Подложки ситалловые

В первую очередь электронный луч применяют для размерной обработки твердых труднообрабатываемых материалов, таких, как алмаз, вольфрам, титан, твердые и высоколегированные сплавы, ковар, инвар, кварц, керамика, рубин, кристаллы кремния, германия, резистивные пленки на ситалловой и кварцевой подложках. [c.616]

Резисторы тонкопленочных схем образуются в процессе напыления металлов или других токопроводящих веществ обычно на ситалловую подложку. Их конфигурация определяется топологией (размещением и размерами) резистивного слоя масок, через окна которых проводится напыление. Используется как вакуумное термическое напыление, так и катодное распыление. Процесс напыления проводится в специальных вакуумных установках (УВН-2М, УВР и др.). [c.146]

Пленочные катушки индуктивности выполняют чаще всего на отдельных ситалловых подложках методом вакуумного испарения метал- [c.225]

На фото 1 показана часть типичного монтажа транзисторного усилителя на дискретных компонентах (усилителя второго поколения). В цилиндрических корпусах, закрепленных в печатной плате с тремя выводами, — транзисторы. На фото 2 показан при снятой верхней крышке корпуса гибридный операционный усилитель аналогичного класса. Отчетливо можно различить квадратные кристаллы — чипы. Пять из них представляют собой небольшие монолитные интегральные схемы — у них по семь выводов-проволочек, в то время как другие три кристалла с тремя выводами — одиночные транзисторы. Четырнадцать темных кругов по нижней и верхней граням со светлыми впайками — концы внешних выводов, выходящих из корпуса с противоположной, невидимой стороны. На светлой ситалловой подложке можно ясно различить блестящие полоски — проводники и контактные площадки и матовые темные полоски резистивных пленок сопротивлений. [c.80]

Алюминий позволяет получить адгезию к ситалловым подложкам порядка 1,5-10 —2,0-10 Па. Все металлы, у которых температура плавления Тпл больше 1400 °С, а также магний и алюминий, обладают хорошей адгезией к кремнию, причем эти металлы, за исключением платины и палладия, обладают также хорошей адгезией к 5Ю2. Алюминий, кроме того, активно раскисляет поверхность кремния и хорошо травится. Он позволяет в первом приближении решить всю проблему коммутации интегральных и гибридных интегральных схем — создание омических контактов, пленочных проводников, внешних выводов (алюминиевая проволока, присоединяемая термокомпрессией). [c.446]

В то же время алюминий подвержен электроыиграции, обладает относительно высокой растворимостью в кремнии, что может нарушить структуру неглубоких переходов. Для обеспечения надежных контактных соединений в гибридных интегральных схемах адгезия алюминия к ситалловым и стеклянным подложкам недостаточно высока и стабильна. [c.446]

Резисторы напылялись на ситалловую подложку 48X60 мм через биметаллическую маску на установке УВН-2М-1. В качестве резистивного материала использовался. металло-силицнд-ный сплав МЛТ-ЗМ. Условия напыления давление остаточны.х газов 10 Торр, температура подложки 330°С, скорость кондеи- [c.125]

Более явным должно быть отклонение толщины пленок, осажденных в вакууме через маску, по сравнению с толщиной пленок, осажденных при тех же условиях на открытую подложку. Для проверки этой закономерности сравнивались медные пленки, напыленные одновременно на ситалловые подложки 48x30 мм с маской и без маски. С этой целью стандартная подлолска 48X60 мм разрезалась пополам и обе половины ее устанавливались на одной позиции, только одна половина находилась пад маской с 72 одинаковыми щелями, а другая оставалась открытой. Напыление производилось на установке i BH-2M-2. Условия напыления давление остаточных газов Ю Торр, температура подложки 150—260°С. Скорость испарения контролировалась по ИСТИ-1. Толщина пленок измерялась с по.мощью интерферометра МИИ-4 и весовым методом. Весовая толщина пленок определялась путем взвешивания под- [c.125]

I и 2 —низхоомный и высокоомный резисторы прямо-угольной формы, 5 — высокоомный резистор типа меандр , 4 — ситалловая подложка толщиной 0,5—0,6 мм, 5 — высокоомный составной резистор. 6 — контактная площадка [c.117]

Оловянно-свинцовые сплавы широко применяют в промышленности для пайки. При изготовлении микросхем слои припоя наносят обычно методом горячего лужения на контактные площадки, к которым крепятся активные элементы. Этот процесс является трудноконтролируемым, так как толщина слоя зависит от температуры, скорости погружения и извлечения контактной площадки и т. п. Количество припоя оказывается различным на разных контактных площадках одной и той же схемы, что приводит к перекосу закрепляемых деталей, ухудшению механической жесткости схемы и, следовательно, большему проценту брака. В нашей лаборатории проведены исследования возможности применения метода нанесения припоя путем испарения и конденсации оловянно-свинцовых сплавов в вакууме. Так как пассивные элементы схемы (резисторы, конденсаторы, токоведущие дорожки) наносят на ситалловые подложки таким же методом, этап нанесения припоя может быть без особых усложнений установки включен в общую технологическую схему производства микросхем. [c.202]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...