Напряжение импульсное

Если магнитный усилитель, используемый в качестве ШИМ импульсного стабилизатора, включить таким образом, чтобы напряжение питания его рабочей цепи было прямо пропорционально входному напряжению импульсного стабилизатора, т. е. если 17=я , то напряжение на выходе стабилизатора (с полной модуляцией) определяется выражением [c.338]

Для измерения малых приращений сопротивлений проволочных тензометров в приборе используются мостовые схемы, питающиеся прямоугольными импульсами напряжения. Импульсное питание при увеличении амплитуды и скважности (Т [c.600]

Переходная характеристика h t) описывает П. п. при подключении свободной цепи к пост, напряжению. Импульсная характеристика описывает П. п. при воздействии на свободную цепь короткого (по сравнению с постоянной времени цепи) и.мпульса. Реакцию 6(i) свободной цепи на воздействие сигнала произвольной формы fl(f) можно вычислить при помощи интеграла Д ю а м е л я [c.580]

На импульсное сопротивление заземлителей грозозащиты, помимо удельного сопротивления грунта, оказывают влияние его импульсные характеристики, т. е. зависимости удельного сопротивления грунта от напряженности импульсного поля, а также значения его импульсной электрической прочности [4]. [c.15]

Удельное сопротивление испытуемого грунта ри при напряженности импульсного поля в момент максимума пмпульса тока) [c.15]

После возбуждения дугового разряда осциллятором он автоматически выключается и включается генератор импульсов высокого напряжения (импульсный стабилизатор), который в момент изменения полярности подает на дугу импульсы напряжения около 300 В, что облегчает восстановление дугового разряда. [c.456]

Для создания постоянного магнитного поля корпус датчика выполнен из стали с большой коэрцитивной силой и намагничен. Мембрана датчика воспринимает импульсы ударов детонационной волны, колебания ее передаются магнитострикционному стержню 6 датчика, вызывая изменение его магнитного сопротивления постоянному магнитному потоку. В результате этого в обмотке 2 стержня 6 возникает напряжение. Импульсный сигнал с датчика детонации (рис. 10.34), амплитуда которого пропорциональная скорости нарастания давления в цилиндре двигателя, поступает на вход фильтра низкой частоты детонометра, где отфильтровываются высокочастотные составляющие сигнала, возникающие от вибрации стенок цилиндра, стука клапанов и собственных колебаний стержня датчика. [c.222]

Импульсное оплавление в 1,5—2 раза быстрее, чем оплавление о программированием напряжения. Импульсным оплавлением сваривают как обычные перлитные, так и различные легированные сплавы и стали. [c.70]

В приборе с индикацией результатов измерений на стрелочный индикатор сигнал с выхода датчика пульсаций давления усиливается трехкаскадным усилителем переменного тока и на детекторе выделяется напряжение, близкое к амплитуде напряжения импульсного сигнала. Учитывая возможность превышения допустимого значения осевого зазора для одной поршневой пары при нахождении 5 в пределах нормы для остальных поршневых пар, в приборе применен детектор пиковых значений амплитуды импульсов, имеющий постоянную времени разряда Тр==15 с. Снимаемое с детектора постоянное напряжение усиливается однокаскадным усилителем постоянного тока и подается на стрелочный измерительный прибор. Отклонение стрелки измерительного прибора пропорционально амплитуде импульсов пульсаций давления на выходе насоса, что позволяет отградуировать шкалу прибора непосредственно в значениях амплитуды [c.48]

При разности потенциалов на электродах происходит ионизация межэлектродного промежутка. Когда напряжение достигнет определенного значения, в среде между электродами образуется канал проводимости, по которому устремляется электрическая энергия в виде импульсного искрового или дугового разряда. При высокой концентрации энергии, расходуемой за 10" —10 с, мгновенная плотность тока в канале проводимости достигает 8000—10 ООО А/мм , в результате чего температура на поверхности обрабатываемой заготовки-электрода возрастает до 10 ООО—12 ООО °С. При этой температуре мгновенно оплавляется и испаряется элементарный объем металла и на обрабатываемой поверхности заготовки образуется лунка. Удаленный металл застывает в диэлектрической жидкости в виде гранул диаметром 0,01—0,005 мм. [c.401]

Следующий импульс тока пробивает межэлектродный промежуток там, где расстояние между электродами наименьшее. При непрерывном подведении к электродам импульсного тока процесс эрозии продолжается до тех пор, пока не будет удален весь металл, находящийся между электродами на расстоянии, при котором возможен электрический пробой (0,01—0,05 мм) при заданном напряжении. Для продолжения процесса необходимо сблизить электроды до указанного расстояния. Электроды сближаются автоматически с помощью следящих систем. [c.401]

Импульсное рабочее напряжение способствует повышению точ-ности обработанной поверхности заготовки. Точность обработки зна [c.406]

По всей видимости, снижение е/ в зависимости от hjs можно объяснить следующей причиной. Следствием импульсного нагружения являются последующие свободные колебания сварного соединения. Очевидно, что в зоне сопряжения шва с основным металлом эти колебания за счет концентрации напряжений и деформаций могут приводить к циклическому знакопеременному упругопластическому деформированию материала. Разрушение материала в данном случае может быть связано с накоплением усталостных повреждений. Ясно, что критическая деформация, по сути являющаяся остаточной деформацией после импульсного нагружения, будет меньше, чем критическая деформация при монотонном квазистатическом нагружении. Увеличение относительной высоты усиления hjs приводит к росту инерционных сил, за счет которых в зависимости от схемы нагружения растет амплитуда и(или) количество циклов свободных колебаний сварного соединения. Роль усталостного повреждения в этом случае увеличивается, что приводит к снижению критической деформации при динамическом нагружении. [c.45]

Рис. 1.16. Зависимость номинальных (1) и локальных (2) поперечных напряжений а,х от поперечных пластических деформаций 8 . при импульсном нагружении стыкового сварного соединения (/ — номер полу-цикла)

В случае импульсного нагружения элемента конструкции за счет волновых процессов в зонах концентрации напряжений может реализовываться циклическое упругопластическое деформирование. Данный эффект во многих случаях является причиной уменьшения критической деформации по сравнению с идентичным параметром при статическом нагружении. [c.49]

Импульсные рентгеновские аппараты (РИНА-1Д, РИНА-2Д, РИНА-ЗД и др.) имеют малую массу (12...45 кг) при высоком напряжении на трубке (300. ..400 кВ), имеют два блока — рентгеновский и управления. Автоэлектронный ток возникает в трубке с холодным катодом под действием высоковольтного импульса. Анод [c.123]

Рис. 50. Изменение сварочного тока н напряжения при импульсной сварке вольфрамовым электродом (а) и вид швов (б, в)

Источник накачки представляет собой импульсную газоразрядную лампу, питающуюся от источника высокого постоянного напряжения через конденсатор постоянной емкости. [c.384]

Диод туннельный — диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению при прямом напряжении на характеристике участка, соответствующего отрицательному дифференциальному сопротивлению применяется в устройствах СВЧ и быстродействующих импульсных устройствах [З]. [c.143]

Лампа импульсная — электронная лампа, предназначенная для работы в импульсном режиме в диапазоне метровых и сантиметровых волн ток в импульсе может быть 100 А и более, напряжение 20—30 кВ, мощность может достигать мегаватт 19]. [c.146]

Тиратрон импульсный — тиратрон с водородным наполнением, предназначенный для импульсной работы ток в импульсе может достигать нескольких сотен ампер, обратное напряжение — 30 кВ, частота следования импульсов — нескольких килогерц [9]. [c.156]

Если Еп = Е , где , — энергия ионизации, то когда энергия суммы фотонов Nhv достигнет величины, превышающей произойдет ионизация атома, т. е. оптический электрон оторвется от атома. Это явление носит название многофотонной ионизации. Так, например, наблюдалась ионизация атома гелия (потенциал ионизации 24,58 эВ) в результате поглощения 21 фотона излучения неодимового лазера (5. = 1,06 мкм), В такого рода опытах применяется сфокусированное излучение мощных импульсных лазеров. При этом напряженность электрического поля составляет 10 —10 В/см. Если ионизация происходит в газе или конденсированном диэлектрике, то при очень большой плотности энергии может возникнуть искровой пробой среды электрическим полем излучения лазера. [c.312]

По осциллограммам, снятым при разных максимальных значениях импульса тока, но с одинаковой длительностью его фронта, определялись удельные сопротивления грунта и напряженности импульсного поля для момента максимума тока, т. е, при /=Тф. По результатам таких измерений для различных грунтов и увлажняющей их воды построены импульсные характеристики palp=f E), т. е. зависимости относительного импульсного удельного сопротивления от напряженности импульсного поля в момент максимума тока с постоянной длительностью фронта Тф рис. 1-5). [c.18]

За напряженность импульсного поля обычно принимается максимальное изменение (скачок) напряженности поля при импульсном намагничивании, которое обозначается Я или ЛЯ п (или Ямакс = 1/2ЛЯюш). [c.47]

Одной из наиболее важных импульсных характеристик является зависимость времени перемагничиваният при наложении импульсного магнитного поля на ферромагнитный сердечник от максимальной напряженности импульсного магнитного, поля Я мп- Чаще всего используют обратную характеристику [c.48]

Необходимые изоляционные расстояния выбираются в конструкции трансформатора, исходя из величины нормированных испытательных напряжений одноминутного напряжения промышленной частоты и напряжения импульсного при полной волне 1,5/40 мксек и волне, срезанной при 2 мксек. [c.253]

Некоторое затруднение в применении анодной электрохимической защиты — потребность в большом токе для пассивации конструкции — может быть устранено а) постепенным заполнением конструкции раствором под током б) предварительной пассивацией защищаемой поверхности пассивирующими растворами (например, 60% HNOg -f 10% К3СГ2О7) в) применением импульсных источников постоянного тока. Следует также поддерживать потенциал защищаемой конструкции в области оптимальных его значений, чтобы избежать возможного протекания некоторых видов местной коррозии (точечной, межкристаллитной и избирательной коррозии под напряжением). Слабым местом этого вида защиты является недейственность его выше ватерлинии, а иногда и недостаточность по ватерлинии, что требует иногда дополнения его другими методами защиты, в частности использованием для [c.321]

При решении динамической упругопластической задачи возникает вопрос о пространственно-временной аппроксимации процесса взрывной запрессовки трубки в коллектор. На рис. 6.3 представлена схема расчетного узла ячейки коллектора для расчета собственных напряжений и деформаций. Здесь Явн — внутренний радиус трубки б — толщина трубки, S — толщина стенки коллектора а — ширина перемычки между отверстиями. Выбор величины радиуса Ян проводится посредством численных расчетов из условия инвариантности НДС от Rh при неизменных характере и уровне импульсной нагрузки при взрыве. Расчет НДС проводится в осесимметричной постановке и отражает ряд существенных особенностей процесса запрессовки трубки в коллектор. К ним относятся возможность учета сложного характера распределения во времени и пространстве давления на внутренней поверхности трубки, обусловленного неодновременной детонацией цилиндрического заряда. Кроме того, с помощью специальных КЭ достаточно хорошо моделируется условие контакта трубки с коллектором в процессе прохождения прямых и отраженных волн напряжений при динамическом нагружении. Учет указанных особенностей позволяет рассчитывать неоднородное поле напряжений и деформаций по высоте трубки (толщине коллектора) и, следовательно, достаточно надежно при учете общ.их, остаточных и эксплуатационных напряжений проанализировать НДС в зоне недовальцовки, в которой инициировались имеющиеся разрушения в коллекторе. [c.334]

Карзов Г. П., Костылев В. И., Марголин Б. 3. Применение метода конечных элементов к анализу напряженно-деформированного состояния элементов конструкций при импульсном нагружении//Судостроит. пром-сть,— Сер. Материаловедение Сварка.— 1989. — Вып. 7, — С, 76—87, [c.368]

Для формирования библиотеки моделей регуляторов напряжения (PH) следует учесть, что в транспортных ЭЭС используются регуляторы трех конструктивных исполнений на магнитных усилителях, транзисторно-тиристорные и транзисторные с широтно-импульсной модуляцией. В библиотеке моделей преобразователей Пр должны быть включены модели трансформаторов Три трансформаторно-выпрямительных устройств ТВУ. В библиотеке П должны быть учтены типовые нагрузки транспортных ЭЭС симметричные и несимметричные активноиндуктивные нагрузки, двигатели асинхронные и постоянного тока, импульсные нагрузки. [c.227]

Для демонстрации широких возможиостей ППП Динамика ЭЭС представляются примеры моделирования ЭЭС, структурно-функциональная схема которой дана на рис. 7.11. На рис. 7.13, а приведены кривые переходных процессов по напряжению СГ для случая PH с широтно-импульсной модуляцией и импульсной активно-индуктивной нагрузкой. Параметры нагрузки характеризуются коэффициентом мощности 0,9 диапазоном относительного изменения 0,4—1,0 длительностью импульса 20 м-с длительностью паузы 5 м/с. Последовательность моделируемых режимов такова включение возбуждения СГ, наброс статической нагрузки мощностью 0,4 от номинальной мощности, включение импульсной нагрузки. [c.230]

ДАТЧИК - элемент устройства, преобразующий информацию о физической величине в сигнал, удобный для использования и обработки в системах автоматического контроля и управления. Наиболее распространены Д с выходными сигналами электрической природы напряжение, ток. частотно- и фазомо-дулированные гармонические и импульсные колебания, а также датчики дискретных сигналов. [c.15]

В обозначениях некоторых ламп после четвертого элемента через тире ставится еще буква, указывающая на особые условия работы лампы В—лампа повышенной механической прочности и надежности, Е — долговечная лампа, И — лампа, предназначенная для ра ты в импульсном режиме, К — лампа высокой виброустойчивости. Например, 6ПЗС — Е — выходной пентод или лучевой тетрод с напряжением накала 6,3 В, имеющий номер типа 3, выполненный в стеклянном баллоне с цоколем, обладающий повышенной долговечностью. [c.139]

Марку газонаполненных приборов составляют из трех основных элементов. Первый эдемент — буква, характеризующая тип прибора ГГ — газотрон с наполнением инертным газом, ГР — газотрон с наполнением ртутными парами, ТГ — тиратрон с накальным катодом и наполнением инертным газом, ТР — то же, но с наполнением ртутными парами, ТГИ — импульсный титратрон, И —игнитрон) второй элемент— число, отличающее прибор данного типа от других, третий элемент (ставится после тире) —дробь с косой чертой, числитель которой указывает максимальную величину среднего значения анодного тока (для импульсных приборов — максимальный ток в импульсе) в амперах, а знаменатель — максимальное значение обратного анодного напряжения в киловольтах. Для приборов с тлеющим разрядом — тиратронов с холодным катодом — и газонаполненных стабилизаторов напряжения в качестве первого элемента используют буквы ТХ —тиратрон с холодным катодом, СГ — газонаполненный стабилизатор напряжения, а в качестве третьего элемента — буква, характеризующая конструктивное оформление прибора, как и при маркировке приемно-услительных ламп и кенотронов. Иногда после тире добавляется еще один элемент, как и при маркировке приемно-усилительных ламп, указывающий на особые условия работы. [c.139]

Диод двухбазовый — полупроводниковый диод, у которого базовая пластина имеет два электрических вывода от ее противоположных торцов рабочий и вспомогательный с помощью напряжения между ними можно получить на харакгеристике диода участок, соответствующий отрицательному дифференциальному сопротивлению применяется главным образом в импульсных спусковых схемах [9]. [c.142]

Тригатрон — ионный разрядник высокого напряжения с холодным катодом и вспомогательным электродом, предназначенный для управления моментом возникновения импульсного дугового разряда. [c.159]

Мощные выпрямители обычно имеют трехфазчую схему. Если требуется плавно вручную или автоматически регулировать выпрямленное напряжение, то в качестве вентилей используют тиристоры (рис. 1, г). Регулируя фазу импульсного напряжения, подаваемого от генератора импульсов ГИ на управляющие электроды тиристоров, изменяют длительность импульсов тока, проходящих через них, и тем самым величину выпрямленного тока. Сглаживающим фильтром в мощных выпрямителях обычно служит индуктивность дросселя или самой нагрузки. При холостом ходе U = 0,95> 2 Ui os а, где а — угол управления, значение которого отсчитывается от момента вступления в работу очередного тиристора в неуправляемом выпрямителе (Уобр = = 1 6 С/ [c.167]

Многофотонное поглощение может проявляться весьма разнообразно. Если, например, вещество облучать светом, в составе которого есть спектральные компоненты с частотами и oJo, то может произойти поглощение двух фотонов и A oj при условии, что 0 1 -f U2 = um . Отметим также, что в результате поглощения многих фотонов оптический электрон может также оторваться от атома многофотонная ионизация, Г. С. Воронов, Н. Б. Делоне, 1965 г.). Так, например, наблюдалась ионизация атома гелия (потенциал ионизации 24,58 эВ) в результате поглощения 21 фотона излучения неодимового лазера (X = 1,06 мкм). В такого рода опытах применяется импульсное сфокусированное излучение мощных лазеров, освещенность достигает значений 10 — 10 Вт/см , а напряженность электрического поля составляет 10 — 10 В/см. [c.571]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...