы наз. полосковыми и создаются изменением либо состава и свойств полупроводника в плоскости ВОЛ1ГОВОДНОГО слоя, либо толщины слоёв, Встраивание гетеролазера в волноводную схему осуществляется с помощью оптического резонатора, образуемого периодич, модуляцией толщины волноводного слоя. При определ. выборе периода модуляции благодаря дифракции в волноводе возникает волна, бегущая в обратном направлении. В результате формируется распределённое отражение света (см. Интегральная оптика). [c.449]

ПОВЕРХНОСТНОЕ ДАВЛЕНИЕ — характеристика мономолекулярного слоя, равная разности поверхностных натяжений чистой подложки (жидкой или твёрдой) 7о и подложки с находящимся на ней монослоем у я = уо — у. П. д. наз. также двумерным давлением. Разреженный монослой подчиняется ур-нию состояния двумерного идеального газа пА кТ, где А — площадь, приходящаяся на одну молекулу в монослое. По изменению П. д. в процессе сжатия монослоя можно судить о происходящих в монослое фазовых превращениях. У моноелоёв адсорбционной природы (растворимых монослоёв) площадь А, а следовательно, и П, д. оказываются связанными с концентрацией вещества монослоя в объёмной фазе. Для адсорбционных слоёв поверхностно-активных веществ (ПАВ) эта связь хорошо описывается ур-нием Шишковского [c.648]

Перевзлучение света, излучаемого в направлении к подложке, в спец, фотолюминесцентном слое, ширина запрещённой зоны к-рого меньше или равна ширине запрещённой зовы активной области, позволяет в 2—2,5 раза повысить г ви- Эти гетероструктуры (рис. 2) [c.467]

В ДГ, содержащей активную узкозонную область, заключённую между двумя широкозонными эмиттерами, прозрачными для генерируемого излучения, и не содержащей поглощающий свет подложки (т, н, многопроходные двойные гетероструктуры, МД Г), фотоны, отразившиеся от поверхности внутрь кристалла, могут после многократных отражений внести вклад в выходящее излучение. При этом потерь фотонов на поглощение в активной области Оа 9 А1 5А8 не наблюдается в связи с тем, что поглощение происходит с пере-язлучением, квантовый выход к-рого близок к 1. Мно-гопроходность приводит к резкому возрастанию Двн-Так, в С, на основе МДГ Са1,, А1 кАз (рис. 3) достигнут т ен = 21% в красной области спектра и 38% в ИК-днапазове. [c.467]

В таких жёстких режимах ток лидерной (незавершённой) стадии может превышать ток последующего завершённого С. р., замыкающего разрядный промежуток, а излучение разряда на этой стадии содержит интенсивную УФ-компоненту (вплоть до мягкого рентгена). Это излучение создаёт свободные фотоэлектроны на расстояниях, значительно иревышаюш их критич. размеры первичных лавин. При импульсном напряжении 50— 200 кВ вдоль поверхности диэлектрика легко возникают плазменные поверхности протяжённостью до 200 см, яркостная темп-ра к-рых может достигать 6-10 К, Специфика С. р. определяется активным взаимодействием плазмы разряда с поверхностью диэлектрика, что отражается на спектральных характеристиках излучения плазмы. Канал С, р, ограничен в пространстве ди-электрич. подложкой, поэтому площадь его сечения меньше, а погонное электрич. сопротивление соответственно больше, чем у свободного искрового разряда. Малая индуктивность и относительно большое сопротивление завершённого С. р. обеспечивают высокую мощность энерговыделения в канале разряда, что приводит к образованию плотной высокотемпературной плазмы с большой площадью излучающей поверхности (Й М ). [c.544]

Полупроводниковые Т.к. К этому классу Т.к. относятся в осн. оксидные. Это эффективные Т. к, косвенного накала. Активным веществом в них являются оксиды металлов в результате их прогревания (активирования), проводимого с целью повышения в объёме н на поверхности катода образуется избыток металла, обеспечивающий необходимую электропроводность Т. к. и снижение Ф. Существуют два типа оксидных катодов — низко- и высокотемпературные. В низкотемпературных оксидных Т.к., работающих при Грав а900—1300 К, используются смеси оксидов щелочно-земельных металлов Ва, Sr и Са. Из-за неустойчивости этих оксидов на воздухе их получают из исходных веществ—двойных или тройных карбонатов (ВаЗг)СОз, (Ва5гСа)СОз. Последние наносятся на металлический керн, смонтированный вместе с подогревателем, и активируются прогреванием непосредственно в изготовляемом приборе при его откачке. При этом образуются оксиды металлов и одновременно нек-рое количество свободных атомов металлов. В высокотемпературных оксидных катодах активным веществом служат оксиды Y, Th и др. Рабочие темп-ры таких Т. к. в зависимости от материала подложки (Та, W, Re) лежат в диапазоне 1400—2000 К. Долговечность оксидных Т.к. ограничивается постоянным испарением оксидного покрытия, а также образованием промежуточного слоя между металлической подложкой, на к-рую наносится активный слой, и покрытием. [c.102]

Подготовленная таким образом проба после высушивания используется для работы с цилиндрическим счетчиком. Для регистрации активности проб малых энергий, наиесенных на подложки, используется торцовый счетчик. Высушивание жидких проб ведется в сушильном шкафу при температуре около 100° С или под инфракрасной лампой, При этом следует убедиться в том, что Ш2 [c.102]

При низкой концентрации пробы повышения активности достигают путем повторного йакапывания или прибегают к методу осаждения. В соответ- ствии с этим методом в радиоактив.ную пробу (100—300 мл) добавляют значительное количество одноименной нерадиоактивной соли и организуют выпадение твердой фазы (радиоактивной и нерадиоактивной) обычными методами осаждения. Затем на центрифуге или фильтр01ва1нием под вакуумом осадок отделяется от жидкости, наносится на алюминиевые подложки и высушивается в сушильном шкафу для последующего определения активности. При этом возможна некоторая потеря радиоактивного осадка. Предупредить эту потерю можно центрифугированием с выделением осадка непосредственно на подложку (рис. 5-4), которая примыкает к ниж нему срезу конического стакана, изготовленного из нержавеющей стали внутренняя ее поверхность отполирована. Очевидно, что к осаждению следует прибегать только при работе с торцовыми счетчиками. [c.103]

Для повышения точности измерения интенсивности излучения следует обращать внимание на равномерность нанесения радиоактивного слоя. Это имеет особое значение при препаратах с малой удельной активностью, когда локальная концентрация слоя может вызвать самопоглощение излучения, достигающее, например, для порошкообразной 5 ( = 0,167 Мэе) 30—40%. Равномерный слой препарата обеспечивает также большую стабильность счета. В литературе описан ряд методов нанесения слоя препарата на подложку Л. 44]. Обычно препарат готовят из водного раствора, который каплями наносится на подложку и затем высушивается. В этих условиях находящееся в капле пробы вещество может распределяться по площади резко неравномерно, имея тенденцию к концентрированию по периметру капли. При этом интенсивность в зависимости от изотопа и вида его соединения в различных участках препарата может различаться в десяткп раз. Лучшие результаты достигаются. 106 [c.106]

Влияние толщины оловянной подложки при измерении активности проб NaaS 04 на торцовом счетчике характеризуется следующими данными [c.112]

Конструктивно ЯП2А выполнен следующим образом. На металлической пластине - основании регулятора смонтированы все элементы схемы. Активные элементы вьшолнены в виде защитных блоков, пассивные - по толстопленочной технологии на херамической подложке с двухсторонним исполнением схемы. [c.16]

Катализ на малых металлических частицах можно рассмат ривать как проявление химического размерного эффекта. Так, в реакции гидрирования бензола с использованием в качестве катализатора полученных разложением металлоорганических комплексов наночастиц никеля или палладия на подложке SiOj с уменьшением размера металлических частиц наблюдается увеличение удельной каталитической активности, т. е. активности, отнесенной к одному поверхностному атому металла. При температуре 373 К и давлении бензола Hg и водорода Hj соответ- [c.10]

В дуговых лампах низкого давления (люминесцентных, натриевых и др.) используются в основном оксидные катоды. Конструктивно они представляют собой биспирали или триспирали преимущественно из вольфрамовой проволоки, покрытые слоем оксида щелочноземельных металлов (рис. 6-6). Такие конструкции катодов обеспечивают увеличение запаса оксида и улучшение его сцепления с подложкой. Некоторые типы катодных узлов имеют экраны различной конструкции (рис. 6-6,6— d). В анодный полупериод экраны принимают на себя часть разрядного тока, предотвращая перегрев, и уменьшают анодное падение потенциала. В катодный полупериод они предохраняют открытый активный слой катода от ионной бомбардировки. Обычно экраны используются в мощных люминесцентных лампах, в лампах с пониженным давлением наполняющего газа и в лампах на постоянном токе. [c.294]

Мы назвали этот режим квазистатическим, поскольку форма треугольника Плато практически не изменяется в процессе движения. Доминирующими являются капиллярные и поверхностные силы, вязкие лишь чуть возмущают равновесную форму мениска. В брезертоновском режиме, активно изучавшемся многими авторами, равновесные мениски треугольника Плато являются участками окружностей. Такое предположение означает, что треугольник Плато образует с подложкой, вообще говоря, конечные углы контакта. В то же время, чтобы срастить профиль движущейся смачивающей пленки с таким треугольником, необходимо наложить некоторые ограничения на допустимую толщину пленки на бесконечности. Такова цена пренебрежения поверхностными силами. [c.128]

Сообщается также, что такой малоактивный в каталитическом отношении металл, как золото, в виде наночастиц на соответствующих наноструктурных подложках оказался более активным, чем традиционные палладиевые и платиновые катализаторы, в реакциях окисления СО при комнатных температурах и при взаимодействии пропилена с кислородом и водородом [46]. Вместе с тем отмечена немонотонная размерная зависимость активности частиц золота на подложке ТЮг в реакции СО + У2О2 СО2. Максимум активности наблюдался при диаметре частиц около [c.105]

Редкоземельные элементы (активно взаимодействующие с кислородом) вызывают столь же масштабные изменения в характере окисления сплавов системы M rAl, как и добавки хрома и алюминия. Малые (<1 %) количества редкоземельных элементов предотвращают отслаивание окалины AljOj, которое при их отсутствии неизбежно происходит по поверхности раздела оксид—металл. Обычно прочность связи окалины и подложки анализируют в связи с явлениями диффузии, ростом и морфологическими особенностями окалины мы поступим таким же образом. [c.24]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...