Эпитаксия газофазная

Широкое развитие получил метод газофазной эпитаксии из металлорганических соединений (МОС), которым, например, получают монокристаллические слои соединений А в . [c.330]

Перечислите и охарактеризуйте методы газофазной эпитаксии. [c.333]

Многослойные, многокомпонентные эпитаксиальные структуры могут быть последовательно получены в едином ростовом цикле. Кроме того, поскольку в процессе роста не участвуют травящие вещества, то возможно получение резких границ между различными слоями, причем возрастает однородность слоев по толщине и составу, так как процесс роста не является результатом конкуренции между осаждением и травлением, как в некоторых других методах газофазной эпитаксии. [c.347]

Монокристаллич. плёнки с совершенной структурой получают выращиванием на монокристаллнч. подложках с решёткой близкого структурного типа и с близкими значениями параметра решётки (молекулярно-лучевая эпитаксия, газофазная, жидкофазная апп-такскя и др.). [c.658]

Описаны природа и закономерности образования дефектов в эпитаксиальных слоях полупроводников. Обобщены и проанализированы данные о влиянии структурных несовершенств (различие периодов решетки, наличие градиента состава и наследование дефектов из подложки и др.) на морфологические особенности композиций на основе многокомпонентных твердых растворов соединений Рассмотрены. основные механизмы и источники образования дислокаций при эпитаксии. Впервые рассмотрены вопросы стехиометрии при жидко- и газофазной эпитаксии. Особое внимание уделено влиянию электрически активных дефектов на характеристики ин-жекционных лазеров, светодиодов и других полупроводниковых приборов. [c.54]

При Л. п. необходимо равномериое распределение примеси в объёме кристалла или по толщине эпитаксиального слоя. При направленной кристаллизации из расплава равномерное распределение примеси по длине слитка достигается поддержанием постоянной её концентрации в расплаве (за счёт его подпитки) либо программированным изменением коэф. распределения примеси. Последнее достигается изменением параметров процесса роста. Повысить однородность распределения примесей в монокристаллах можно воздействуя на расплав магн. полем. Магн. поле, приложенное к проводящему расплаву, ведёт к возникновению пондеромоторных сил. Последние резко снижают интенсивность конвекции и связанные с ней флуктуации темп-ры и концентрации примесей. В результате однородность кристалла повышается. Однородного распределения при эпитаксии из жидкой фазы достигают кристаллизацией при пост, теми-ре в случае газофазной эпитаксии, обеспечивая пост, концентрацию примеси в газовой фазе над подложкой. [c.579]

В настоящее время наиболее активно исследуются свойства нитрида в неравновесном — пленочном состоянии, в составе гете-рострукт р, в виде ультра- и нанодисперсных порошков [11—26]. Подобные состояния могут быть получены синтезом AIN методами молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) [15, 18, 22], осаждением из паров металлорганических соединений [14], газофазной эпитаксией металлорганических соединений [26], прямым взаимодействием алюминия (расплавленного, порошкового и в виде фольг) с потоком азота [12,13, 20, 21, 25]. [c.6]

Успешное развитие методов молекулярно-пучковой эпитаксии и газофазной эпитаксии с использованием металлоорганических соединений привело к созданию, на основе широкого круга полупроводниковых материалов, многослойных гетероэпитаксиальных структур со сверхтонкими (на нанометровом уровне) слоями. Основные свойства таких структур определяются квантоворазмерными эффектами, и потому эти структуры получили название квантоворазмерные . Хорошо известными [c.86]

Для получения тонкопленочных гетероэпитаксиальных структур твердых растворов SiGe успешно используют традиционную газофазную гидридь1ую эпитаксию, а также методы молекулярно-пучковой и высоковакуумной химической эпитаксии при температурах 750...800°С. Основной проблемой в получении высококачественных гетероструктур является необходимость резкого снижения плотности дислокаций в рабочих слоях приборных композиций и устранения шероховатостей гетерограниц, вызывающих дополнительное рассеяние носителей тока. [c.91]

Тенденция перехода на использование многослойных тонкопленочных композиций, в том числе квантоворазмерных структур, в данном случае проявляется еще более рельефно по сравнению с кремнием. В связи с этим является первоочередной задача разработки и освоения низкотемпературных эпитаксиальных процессов. Используемые при этом принципиальные подходы аналогичны для кремния. Учитывая многообразие представляющих непосредственный практический интерес объектов, упор делается на разработку достаточно универсальных базовых технологических процессов и ростового оборудования, которые могли бы быть достаточно несложно трансформированы с учетом индивидуальных особенностей той или иной группы материалов. Такими базовыми процессами являются газофазная эпитаксия с использованием в качестве исходных материалов летучих металлоорганических соединений и гидридов соответствующих элементов (МОС-гидридная эпитаксия), а также молекулярно-пучковая эпитаксия. Оба эти технологических процесса доведены до уровня достаточно широкого промышленного использования. [c.93]

Термометрию по пропусканию света с фиксированной длиной волны разрабатывали для использования в процессах газофазной эпитаксии полупроводниковых пленок [5.21], быстрых термических процессах [5.4, 5.5], плазмохимических процессах [5.6]. Быстрые термические процессы (rapid thermal pro esses) в последние годы широко распространены в микротехнологии [5.22, 5.23]. Эти процессы основаны на нагревании подложек под действием мощных (до 1004-1000 Вт/см ) световых потоков до температур 10004-1200 °С для быстрого проведения необходимой обработки поверхности (окисление, осаждение пленки, травление и т. д.). [c.127]

Кроме классификации по различию взаимодействия нарастающего вещества с подложкой (авто-, гетеро- и хемоэпитаксии), методы газофазной эпитаксии можно подразделить на химические и физические - по наличию или отсутствию химических реакций в газовой фазе. [c.328]

Химические методы газофазной эпитаксии основаны на осаждении из газовой фазы вещества, полученного в результате химической реакции. Примером могут служить технологии получения кремниевых или германиевых эпитаксиальных слоев. Например, автоэпитаксия кремния из парогазовой смеси тетрахлорида кремния и водорода протекает по реакции восстановления при температуре 1100 °С [c.328]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...